JPH0887023A - 空間光変調素子の製造方法及び 空間光変調素子の非晶質シリコン感光体 - Google Patents
空間光変調素子の製造方法及び 空間光変調素子の非晶質シリコン感光体Info
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- JPH0887023A JPH0887023A JP6223158A JP22315894A JPH0887023A JP H0887023 A JPH0887023 A JP H0887023A JP 6223158 A JP6223158 A JP 6223158A JP 22315894 A JP22315894 A JP 22315894A JP H0887023 A JPH0887023 A JP H0887023A
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- light modulator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光照射による光伝導度が劣化しない、光感度
特性に優れた非晶質シリコン感光体を用いた空間光変調
素子の製造方法を提供する。 【構成】 モノシラン、ジシラン、ホスフィン、ジボラ
ン、アルゴン、ヘリウムのうち少なくとも１種類以上の
ガスと、水素ガスとを原料ガスとして、１ＭＨｚ以上１
０ＧＨｚ以下の高周波を用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、基板に形成した透明電極上に非晶質シリコン感光体
を形成する空間光変調素子の製造方法において、原料ガ
スによる非晶質シリコン膜の堆積と水素ガスによるプラ
ズマ処理とを周期的に繰り返して基板の透明電極上に非
晶質シリコン感光体を形成する。
特性に優れた非晶質シリコン感光体を用いた空間光変調
素子の製造方法を提供する。 【構成】 モノシラン、ジシラン、ホスフィン、ジボラ
ン、アルゴン、ヘリウムのうち少なくとも１種類以上の
ガスと、水素ガスとを原料ガスとして、１ＭＨｚ以上１
０ＧＨｚ以下の高周波を用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、基板に形成した透明電極上に非晶質シリコン感光体
を形成する空間光変調素子の製造方法において、原料ガ
スによる非晶質シリコン膜の堆積と水素ガスによるプラ
ズマ処理とを周期的に繰り返して基板の透明電極上に非
晶質シリコン感光体を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は空間光変調素子の製造法
と、空間光変調素子の非晶質シリコン感光体に関する。
と、空間光変調素子の非晶質シリコン感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大画面ディスプレイとして、空間
光変調素子（Ｓpatial Ｌight Ｍodulator：ＳＬＭ）を
用いた投射型ディスプレイが注目されている。これは、
大面積の他に、高輝度、高精細な画像を表示可能である
ことが特徴となっている。空間光変調素子は、図５に示
すように一般的には、一対の基板（透明基板、例えばガ
ラス板、透明樹脂板）間に挟持された一対の透明電極
（例えばSnO2、In2(Sn)O3等の薄膜）、感光体、光吸収
層、誘電体ミラー、液晶などの光変調層からなり、透明
電極には交流駆動電源が供給されている。
光変調素子（Ｓpatial Ｌight Ｍodulator：ＳＬＭ）を
用いた投射型ディスプレイが注目されている。これは、
大面積の他に、高輝度、高精細な画像を表示可能である
ことが特徴となっている。空間光変調素子は、図５に示
すように一般的には、一対の基板（透明基板、例えばガ
ラス板、透明樹脂板）間に挟持された一対の透明電極
（例えばSnO2、In2(Sn)O3等の薄膜）、感光体、光吸収
層、誘電体ミラー、液晶などの光変調層からなり、透明
電極には交流駆動電源が供給されている。
