JPS6325723B2 - - Google Patents
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- JPS6325723B2 JPS6325723B2 JP57049309A JP4930982A JPS6325723B2 JP S6325723 B2 JPS6325723 B2 JP S6325723B2 JP 57049309 A JP57049309 A JP 57049309A JP 4930982 A JP4930982 A JP 4930982A JP S6325723 B2 JPS6325723 B2 JP S6325723B2
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- JP
- Japan
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- copper
- dielectric
- electrode
- heat treatment
- silver
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5127—Cu, e.g. Cu-CuO eutectic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高周波用誘電体セラミツク上に電
極を形成する方法に関し、特に、誘電体共振器、
高周波用回路基板、マイクロ波集積回路用素子な
どのような高周波機器に備える電極を銅の無電解
めつきにより形成する方法の改良に関する。
極を形成する方法に関し、特に、誘電体共振器、
高周波用回路基板、マイクロ波集積回路用素子な
どのような高周波機器に備える電極を銅の無電解
めつきにより形成する方法の改良に関する。
マイクロ波回路のフイルタとして、従来は、空
胴共振器を使用してきたが、その大きさは、原理
的に、共振周波数の波長によつて決定されるの
で、小形化は困難であつた。そこで、この小形化
の要求を満たすものとして、誘電体共振器が提案
されている。この誘電体共振器は、GHz帯の高
い周波数を用いる装置のフイルタとして注目され
ており、従来の空胴共振器に比べて、1/2〜1/3に
小形化され、さらに、高性能で安定性が高いとい
う特徴をもつている。その用途としては、自動車
電話、通信衛星などに及んでいる。
胴共振器を使用してきたが、その大きさは、原理
的に、共振周波数の波長によつて決定されるの
で、小形化は困難であつた。そこで、この小形化
の要求を満たすものとして、誘電体共振器が提案
されている。この誘電体共振器は、GHz帯の高
い周波数を用いる装置のフイルタとして注目され
ており、従来の空胴共振器に比べて、1/2〜1/3に
小形化され、さらに、高性能で安定性が高いとい
う特徴をもつている。その用途としては、自動車
電話、通信衛星などに及んでいる。
第１図はこの発明が適用される高周波機器の一
例としての誘電体共振器の代表的な形状を示す斜
視図である。誘電体共振器の形状としては、その
他に、直方体状、円柱状のものがあるが、第１図
に示すような円筒状のものが、スプリアス特性が
優れているという理由からよく使われている。第
１図を参照して、円筒状の誘電体１の内周面、外
周面、および一端面にそれぞれ電極２，３および
４が連続して形成されることによつて、誘電体共
振器が得られる。なお、他端面５には電極は形成
されていない。
例としての誘電体共振器の代表的な形状を示す斜
視図である。誘電体共振器の形状としては、その
他に、直方体状、円柱状のものがあるが、第１図
に示すような円筒状のものが、スプリアス特性が
優れているという理由からよく使われている。第
１図を参照して、円筒状の誘電体１の内周面、外
周面、および一端面にそれぞれ電極２，３および
４が連続して形成されることによつて、誘電体共
振器が得られる。なお、他端面５には電極は形成
されていない。
このような誘電体共振器において、Ｑは、誘電
体１自身のＱと電極２，３および４自身のＱによ
つて決定されるものであつて、次の式のように表
わすことができる。
体１自身のＱと電極２，３および４自身のＱによ
つて決定されるものであつて、次の式のように表
わすことができる。
１／Qo＝１／Qd＋１／Qe
ここに、Qoは誘電体共振器のＱ、Qdは誘電体
１のＱ、Qeは電極２，３および４のＱである。
１のＱ、Qeは電極２，３および４のＱである。
上の式において、通常、Qdは、20000のオーダ
であり、Qeは1000のオーダである。このことか
