JPH0890832A - 発光素子アレイおよび光学ヘッド - Google Patents

発光素子アレイおよび光学ヘッド

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JPH0890832A
JPH0890832A JP23150794A JP23150794A JPH0890832A JP H0890832 A JPH0890832 A JP H0890832A JP 23150794 A JP23150794 A JP 23150794A JP 23150794 A JP23150794 A JP 23150794A JP H0890832 A JPH0890832 A JP H0890832A
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Masumi Koizumi
真澄 小泉
Itsuchiyou Shiyou
一超 蒋
Tsutomu Nomoto
勉 野本
Ichimatsu Abiko
一松 安孫子
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 より高解像度な発光素子アレイを提供する。 【構成】 発光素子アレイ１０は、発光ドットごとの電
気信号を出力するための各出力端子を発光素子アレイに
要求される所定のピッチで有する発光素子アレイ用ドラ
イバＩＣ２０と、各出力端子上にそれぞれ直接に形成さ
れ、前記電気信号により発光・消光する発光部５０とを
具える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子写真方式のプリ
ンタなどで使用される発光素子アレイとこれを用いた光
学ヘッドとに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子写真方式のプリンタの一種として、
感光体に静電潜像を形成するための光源を発光ダイオー
ドアレイで構成した型のものがある（例えば文献「トリ
ケップス ＷＳ ６」の第６章，昭和６０年１０月３１
日）。このようなプリンタでは、発光ダイオードアレイ
と、そのドライバＩＣと、これらを実装する配線基板と
を具える光学ヘッドが、感光体に対向するよう配置され
ている。ここでドライバＩＣは、シフトレジスタ、ラッ
チ回路、ドライバー回路などから成る内蔵回路と、発光
ダイオードアレイの個別の発光ダイオードに発光／消光
を指示する電気信号を出力するための多数の出力端子
と、配線基板に対する信号授受のための電源用、ＧＮＤ
用、画像信号入力用、クロック信号入力用などの各ボン
ディングパッドとを具えている。ここで、発光ダイオー
ドアレイにおける個別の発光ダイオードの信号電極（ア
ース電極ではない側の電極）と、ドライバＩＣの上記出
力端子との間は、ワイヤボンディング法によるボンディ
ングワイヤによって、１対１対応で接続されている（例
えば特開昭６２−２４２５５８号公報）。またドライバ
ＩＣにおける上記各パッドと配線基板における各端子と
の間も、ボンディングワイヤによって、接続されている
（同公開公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、発光ダイオ
ードアレイにおける個別の発光ダイオードを配列するピ
ッチは、プリンタに要求される解像度に応じたピッチと
されている。例えば、３００ＤＰＩ（ドット／インチ。
１インチは約２．５４ｃｍ）の解像度が要求される発光
ダイオードアレイの場合の各発光ダイオードのピッチ
は、８４．６μｍであり、６００ＤＰＩの解像度が要求
されるものの場合の同ピッチは、４２．３μｍとなる。
したがって、発光ダイオードアレイとそのドライバＩＣ
とをワイヤボンディング法により接続する場合、原則的
には、ボンディングワイヤも上記ピッチと同じピッチで
実装されることになる。しかし、解像度をさらに高めよ
うとした場合、ボンディングワイヤ同士が接触する等、
ワイヤボンディング自体が困難となるので、これを回避
できる技術が望まれる。
【０００４】なお、上記配列のピッチの狭小化の問題を
解決するために、発光ダイオードアレイの各ボンディン
グパッドのうち奇数番目のものは発光ダイオードアレイ
