JPH08262477A - 空間光変調素子の製造方法、 及び非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体 - Google Patents
空間光変調素子の製造方法、 及び非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体Info
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- JPH08262477A JPH08262477A JP7061033A JP6103395A JPH08262477A JP H08262477 A JPH08262477 A JP H08262477A JP 7061033 A JP7061033 A JP 7061033A JP 6103395 A JP6103395 A JP 6103395A JP H08262477 A JPH08262477 A JP H08262477A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光伝導度と暗伝導度の比が大きくとれた、非
晶質シリコンゲルマニウム合金感光体およびこれを用い
た空間光変調素子の製造方法を提供する。 【構成】 モノシラン、ゲルマン、ジシラン、ジボラ
ン、ホスフィン、アルゴン、ヘリウムのうち、ゲルマン
を含んだ少なくとも２種類以上のガスと、水素ガスとを
原料とガスとして、1MHz 以上 10GHz 以下の高周波を用
いたプラズマCVD 法により、基板に形成いた透明電極上
に非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を形成する空
間光変調素子の製造方法において、原料ガスによる非晶
質シリコンゲルマニウム合金膜の堆積と、水素ガスによ
るプラズマ処理とを周期的に繰り返して基板の透明電極
上に非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を形成する
晶質シリコンゲルマニウム合金感光体およびこれを用い
た空間光変調素子の製造方法を提供する。 【構成】 モノシラン、ゲルマン、ジシラン、ジボラ
ン、ホスフィン、アルゴン、ヘリウムのうち、ゲルマン
を含んだ少なくとも２種類以上のガスと、水素ガスとを
原料とガスとして、1MHz 以上 10GHz 以下の高周波を用
いたプラズマCVD 法により、基板に形成いた透明電極上
に非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を形成する空
間光変調素子の製造方法において、原料ガスによる非晶
質シリコンゲルマニウム合金膜の堆積と、水素ガスによ
るプラズマ処理とを周期的に繰り返して基板の透明電極
上に非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を形成する
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は空間光変調素子の製造方
法、及び空間光変調素子として用いられる非晶質シリコ
ンゲルマニウム合金感光体に関する。
法、及び空間光変調素子として用いられる非晶質シリコ
ンゲルマニウム合金感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大画面デイスプレイとして、空間
光変調素子 (Spatial Light Modulator : SLM) を用い
た投射型デイスプレイが注目されている。これは、大面
積の他に、高輝度、高精細な画像を表示可能であること
が特徴となっている。空間光変調素子は、図３に示すよ
うに、一般的には、一対の基板３０、３１（透明基板、
例えばガラス基板、透明樹脂板）間に挟持された一対の
透明電極３２、３３（例えばSnO2,In2(Sn)O3 等の薄
膜）、感光体３４、光吸収層３５、誘電体ミラー３６、
液晶３７などの光変調層からなり、透明電極には交流駆
動電源が供給されている。
光変調素子 (Spatial Light Modulator : SLM) を用い
た投射型デイスプレイが注目されている。これは、大面
積の他に、高輝度、高精細な画像を表示可能であること
が特徴となっている。空間光変調素子は、図３に示すよ
うに、一般的には、一対の基板３０、３１（透明基板、
例えばガラス基板、透明樹脂板）間に挟持された一対の
透明電極３２、３３（例えばSnO2,In2(Sn)O3 等の薄
膜）、感光体３４、光吸収層３５、誘電体ミラー３６、
液晶３７などの光変調層からなり、透明電極には交流駆
動電源が供給されている。
