JPH04185103A - 誘電体共振器及びその製造方法 - Google Patents
誘電体共振器及びその製造方法Info
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- JPH04185103A JPH04185103A JP2317263A JP31726390A JPH04185103A JP H04185103 A JPH04185103 A JP H04185103A JP 2317263 A JP2317263 A JP 2317263A JP 31726390 A JP31726390 A JP 31726390A JP H04185103 A JPH04185103 A JP H04185103A
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- film
- dielectric resonator
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/04—Coaxial resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は通信機器等に用いられる高周波用の誘電体共振
器及びその製造方法に関するものであも従来の技術 従来 高周波用の誘電体共振器の導電膜として銀が一般
的に用いられていも 銀の導電膜を形成させる場合 銀
の焼付は法が用いられてきた そのために少なくとも銀
とガラスフリットを混合した銀ペーストを筆塗り等の手
段で誘電体セラミックに付着させ、熱処理によって誘電
体セラミック表面に銀金属を焼き付けて導電膜を形成し
ていたこのために銀は本来６． ０６Ｘ１０’（１／Ω
・Ｃｍ）の導電率を有している力丈 この焼付は方法に
よる銅導電膜はガラスフリットが混在しているためく
その導電率の約２０％に低下すａ しかしこのガラスフ
リットは本来 高周波用の誘電体セラミックと銀金属の
密着強度を得る目的で添加されているのス このガラス
フリットが混在しない銀ペーストで導電膜を形成しよう
とすると、導電膜と誘電体セラミックの密着強度が著し
く低下し導電族として用いる事ができなｌ、％ また
銀は高価な金属でもあるのて 製造コストが掛かるとい
う事も懸念されていも そこて 高価な銀に対して安価な銅を導電膜として用い
る試みもなされていも 通象 銅導電膜を形成する場合
鍍金法による導電膜形成がなされも しかし鍍金法に
よって形成されたままの導電膜では導電率が低いために
その導電膜が形成された誘電体共振器のＱ値が小さく
なるので、導電膜をセラミックの上に形成した後に 導
電膜に窒素やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理を施し
導電膜の導電率を高くしてい九 熱処理を不活性ガス中
で行なう理由（よ 導電膜が酸化して半田付は性が悪（
なったり、接触抵抗が大きくなるのを防止するためであ
ａ 発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような銅導電膜の形成方法では 不活
性ガス中で熱処理を行なわなければならないためく 工
程が複雑になり生産性が悪いという問題点を有してい九
また−殻内に銅で作成した導電膜は腐食し易いという
問題点も有してい九本発明は前記従来の問題点を解決す
るもので、熱処理を不活性ガス中等の工数の掛かる環境
下ではなく工数の掛からない大気中で熱処理を行なって
Ｑ値を高くする事ができ、しかも耐候性が良い誘電体共
振器及びその製造方法を提供する事を目的としていも 課題を解決するための手段 この目的を達成するためへ 基体の一方の端部を除く全
表面上に銅でできた第１の導電膜を設ζす、第１の導電
膜の上に重なるように 半田か錫の少なくとも一方でで
きた第２の導電膜を設は九作 用 この構成により、不活性ガス中でなく大気中で熱処理し
ても銅膜が酸化することはなｔ〜実施例 第１図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の〜実施例におけ
る誘電体共振器を示す斜視図及び断面図であも 第１図