の長手方向を境にして例えば右側領域に設けまた、偶数
番目のものは左側領域に設けるというようにして、ボン
ディグワイヤのピッチを広げることも行なわれているが
（例えば、上記特開昭６２−２４２５５８号公報）、抜
本的な解決法とはいえず、また、光学ヘッドの幅が大き
くなってしまうという別の問題も生じる。
【０００５】また、発光ダイオードアレイを用いた例え
ば３００ＤＰＩ程度の解像度の現行のプリンタであって
も、例えばＡ４版印字用のプリンタを考えると、Ａ４紙
の幅方向において発光ダイオードは２５６０個必要であ
り、したがって、ボンディグワイヤの本数も２５６０本
＋α本（アース用など）程度必要になる。このような多
数のワイヤをボンディングするには大変な時間がかかる
こと、ワイヤ間の短絡の危険性はいずれにしろ内在する
ことを考えると、現行のプリンタにおいてもワイヤボン
ディングを回避出来る技術が望まれる。
【０００６】また、上記Ａ４版印字用のプリンタの例で
考えると、１個のダイオードアレイ自体が２５６０個の
発光ダイオードを有しているわけではない。なぜなら、
１個の発光ダイオードアレイの全長は、これを作製する
ための化合物半導体基板の大きさに限界があるので、３
００ＤＰＩ用のものの場合で説明すれば、発光ダイオー
ドを８４．６μｍピッチで６４個並べた程度の寸法であ
る。従って、上記３００ＤＰＩの解像度を持つＡ４版印
字用のプリンタでは、配線基板上に発光ダイオードアレ
イを４０個もダイボンディグする必要があるので、この
作業や位置決め等が大変である。
【０００７】また、発光ダイオードアレイとドライバＩ
Ｃとをそれぞれ別々にかつ両者の所定の位置関係を保ち
つつ配線基板にダイボンディングする必要があるので、
その点でも大変である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、この出願の第一
発明の発光素子アレイによれば、発光ドットごとの電気
信号を出力するための各出力端子を発光素子アレイに要
求される所定のピッチで有する発光素子アレイ用駆動回
路部と、前述の各出力端子上にそれぞれ直接に形成さ
れ、前述の電気信号により発光・消光する発光部とを具
えたことを特徴とする。
【０００９】ここで、発光部は、駆動回路部（ドライバ
ＩＣ）の上記各出力端子上にそれぞれ直接形成出来るも
のであれば特に限定されない。具体的には、駆動回路部
（ドライバＩＣ）が多数作り込まれた半導体ウエハの上
記各出力端子上に例えば公知の成膜技術およびリソグラ
フィ技術を用い簡易に形成出来る発光部が好ましい。こ
のようなものであると、半導体ウエハに作り込まれた多
数の駆動回路部に発光部を形成し、そして、それぞれの
駆動回路部（発光部形成済みのもの）を半導体ウエハよ
り例えばダイシング技術により分割することにより、所
望の発光素子アレイが得られるからである。さらに、こ
の発光部は直流駆動で発光・消光の制御が可能な物質を
用いたものとするのが好適である。こうすると、現行使
用されているドライバＩＣの駆動方法に適合する等の利
点が得られるからである。これらの点を考えたとき、電
子輸送性発光層とホール輸送層との積層構造、電子輸送
層とホール輸送性発光層との積層構造、電子輸送層と発
光層とホール輸送層との積層構造、電子輸送性有機化合
物とホール輸送性有機化合物と発光性有機化合物との混
合層および導電性高分子層から選ばれた積層構造若しく
は層と、該選ばれた積層構造若しくは層を挟む電極対と
で構成した発光部は、この発明でいう発光部として好適
である。
【００１０】このような発光部として具体的には有機Ｅ
Ｌ（エレクトルミネッセンス）素子が挙げられる。有機
ＥＬ素子を構成するための材料としては種々の有機化合
物が考えられる。その一部の例を以下の実施例において
示している。なお、有機化合物としてどのようなものを
用いるか、また、どのような積層構造とするかは、有機
ＥＬ素子が高輝度、高効率、かつ高寿命なものとなるよ
うに、また、微細加工プロセスに適するものとなるよう
に、適宜選択するのが良い。また、有機化合物の薄膜を
得る方法も、設計に応じ、例えば真空蒸着法、ディップ
コート法、スピンコート法、有機分子線蒸着法（ＯＭＢ
Ｄ法）、プラズマ重合法などのドライな方法、或は、ラ
ングミュアブロジェット法（ＬＢ法）やミセル電解法な