ら、電極のQeが無視できないほど大きくQoの値
に影響することがわかる。この電極のQeは、電
極自身を構成する金属の導電率が大きく作用する
ことがわかつている。
であり、Qeは1000のオーダである。このことか
ら、電極のQeが無視できないほど大きくQoの値
に影響することがわかる。この電極のQeは、電
極自身を構成する金属の導電率が大きく作用する
ことがわかつている。
従来、電極としては、銀が一般的に用いられて
いた。銀を用いる場合、銀の焼付けが適用されて
いた。そのため、銀粉末にガラスフリツト、有機
バインダ、および溶剤を混入し、ペースト状とす
る。このペーストを筆塗り等の手段で付着し、熱
処理によりガラスフリツトを溶融させて誘電体の
表面に銀が焼付けされる。しかしながら、このよ
うな方法では塗りむらが起こる。またガラスフリ
ツトの混入は、導電率を低下させ、本来、6.06×
105［１／Ω・cm］の導電率を有している銀であつ
ても、約80％のオーダで導電率が低下する。銅の
場合には、5.81×105［１／Ω・cm］の導電率を有
しているが、上述のようにガラスフリツトを含ん
だ銀の電極の導電率は、結局、高価な銀を使用し
ているにもかかわらず、銅より低くなつてしま
う。したがつて、上記式で表わされたQoを低下
させる。また、銀電極の場合、密着強度を得る目
的でガラスフリツトを用いているにもかかわら
ず、0.38Kg／mm2程度と低く、導電率の向上を狙つ
てガラスフリツトの量を少なくすることはできな
いのが現状である。
いた。銀を用いる場合、銀の焼付けが適用されて
いた。そのため、銀粉末にガラスフリツト、有機
バインダ、および溶剤を混入し、ペースト状とす
る。このペーストを筆塗り等の手段で付着し、熱
処理によりガラスフリツトを溶融させて誘電体の
表面に銀が焼付けされる。しかしながら、このよ
うな方法では塗りむらが起こる。またガラスフリ
ツトの混入は、導電率を低下させ、本来、6.06×
105［１／Ω・cm］の導電率を有している銀であつ
ても、約80％のオーダで導電率が低下する。銅の
場合には、5.81×105［１／Ω・cm］の導電率を有
しているが、上述のようにガラスフリツトを含ん
だ銀の電極の導電率は、結局、高価な銀を使用し
ているにもかかわらず、銅より低くなつてしま
う。したがつて、上記式で表わされたQoを低下
させる。また、銀電極の場合、密着強度を得る目
的でガラスフリツトを用いているにもかかわら
ず、0.38Kg／mm2程度と低く、導電率の向上を狙つ
てガラスフリツトの量を少なくすることはできな
いのが現状である。
高価な銀に対して、銅を電極として用いる試み
もなされている。銅電極を形成する場合、通常、
無電解めつきが用いられる。しかしながら、この
無電解めつきによる銅電極は、このままでは導電
率が小さく、Ｑも低いという欠点があつた。ま
た、高温に放置したり、温中に放置したりすると
特性が劣化するため、耐候性に難点がある。さら
に密着強度も悪く、これに起因して、ヒートサイ
クル試験を行なつた後の共振周波数が大きく変化
するという欠点があつた。このヒートサイクル試
験の一例を挙げれば、−40℃に２時間保持し、そ
の後＋80℃に温度を上げ、２時間保持することを
１サイクルとして、10サイクル繰返して行なう試
験である。このようなヒートサイクル試験で共振
周波数が大きく変化する原因としては、銅電極が
ヒートサイクル試験で誘電体との密着性が低下す
ることが考えられる。
もなされている。銅電極を形成する場合、通常、
無電解めつきが用いられる。しかしながら、この
無電解めつきによる銅電極は、このままでは導電
率が小さく、Ｑも低いという欠点があつた。ま
た、高温に放置したり、温中に放置したりすると
特性が劣化するため、耐候性に難点がある。さら
に密着強度も悪く、これに起因して、ヒートサイ
クル試験を行なつた後の共振周波数が大きく変化
するという欠点があつた。このヒートサイクル試
験の一例を挙げれば、−40℃に２時間保持し、そ
の後＋80℃に温度を上げ、２時間保持することを
１サイクルとして、10サイクル繰返して行なう試
験である。このようなヒートサイクル試験で共振
周波数が大きく変化する原因としては、銅電極が
ヒートサイクル試験で誘電体との密着性が低下す
ることが考えられる。
さらに、ニツケルの無電解めつきによる電極も
考えられるが、ニツケルは、本来、導電率が低い
ため、この電極のQeが低く、誘電体共振器とし
てのQoも、銀電極のものに比べて1/2程度と低
く、実用上評価に値しない。
考えられるが、ニツケルは、本来、導電率が低い