【０００３】このような空間光変調素子の感光体として
は、Se, CdS , 非晶質シリコン、あるいは非晶質シリコ
ンゲルマニウム合金感光体などが用いられている。非晶
質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜を形成するにあ
たっては、例えば、モノシランガス、ゲルマンガス、水
素ガスの混合ガスを連続的にプラズマCVD装置へ導入
し、13.56 MHz のグロー放電分解法によって、原料ガス
の分解をし、膜を堆積させるという工程を一般にとって
いる。図２に従来のプラズマCVD 装置の概念図を示す。
は、Se, CdS , 非晶質シリコン、あるいは非晶質シリコ
ンゲルマニウム合金感光体などが用いられている。非晶
質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜を形成するにあ
たっては、例えば、モノシランガス、ゲルマンガス、水
素ガスの混合ガスを連続的にプラズマCVD装置へ導入
し、13.56 MHz のグロー放電分解法によって、原料ガス
の分解をし、膜を堆積させるという工程を一般にとって
いる。図２に従来のプラズマCVD 装置の概念図を示す。
【０００４】
【課題を解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の製造方法で得られた非晶質シリコンゲルマ
ニウム合金感光体の膜は、暗伝導度が高く、さらに光照
射時(600nm,0.2mW/cm2)の光伝導度が低い特性のものと
なってしまう。従って、この非晶質シリコンゲルマニウ
ム合金感光体の膜の光伝導度と暗伝導度の比が大きくと
れないため、空間光変調素子にこの膜を組み込んだ場
合、コントラストが大きくとれず、空間光変調素子を用
いた投射画像は、品質の悪いものとなってしまう。
ような従来の製造方法で得られた非晶質シリコンゲルマ
ニウム合金感光体の膜は、暗伝導度が高く、さらに光照
射時(600nm,0.2mW/cm2)の光伝導度が低い特性のものと
なってしまう。従って、この非晶質シリコンゲルマニウ
ム合金感光体の膜の光伝導度と暗伝導度の比が大きくと
れないため、空間光変調素子にこの膜を組み込んだ場
合、コントラストが大きくとれず、空間光変調素子を用
いた投射画像は、品質の悪いものとなってしまう。
【０００５】本発明の目的は、この問題点の解決にあ
る。
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、「モノシラ
ン、ゲルマン、ジシラン、ジボラン、ホスフィン、アル
ゴン、ヘリウムのうち、ゲルマンを含んだ少なくとも２
種類以上のガスと、水素ガスとを原料とガスとして、1M
Hz 以上 10GHz 以下の高周波を用いたプラズマCVD 法に
より、基板に形成いた透明電極上に非晶質シリコンゲル
マニウム合金感光体を形成する空間光変調素子の製造方
法において、原料ガスによる非晶質シリコンゲルマニウ
ム合金膜の堆積と、水素ガスによるプラズマ処理とを周
期的に繰り返して基板の透明電極上に非晶質シリコンゲ
ルマニウム合金感光体を形成することを特徴とする空間
光変調素子の製造方法」を提供する。
ン、ゲルマン、ジシラン、ジボラン、ホスフィン、アル
ゴン、ヘリウムのうち、ゲルマンを含んだ少なくとも２
種類以上のガスと、水素ガスとを原料とガスとして、1M
Hz 以上 10GHz 以下の高周波を用いたプラズマCVD 法に
より、基板に形成いた透明電極上に非晶質シリコンゲル
マニウム合金感光体を形成する空間光変調素子の製造方
法において、原料ガスによる非晶質シリコンゲルマニウ
ム合金膜の堆積と、水素ガスによるプラズマ処理とを周
期的に繰り返して基板の透明電極上に非晶質シリコンゲ
ルマニウム合金感光体を形成することを特徴とする空間
光変調素子の製造方法」を提供する。
【０００７】また、本発明は、「書き込み光の強度分布
に応じて読み出し光の強度または位相を変調する空間光
変調素子に用いられる非晶質シリコンゲルマニウム合金
感光体において、プラズマCVD法により非晶質シリコン
ゲルマニウム合金膜の堆積と、水素ガスによるプラズマ
処理とを周期的に繰り返して得られる、暗伝導度と光伝
導度の比が大きくとれた非晶質シリコンゲルマニウム合
金感光体」を提供する。
に応じて読み出し光の強度または位相を変調する空間光
変調素子に用いられる非晶質シリコンゲルマニウム合金
感光体において、プラズマCVD法により非晶質シリコン
ゲルマニウム合金膜の堆積と、水素ガスによるプラズマ
処理とを周期的に繰り返して得られる、暗伝導度と光伝
導度の比が大きくとれた非晶質シリコンゲルマニウム合
金感光体」を提供する。