どのウエットな方法から適宜選択すれば良い。また、Ｅ
Ｌ素子の発光効率の向上や発光波長を制御するために発
光層に微量の色素をドープする等の手当をしても良い。
こうすると、例えば電子写真方式で用いる感光体の感度
に適した発光波長の発光素子アレイが簡易に得られる等
の利点が得られる。
【００１１】また、発光部の一構成成分である電極対に
ついてであるが、その材料は設計に応じ任意好適なもの
を用い得る。また、この電極対の一方の電極は、駆動回
路部（ドライバＩＣ）の出力端子そのもので兼ねる場合
があってももちろん良い。
【００１２】また、この出願の第二発明によれば、発光
素子アレイを具える光学ヘッドにおいて、前述の発光素
子アレイを第一発明の発光素子アレイで構成したことを
特徴とする。
【００１３】
【作用】この出願の第一発明によれば、発光素子アレイ
の各発光素子に対して電気信号を出力するために駆動回
路部（例えばドライバＩＣ）が有している各出力端子上
に、発光部をそれぞれ直接に具えた発光素子アレイが、
構成される。したがって、少なくとも各発光部と駆動回
路部の出力端子との間のボンディングワイヤは不要にな
る。
【００１４】さらに、この第一発明によれば、駆動回路
部（例えばドライバ用ＩＣ）における上記の各出力端子
および、これら出力端子上に直接形成される発光部は、
リソグラフィ技術を駆使することによってかなりの微細
ピッチでそれぞれ形成出来る。
【００１５】さらに、この第一発明によれば、駆動回路
部は例えばシリコン基板を用いたドライバＩＣで構成出
来る。シリコン基板の直径は化合物半導体のそれより充
分大きいので、１つの駆動回路部の全長は従来の発光ダ
イオードアレイのそれに比べかなり長く出来る。したが
って、この第一発明では、印字に必要な幅を確保するた
めに必要な発光素子アレイの個数を従来より少なく出来
る。
【００１６】さらに、この第一発明では、駆動回路部お
よび発光部の一体物で発光素子アレイが構成される。し
たがって、発光素子アレイとドライバＩＣとを別々に配
線基板に実装するということはなくなる。
【００１７】また、第二発明によれば、従来より、高密
度に発光部が形成され、かつ、配線基板における発光素
子アレイ数が少なく（つまり１個の発光素子アレイの全
長が長く）、然も、配線基板への実装部品点数が少ない
光学ヘッドが、得られる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照してこの出願の第一発明の
実施例および第二発明の実施例についてそれぞれ説明す
る。ただし、いずれの図もこれらの発明を理解出来る程
度に各構成成分の寸法、形状及び配置関係を概略的に示
してある。また、説明に用いる各図において同様な構成
成分については同一の番号を付して示してある。
【００１９】１．第一発明の説明 １−１．第１実施例 図１、図２（Ａ）、（Ｂ）、図３は、第一発明の第１実
施例の発光素子アレイの構造を説明するための図であ
る。特に、図１は第１実施例の発光素子アレイをその上
方から見て示した平面図、図２（Ａ）は図１中のＰで示
した部分を拡大した平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に
示した部分を図２（Ａ）中のＩ−Ｉ線に沿って切った断
面図、図３は駆動回路部としてのドライバＩＣのみを示
した平面図である。
【００２０】この第１実施例の発光素子アレイ１０は、
発光ドットごとの電気信号を出力するための所定の各出
力端子２９（図２、図３参照）を有する駆動回路部とし
てのドライバＩＣ２０と、このドライバＩＣ２０の上記
出力端子２９上にそれぞれ直接形成された発光部５０
（図１、図２参照）とを具えている。なお、図２におい
て、５１はドライバＩＣが形成されている半導体基板で
あり、５３ａ，５３ｂは、第１実施例における発光に寄
与する層であり（詳細は後述する）、５５ａ，５５ｂは
それぞれ、発光に寄与する上記層５３ａ，５３ｂを挟む
電極対５５を構成する第１および第２電極であり（いず
れも詳細は詳述する）、５７は保護膜である。
【００２１】ここで、駆動回路部としてのドライバＩＣ
２０は、これに限られないが、シフトレジスタ回路２
１、ラッチ回路２３、アンド回路２５、ドライバー回路