（ａ、）（ｂ）において１はＢａＴｉＯｓ系やＭ ｇ
Ｔ ｉ Ｏｓ系の高周波用の誘電体セラミック材料で構
成された円筒状の基恢 ２は基体１の一端面を除いた全
表面に形成された第１の導電膜で、第１の導電膜は銅で
構成されていも ３は第１の導電膜２の上に厚さ２μｍ
で形成された第２の導電膜で、第２の導電膜３は半田か
錫の少なくとも一方によって形成されていも この時第
２の導電膜３は第１の導電膜２が設けられていない一端
面においてＩＬＭＩの導電膜２のむき出しになった端面
を覆うようへ その一端面の周縁部のみに形成されも 以上の様に構成された本実施例の誘電体共振器について
その製造方法を説明する。
器及びその製造方法に関するものであも従来の技術 従来 高周波用の誘電体共振器の導電膜として銀が一般
的に用いられていも 銀の導電膜を形成させる場合 銀
の焼付は法が用いられてきた そのために少なくとも銀
とガラスフリットを混合した銀ペーストを筆塗り等の手
段で誘電体セラミックに付着させ、熱処理によって誘電
体セラミック表面に銀金属を焼き付けて導電膜を形成し
ていたこのために銀は本来６． ０６Ｘ１０’（１／Ω
・Ｃｍ）の導電率を有している力丈 この焼付は方法に
よる銅導電膜はガラスフリットが混在しているためく
その導電率の約２０％に低下すａ しかしこのガラスフ
リットは本来 高周波用の誘電体セラミックと銀金属の
密着強度を得る目的で添加されているのス このガラス
フリットが混在しない銀ペーストで導電膜を形成しよう
とすると、導電膜と誘電体セラミックの密着強度が著し
く低下し導電族として用いる事ができなｌ、％ また
銀は高価な金属でもあるのて 製造コストが掛かるとい
う事も懸念されていも そこて 高価な銀に対して安価な銅を導電膜として用い
る試みもなされていも 通象 銅導電膜を形成する場合
鍍金法による導電膜形成がなされも しかし鍍金法に
よって形成されたままの導電膜では導電率が低いために
その導電膜が形成された誘電体共振器のＱ値が小さく
なるので、導電膜をセラミックの上に形成した後に 導
電膜に窒素やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理を施し
導電膜の導電率を高くしてい九 熱処理を不活性ガス中
で行なう理由（よ 導電膜が酸化して半田付は性が悪（
なったり、接触抵抗が大きくなるのを防止するためであ
ａ 発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような銅導電膜の形成方法では 不活
性ガス中で熱処理を行なわなければならないためく 工
程が複雑になり生産性が悪いという問題点を有してい九
また−殻内に銅で作成した導電膜は腐食し易いという
問題点も有してい九本発明は前記従来の問題点を解決す
るもので、熱処理を不活性ガス中等の工数の掛かる環境
下ではなく工数の掛からない大気中で熱処理を行なって
Ｑ値を高くする事ができ、しかも耐候性が良い誘電体共
振器及びその製造方法を提供する事を目的としていも 課題を解決するための手段 この目的を達成するためへ 基体の一方の端部を除く全
表面上に銅でできた第１の導電膜を設ζす、第１の導電
膜の上に重なるように 半田か錫の少なくとも一方でで
きた第２の導電膜を設は九作 用 この構成により、不活性ガス中でなく大気中で熱処理し
ても銅膜が酸化することはなｔ〜実施例 第１図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の〜実施例におけ
る誘電体共振器を示す斜視図及び断面図であも 第１図
（ａ、）（ｂ）において１はＢａＴｉＯｓ系やＭ ｇ
Ｔ ｉ Ｏｓ系の高周波用の誘電体セラミック材料で構
成された円筒状の基恢 ２は基体１の一端面を除いた全
表面に形成された第１の導電膜で、第１の導電膜は銅で
構成されていも ３は第１の導電膜２の上に厚さ２μｍ
で形成された第２の導電膜で、第２の導電膜３は半田か
錫の少なくとも一方によって形成されていも この時第
２の導電膜３は第１の導電膜２が設けられていない一端
面においてＩＬＭＩの導電膜２のむき出しになった端面
を覆うようへ その一端面の周縁部のみに形成されも 以上の様に構成された本実施例の誘電体共振器について