【０００３】このような空間光変調素子の感光体として
は、Ｓe、ＣdＳ、非晶質シリコンなどが一般的に用いら
れる。特に、非晶質シリコン感光体は、光導電性を有
し、暗伝導度と光照射時の光伝導度の比が大きくとれる
ことが知られており、空間光変調素子を構成する重要な
部材の一つを担っている。この非晶質シリコン感光体の
膜を形成するにあたっては、例えば、モノシランガスと
水素ガスの混合ガスを連続的にプラズマＣＶＤ装置へ導
入し、１３．５６ＭＨｚのグロー放電分解法によって、
原料ガスの分解をし膜を堆積させるという工程を一般に
とっている。図４に従来のプラズマＣＶＤ装置の概念図
を示す。
は、Ｓe、ＣdＳ、非晶質シリコンなどが一般的に用いら
れる。特に、非晶質シリコン感光体は、光導電性を有
し、暗伝導度と光照射時の光伝導度の比が大きくとれる
ことが知られており、空間光変調素子を構成する重要な
部材の一つを担っている。この非晶質シリコン感光体の
膜を形成するにあたっては、例えば、モノシランガスと
水素ガスの混合ガスを連続的にプラズマＣＶＤ装置へ導
入し、１３．５６ＭＨｚのグロー放電分解法によって、
原料ガスの分解をし膜を堆積させるという工程を一般に
とっている。図４に従来のプラズマＣＶＤ装置の概念図
を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の製造方法で得られた非晶質シリコン感光体
の膜は、光照射による光伝導度の著しい劣化現象が見受
けられる。図３に示したグラフは、従来の製造方法で作
製した非晶質シリコン感光体の膜に、キセノンランプを
用いて、５００ｍＷ／ｃｍ2の白色光を一定時間照射し
た時の、光伝導度の光照射時間に対する変化を示してい
る。プロットした点を直線で結んだとすれば、その傾き
は大であり、光照射による光伝導度が著しく劣化してい
ることがわかる。この著しい劣化現象は、非晶質シリコ
ン感光体を用いた空間光変調素子の光感度特性に悪影響
を与える。
ような従来の製造方法で得られた非晶質シリコン感光体
の膜は、光照射による光伝導度の著しい劣化現象が見受
けられる。図３に示したグラフは、従来の製造方法で作
製した非晶質シリコン感光体の膜に、キセノンランプを
用いて、５００ｍＷ／ｃｍ2の白色光を一定時間照射し
た時の、光伝導度の光照射時間に対する変化を示してい
る。プロットした点を直線で結んだとすれば、その傾き
は大であり、光照射による光伝導度が著しく劣化してい
ることがわかる。この著しい劣化現象は、非晶質シリコ
ン感光体を用いた空間光変調素子の光感度特性に悪影響
を与える。
【０００５】本発明の目的は、この問題点の解決にあ
る。
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、「モノシラ
ン、ジシラン、ホスフィン、ジボラン、アルゴン、ヘリ
ウムのうち少なくとも１種類以上のガスと、水素ガスと
を原料ガスとして、１ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の高周
波を用いたプラズマＣＶＤ法により、基板に形成した透
明電極上に非晶質シリコン感光体を形成する空間光変調
素子の製造方法において、原料ガスによる非晶質シリコ
ン膜の堆積と水素ガスによるプラズマ処理とを周期的に
繰り返して基板の透明電極上に非晶質シリコン感光体を
形成することを特徴とする空間光変調素子の製造方法」
を提供する。
ン、ジシラン、ホスフィン、ジボラン、アルゴン、ヘリ
ウムのうち少なくとも１種類以上のガスと、水素ガスと
を原料ガスとして、１ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の高周
波を用いたプラズマＣＶＤ法により、基板に形成した透
明電極上に非晶質シリコン感光体を形成する空間光変調
素子の製造方法において、原料ガスによる非晶質シリコ
ン膜の堆積と水素ガスによるプラズマ処理とを周期的に
繰り返して基板の透明電極上に非晶質シリコン感光体を
形成することを特徴とする空間光変調素子の製造方法」
を提供する。