２７を内蔵している。さらに、このドライバＩＣ２０
は、発光ドットごとの電気信号を出力するための各出力
端子（電極パッド）２９（主に図３参照）を、発光素子
アレイに要求される分解能に応じたピッチで具えてい
る。これら出力端子２９の大きさおよび形状は、上記ピ
ッチおよび発光部に要求される形状などを考慮し決めれ
ば良い。さらに、このドライバＩＣ２０は、これが実装
される配線基板との間で信号授受を行なうために、クロ
ック信号入力用パッド３１、データ信号入力用パッド３
３、ロード信号入力用パッド３５、ストローブ信号入力
用パッド３７、電源電圧（ＶDD）供給用パッド３９、ク
ロック信号出力用パッド４１、データ信号出力用パッド
４３および接地（ＧＮＤ）用パッドを具える。これら各
パッドの大きさおよび形状は、設計に応じ決めれば良
い。ただし、電源電圧供給用パッド３９および接地用パ
ッド４５は、電流が流れるため複数本のボンディングワ
イヤを接続出来る方が好ましいので、他のパッドより大
きな面積のものとするのが良い。
【００２２】このようなドライバＩＣ２０は、例えばＣ
−ＭＯＳ(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
技術によるシリコン半導体ＩＣ或は、バイポーラトラン
ジスタを用いたシリコン半導体ＩＣ或は、いわゆるＢｉ
−ＭＯＳ技術によるシリコン半導体ＩＣで構成出来る。
もちろん、シリコン半導体装置に限られず、ＧａＡｓ、
ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ或はＧａＰなどの各種の化合物半
導体を用いたドライバＩＣで構成する場合など他の構成
の場合があっても良い。
【００２３】一方、この第１実施例における発光部５０
は、発光に寄与する層としての有機電子輸送性発光層５
３ａおよび有機ホール輸送層５３ｂとこれらを挟む電極
対５５ａ，５５ｂとで構成している。ここで、有機電子
輸送性発光層５３ａは、この実施例では、昇華精製した
アルミキノリノール錯体（トリス（８−キノリノール）
アルミニウム）［以下、ＡＬｑ3 と略す。］の蒸着膜で
あって厚さが０．０５μｍの蒸着膜で構成している。ま
た、有機ホール輸送層５３ｂを、この実施例では、昇華
精製したトリフェニルアミン誘導体（Ｎ，Ｎ' −ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）［以下、ＴＡ
Ｄと略す。］の蒸着膜であって厚さが０．０６μｍの蒸
着膜で構成している。
【００２４】なお、有機電子輸送層（以下、電子輸送層
と略す）とは、仕事関数が小さな電子注入電極と接触さ
せることで多量の電子の注入が可能で、然も、注入され
た電子は膜中を移動出来るが、一方ホールの注入は困難
か或は注入は可能でも膜中を移動しにくいような性質を
持った層である。そして、有機電子輸送性発光層（以
下、電子輸送性発光層と略す。）とは、上記電子輸送性
を有しかつ発光する層である。これに対し、有機ホール
輸送層（以下、ホール輸送層と略す。）とは、仕事関数
が大きなホール注入電極と接触させることで多量のホー
ルの注入が可能で、然も、注入されたホールは膜中を移
動出来るが、一方電子の注入は困難か或は注入は可能で
も膜中を移動しにくいような性質を持った層である。
【００２５】また、第１の電極５５ａは、ここではＡｌ
ｑ3 から成る電子輸送性発光層５３ａと接触するもので
あるので、仕事関数を考慮して、Ａｌ−Ｌｉ合金膜で構
成している。なお、その膜厚は５０〜２００ｎｍ程度と
している。また、第２の電極５５ｂは、ここではＴＡＤ
から成る有機ホール輸送性５３ｂと接触するものである
ので、仕事関数を考慮し、かつ、発光を上方に取り出す
ことを考慮して、ＩＴＯ膜で構成している。なお、その
膜厚は０．１〜０．２μｍ程度としている。なお、発光
の取り出し方向は上方のみに限られない。たとえば、発
光を発光部の端面（すなわち層５３ａ，５３ｂから成る
積層体の側壁）から取り出すような場合があっても良
い。その場合は第２電極５５ｂは透明性を有しなくても
良い。また、第１の電極５５ａを特別に設けずにドライ
バＩＣの出力端子２９で第１の電極５５ａを兼用する場
合があっても良い。
【００２６】このように構成した発光素子アレイ１０に