【０００８】
【作用】本発明の空間光変調素子の製造法を用いると、
暗伝導度と光伝導度の比の大きい非晶質シリコンゲルマ
ニウム合金感光体の膜が得ることができることが可能で
ある理由は、推定であるが以下の事項が挙げられる。非
晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜へ光を照射し
た際の光伝導度の値が低い理由は、膜中に存在する欠陥
が影響を及ぼしている。この膜中の欠陥の原因を非晶質
シリコンゲルマニウム合金感光体である膜を堆積させる
工程と、水素ガスによるプラズマ処理の工程を周期的に
繰り返し行うことで、作製時につぶしておくことによっ
て、膜中の欠陥が低減された、光を照射した際の光伝導
度の値の高い、非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体
の膜が得ることができると推定される。
暗伝導度と光伝導度の比の大きい非晶質シリコンゲルマ
ニウム合金感光体の膜が得ることができることが可能で
ある理由は、推定であるが以下の事項が挙げられる。非
晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜へ光を照射し
た際の光伝導度の値が低い理由は、膜中に存在する欠陥
が影響を及ぼしている。この膜中の欠陥の原因を非晶質
シリコンゲルマニウム合金感光体である膜を堆積させる
工程と、水素ガスによるプラズマ処理の工程を周期的に
繰り返し行うことで、作製時につぶしておくことによっ
て、膜中の欠陥が低減された、光を照射した際の光伝導
度の値の高い、非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体
の膜が得ることができると推定される。
【０００９】一方、水素ガスによるプラズマ処理の工程
を膜の形成中に周期的に行うことによって、膜に含有さ
れる水素量の増加が認められる。この水素量の増加が原
因となって、暗伝導度の値の低い非晶質シリコンゲルマ
ニウム合金感光体の膜が得ることができると推定され
る。具体的には、原料ガスにモノシランガスとゲルマン
ガスを用い、このモノシランガスとゲルマンガスを間歇
導入させ、モノシランガスとゲルマンガスと水素ガスに
よる非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜の堆積
と水素ガスだけのプラズマ処理を周期的に繰り返すこと
によって膜の堆積を行う。膜は約２（オングストローム
/ sec ）の速度で堆積させ、数十オングストロームの超
薄膜を堆積させる。その後、2.45 GHz のマイクロ波を
用いた水素の励起プラズマを利用した水素プラズマ処理
を行う。原料ガスのモノシランガス及びゲルマンガスと
励起させる水素ガスとは、別々のラインを用いており、
モノシランガス及びゲルマンガスは間歇に導入するのに
対して、水素ガスは導入途中で 2.45 GHz のマイクロ波
を用いて分解し、原子状水素にして導入する。従って、
水素によるプラズマ処理工程において原子状水素による
表面処理が行われる。このときの水素による処理は、数
十オングストロームの堆積膜に対して膜の構造緩和（エ
ネルギー的な安定化）の効果を持つ。この構造緩和によ
って、光導電度の値の低下に影響を及ぼす膜中の欠陥の
原因が低減する。
を膜の形成中に周期的に行うことによって、膜に含有さ
れる水素量の増加が認められる。この水素量の増加が原
因となって、暗伝導度の値の低い非晶質シリコンゲルマ
ニウム合金感光体の膜が得ることができると推定され
る。具体的には、原料ガスにモノシランガスとゲルマン
ガスを用い、このモノシランガスとゲルマンガスを間歇
導入させ、モノシランガスとゲルマンガスと水素ガスに
よる非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜の堆積
と水素ガスだけのプラズマ処理を周期的に繰り返すこと
によって膜の堆積を行う。膜は約２（オングストローム
/ sec ）の速度で堆積させ、数十オングストロームの超
薄膜を堆積させる。その後、2.45 GHz のマイクロ波を
用いた水素の励起プラズマを利用した水素プラズマ処理
を行う。原料ガスのモノシランガス及びゲルマンガスと
励起させる水素ガスとは、別々のラインを用いており、
モノシランガス及びゲルマンガスは間歇に導入するのに
対して、水素ガスは導入途中で 2.45 GHz のマイクロ波
を用いて分解し、原子状水素にして導入する。従って、
水素によるプラズマ処理工程において原子状水素による
表面処理が行われる。このときの水素による処理は、数
十オングストロームの堆積膜に対して膜の構造緩和（エ