ため、この電極のQeが低く、誘電体共振器とし
てのQoも、銀電極のものに比べて1/2程度と低
く、実用上評価に値しない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、銅が安
価でありかつ導電率も比較的優れていることに着
目し、この銅を用いて、前述したような欠点を解
消しつつ、高周波用誘電体セラミツク上に電極を
形成する方法を提供することである。
価でありかつ導電率も比較的優れていることに着
目し、この銅を用いて、前述したような欠点を解
消しつつ、高周波用誘電体セラミツク上に電極を
形成する方法を提供することである。
この発明は、要約すれば、高周波用誘電体セラ
ミツク上に無電解銅めつきによる銅皮膜を形成す
ることは従来と同様であるが、さらに、この銅皮
膜を窒素、アルゴンなどの不活性雰囲気中で、
300゜〜900℃で熱処理することを特徴とするもの
である。このような熱処理によつて、無電解めつ
きによる銅皮膜は、純銅に近い状態に変化する。
したがつて、銅皮膜の誘電体に対する密着強度が
高くなり、かつ電極のQeが改善され、ひいては、
たとえば誘電体共振器のQoも改善されることに
なる。さらに、このようなQeのばらつきも小さ
くなることも確認されている。なお、熱処理を行
なう時間については、通常、約30分間程度に選ば
れる。そして、熱処理温度としては、500゜〜700
℃の範囲でより優れた結果をもたらす。
ミツク上に無電解銅めつきによる銅皮膜を形成す
ることは従来と同様であるが、さらに、この銅皮
膜を窒素、アルゴンなどの不活性雰囲気中で、
300゜〜900℃で熱処理することを特徴とするもの
である。このような熱処理によつて、無電解めつ
きによる銅皮膜は、純銅に近い状態に変化する。
したがつて、銅皮膜の誘電体に対する密着強度が
高くなり、かつ電極のQeが改善され、ひいては、
たとえば誘電体共振器のQoも改善されることに
なる。さらに、このようなQeのばらつきも小さ
くなることも確認されている。なお、熱処理を行
なう時間については、通常、約30分間程度に選ば
れる。そして、熱処理温度としては、500゜〜700
℃の範囲でより優れた結果をもたらす。
以下、この発明を実施したより具体的な実施例
について説明する。
について説明する。
まず、誘電体セラミツクとして、MgTiO3―
CaTiO3系（MgTiO3…96モル％、CaTiO3…４モ
ル％）の誘電率20〜30（この誘電率の温度係数は
零）のものを用いた。この誘電体セラミツクを、
第１図に示すような形状のものとして、電極２，
３および４を形成するために、無電解銅めつきを
行なつた。この無電解銅めつきを行なう行程を、
より詳しく言えば、まず、脱脂を行ない、次に、
ホウフツ酸などでエツチングを行ない表面を荒
し、次に、塩化第１錫などで感受性化し、次に、
塩化パラジウムなどで活性化を行ない、そして、
硫酸銅―EDTA―ホルマリン、NaOHを含むめ
つき浴中で、無電解めつきを行なう。次に、洗
浄、乾燥を行ない、この発明の特徴となる熱処理
を、窒素雰囲気中で約30分間行なつた。熱処理温
度については、この発明の範囲を決定するため
に、第２図に示すような各条件について実施し
た。熱処理後、第１図に示すように、他端面５を
研磨してチユーニングを行ない、フイルタとなる
ように誘電体共振器を組立てた。
CaTiO3系（MgTiO3…96モル％、CaTiO3…４モ
ル％）の誘電率20〜30（この誘電率の温度係数は
零）のものを用いた。この誘電体セラミツクを、
第１図に示すような形状のものとして、電極２，
３および４を形成するために、無電解銅めつきを
行なつた。この無電解銅めつきを行なう行程を、
より詳しく言えば、まず、脱脂を行ない、次に、
ホウフツ酸などでエツチングを行ない表面を荒
し、次に、塩化第１錫などで感受性化し、次に、
塩化パラジウムなどで活性化を行ない、そして、
硫酸銅―EDTA―ホルマリン、NaOHを含むめ
つき浴中で、無電解めつきを行なう。次に、洗
浄、乾燥を行ない、この発明の特徴となる熱処理
を、窒素雰囲気中で約30分間行なつた。熱処理温
度については、この発明の範囲を決定するため
に、第２図に示すような各条件について実施し
た。熱処理後、第１図に示すように、他端面５を
研磨してチユーニングを行ない、フイルタとなる
ように誘電体共振器を組立てた。
第２図はこの発明による熱処理の温度と共振器
のQoとの関係を示すグラフである。熱処理の施
されていない試料（25℃）については、Qoは761
であり、この発明の範囲内である300゜〜900℃で