おいては、第１の電極５５ａ側が第２の電極５５ｂに対
し低い電位となるようにしてこれら第１および第２の電
極５５ａ，５５ｂ間に所定電圧を印加すると、陰極（こ
の場合は第１の電極５５ａ）から注入された電子と陽極
（この場合は第２の電極５５ｂ）から注入されたホール
とが印加電場により薄膜中を移動しさらに該薄膜中で再
結合するのでその際に放出されたエネルギーは蛍光分子
（この場合は電子輸送性発光層）を励起し蛍光（ＥＬ発
光）が生じる。ここで、この発光強度を決める主な要因
は、電極の材質（仕事関数の大小）と発光に寄与する層
の構成である。
【００２７】なお、この発明において、ドライバＩＣ２
０の接地（ＧＮＤ）用パッドの電位が０Ｖであるとする
と、ドライバＩＣ２０は、第１の電極５５ａすなわちド
ライバＩＣの出力端子２９が負電圧になるよう動作する
ものとする必要が生じる。しかし、接地電位を０Ｖとす
るのではなく所定の正の電圧例えば５Ｖとするようにし
ても良い。そうすると、陰極（第１の電極５５ａ）を正
の電圧として動作させることができるので、ドライバＩ
Ｃとして負電圧を出力しないものを用いることが出来
る。
【００２８】上述の説明から理解出来るように、第一発
明の発光素子アレイは、発光部と駆動回路部とを一体化
したものといえるので、発光部とドライバＩＣとの間の
ボンディングワイヤを不要にできる。また、例えばドラ
イバＩＣ２０をシリコン半導体で構成した場合、シリコ
ン基板はその直径が化合物半導体基板の２倍以上のもの
まであるので、１つの発光素子アレイ自体の全長を１つ
の発光ダイオードアレイの２倍以上にもできる可能性が
ある。したがって、目的の印字幅の光学ヘッドを作製す
るために必要な発光素子アレイ数を少なく出来るので、
その分、発光素子アレイを配線基板へダイボンディング
する作業等が容易になると考えられる。さらに、発光部
と駆動回路部とが一体化されたものを配線基板に実装す
るので、発光ダイオードアレイとドライバＩＣとを配線
基板にそれぞれ実装していた従来技術に比べ、実装作業
も短縮できると考える。
【００２９】次に、この第一発明の理解を深めるため
に、第１実施例の発光素子アレイの製法例について説明
する。この説明を図４〜図７を参照して行なう。ただ
し、以下の製法例は単なる一例にすぎないことは理解さ
れたい。
【００３０】先ず、多数のドライバＩＣ２０が作り込ま
れている半導体ウエハ６０（図４（Ａ）参照）の、各ド
ライバＩＣ２０における各出力端子２９上に、発光部５
０の電極対の一方である第１の電極５５ａを形成する
（図５参照）。具体的には、半導体ウエハ６０上に、こ
の半導体ウエハの第１の電極５５ａ形成予定領域を露出
する開口を有したレジストパターン（図示せず）を形成
し、その後、この試料上に第１の電極形成用の薄膜（こ
こでは上述のごとくＡｌ−Ｌｉ合金膜）を形成する。そ
して、レジストパターンを除去する際にこの薄膜のレジ
スト上の部分も共に除去する（リフトオフする）。これ
により、第１の電極５５ａを得る（図５参照）。
【００３１】次に、この試料上に、それの発光に寄与す
る層５３ａ，５３ｂを形成する予定領域を露出する開口
を有したレジストパターン（図示せず）を、形成する。
次いで、この試料上に、この実施例では、ＡＬｑ3 の蒸
着膜とＴＡＤの蒸着膜とを順に形成する。なお、これら
の蒸着は、これに限られないが、いわゆる抵抗加熱によ
る蒸着法であって、真空度を１０-3Ｐａ以下とした条件
の抵抗加熱蒸着法により行なった。この際、基板の冷却
および加熱は行わなかった。次に、リフトオフを実施し
て、発光に寄与する層５３ａ，５３ｂをそれぞれ得る
（図６（Ａ）、（Ｂ））。
【００３２】次に、この試料上に、それの第２の電極５
５ｂを形成する予定領域を露出する開口を有したレジス
トパターン（図示せず）を、形成する。ただし、この場
合のレジストパターンは、ドライバＩＣ２０の接地用パ
ッドに第２電極５５ｂの一部が接触するようなものとし
てある。次いで、この試料上に、ＩＴＯ膜を例えば真空
蒸着法により形成する。次に、リフトオフを実施して、
第２の電極５５ｂを得る（図２（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【００３３】次に、図４（Ｂ）に示したように、各発光