その製造方法を説明する。
まずＢａＴｉＯｓ系やＭｇＴｉ０ｔ系の高周波用の誘電
体セラミック材料でできた混練物を内径２゜Ｏｍｒｒｃ
外径８．０ｍｍ、高さ１４．０ｍｍの円筒状に成形
し焼成して基体１を作成すも この時基体ｌの表面粗さ
をＯ，Ｉμｍ〜１５．０μｍの間になるように調整すａ
次に基体Ｉの内周面及び外周面及び両端匣 すなわち
基体Ｉの全表面に鍍金法によって箪１の導電膜２を形成
すも 次に第１の導電ＷＩ２の上に鍍金法によって半田
か錫の少なくとも一方によって形成された第２の導電膜
３を形成すも 次に一端面に研磨加工等を施して、その
端面の第１及び第２の導電膜２，３を取り除く。次に′
Ｍ１及び第２の導電膜２，３を形成した基体１を大気中
で半田の固相線温度以上３００℃以下の間で熱処理を施
す。すると第１及び第２の導電膜２，３を研磨した面に
おいて（よ 第２の導電膜３が溶けて第１の導電膜２か
むき出しになった部分を覆う。この様に第１図に示す様
な誘電体共振器を作成した この様な誘電体共振器は第
１の導電膜が露出していないので、第１の導電膜が腐食
する事はなく、安定した特性が長続きすも次にｊｌｌの
導電膜２の厚さ及び熱処理の温度と誘電体共振器のＱ値
の関係について説明すもまず第１の導電膜２を無電解鍍
金法によって形成すも この時１Ｍ１の導電膜２の膜厚
を２μｍ〜１０μｍの間で変化させたサンプルを複数作
成した 。次に第１の導電膜２の上に電気半田鍍金法に
より第２の導電膜３を２μｍの厚さで形成し九次に大気
中で熱処理を施す力丈 その時の熱処理温度を８０ｔ、
１００ｔ、 ２０．０ｔ、 ３００ｔ、 ３
５０℃とした この時熱処理時間が３５０ｔ、 ３０
０＠Ｃ，、２００℃の時は約３０分、 １００℃の時は
３時迎 ８０℃の時は数十時間行なった そして第１の
導電膜２の膜厚及び熱処理温度によって誘電体共振器の
Ｑ値がどの様に変化するかを第２図にまとめた 第２図
は菓ｌの導電膜の膜厚とＱ値の関係を表わしたグラフで
あａ 第２図から判るようにｊＩｌの導電膜の膜厚が３
μｍ以上であればＱ値はほぼ一定で安定していも また
第２図に示す一点鎖線Ａは導電膜として銀膜を用１．Ｘ
、その銀膜の厚さを３０μｍ〜４０μｍ（通常用いられ
る膜厚）とした時のＱ値であａ 従って第１の導電膜が
３μｍ以上であれは 従来用いられている銀の導電膜よ
りもＱ値が大きいことが判も また“第２図から熱処理
温度も１００℃から３００℃であれば十分にＱ値が大き
いことがわかム また１００℃以下または３００℃以上
であるとＱ値が他の温度に比べて非常に小さいことがわ
かａ 以上の様に第１の導電膜の膜厚は３μｍ以上℃
しかも熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にすればＱ
値を十分大きくすることができも しかしながら第２の
導電膜が融解して第１の導電膜及び第２の導電膜を研磨
した面にむき出しになった第１の導電膜を覆うためには
半田の固相線温度以上に加熱してやらなければならな（
〜 第６図は半田の中の錫の含有率と固相線温度の関係
を示すグラフであム このグラフから判るように例えば
錫の含有率が約１８ｗｔ％から約９５ｗｔ％の半田を第
２の導電膜として用いた場合、上記熱処理温度は１８３
℃〜３００℃の間で行なわなければならな（〜従って熱
処理温度は第２の導電膜の固相線温度以上３００℃以下
で行なわなければならな（−次に他の実施例について説
明すも 基体１及び第２の導電膜３及び外見は第１図に示したも
のと同じで、 しかも製造方法についても熱処理を大気
中で行なｔ、Ｌ その時の熱処理温度を半田の固相線
温度以上３００℃以下とする等については同じであム
しかし第１の導電膜の作成方法が異なム すなわちまず
基体１の上に無電解銅鍍金法によって銅膜を０．５μｍ
〜２．０μｍを形成し その銅膜の上に第１の導電膜が
３μｍ以上となるように電気銅鍍金法によって他の銅膜
を積層すム この様にまず無電解銅鍍金法により下地膜
を形成し その下地膜上に電気銅鍍金法によって他の銅
膜を形成する事で、ｆｉｌの導電膜の形成速度を速くす
る事ができも これは以下の理由によるものであも 無