【０００７】また、本発明は、「書き込み光の強度分布
に応じて読みだし光の強度または位相を変調する空間光
変調素子に用いられる非晶質シリコン感光体において、
プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン膜の堆積と、水
素ガスによるプラズマ処理とを周期的に繰り返して得ら
れる、膜中の欠陥が防止された空間光変調素子の非晶質
シリコン感光体」を提供する。
に応じて読みだし光の強度または位相を変調する空間光
変調素子に用いられる非晶質シリコン感光体において、
プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン膜の堆積と、水
素ガスによるプラズマ処理とを周期的に繰り返して得ら
れる、膜中の欠陥が防止された空間光変調素子の非晶質
シリコン感光体」を提供する。
【０００８】
【作用】本発明の空間光変調素子の製造方法を用いる
と、非晶質シリコン感光体の膜への光照射による光伝導
度の劣化を低減することが可能である理由は、推定であ
るが以下の事柄が挙げられる。非晶質シリコン感光体の
膜への光照射による光伝導度の劣化には、膜中に存在す
る欠陥が、影響を及ぼしている。この膜中の欠陥の原因
を非晶質シリコン感光体である膜を堆積させる工程と、
水素ガスによるプラズマ処理の工程を周期的に繰り返し
行うことで、作製時につぶしておき、光照射による光伝
導度の劣化の度合いの少ない非晶質シリコン感光体の膜
が得ることができると推定される。
と、非晶質シリコン感光体の膜への光照射による光伝導
度の劣化を低減することが可能である理由は、推定であ
るが以下の事柄が挙げられる。非晶質シリコン感光体の
膜への光照射による光伝導度の劣化には、膜中に存在す
る欠陥が、影響を及ぼしている。この膜中の欠陥の原因
を非晶質シリコン感光体である膜を堆積させる工程と、
水素ガスによるプラズマ処理の工程を周期的に繰り返し
行うことで、作製時につぶしておき、光照射による光伝
導度の劣化の度合いの少ない非晶質シリコン感光体の膜
が得ることができると推定される。
【０００９】具体的には、原料ガスにモノシランガスを
用い、このモノシランガスを間歇導入させ、モノシラン
と水素ガスによる非晶質シリコン感光体の膜の堆積と水
素ガスだけのプラズマ処理を周期的に繰り返すことによ
って膜の堆積を行う。膜は約２（オングストローム／ｓ
ｅｃ）の速度で堆積させ、数十オングストロームの超薄
膜を堆積させる。その後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を用いた水素の励起プラズマを利用した水素プラズマ処
理を行う。原料ガスのモノシランガスと励起させる水素
ガスとは、別々のラインを用いており、モノシランガス
は間歇に導入するのに対して、水素ガスは導入途中で
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いて分解し、原子状水
素にして導入する。従って、水素によるプラズマ処理工
程において原子状水素による表面処理が行われる。この
時の水素による処理は、数十オングストロームの堆積膜
に対して膜の構造緩和（エネルギー的な安定化）の効果
を持つ。この構造緩和によって、光劣化に影響を及ぼす
膜中の欠陥の原因が低減する。
用い、このモノシランガスを間歇導入させ、モノシラン
と水素ガスによる非晶質シリコン感光体の膜の堆積と水
素ガスだけのプラズマ処理を周期的に繰り返すことによ
って膜の堆積を行う。膜は約２（オングストローム／ｓ
ｅｃ）の速度で堆積させ、数十オングストロームの超薄
膜を堆積させる。その後、２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を用いた水素の励起プラズマを利用した水素プラズマ処
理を行う。原料ガスのモノシランガスと励起させる水素
ガスとは、別々のラインを用いており、モノシランガス
は間歇に導入するのに対して、水素ガスは導入途中で