素子アレイ１０を例えばダイシング装置を用い半導体ウ
エハからそれぞれ分割する。これにより、第１実施例の
発光素子アレイ１０が得られる（図１）。
【００３４】１−２．第２実施例 第１実施例の構成において第１の電極５５ａをマグネシ
ウムとリンとの合金膜であって厚さが３００ｎｍの膜で
構成し、ホール輸送層５３ｂをＴＰＤ（トリフェニルジ
アミン系のもの）で構成したこと以外は第１実施例と同
様な構成とし、第２実施例の発光素子アレイを作製す
る。この第２実施例の発光素子アレイでは、第１および
第２の電極５５ａ，５５ｂ間に５〜１０Ｖ程度の電圧を
印加すると、最高で１０5 ｃｄ／ｍ2 以上の高輝度発光
が得られることが分かった。
【００３５】１−３．第３実施例 第１および第２実施例それぞれでは、発光層を電子輸送
性発光層５３ａで構成していた。しかし、発光層をホー
ル輸送性発光層で構成しても良い。この第３実施例はそ
の例である。そこで、この第３実施例では、図７（Ａ）
に示したように、第１の電極であるＡｌ−Ｌｉ合金膜上
に電子輸送層７１ａとホール輸送性発光層７１ｂとをこ
の順に積層する。それ以外の構成は第１実施例と同様と
している。なお、電子輸送層を、この第３実施例では、
オキサジアゾールの誘導体（２−（４−Biphenylyl)-5-
(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)［以下、ＰＢ
Ｄと略す。］の層で構成し、ホール輸送性発光層７１ｂ
をトリフェニルアミン誘導体(N,N-bis(4-methoxypheny
l)-4-[2-(1-naphthalenyl)ethenyl]-Benzenamine)［以
下、ＮＳＤと略す。］の層で構成している。
【００３６】この第３実施例の発光素子アレイでは、陰
極（第１の電極５５ａ）から注入された電子と陽極（第
２の電極５５ｂ）から注入されたホールがホール輸送性
発光層７１ｂ中で再結合して発光が生じる。この第３実
施例の構造は発光層として用いたい材料がホール輸送性
を有する場合に適した構造である。
【００３７】１−４．第４実施例 第４実施例の発光素子アレイとして、発光に寄与する層
の構造を、図７（Ｂ）に示したように、第１の電極５５
ａ側から、電子輸送層７３ａ、発光層７３ｂおよびホー
ル輸送層７３ｃをこの順に積層した三層構造としたもの
を作製する。電極対５５の構成等は第１実施例と同様で
ある。なお、電子輸送層７３ａは第３実施例と同様にＰ
ＢＤの層で構成し、発光層７３ｂはアントラセンの層で
構成し、ホール輸送層７３ｃは第１実施例同様ＴＡＤで
構成している。
【００３８】この第４実施例の発光素子アレイは、発光
層７３ｂを電子輸送層７３ａとホール輸送層７３ｃとで
挟んだダブルヘテロ構造を有するものとなる。この構造
では、陰極（第１の電極５５ａ）から注入された電子と
陽極から注入されたホールとが再結合しそのエネルギが
発光層に作用しそこで発光が生じる。この第４実施例の
構造は、発光層として用いたい材料が電子およびホール
双方を同程度輸送する性質を持つ場合いわゆる両性輸送
性をもつ場合に適した構造である。
【００３９】１−５．第５実施例 第５実施例の発光素子アレイとして、発光に寄与する層
を、図７（Ｃ）に示したように、電子輸送性有機化合
物、ホール輸送性有機化合物および発光性有機化合物の
混合物で構成した層（混合層）７５としたものを作製す
る。それ以外は第１実施例と同様である。なお、この第
５実施例では、電子輸送性有機化合物としてオキシジア
ゾール誘導体（２，５−ビスナフチル−１，３，４−オ
キサジアゾール）を用い、ホール輸送性有機化合物とし
てヒドラゾンを用い、発光性有機化合物としてレーザ用
色素であるクマリンを含有させたポリエステル樹脂を用
いた。そして、第１の電極５５ａまでを形成したドライ
バＩＣを、上記オキシジアゾール誘導体：ヒドラゾン：
クマリン：ポリエステル樹脂＝１：１：０．０５：１
（重量比）の混合液中に浸漬し、該ドライバＩＣ上に厚
さ０．２μｍの混合層７５を形成した。
【００４０】この第５実施例の発光素子アレイでも所望
の発光が得られる。したがって、電子輸送性有機化合
物、ホール輸送性有機化合物および発光性有機化合物の
混合物を用いた場合でも、電子とホールのバランスのと