電解銅鍍金法で銅膜を形成しようとすると、形成速度が
非常に遅（ｔ 従っである程度無電解銅鍍金法によって
銅膜を形成した後は形成速度の速い電気銅鍍金法によっ
て形成した方が第１の導電膜の形成は速くなも それで
は最初から電気銅鍍金法によって作成すれば良いように
思える力（基体ｌはセラミックすなわち絶縁体で構成さ
れているために最初から電気銅鍍金法では基体１上に銅
膜を形成できないからであもこのように構成された他の
実施例においても第１の導電膜の厚さ及び熱処理温度に
対する誘電体共振器のＱ値の関係を第３図に示し島 第
３図かられかる様に１Ｍ２図に示した結果とほぼ同じで
、 ２層構造の第１の導電膜を３μｍ以上形成し しか
も熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にする事で、誘
電体共振器のＱ値を大きくする事ができもしか前述した
様に第２の導電膜が融解して第１の導電膜及び第２の導
電膜を研磨した面にむき出しになった第１の導電膜を覆
うためには半田の固相線温度以上に加熱してやらなけれ
ばならなＵ−従って上記熱処理温度は半田の固相線温度
以上３００℃以下で行なわなければならな（〜 また第
２の導電膜を電気半田鍍金法によって形成したけれどＬ
電気錫鍍金法によって形成された錫膜でも同様の効果
を得る事ができ九 次に他の実施例の誘電体共振器と従来の銅だけを導電膜
として持つ誘電体共振器についてＪＩＳ５０２８による
塩水噴霧試験を行なっ九 この結果を第４図に示も 第
４図では塩水噴霧実験の前と後の無負荷Ｑ値の変化と共
振周波数の変化をそれぞれ下段及び上段に記載し九 第
４図から判るように従来の誘電体共振器では試験の前と
後ではＱ値及び共振周波数が大幅に異なっていも これ
は塩水によって銅膜が腐食した事によるものだと考えら
れも しかしながら他の実施例の誘電体共振器で番ヨ
試験の前と後ではＱ値及び共振周波数の変化はほとん
ど見られなかった 次に第２の導電膜（半田膜か錫膜）の膜厚について説明
すも 実施例及び他の実施例では第２の導電膜の厚みを
２μｍとした力（実際は１μｍ以上あれば所定の特性を
得る事ができも 膜厚が１μｍ以下では熱処理の際に第
１の導電膜に拡散したり、また酸化する事によって第２
の導電膜が消失してしまう事があるのて せめて第２の
導電膜の膜厚は１μｍ以上にする事が必要であａ また
先はど膜厚は１μｍ以上であれば良いと述べたけれども
生産性の面からみると、第２の導電膜の膜厚はせめて５
μｍ以下が良（〜 これは第２の導電膜の厚さが５μｍ
以上になると鍍金時間が長くなってしまうからであも
しかし特性面からみると１μｍ以上であればさしつかえ
な（− 次に基体１の表面粗さについて説明すも 第５図は基体
１の面粗さと導電膜と基体との密着強度及び無負荷Ｑ値
の関係をそれぞれ下段及び上段に記載した 第５図から
判るように面粗さが０．１μｍ以上であれば密着強度は
ほぼ０．８以上となるので、面粗さが０．１μｍ以上で
あれば密着強度の点からみれば良いことがわか也 また
面粗さが１５．０μｍ以上であると、Ｑ値が急激に低下
している事がわかム 従ってＱ値の面からみると面粗さ
は１５μｍ以下の方が望まし−従って以上の事実から基
体ｌの面粗さは０．１μｍ〜１５゜０μｍの範囲が望ま
しい事がわかも 以上の様に本実施例によれば 基体ｌの上に銅でできた
ｍｌの導電膜を形成し その上に半田か錫でできた第２
の導電膜を形成した誘電体共振器において、第２の導電
膜を設けた事により、大気中で熱処理を行なう事ができ
るようになるので、従来の様に不活性ガス中で熱処理す
るためにいろいろな設備が不要となり、 しかも工数が
減少するので生産性が向上すａ 又第１の導電膜の厚さ
を３μｍ以上にし しかも基体１及び第１及び箪２の導
電膜の熱処理温度を１００℃〜３（１０℃にししかも基
体の表面粗さをＯ１１μｍ〜１５．０μｍにする事によ
って高いＱ値を得る事ができ、第１の導電膜と基体ｌの
密着強度を大きくする事ができも また第１の導電膜が
第２の導電膜によって完全に覆われているため圏 第１
の導電膜が腐食する事はな（、安定した特性を長続きさ
せる事ができも なお本実施例において熱処理を大気中で行なったけれど