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いて分解し、原子状水
素にして導入する。従って、水素によるプラズマ処理工
程において原子状水素による表面処理が行われる。この
時の水素による処理は、数十オングストロームの堆積膜
に対して膜の構造緩和（エネルギー的な安定化）の効果
を持つ。この構造緩和によって、光劣化に影響を及ぼす
膜中の欠陥の原因が低減する。
【００１０】また、劣化の低減に上述の製造方法が関与
していることは、後述する実施例の中で示す実験事実か
らも証明できる。
していることは、後述する実施例の中で示す実験事実か
らも証明できる。
【００１１】
【実施例】本発明の製造方法の実現及びこの方法により
得られた非晶質シリコン感光体の膜は、図１に示す装置
を用いて得られた。ここで図１は、装置の断面図であ
る。この装置は、平行平板型のＲＦグロー放電（１３．
５６ＭＨｚ）ＣＶＤ装置である。中央に真空チャンバー
４があり、その真中に基板７を設置する。原料ガスにモ
ノシランガスを選択し、図の上部１５からエアバルブ１
を用いてチャンバー４へ間歇導入させる。また、図の左
の水素導入管８より水素ガスを導入し途中９で２．４５
ＧＨｚのマイクロ波で励起させて、水素プラズマとして
チャンバー内へ連続的に供給する。上記のエアバルブを
用いたモノシランガスのチャンバーへの間歇導入によっ
て、モノシランガスと水素ガスによる非晶質シリコン感
光体の膜の堆積の工程と水素ガスによるプラズマ処理の
工程が繰り返されることとなる。非晶質シリコン感光体
の膜製造条件は、以下に記す通りである。真空チャンバ
ー４は、ターボ分子ポンプと油回転ポンプとを用いた排
気装置１０によって、５×１０-6ｔｏｒｒ以下の真空度
に到達するまで排気した。基板温度は１００℃に保持し
て、膜の作製を行う。原料ガスをチャンバー４へ導入し
て、非晶質シリコン感光体の膜を形成する際は、排気系
は、メカニカルブースタポンプと油回転ポンプ１１を用
いるので、そちら１１の排気系に切り換える。モノシラ
ンガスの流量は、マスフローコントロールメータを用い
て２０ｓｃｃｍに設定し、装置の上部１５からエアバル
ブ１を用いてチャンバー４へ間歇導入させた。水素ガス
の流量は、マスフローコントロールメータを用いて８０
ｓｃｃｍに設定し、装置の左の水素導入管８より水素ガ
スを導入し、途中９で２．４５ＧＨｚのマイクロ波で励
起させて、水素プラズマとしてチャンバー内へ連続的に
供給した。カソード５と基板側のアノード６の間には１
３．５６ＭＨｚのＲＦグロー放電を生じさせており、モ
ノシランガスと水素ガスとがチャンバーへ導入された時
のみに、非晶質シリコン感光体の膜の堆積が起こる。こ
の時のＲＦパワー密度は０．３（Ｗ／ｃｍ 2）である。
そして反応圧は７５ｍｔｏｒｒ、膜堆積時の膜堆積速度
は、１．９３（オングストローム／ｓｅｃ）である。こ
こで、モノシランガスと水素ガスによる非晶質シリコン
感光体の膜の堆積の工程と水素ガスによるプラズマ処理
の工程を繰り返しながら、非晶質シリコン感光体の膜の
形成を行ったわけであるが、モノシランガスと水素ガス
による非晶質シリコン感光体の膜の堆積の工程の時間を
１０秒、水素ガスによるプラズマ処理の工程の時間を２
０秒と設定し、更にこの２つの工程を６１１回繰り返す
ことによって、非晶質シリコン感光体の膜の形成を行っ
た。また、モノシランガスがチャンバー４へ導入されな
い時は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波で励起された水素
プラズマのみが、チャンバーへ導入されることとした。
得られた非晶質シリコン感光体の膜は、図１に示す装置
を用いて得られた。ここで図１は、装置の断面図であ
る。この装置は、平行平板型のＲＦグロー放電（１３．
５６ＭＨｚ）ＣＶＤ装置である。中央に真空チャンバー
４があり、その真中に基板７を設置する。原料ガスにモ
ノシランガスを選択し、図の上部１５からエアバルブ１
を用いてチャンバー４へ間歇導入させる。また、図の左
の水素導入管８より水素ガスを導入し途中９で２．４５