ネルギー的な安定化）の効果を持つ。この構造緩和によ
って、光導電度の値の低下に影響を及ぼす膜中の欠陥の
原因が低減する。
【００１０】また、光導電度の値の低下の防止に上述の
製造方法が関与していることは、後述する実施例の中で
示す実験事実からも証明できる。
製造方法が関与していることは、後述する実施例の中で
示す実験事実からも証明できる。
【００１１】
【実施例】本発明の製造方法の実現及びこの方法により
得られた非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜
は、図１に示す装置を用いて得られた。ここで図１は装
置の断面図である。この装置は、平行平板型のＲＦグロ
ー放電 (13.56 MHz ) CVD 装置である。中央に真空チャ
ンバー４があり、その真ん中に基板７を設置する。原料
ガスにモノシランガス及びゲルマンガスを選択し、図の
上部１５からエアバルブ１を用いてチャンバー４へ間歇
導入させる。また、図の左の水素導入管８より水素ガス
を導入し途中９で2.45 GHz のマイクロ波で励起させ
て、水素プラズマとしてチャンバー内へ連続的に供給す
る。上記のエアバルブを用いたモノシランガス及びゲル
マンガスのチャンバーへの間歇導入によって、モノシラ
ンガスとゲルマンガスと水素ガスによる非晶質シリコン
ゲルマニウム合金感光体の膜の堆積の工程と水素ガスに
よるプラズマ処理の工程が繰り返されることとなる。非
晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜製造条件は、
以下に示す通りである。真空チャンバー４は、ターボ分
子ポンプと油回転ポンプとを用いた排気装置１０によっ
て、5x10-6torr 以下の真空度に到達するまで排気し
た。基板温度は 250oC に保持して膜の作製を行う。原
料ガスをチャンバー４へ導入して、非晶質シリコンゲル
マニウム合金感光体の膜を形成する際は、排気系は、メ
カニカルブースタポンプと油回転ポンプ１１を用いるの
で、そちら１１の排気系に切り換える。モノシランガス
の流量、ゲルマンガスの流量は、マスフローコントロー
ルメータを用いてそれぞれ、20sccm, 4sccm に設定し、
装置の上部１５からエアバルブ１を用いてチャンバー４
へ間歇導入させた。水素ガスの流量は、マスフローコン
トロールメータを用いて 80 sccm に設定し、装置の左
の水素導入管８より水素ガスを導入し途中９で2.45 GHz
のマイクロ波で励起させて、水素プラズマとしてチャ
ンバー内へ連続的に供給した。カソード５と基板側のア
ノード６の間には13.56MHz のRFグロー放電を生じさせ
ており、モノシランガスと水素ガスとがチャンバーへ導
入された時のみに、非晶質シリコンゲルマニウム合金感
光体の膜の堆積が起こる。この時のRFパワー密度は0.3
(W/cm2 ) である。そして反応圧は100mtorr、膜堆積時
の膜堆積速度は、2.06（オングストローム/ sec ）であ
る。ここで、モノシランガスとゲルマンガスと水素ガス
による非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜の堆
積の工程と水素ガスによるプラズマ処理の工程を繰り返
しながら、非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜
の形成を行ったわけであるが、モノシランガスとゲルマ
ンガスと水素ガスによる非晶質シリコンゲルマニウム合
金感光体の膜の堆積の工程の時間を１０秒、水素ガスに
よるプラズマ処理の工程の時間を１０秒と設定し、さら
にこの２つの工程を500回繰り返すことによって、非晶
質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜の形成を行っ
た。また、モノシランガスとゲルマンガスがチャンバー
４へ導入されない時は、2.45 GHz のマイクロ波で励起
された水素プラズマのみが、チャンバーへ導入されるこ
ととした。
得られた非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜
は、図１に示す装置を用いて得られた。ここで図１は装
置の断面図である。この装置は、平行平板型のＲＦグロ
ー放電 (13.56 MHz ) CVD 装置である。中央に真空チャ
ンバー４があり、その真ん中に基板７を設置する。原料
ガスにモノシランガス及びゲルマンガスを選択し、図の
上部１５からエアバルブ１を用いてチャンバー４へ間歇
導入させる。また、図の左の水素導入管８より水素ガス
を導入し途中９で2.45 GHz のマイクロ波で励起させ