ｋ シリコーンや流動パラフィン等の高温オイル中で熱
処理しても同様の効果を得る事ができな 発明の効果 本発明法 基体の一方の端部を除く全表面上に銅ででき
た第１の導電膜を設ζす、第１の導電膜の上に重なるよ
うに 半田か錫の少なくとも一方でできた第２の導電膜
を設けた事により、不活性ガス中でなく大気中で熱処理
しても銅膜が酸化することはないので、従来のように不
活性ガス中で熱処理するための設備や不要となり、 し
かも工数が減るので生産性が向上する 又第１の導電膜
が外にむき出しになっていないので耐候性も向上させる
事ができるので、寿命を長くする事ができも
体セラミック材料でできた混練物を内径２゜Ｏｍｒｒｃ
外径８．０ｍｍ、高さ１４．０ｍｍの円筒状に成形
し焼成して基体１を作成すも この時基体ｌの表面粗さ
をＯ，Ｉμｍ〜１５．０μｍの間になるように調整すａ
次に基体Ｉの内周面及び外周面及び両端匣 すなわち
基体Ｉの全表面に鍍金法によって箪１の導電膜２を形成
すも 次に第１の導電ＷＩ２の上に鍍金法によって半田
か錫の少なくとも一方によって形成された第２の導電膜
３を形成すも 次に一端面に研磨加工等を施して、その
端面の第１及び第２の導電膜２，３を取り除く。次に′
Ｍ１及び第２の導電膜２，３を形成した基体１を大気中
で半田の固相線温度以上３００℃以下の間で熱処理を施
す。すると第１及び第２の導電膜２，３を研磨した面に
おいて（よ 第２の導電膜３が溶けて第１の導電膜２か
むき出しになった部分を覆う。この様に第１図に示す様
な誘電体共振器を作成した この様な誘電体共振器は第
１の導電膜が露出していないので、第１の導電膜が腐食
する事はなく、安定した特性が長続きすも次にｊｌｌの
導電膜２の厚さ及び熱処理の温度と誘電体共振器のＱ値
の関係について説明すもまず第１の導電膜２を無電解鍍
金法によって形成すも この時１Ｍ１の導電膜２の膜厚
を２μｍ〜１０μｍの間で変化させたサンプルを複数作
成した 。次に第１の導電膜２の上に電気半田鍍金法に
より第２の導電膜３を２μｍの厚さで形成し九次に大気
中で熱処理を施す力丈 その時の熱処理温度を８０ｔ、
１００ｔ、 ２０．０ｔ、 ３００ｔ、 ３
５０℃とした この時熱処理時間が３５０ｔ、 ３０
０＠Ｃ，、２００℃の時は約３０分、 １００℃の時は
３時迎 ８０℃の時は数十時間行なった そして第１の
導電膜２の膜厚及び熱処理温度によって誘電体共振器の
Ｑ値がどの様に変化するかを第２図にまとめた 第２図
は菓ｌの導電膜の膜厚とＱ値の関係を表わしたグラフで
あａ 第２図から判るようにｊＩｌの導電膜の膜厚が３
μｍ以上であればＱ値はほぼ一定で安定していも また
第２図に示す一点鎖線Ａは導電膜として銀膜を用１．Ｘ
、その銀膜の厚さを３０μｍ〜４０μｍ（通常用いられ
る膜厚）とした時のＱ値であａ 従って第１の導電膜が
３μｍ以上であれは 従来用いられている銀の導電膜よ
りもＱ値が大きいことが判も また“第２図から熱処理
温度も１００℃から３００℃であれば十分にＱ値が大き
いことがわかム また１００℃以下または３００℃以上
であるとＱ値が他の温度に比べて非常に小さいことがわ
かａ 以上の様に第１の導電膜の膜厚は３μｍ以上℃
しかも熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にすればＱ
値を十分大きくすることができも しかしながら第２の
導電膜が融解して第１の導電膜及び第２の導電膜を研磨
した面にむき出しになった第１の導電膜を覆うためには
半田の固相線温度以上に加熱してやらなければならな（
〜 第６図は半田の中の錫の含有率と固相線温度の関係
を示すグラフであム このグラフから判るように例えば
錫の含有率が約１８ｗｔ％から約９５ｗｔ％の半田を第
２の導電膜として用いた場合、上記熱処理温度は１８３
℃〜３００℃の間で行なわなければならな（〜従って熱
処理温度は第２の導電膜の固相線温度以上３００℃以下
で行なわなければならな（−次に他の実施例について説
明すも 基体１及び第２の導電膜３及び外見は第１図に示したも
のと同じで、 しかも製造方法についても熱処理を大気
中で行なｔ、Ｌ その時の熱処理温度を半田の固相線
温度以上３００℃以下とする等については同じであム