は、それぞれ第２図中にかつこ書きで示したよう
に、それぞれQoが高められている。このデータ
から推測されることは、熱処理温度が300℃より
低い場合には、無電解めつきにより析出した銅の
付着が不充分で、900℃より高い場合には、銅が
誘電体セラミツク中に拡散して酸化されてしまう
ということである。また、熱処理温度が500゜〜
700℃である場合、より高いQoを示すことがわか
る。
のQoとの関係を示すグラフである。熱処理の施
されていない試料（25℃）については、Qoは761
であり、この発明の範囲内である300゜〜900℃で
は、それぞれ第２図中にかつこ書きで示したよう
に、それぞれQoが高められている。このデータ
から推測されることは、熱処理温度が300℃より
低い場合には、無電解めつきにより析出した銅の
付着が不充分で、900℃より高い場合には、銅が
誘電体セラミツク中に拡散して酸化されてしまう
ということである。また、熱処理温度が500゜〜
700℃である場合、より高いQoを示すことがわか
る。
この発明によつて得られた銅電極の密着強度を
測定すれば、1.25Kg／mm2と向上されていることが
わかつた。なお、熱処理を行なわないと密着強度
は0.5Kg／mm2であつた。また、Qoのばらつきを標
準偏差で示すと、この発明の場合2.1％であり、
従来の銀電極の10.0％に比べて小さくなつている
ことがわかつた。また、電極の膜厚は、１〜
10μm（化学分析法に基づく値であつて、純粋な銅
を分析するとする場合）が適当である。すなわ
ち、1μm未満であると、電極の抵抗値が高くな
り、逆に、10μmを越えると、厚みを厚くするの
みで経済的でなく、またＱの低下が認められるよ
うになる。さらに、無電解めつきによると、必要
な面にむらなく銅皮膜を形成することができ、し
たがつて、第１図の誘電体１の内周面にある電極
２も問題なく形成することができるとともに、電
極形成のための工程において大量にめつき処理を
同時に行なうことができる。そして、この発明で
は、安価な銅を用いることができるので、材料コ
ストを下げ、しかも従来の銀の焼付けによる電極
に比べて、Ｑが向上される。
測定すれば、1.25Kg／mm2と向上されていることが
わかつた。なお、熱処理を行なわないと密着強度
は0.5Kg／mm2であつた。また、Qoのばらつきを標
準偏差で示すと、この発明の場合2.1％であり、
従来の銀電極の10.0％に比べて小さくなつている
ことがわかつた。また、電極の膜厚は、１〜
10μm（化学分析法に基づく値であつて、純粋な銅
を分析するとする場合）が適当である。すなわ
ち、1μm未満であると、電極の抵抗値が高くな
り、逆に、10μmを越えると、厚みを厚くするの
みで経済的でなく、またＱの低下が認められるよ
うになる。さらに、無電解めつきによると、必要
な面にむらなく銅皮膜を形成することができ、し
たがつて、第１図の誘電体１の内周面にある電極
２も問題なく形成することができるとともに、電
極形成のための工程において大量にめつき処理を
同時に行なうことができる。そして、この発明で
は、安価な銅を用いることができるので、材料コ
ストを下げ、しかも従来の銀の焼付けによる電極
に比べて、Ｑが向上される。
また、得られた共振器を相対温度95％、温度60
℃の条件で1000時間の高温耐湿試験を行なつた。
第２図はその試験結果を示したものであり、Qo
の変化はわずかである。一方、熱処理を行なわな
かつた従来例のものはQoが10％前後も変化して
おり、このことから、この発明の方法によつて耐
候性に優れた誘電体共振器が得られるといえる。
℃の条件で1000時間の高温耐湿試験を行なつた。
第２図はその試験結果を示したものであり、Qo
の変化はわずかである。一方、熱処理を行なわな
かつた従来例のものはQoが10％前後も変化して
おり、このことから、この発明の方法によつて耐
候性に優れた誘電体共振器が得られるといえる。
なお、この発明は、誘電体共振器に限らず、高
周波用回路基板、マイクロ波集積回路用素子など
にも等しく適用することができる。
周波用回路基板、マイクロ波集積回路用素子など
にも等しく適用することができる。
第１図はこの発明が適用される高周波機器の一
例としての誘電体共振器の代表的な形状を示す斜
視図である。第２図はこの発明による熱処理の温
度と共振器のQoとの関係を示すグラフである。
第３図は高温耐湿試験時間とQoとの関係を示す
グラフである。 図において、１は誘電体、２，３，４は電極で
ある。
例としての誘電体共振器の代表的な形状を示す斜
視図である。第２図はこの発明による熱処理の温