ＧＨｚのマイクロ波で励起させて、水素プラズマとして
チャンバー内へ連続的に供給する。上記のエアバルブを
用いたモノシランガスのチャンバーへの間歇導入によっ
て、モノシランガスと水素ガスによる非晶質シリコン感
光体の膜の堆積の工程と水素ガスによるプラズマ処理の
工程が繰り返されることとなる。非晶質シリコン感光体
の膜製造条件は、以下に記す通りである。真空チャンバ
ー４は、ターボ分子ポンプと油回転ポンプとを用いた排
気装置１０によって、５×１０-6ｔｏｒｒ以下の真空度
に到達するまで排気した。基板温度は１００℃に保持し
て、膜の作製を行う。原料ガスをチャンバー４へ導入し
て、非晶質シリコン感光体の膜を形成する際は、排気系
は、メカニカルブースタポンプと油回転ポンプ１１を用
いるので、そちら１１の排気系に切り換える。モノシラ
ンガスの流量は、マスフローコントロールメータを用い
て２０ｓｃｃｍに設定し、装置の上部１５からエアバル
ブ１を用いてチャンバー４へ間歇導入させた。水素ガス
の流量は、マスフローコントロールメータを用いて８０
ｓｃｃｍに設定し、装置の左の水素導入管８より水素ガ
スを導入し、途中９で２．４５ＧＨｚのマイクロ波で励
起させて、水素プラズマとしてチャンバー内へ連続的に
供給した。カソード５と基板側のアノード６の間には１
３．５６ＭＨｚのＲＦグロー放電を生じさせており、モ
ノシランガスと水素ガスとがチャンバーへ導入された時
のみに、非晶質シリコン感光体の膜の堆積が起こる。こ
の時のＲＦパワー密度は０．３（Ｗ／ｃｍ 2）である。
そして反応圧は７５ｍｔｏｒｒ、膜堆積時の膜堆積速度
は、１．９３（オングストローム／ｓｅｃ）である。こ
こで、モノシランガスと水素ガスによる非晶質シリコン
感光体の膜の堆積の工程と水素ガスによるプラズマ処理
の工程を繰り返しながら、非晶質シリコン感光体の膜の
形成を行ったわけであるが、モノシランガスと水素ガス
による非晶質シリコン感光体の膜の堆積の工程の時間を
１０秒、水素ガスによるプラズマ処理の工程の時間を２
０秒と設定し、更にこの２つの工程を６１１回繰り返す
ことによって、非晶質シリコン感光体の膜の形成を行っ
た。また、モノシランガスがチャンバー４へ導入されな
い時は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波で励起された水素
プラズマのみが、チャンバーへ導入されることとした。
【００１２】この製造条件によって、以下のような特性
の非晶質シリコン感光体の膜が得られた。膜厚が１．１
８μｍ、膜中水素濃度が２０．５原子％、光学ギャップ
エネルギーが１．９８ｅＶ、暗伝導度が、９．２８×１
０-13 Ｓ／ｃｍ、５００ｍＷ／ｃｍ2 の白色光を膜に照
射した直後の光伝導度が、５．８２×１０-6Ｓ／ｃｍ、
製膜直後の膜中の欠陥密度が、１．６５×１０16／ｃｍ
3 であった。
の非晶質シリコン感光体の膜が得られた。膜厚が１．１
８μｍ、膜中水素濃度が２０．５原子％、光学ギャップ
エネルギーが１．９８ｅＶ、暗伝導度が、９．２８×１
０-13 Ｓ／ｃｍ、５００ｍＷ／ｃｍ2 の白色光を膜に照
射した直後の光伝導度が、５．８２×１０-6Ｓ／ｃｍ、
製膜直後の膜中の欠陥密度が、１．６５×１０16／ｃｍ
3 であった。
【００１３】この非晶質シリコン感光体の膜に、キセノ
ンランプによる５００ｍＷ／ｃｍ2の白色光を一定時間
照射させて、光照射時間に対する、光伝導度の変化を計
測した。参考までに、光照射時間に対する、膜中の欠陥
密度の変化も合わせて計測した。図２は、上記の結果を
示すものである。図２のグラフの黒丸の点は、この製造
方法で作製した、非晶質シリコン感光体の膜の、光照射
時間に対する、光伝導度の変化をプロットしたものであ
る。また、図２のグラフの白丸の点は、この製造方法で
作製した、非晶質シリコン感光体の膜の、光照射時間に
対する、膜中の欠陥密度の変化をプロットしたものであ
る。従来の製造方法で作製した非晶質シリコン感光体の
膜に、キセノンランプを用いて、５００ｍＷ／ｃｍ2の
白色光を一定時間照射した時の、光伝導度の光照射時間
