JPH08244272A - 光プリンタヘッド - Google Patents
光プリンタヘッドInfo
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- JPH08244272A JPH08244272A JP5545295A JP5545295A JPH08244272A JP H08244272 A JPH08244272 A JP H08244272A JP 5545295 A JP5545295 A JP 5545295A JP 5545295 A JP5545295 A JP 5545295A JP H08244272 A JPH08244272 A JP H08244272A
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速・高解像度・低騒音・コンパクト・普通
紙印字・低電圧駆動等、すべての光ヘッドの長所を持ち
駆動電圧が低く、大面積にわたって均一な発光輝度を示
す発光素子アレイを有する光プリンタヘッドを提供す
る。 【構成】 基板10上に少なくとも、第1電極11とな
る電導膜、正孔輸送性無機薄膜層12、発光性有機物質
を含む有機薄膜層13、第2電極14となる電導膜をこ
の順に積層し、前記2つの導電膜間に電圧を印加するこ
とによって、前記有機薄膜層13から発光させる。
紙印字・低電圧駆動等、すべての光ヘッドの長所を持ち
駆動電圧が低く、大面積にわたって均一な発光輝度を示
す発光素子アレイを有する光プリンタヘッドを提供す
る。 【構成】 基板10上に少なくとも、第1電極11とな
る電導膜、正孔輸送性無機薄膜層12、発光性有機物質
を含む有機薄膜層13、第2電極14となる電導膜をこ
の順に積層し、前記2つの導電膜間に電圧を印加するこ
とによって、前記有機薄膜層13から発光させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真方式プリンタ
装置に用いる光プリンタヘッドに関するものである。
装置に用いる光プリンタヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、プリンタに対しては、高速・高解
像度・低騒音・コンパクト・普通紙印字等の要求が高ま
りつつあり、これらの要求を満たす電子写真式プリン
タ、いわゆる光プリンタの開発が盛んになってきてい
る。また、光プリンタは、ファクシミリ、複写機等の出
力装置にも適用することができ、この分野においても大
きな需要が見込まれている。
像度・低騒音・コンパクト・普通紙印字等の要求が高ま
りつつあり、これらの要求を満たす電子写真式プリン
タ、いわゆる光プリンタの開発が盛んになってきてい
る。また、光プリンタは、ファクシミリ、複写機等の出
力装置にも適用することができ、この分野においても大
きな需要が見込まれている。
【0003】図3は従来の光プリンタの全体構成を示す
概略構成図である。この図において、1は印字データを
記憶する装置、2は光プリントヘッド、3は集束性ロッ
ドレンズアレイ、4は感光ドラム、5は帯電器、6は現
像器、7は転写器、8は用紙である。通常、光プリンタ
の印刷は、帯電、露光、現像、転写、定着、除電、クリ
ーニングの各工程からなる。
概略構成図である。この図において、1は印字データを
記憶する装置、2は光プリントヘッド、3は集束性ロッ
ドレンズアレイ、4は感光ドラム、5は帯電器、6は現
像器、7は転写器、8は用紙である。通常、光プリンタ
の印刷は、帯電、露光、現像、転写、定着、除電、クリ
ーニングの各工程からなる。
【0004】まず、感光ドラム4(あるいはベルト)上
に形成された感光体の表面を、帯電器5によって一様に
帯電させる(帯電)。そして、帯電させた感光ドラム4
上に画像パターンに応じた光を、光プリントヘッド2か
ら照射すると、光の当たった部分が除電され、感光ドラ
ム4上に静電荷による潜像が書き込まれる(露光)。次
に、感光ドラム4上に静電荷を帯びたトナーと呼ばれる
着色微粒子を現像器6によって散布することによって、
静電荷による潜像をトナーによる画像に顕在化する(現
像)。
に形成された感光体の表面を、帯電器5によって一様に
帯電させる(帯電)。そして、帯電させた感光ドラム4
上に画像パターンに応じた光を、光プリントヘッド2か
ら照射すると、光の当たった部分が除電され、感光ドラ
ム4上に静電荷による潜像が書き込まれる(露光)。次
に、感光ドラム4上に静電荷を帯びたトナーと呼ばれる
着色微粒子を現像器6によって散布することによって、
静電荷による潜像をトナーによる画像に顕在化する(現
像)。
【0005】次いで、この感光ドラム4上に用紙8を押
し当てて、例えば電界を印加してトナーを用紙8に転写