て、水素プラズマとしてチャンバー内へ連続的に供給す
る。上記のエアバルブを用いたモノシランガス及びゲル
マンガスのチャンバーへの間歇導入によって、モノシラ
ンガスとゲルマンガスと水素ガスによる非晶質シリコン
ゲルマニウム合金感光体の膜の堆積の工程と水素ガスに
よるプラズマ処理の工程が繰り返されることとなる。非
晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜製造条件は、
以下に示す通りである。真空チャンバー４は、ターボ分
子ポンプと油回転ポンプとを用いた排気装置１０によっ
て、5x10-6torr 以下の真空度に到達するまで排気し
た。基板温度は 250oC に保持して膜の作製を行う。原
料ガスをチャンバー４へ導入して、非晶質シリコンゲル
マニウム合金感光体の膜を形成する際は、排気系は、メ
カニカルブースタポンプと油回転ポンプ１１を用いるの
で、そちら１１の排気系に切り換える。モノシランガス
の流量、ゲルマンガスの流量は、マスフローコントロー
ルメータを用いてそれぞれ、20sccm, 4sccm に設定し、
装置の上部１５からエアバルブ１を用いてチャンバー４
へ間歇導入させた。水素ガスの流量は、マスフローコン
トロールメータを用いて 80 sccm に設定し、装置の左
の水素導入管８より水素ガスを導入し途中９で2.45 GHz
のマイクロ波で励起させて、水素プラズマとしてチャ
ンバー内へ連続的に供給した。カソード５と基板側のア
ノード６の間には13.56MHz のRFグロー放電を生じさせ
ており、モノシランガスと水素ガスとがチャンバーへ導
入された時のみに、非晶質シリコンゲルマニウム合金感
光体の膜の堆積が起こる。この時のRFパワー密度は0.3
(W/cm2 ) である。そして反応圧は100mtorr、膜堆積時
の膜堆積速度は、2.06（オングストローム/ sec ）であ
る。ここで、モノシランガスとゲルマンガスと水素ガス
による非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜の堆
積の工程と水素ガスによるプラズマ処理の工程を繰り返
しながら、非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜
の形成を行ったわけであるが、モノシランガスとゲルマ
ンガスと水素ガスによる非晶質シリコンゲルマニウム合
金感光体の膜の堆積の工程の時間を１０秒、水素ガスに
よるプラズマ処理の工程の時間を１０秒と設定し、さら
にこの２つの工程を500回繰り返すことによって、非晶
質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜の形成を行っ
た。また、モノシランガスとゲルマンガスがチャンバー
４へ導入されない時は、2.45 GHz のマイクロ波で励起
された水素プラズマのみが、チャンバーへ導入されるこ
ととした。
【００１２】この製造条件によって、以下のような特性
の非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜がえられ
た。膜厚が1.03mm、膜中水素濃度が6.7原子％、光学ギ
ャップエネルギーが1.58 eV 、暗伝導度が、7.40 x 10
-11 S/cm 、波長600nmで光強度0.2mW/cm2 の単色光を膜
に照射したときの光導電度が、1.46 x 10- 7 S/cm であ
った。
の非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体の膜がえられ
た。膜厚が1.03mm、膜中水素濃度が6.7原子％、光学ギ
ャップエネルギーが1.58 eV 、暗伝導度が、7.40 x 10
-11 S/cm 、波長600nmで光強度0.2mW/cm2 の単色光を膜
に照射したときの光導電度が、1.46 x 10- 7 S/cm であ
った。
【００１３】一方、従来の製造方法で作製した非晶質シ
リコンゲルマニウム合金感光体の膜は、以下のような特
性であった。膜厚が1.70mm、膜中水素濃度が5.0原子
％、光学ギャップエネルギーが1.53 eV 、暗伝導度が、
1.01 x 10- 9 S/cm 、波長600nmで光強度0.2mW/cm2 の
単色光を膜に照射したときの光導電度が、3.28 x 10- 8
S/cm であった。
リコンゲルマニウム合金感光体の膜は、以下のような特
性であった。膜厚が1.70mm、膜中水素濃度が5.0原子
％、光学ギャップエネルギーが1.53 eV 、暗伝導度が、
1.01 x 10- 9 S/cm 、波長600nmで光強度0.2mW/cm2 の