に対する変化を示した図３のグラフと比較すると、図２
において、グラフの黒丸の点を直線で結んだとすれば、
図２と図３のグラフの傾きを比較してみると、図２の非
晶質シリコン感光体の膜、つまり本発明の製造方法によ
って作製した膜の方が緩やかである。光伝導度の光照射
時間に対する変化の傾きが、緩やかになったということ
は、すなわち、膜の光伝導度の光照射時間に対する劣化
の度合いが、低減したといえる。
ンランプによる５００ｍＷ／ｃｍ2の白色光を一定時間
照射させて、光照射時間に対する、光伝導度の変化を計
測した。参考までに、光照射時間に対する、膜中の欠陥
密度の変化も合わせて計測した。図２は、上記の結果を
示すものである。図２のグラフの黒丸の点は、この製造
方法で作製した、非晶質シリコン感光体の膜の、光照射
時間に対する、光伝導度の変化をプロットしたものであ
る。また、図２のグラフの白丸の点は、この製造方法で
作製した、非晶質シリコン感光体の膜の、光照射時間に
対する、膜中の欠陥密度の変化をプロットしたものであ
る。従来の製造方法で作製した非晶質シリコン感光体の
膜に、キセノンランプを用いて、５００ｍＷ／ｃｍ2の
白色光を一定時間照射した時の、光伝導度の光照射時間
に対する変化を示した図３のグラフと比較すると、図２
において、グラフの黒丸の点を直線で結んだとすれば、
図２と図３のグラフの傾きを比較してみると、図２の非
晶質シリコン感光体の膜、つまり本発明の製造方法によ
って作製した膜の方が緩やかである。光伝導度の光照射
時間に対する変化の傾きが、緩やかになったということ
は、すなわち、膜の光伝導度の光照射時間に対する劣化
の度合いが、低減したといえる。
【００１４】
【発明の効果】以上の通り、本発明による製造方法によ
って、非晶質シリコン感光体の膜の、光照射による光伝
導度の著しい劣化の低減が可能となる。さらに、空間光
変調素子としても、光照射による光感度の低下も改善で
きるようになる。
って、非晶質シリコン感光体の膜の、光照射による光伝
導度の著しい劣化の低減が可能となる。さらに、空間光
変調素子としても、光照射による光感度の低下も改善で
きるようになる。
【００１５】また、本発明による製造方法によって、ワ
イドバンドギャップで、且つ暗時の抵抗率が高く、そし
て良好な光導電性を有する非晶質シリコン感光体を持つ
空間光変調素子を得ることができる。
イドバンドギャップで、且つ暗時の抵抗率が高く、そし
て良好な光導電性を有する非晶質シリコン感光体を持つ
空間光変調素子を得ることができる。
【図１】 本発明で用いた、プラズマＣＶＤ装置の断面
図である。
図である。
【図２】 本発明により形成した、非晶質シリコン感光
体の膜に、白色光を一定時間照射させて、光照射時間に
対する、光伝導度の変化を計測した時の結果と、光照射
時間に対する、膜中の欠陥密度の変化を計測した時の結
果を示すグラフである。
体の膜に、白色光を一定時間照射させて、光照射時間に
対する、光伝導度の変化を計測した時の結果と、光照射
時間に対する、膜中の欠陥密度の変化を計測した時の結
果を示すグラフである。
【図３】 従来の製造方法で作製した非晶質シリコン感
光体の膜に、白色光を一定時間照射させて、光照射時間
に対する、光伝導度の変化を計測した時の結果を示すグ
ラフである。
光体の膜に、白色光を一定時間照射させて、光照射時間
に対する、光伝導度の変化を計測した時の結果を示すグ
ラフである。
【図４】 従来のプラズマＣＶＤ装置の概念図である。
【図５】 空間光変調素子の一般的な構造を示した断面
図である。
図である。
１・・・・・・・エアバルブ ２、１８・・・・ＲＦ電源 ３、１９・・・・マッチングボックス ４、２０・・・・真空チャンバー ５、２１・・・・カソード ６、２２・・・・アノード ７、２３・・・・基板 ８・・・・・・・水素ガス導入管 ９・・・・・・・マイクロ波発生装置 １０、２４・・・ターボ分子ポンプ及び油回転ポンプ排
気系 １１、２５・・・メカニカルブースターポンプ及び油回