し(転写)、そして、転写器7で、例えば熱を与える等
の手段でトナーを用紙8に融着させる(定着)。転写後
の感光ドラム4表面から、例えば交流電圧や全面光照射
を加えることによって電荷を消す(除電)。そして、転
写後に残ったトナーを取り除く(クリーニング)。
し当てて、例えば電界を印加してトナーを用紙8に転写
し(転写)、そして、転写器7で、例えば熱を与える等
の手段でトナーを用紙8に融着させる(定着)。転写後
の感光ドラム4表面から、例えば交流電圧や全面光照射
を加えることによって電荷を消す(除電)。そして、転
写後に残ったトナーを取り除く(クリーニング)。
【0006】このような電子写真方式の光プリンタは、
特に露光プロセスにおける感光体への画像書き込みに用
いられる光プリンタヘッドの種類によって、いくつかに
分類される。商品化されているものは、レーザービーム
(LB)スキャン方式、発光ダイオード(LED)アレ
イ方式、液晶シャッタ(LCS)アレイ方式がある。ま
た、最近エレクトロルミネッセンス(EL)アレイ方式
も研究開発のレベルで検討されている。
特に露光プロセスにおける感光体への画像書き込みに用
いられる光プリンタヘッドの種類によって、いくつかに
分類される。商品化されているものは、レーザービーム
(LB)スキャン方式、発光ダイオード(LED)アレ
イ方式、液晶シャッタ(LCS)アレイ方式がある。ま
た、最近エレクトロルミネッセンス(EL)アレイ方式
も研究開発のレベルで検討されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の光プリンタのLBスキャン方式の光ヘッドは、
回転多面体等を主体とする走査機構の低廉化、超高速化
と超小型化が難しいという問題点がある。LEDアレイ
方式の光ヘッドは、高価なGaAs系等半導体単結晶基
板を用い、AlGaAs、GaAsP等層を成長させる
とき、高価な真空エピタキシャル装置を使う。また、L
EDアレイを一枚の基板上で作ることができないため、
工程が煩雑になり、LEDチップ配列誤差が発生する。
た従来の光プリンタのLBスキャン方式の光ヘッドは、
回転多面体等を主体とする走査機構の低廉化、超高速化
と超小型化が難しいという問題点がある。LEDアレイ
方式の光ヘッドは、高価なGaAs系等半導体単結晶基
板を用い、AlGaAs、GaAsP等層を成長させる
とき、高価な真空エピタキシャル装置を使う。また、L
EDアレイを一枚の基板上で作ることができないため、
工程が煩雑になり、LEDチップ配列誤差が発生する。
【0008】LCSアレイ方式の光ヘッドは、他のヘッ
ドより印刷速度が遅い。また、光源に蛍光灯を使用する
ため、ヘッドのサイズも大きい。従来のELアレイ方式
の光ヘッドは、ZnS:Mn等を発光層とした電界励起
タイプのもので、100〜200V程度の高い交流電圧
の印加が必要である等の問題点がある。
ドより印刷速度が遅い。また、光源に蛍光灯を使用する
ため、ヘッドのサイズも大きい。従来のELアレイ方式
の光ヘッドは、ZnS:Mn等を発光層とした電界励起
タイプのもので、100〜200V程度の高い交流電圧
の印加が必要である等の問題点がある。
【0009】以上のように、各方式の光ヘッドには一長
一短がある。本発明は、上記問題点を除去し、高速・高
解像度・低騒音・コンパクト・普通紙印字・低電圧駆動
等、すべての光ヘッドの長所を持ち駆動電圧が低く、大
面積にわたって均一な発光輝度を示す発光素子アレイを
有する光プリンタヘッドを提供することを目的としてい
る。
一短がある。本発明は、上記問題点を除去し、高速・高
解像度・低騒音・コンパクト・普通紙印字・低電圧駆動
等、すべての光ヘッドの長所を持ち駆動電圧が低く、大
面積にわたって均一な発光輝度を示す発光素子アレイを
有する光プリンタヘッドを提供することを目的としてい
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 (1)光プリンタヘッドにおいて、基板上に少なくと
も、第1電極となる電導膜、正孔輸送性無機薄膜層、発
光性有機物質を含む有機薄膜層、第2電極となる電導膜
をこの順に積層し、前記2つの導電膜間に電圧を印加す
ることによって、前記有機薄膜層から発光させるように
したものである。
成するために、 (1)光プリンタヘッドにおいて、基板上に少なくと
も、第1電極となる電導膜、正孔輸送性無機薄膜層、発
光性有機物質を含む有機薄膜層、第2電極となる電導膜
をこの順に積層し、前記2つの導電膜間に電圧を印加す
ることによって、前記有機薄膜層から発光させるように
したものである。
【0011】(2)上記(1)記載の光プリンタヘッド
において、前記正孔輸送性無機薄膜層として、アモルフ
ァスシリコンカーバイトを用いるようにしたものであ