れた注入、混合層内部でのキャリア再結合の条件が満た
される場合には発光素子アレイとしての性能が発現され
ることが分かる。
【００４１】１−６．第６実施例 電極対で挟まれた層を、図７（Ｄ）に示したように、導
電性高分子材料から成る一層構造として、第６実施例の
発光素子アレイを構成する。具体的には、第１の電極５
５ａ上に、導電性高分子材料の層としてここではポリ
（３−オクタデシルチオフェン）の層をスピンコート法
により０．２μｍの厚さに塗布する。そして、この層上
に第２の電極５５ｂとしてＩＴＯ膜を形成する。
【００４２】このように導電性高分子を用いた単層型の
素子構造においても、陰極および陽極からそれぞれ電
子、ホールがバランス良く注入され発光が得られる。
【００４３】２．第二発明の説明 次に、第二発明である光学ヘッドの実施例について説明
する。図８はその説明に供する要部斜視図である。この
実施例の光学ヘッド８０は、配線基板８１と第一発明に
係る発光素子アレイ１０と収束レンズアレイ（例えばセ
ルフォックレンズアレイユニット：ＳＬＡユニット）８
３とで構成してある。ただし、収束レンズアレイは光学
ヘッドの必須構成成分でない場合があってももちろん良
い。
【００４４】配線基板８１は、クロック信号供給用配
線、データ信号供給用配線、電源供給用配線、接地用配
線などの種々の配線８１ａ〜８１ｎを具えている。この
配線基板８１は例えばガラスエポキシ基板等を用いた公
知のもので構成出来る。この配線基板８１上の所定の位
置には第一発明に係る発光素子アレイ１０が必要個数だ
け直線状に例えばダイボンディングにより固定してあ
る。そして、発光素子アレイ１０のドライバＩＣ２０
（図１参照）の各パッド３１〜４５（図１参照）と、配
線基板８０の配線群８１ａ〜８１との間は、ワイヤーボ
ンディング法によるボンディングワイヤ８５例えばＡｕ
ワイヤによって接続してある。また、ＳＬＡユニット８
３は、発光素子アレイ１０の各発光部に対し所定の位置
関係となるように、設けてある。
【００４５】この実施例の光学ヘッド８０からも理解出
来るように、第二発明の光学ヘッドでは、ボンディング
ワイヤは、ドライバＩＣと配線基板との間に設けてある
のみであり、発光部とドライバＩＣとの間にはないこと
が分かる。
【００４６】上述においては第一および第二発明の各実
施例についてそれぞれ説明したが、これら発明は上述の
実施例に限られない。
【００４７】たとえば、上述の実施例では電子輸送性発
光層としてＡｌｑ3 を用いる例を説明したが、電子輸送
性発光層はこれに限られない。たとえば、ベリリウム−
ベンゾキノリノール錯体などの他のキノリノール錯体、
或はポルフィリン系錯体等の金属錯体、シクロペンタジ
エン誘導体、ペリレン誘導体なども、電子輸送性発光層
の構成材料として用い得る。
【００４８】また、ホール輸送層の構成材料としてはト
リフェニルアミン系以外に、トリフェニルメタン系、オ
キサジアゾール系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、ポリ
ビニルカルバゾール系等の他の材料も用い得る。
【００４９】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
出願の第一発明によれば、各発光素子に対して電気信号
を出力するために駆動回路部（例えばドライバＩＣ）が
有している各出力端子上に、発光部をそれぞれ直接に具
えた発光素子アレイが構成される。したがって、少なく
とも各発光部と駆動回路部の出力端子との間のボンディ
ングワイヤは不要になる。またここで、駆動回路部（例
えばドライバ用ＩＣ）における上記の各出力端子およ
び、これら出力端子上に直接形成される発光部は、リソ
グラフィ技術を駆使することによってかなりの微細ピッ
チでそれぞれ形成出来る。したがって、従来より高分解
能の発光素子（例えば１２００ＤＰＩ以上のもの）の実
現が期待出来る。
【００５０】さらに、この第一発明によれば、駆動回路
部は例えばシリコン基板を用いたドライバＩＣで構成出
来る。したがって、この第一発明では、印字に必要な幅
を確保するために必要な発光素子アレイの個数を従来よ
り少なく出来るので、配線基板に発光素子アレイを実装
する作業を従来より緩和できる。