度と共振器のQoとの関係を示すグラフである。
第３図は高温耐湿試験時間とQoとの関係を示す
グラフである。 図において、１は誘電体、２，３，４は電極で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波用誘電体セラミツク上に無電解銅めつ
きによる銅皮膜を形成し、 この銅皮膜を不活性雰囲気中において300゜〜
900℃で熱処理して電極とする、高周波用誘電体
セラミツク上に電極を形成する方法。 ２ 前記熱処理は、500゜〜700℃で行なわれる特
許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049309A JPS58166806A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法 |
| FR8304842A FR2523952B1 (fr) | 1982-03-26 | 1983-03-24 | Procede de formation d'une electrode sur une piece de ceramique dielectrique pour des applications en haute frequence |
| DE19833311046 DE3311046A1 (de) | 1982-03-26 | 1983-03-25 | Verfahren zur herstellung einer elektrode auf einem dielektrischen keramikmaterial fuer hochfrequenzanwendungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049309A JPS58166806A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166806A JPS58166806A (ja) | 1983-10-03 |
| JPS6325723B2 true JPS6325723B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=12827343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57049309A Granted JPS58166806A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166806A (ja) |
| DE (1) | DE3311046A1 (ja) |
| FR (1) | FR2523952B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362929U (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-19 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5234562A (en) * | 1988-11-07 | 1993-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroplating apparatus for coating a dielectric resonator |
| JP2705152B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1998-01-26 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体共振器の製造方法 |
| JP2776023B2 (ja) * | 1990-10-25 | 1998-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体共振器の製造方法 |
| JP2633387B2 (ja) * | 1990-11-20 | 1997-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体共振器の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS58166806A (ja) | 1983-10-03 |
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