しかし第１の導電膜の作成方法が異なム すなわちまず
基体１の上に無電解銅鍍金法によって銅膜を０．５μｍ
〜２．０μｍを形成し その銅膜の上に第１の導電膜が
３μｍ以上となるように電気銅鍍金法によって他の銅膜
を積層すム この様にまず無電解銅鍍金法により下地膜
を形成し その下地膜上に電気銅鍍金法によって他の銅
膜を形成する事で、ｆｉｌの導電膜の形成速度を速くす
る事ができも これは以下の理由によるものであも 無
電解銅鍍金法で銅膜を形成しようとすると、形成速度が
非常に遅（ｔ 従っである程度無電解銅鍍金法によって
銅膜を形成した後は形成速度の速い電気銅鍍金法によっ
て形成した方が第１の導電膜の形成は速くなも それで
は最初から電気銅鍍金法によって作成すれば良いように
思える力（基体ｌはセラミックすなわち絶縁体で構成さ
れているために最初から電気銅鍍金法では基体１上に銅
膜を形成できないからであもこのように構成された他の
実施例においても第１の導電膜の厚さ及び熱処理温度に
対する誘電体共振器のＱ値の関係を第３図に示し島 第
３図かられかる様に１Ｍ２図に示した結果とほぼ同じで
、 ２層構造の第１の導電膜を３μｍ以上形成し しか
も熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にする事で、誘
電体共振器のＱ値を大きくする事ができもしか前述した
様に第２の導電膜が融解して第１の導電膜及び第２の導
電膜を研磨した面にむき出しになった第１の導電膜を覆
うためには半田の固相線温度以上に加熱してやらなけれ
ばならなＵ−従って上記熱処理温度は半田の固相線温度
以上３００℃以下で行なわなければならな（〜 また第
２の導電膜を電気半田鍍金法によって形成したけれどＬ
電気錫鍍金法によって形成された錫膜でも同様の効果
を得る事ができ九 次に他の実施例の誘電体共振器と従来の銅だけを導電膜
として持つ誘電体共振器についてＪＩＳ５０２８による
塩水噴霧試験を行なっ九 この結果を第４図に示も 第
４図では塩水噴霧実験の前と後の無負荷Ｑ値の変化と共
振周波数の変化をそれぞれ下段及び上段に記載し九 第
４図から判るように従来の誘電体共振器では試験の前と
後ではＱ値及び共振周波数が大幅に異なっていも これ
は塩水によって銅膜が腐食した事によるものだと考えら
れも しかしながら他の実施例の誘電体共振器で番ヨ
試験の前と後ではＱ値及び共振周波数の変化はほとん
ど見られなかった 次に第２の導電膜（半田膜か錫膜）の膜厚について説明
すも 実施例及び他の実施例では第２の導電膜の厚みを
２μｍとした力（実際は１μｍ以上あれば所定の特性を
得る事ができも 膜厚が１μｍ以下では熱処理の際に第
１の導電膜に拡散したり、また酸化する事によって第２
の導電膜が消失してしまう事があるのて せめて第２の
導電膜の膜厚は１μｍ以上にする事が必要であａ また
先はど膜厚は１μｍ以上であれば良いと述べたけれども
生産性の面からみると、第２の導電膜の膜厚はせめて５
μｍ以下が良（〜 これは第２の導電膜の厚さが５μｍ
以上になると鍍金時間が長くなってしまうからであも
しかし特性面からみると１μｍ以上であればさしつかえ
な（− 次に基体１の表面粗さについて説明すも 第５図は基体
１の面粗さと導電膜と基体との密着強度及び無負荷Ｑ値
の関係をそれぞれ下段及び上段に記載した 第５図から
判るように面粗さが０．１μｍ以上であれば密着強度は
ほぼ０．８以上となるので、面粗さが０．１μｍ以上で
あれば密着強度の点からみれば良いことがわか也 また
面粗さが１５．０μｍ以上であると、Ｑ値が急激に低下
している事がわかム 従ってＱ値の面からみると面粗さ
は１５μｍ以下の方が望まし−従って以上の事実から基
体ｌの面粗さは０．１μｍ〜１５゜０μｍの範囲が望ま
しい事がわかも 以上の様に本実施例によれば 基体ｌの上に銅でできた
ｍｌの導電膜を形成し その上に半田か錫でできた第２
の導電膜を形成した誘電体共振器において、第２の導電
膜を設けた事により、大気中で熱処理を行なう事ができ
るようになるので、従来の様に不活性ガス中で熱処理す
るためにいろいろな設備が不要となり、 しかも工数が
減少するので生産性が向上すａ 又第１の導電膜の厚さ