転ポンプ排気系 １２、１３・・・真空バルブ ２６、２７・・・真空バルブ １４・・・・・・水素ガス導入口 １５・・・・・・モノシランガス導入口 １６・・・・・・モノシランガスを真空チャンバーへ供
給する供給管 １７・・・・・・モノシランガスを真空チャンバー以外
へ排出する排出管 ２８・・・・・・原料である混合ガスの導入口
気系 １１、２５・・・メカニカルブースターポンプ及び油回
転ポンプ排気系 １２、１３・・・真空バルブ ２６、２７・・・真空バルブ １４・・・・・・水素ガス導入口 １５・・・・・・モノシランガス導入口 １６・・・・・・モノシランガスを真空チャンバーへ供
給する供給管 １７・・・・・・モノシランガスを真空チャンバー以外
へ排出する排出管 ２８・・・・・・原料である混合ガスの導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 16/50 Ｈ０１Ｌ 31/0248
Claims (3)
- 【請求項１】モノシラン、ジシラン、ホスフィン、ジボ
ラン、アルゴン、ヘリウムのうち少なくとも１種類以上
のガスと、水素ガスとを原料ガスとして、１ＭＨｚ以上
１０ＧＨｚ以下の高周波を用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、基板に形成した透明電極上に非晶質シリコン感光体
を形成する空間光変調素子の製造方法において、 原料ガスによる非晶質シリコン膜の堆積と水素ガスによ
るプラズマ処理とを周期的に繰り返して基板の透明電極
上に非晶質シリコン感光体を形成することを特徴とする
空間光変調素子の製造方法。 - 【請求項２】書き込み光の強度分布に応じて読みだし光
の強度または位相を変調する空間光変調素子に用いられ
る非晶質シリコン感光体において、プラズマＣＶＤ法に
より非晶質シリコン膜の堆積と、水素ガスによるプラズ
マ処理とを周期的に繰り返して得られる、膜中の欠陥が
防止された空間光変調素子の非晶質シリコン感光体。 - 【請求項３】請求項２に記載の空間光変調素子の非晶質
シリコン感光体において、膜中水素濃度が１〜３０原子
％で、かつ光学ギャップエネルギーが１．５〜２．５ｅ
Ｖであることを特徴とする空間光変調素子の非晶質シリ
コン感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6223158A JPH0887023A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 空間光変調素子の製造方法及び 空間光変調素子の非晶質シリコン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6223158A JPH0887023A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 空間光変調素子の製造方法及び 空間光変調素子の非晶質シリコン感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0887023A true JPH0887023A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16793706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6223158A Pending JPH0887023A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 空間光変調素子の製造方法及び 空間光変調素子の非晶質シリコン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0887023A (ja) |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP6223158A patent/JPH0887023A/ja active Pending
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