【００５１】さらに、この第一発明では、駆動回路部お
よび発光部の一体物で発光素子アレイが構成される。し
たがって、発光素子アレイとドライバＩＣとを別々に配
線基板に実装するということはなくなるので、この点で
も実装作業の工程数削減が図れる。
【００５２】また、第二発明によれば、従来より、高密
度に発光部が形成され、かつ、配線基板における発光素
子アレイ数が少なく（つまり１個の発光素子アレイの全
長が長く）、然も、配線基板への実装部品点数が少ない
光学ヘッドが、得られるので、高解像度なプリンタの実
現が期待出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の発光素子アレイの説明に供する平面図
である。
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は第１実施例の発光素子アレ
イの要部平面図及び断面図である。
【図３】実施例の発光素子アレイに具わるドライバＩＣ
を示した図である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、第１実施例の発光素子ア
レイの製法例の説明図（その１）である。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、第１実施例の発光素子ア
レイの製法例の説明図（その２）である。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は、第１実施例の発光素子ア
レイの製法例の説明図（その３）である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、第一発明の第３〜第６実施
例の説明図である。
【図８】実施例の光学ヘッドの説明に供する要部斜視図
である。
【符号の説明】
１０：実施例の発光素子アレイ ２０：駆動回路部（ドライバＩＣ） ２９：発光部へ電気信号を出力するための出力端子 ３１〜４５：パッド ５０：発光部 ５３ａ：発光に寄与する層（電子輸送性発光層） ５３ｂ：発光に寄与する層（ホール輸送層） ５５：電極対 ５５ａ：第１の電極 ５５ｂ：第２の電極 ５７：保護膜 ６０：半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/036 Ａ (72)発明者 安孫子 一松 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光ドットごとの電気信号を出力するた
    めの各出力端子を発光素子アレイに要求される所定のピ
    ッチで有する発光素子アレイ用駆動回路部と、 前記各出力端子上にそれぞれ直接に形成され、前記電気
    信号により発光・消光する発光部とを具えたことを特徴
    とする発光素子アレイ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の発光素子アレイにおい
    て、 前記駆動回路部を、発光ドットごとの電気信号を出力す
    るための各出力端子を発光素子アレイに要求される所定
    のピッチで有するドライバＩＣ（集積回路）で構成した
    ことを特徴とする発光素子アレイ。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の発光素子アレイにおい
    て、 前記発光部を、 電子輸送性発光層とホール輸送層との積層構造、電子輸
    送層とホール輸送性発光層との積層構造、電子輸送層と
    発光層とホール輸送層との積層構造、電子輸送性有機化
    合物とホール輸送性有機化合物と発光性有機化合物との
    混合層および導電性高分子層から選ばれた積層構造若し
    くは層と、 該選ばれた積層構造若しくは層を挟む電極対とで構成し
    たことを特徴とする発光素子アレイ。
  4. 【請求項４】 発光素子アレイを具える光学ヘッドにお
    いて、 前記発光素子アレイを請求項１〜３のいずれか１項に記
    載の発光素子アレイで構成したことを特徴とする光学ヘ
    ッド。
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