単色光を膜に照射したときの光導電度が、3.28 x 10- 8
S/cm であった。
【００１４】本発明による製造方法で作製した膜の特性
と、従来の製造方法で作製した膜の特性を比較すると、
本発明による製造方法によって形成された膜の暗伝導度
は明らかに、従来の製造方法で形成された膜の暗伝導度
より低い値であることがわかる。また、膜中水素濃度に
ついても、本発明による製造方法によって形成された膜
は、従来の製造方法で形成された膜よりも、含有量が多
いことがわかる。更に、本発明による製造方法によって
形成された膜の光伝導度（波長600nm、光強度0.2mW/cm
2 の単色光照射時）は明らかに、従来の製造方法で形成
された膜の光伝導度より高い値であることがわかった。
と、従来の製造方法で作製した膜の特性を比較すると、
本発明による製造方法によって形成された膜の暗伝導度
は明らかに、従来の製造方法で形成された膜の暗伝導度
より低い値であることがわかる。また、膜中水素濃度に
ついても、本発明による製造方法によって形成された膜
は、従来の製造方法で形成された膜よりも、含有量が多
いことがわかる。更に、本発明による製造方法によって
形成された膜の光伝導度（波長600nm、光強度0.2mW/cm
2 の単色光照射時）は明らかに、従来の製造方法で形成
された膜の光伝導度より高い値であることがわかった。
【００１５】
【発明の効果】本発明による製造方法によって、非晶質
シリコンゲルマニウム合金感光体の膜の暗伝導度は、従
来の製造方法で形成された膜の暗伝導度より低い値をと
ることができ、更に光伝導度（波長600nm、光強度0.2mW
/cm2 の単色光照射時）については、従来の製造方法で
形成された膜の光伝導度より高い値をとることができ
る。つまり、暗伝導度と光伝導度の比が大きくとれた非
晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を、本発明による
製造方法によって得ることができる。
シリコンゲルマニウム合金感光体の膜の暗伝導度は、従
来の製造方法で形成された膜の暗伝導度より低い値をと
ることができ、更に光伝導度（波長600nm、光強度0.2mW
/cm2 の単色光照射時）については、従来の製造方法で
形成された膜の光伝導度より高い値をとることができ
る。つまり、暗伝導度と光伝導度の比が大きくとれた非
晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を、本発明による
製造方法によって得ることができる。
【００１６】この暗伝導度と光伝導度の比が大きくとれ
た非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を、空間光変
調素子の感光層に用いることによって、コントラストの
大きくとれた投射画像を提供できるようになる。
た非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を、空間光変
調素子の感光層に用いることによって、コントラストの
大きくとれた投射画像を提供できるようになる。
【図１】 本発明で用いた、プラズマCVD 装置の断面図
である。
である。
【図２】 従来のプラズマCVD 装置の概念図である。
【図３】 空間光変調素子の一般的な構造を示した断面
図である。
図である。
１・・・・・・エアバルブ ２、１８・・・RF電源 ３、１９・・・マッチングボックス ４、２０・・・真空チャンバー ５、２１・・・カソード ６、２２・・・アノード ７、２３・・・基板 ８・・・・・・水素ガス導入管 ９・・・・・・マイクロ波発生装置 １０、２４・・ターボ分子ポンプ及び油回転ポンプ排気
系 １１、２５・・メカニカルブースターポンプ及び油回転
ポンプ排気系 １２、１３・・真空バルブ ２６、２７・・真空バルブ １４・・・・・水素ガス導入口 １５・・・・・モノシランガス導入口 １６・・・・・モノシランガスを真空チャンバーへ供給
する供給管 １７・・・・・モノシランガスを真空チャンバー以外へ
排出する排出管 ２８・・・・・原料である混合ガスの導入口
系 １１、２５・・メカニカルブースターポンプ及び油回転
ポンプ排気系 １２、１３・・真空バルブ ２６、２７・・真空バルブ １４・・・・・水素ガス導入口 １５・・・・・モノシランガス導入口 １６・・・・・モノシランガスを真空チャンバーへ供給
する供給管 １７・・・・・モノシランガスを真空チャンバー以外へ
排出する排出管 ２８・・・・・原料である混合ガスの導入口
Claims (3)
- 【請求項１】モノシラン、ゲルマン、ジシラン、ジボラ
ン、ホスフィン、アルゴン、ヘリウムのうち、ゲルマン