を３μｍ以上にし しかも基体１及び第１及び箪２の導
電膜の熱処理温度を１００℃〜３（１０℃にししかも基
体の表面粗さをＯ１１μｍ〜１５．０μｍにする事によ
って高いＱ値を得る事ができ、第１の導電膜と基体ｌの
密着強度を大きくする事ができも また第１の導電膜が
第２の導電膜によって完全に覆われているため圏 第１
の導電膜が腐食する事はな（、安定した特性を長続きさ
せる事ができも なお本実施例において熱処理を大気中で行なったけれど
ｋ シリコーンや流動パラフィン等の高温オイル中で熱
処理しても同様の効果を得る事ができな 発明の効果 本発明法 基体の一方の端部を除く全表面上に銅ででき
た第１の導電膜を設ζす、第１の導電膜の上に重なるよ
うに 半田か錫の少なくとも一方でできた第２の導電膜
を設けた事により、不活性ガス中でなく大気中で熱処理
しても銅膜が酸化することはないので、従来のように不
活性ガス中で熱処理するための設備や不要となり、 し
かも工数が減るので生産性が向上する 又第１の導電膜
が外にむき出しになっていないので耐候性も向上させる
事ができるので、寿命を長くする事ができも
第１図は本発明の一実施例における誘電体共振器を示す
斜視医 第２図は同第１の導電膜とＱ値の関係を示すグ
ラフ、第３図は他の実施例の第１の導電膜とＱ値の関係
を示すグラフ、第４図は従来と本実施例の各々の誘電体
共振器の塩水噴霧実験の前と後のＱ値及び共振周波数の
変化を示すグラフ、第５図は基体の面粗さとＱ値及び第
１の導電膜と基体１の密着強度の関係を示すグラフ、第
６図は半田の固相線温度を示すグラフであムト・・・・
・基体 ２・・・・・・第１の導電膜３
・・・・・・第２の導電膜 ４・・・・・・第１
の導電膜代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名
第１図 （ａ） 第２図 ムーム３５０’Ｃ 膜厚（％ｍ） 膜厚（μｍ） 第４図 （鋼層だけ） （制子半田）
斜視医 第２図は同第１の導電膜とＱ値の関係を示すグ
ラフ、第３図は他の実施例の第１の導電膜とＱ値の関係
を示すグラフ、第４図は従来と本実施例の各々の誘電体
共振器の塩水噴霧実験の前と後のＱ値及び共振周波数の
変化を示すグラフ、第５図は基体の面粗さとＱ値及び第
１の導電膜と基体１の密着強度の関係を示すグラフ、第
６図は半田の固相線温度を示すグラフであムト・・・・
・基体 ２・・・・・・第１の導電膜３
・・・・・・第２の導電膜 ４・・・・・・第１
の導電膜代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名
第１図 （ａ） 第２図 ムーム３５０’Ｃ 膜厚（％ｍ） 膜厚（μｍ） 第４図 （鋼層だけ） （制子半田）
Claims (7)
- （１）誘電体セラミックによって形成された筒型の基体
と、前記基体の一方の端面を除く全表面上に設けられ銅
で構成された第１の導電膜と、前記第１の導電膜の上に
重なる様に設けられ、半田か錫の少なくとも一方で構成
された第２の導電膜を備えた事を特徴とする誘電体共振
器。 - （２）第１の導電膜の厚さを３μｍ以上にし、第２の導
電膜の厚さを１μｍ〜５μｍにした事を特徴とする請求
項第１項記載の誘電体共振器。 - （３）第１の導電膜を０．５μｍ〜２．０μｍの無電解
鍍金層とその上に形成された電気鍍金層とで構成された
事を特徴とする請求項第２項記載の誘電体共振器。 - （４）基体の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍにし
た事を特徴とする請求項第２項記載の誘電体共振器。 - （５）誘電体セラミックよって形成された筒型の基体の
表面に銅でできた第１の導電膜を形成し、前記第１の導
電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で構成された第２
の導電膜を積層し、その後に前記基体の一方の端面の第
１及び第２の導電膜を除去し、前記基体及び前記第１及
び第２の導電膜に熱処理を施す事を特徴とする誘電体共
振器の製造方法。 - （６）熱処理を半田の固相線温度以上３００℃以下で行
なうことを特徴とする請求項第５項記載の誘電体共振器