を含んだ少なくとも２種類以上のガスと、水素ガスとを
原料ガスとして、1MHz 以上 10GHz 以下の高周波を用い
たプラズマCVD 法により、基板に形成した透明電極上に
非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を形成する空間
光変調素子の製造方法において、原料ガスによる非晶質
シリコンゲルマニウム合金膜の堆積と、水素ガスによる
プラズマ処理とを周期的に繰り返して基板の透明電極上
に非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体を形成するこ
とを特徴とする空間光変調素子の製造方法。 - 【請求項２】書き込み光の強度分布に応じて読み出し光
の強度または位相を変調する空間光変調素子に用いられ
る非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体において、プ
ラズマCVD法により非晶質シリコンゲルマニウム合金膜
の堆積と、水素ガスによるプラズマ処理とを周期的に繰
り返して得られる、暗伝導度と光伝導度の比の大い非晶
質シリコンゲルマニウム合金感光体。 - 【請求項３】請求項２に記載の非晶質シリコンゲルマニ
ウム合金感光体において、膜中ゲルマニウム濃度が 0.1
〜60 原子％で、膜中水素濃度が１〜３０原子％で、か
つ光学ギャップエネルギーが 1.0 〜 2.0 eV であるこ
とを特徴とする空間光変調素子の非晶質シリコンゲルマ
ニウム合金感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7061033A JPH08262477A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 空間光変調素子の製造方法、 及び非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7061033A JPH08262477A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 空間光変調素子の製造方法、 及び非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262477A true JPH08262477A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13159578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7061033A Pending JPH08262477A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 空間光変調素子の製造方法、 及び非晶質シリコンゲルマニウム合金感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08262477A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016121403A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-07-07 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 多成分膜の製造方法 |
| KR20200025030A (ko) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 주식회사 원익아이피에스 | 비정질 실리콘막의 제조방법 |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP7061033A patent/JPH08262477A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016121403A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-07-07 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 多成分膜の製造方法 |
| KR20200025030A (ko) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 주식회사 원익아이피에스 | 비정질 실리콘막의 제조방법 |
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