の製造方法。 - （７）熱処理を大気中で行なうことを特徴とする請求項
第６項記載の誘電体共振器の製造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2317263A JP2633387B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 誘電体共振器の製造方法 |
| US07/795,149 US5210511A (en) | 1990-11-20 | 1991-11-20 | Dielectric resonator and process for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317263A JP2633387B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 誘電体共振器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04185103A true JPH04185103A (ja) | 1992-07-02 |
| JP2633387B2 JP2633387B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=18086292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2317263A Expired - Lifetime JP2633387B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP2633387B2 (ja) |
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| WO2006093296A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Nec Corporation | 伝送線路型ノイズフィルタ、その製造方法及びプリント基板 |
| CN111732455A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-02 | 苏州蓝晶研材料科技有限公司 | 一种双锡层陶瓷导电材料及其制备方法 |
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| JPH02126701A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
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| JPH02123801A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | Tdk Corp | マイクロ波共振器 |
| US5004992A (en) * | 1990-05-25 | 1991-04-02 | Motorola, Inc. | Multi-resonator ceramic filter and method for tuning and adjusting the resonators thereof |
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1990
- 1990-11-20 JP JP2317263A patent/JP2633387B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-11-20 US US07/795,149 patent/US5210511A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5210511A (en) | 1993-05-11 |
| JP2633387B2 (ja) | 1997-07-23 |
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