る。 (3)上記(1)記載の光プリンタヘッドにおいて、前
記正孔輸送性無機薄膜層として、アモルファスシリコン
を用いるようにしたものである。 (4)上記(1)記載の光プリンタヘッドにおいて、前
記有機薄膜層として、Alq3等のキノリノール錯体あ
るいはポルフィリン系錯体等の金属錯体系材料を用いる
ようにしたものである。
において、前記正孔輸送性無機薄膜層として、アモルフ
ァスシリコンカーバイトを用いるようにしたものであ
る。 (3)上記(1)記載の光プリンタヘッドにおいて、前
記正孔輸送性無機薄膜層として、アモルファスシリコン
を用いるようにしたものである。 (4)上記(1)記載の光プリンタヘッドにおいて、前
記有機薄膜層として、Alq3等のキノリノール錯体あ
るいはポルフィリン系錯体等の金属錯体系材料を用いる
ようにしたものである。
【0012】(5)上記(1)記載の光プリンタヘッド
において、前記有機薄膜層として、DCM等の色素分子
をドープした、Alq3等のキノリノール錯体を用いる
ようにしたものである。
において、前記有機薄膜層として、DCM等の色素分子
をドープした、Alq3等のキノリノール錯体を用いる
ようにしたものである。
【0013】
【作用】本発明の光プリンタヘッドは、EL素子をアレ
イ状に配列して作られており、各EL素子は、正孔輸送
性のある無機材料からなる薄膜層と、発光性のある有機
材料からなる薄膜層との積層により構成されていること
を特徴としている。そのEL素子は、基本的には電子と
正孔との二重注入と、それらの再結合に由来する発光に
基づく注入型エレクトロルミネッセンス(EL)であ
り、発光輝度が基本的には膜厚に依存しない。また、真
空蒸着法等により大面積の良質な薄膜が得られる。
イ状に配列して作られており、各EL素子は、正孔輸送
性のある無機材料からなる薄膜層と、発光性のある有機
材料からなる薄膜層との積層により構成されていること
を特徴としている。そのEL素子は、基本的には電子と
正孔との二重注入と、それらの再結合に由来する発光に
基づく注入型エレクトロルミネッセンス(EL)であ
り、発光輝度が基本的には膜厚に依存しない。また、真
空蒸着法等により大面積の良質な薄膜が得られる。
【0014】従って、駆動電圧が低く、大面積にわたっ
て均一な発光輝度を示す発光素子アレイの作製ができ
る。
て均一な発光輝度を示す発光素子アレイの作製ができ
る。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。なお、以下の説明に述べる使用材
料、成膜法、膜厚及びその他の条件については、一例を
示したものに過ぎない。従って、本発明がこれらの条件
のみに限定されるものではない。
がら詳細に説明する。なお、以下の説明に述べる使用材
料、成膜法、膜厚及びその他の条件については、一例を
示したものに過ぎない。従って、本発明がこれらの条件
のみに限定されるものではない。
【0016】ここで、実施例を説明するために以下の幾
つかの言葉を説明する。“電子輸送層”とは、仕事関数
が小さな電子注入電極を用いた場合に、多量の電子の注
入が可能で、しかも注入された電子が膜中を移動できる
が、一方、正孔は注入が困難であるか、あるいは注入は
可能でも膜中を移動しにくいといったような性質を持っ
た薄膜層である。
つかの言葉を説明する。“電子輸送層”とは、仕事関数
が小さな電子注入電極を用いた場合に、多量の電子の注
入が可能で、しかも注入された電子が膜中を移動できる
が、一方、正孔は注入が困難であるか、あるいは注入は
可能でも膜中を移動しにくいといったような性質を持っ
た薄膜層である。
【0017】一方、“正孔輸送層”とは、仕事関数が大
きな正孔注入電極を用いた場合に、多量の正孔の注入が
可能で、しかも注入された正孔が膜中を移動できるが、
一方、電子の注入は困難であるか、あるいは注入可能で
も膜中を移動し難いといったような性質を持った薄膜層
である。まず、本発明の実施例を示すEL素子の構造を
説明する。
きな正孔注入電極を用いた場合に、多量の正孔の注入が
可能で、しかも注入された正孔が膜中を移動できるが、
一方、電子の注入は困難であるか、あるいは注入可能で
も膜中を移動し難いといったような性質を持った薄膜層
である。まず、本発明の実施例を示すEL素子の構造を
説明する。
【0018】図1は本発明の実施例を示すEL素子の斜
視図である。この図に示すように、このEL素子は、ガ
ラス基板10上に透明または半透明性第1電極11(陽
極)としての電導膜層、正孔輸送層としての無機薄膜層
12(膜厚0.01〜1μm)、電子輸送層として発光
性有機物質を含む有機薄膜層13(膜厚0.01〜1μ
m)、パターニングされた第2電極14(陰極)(ライ
ン幅及びピッチはそれぞれ10〜500μm)としての
電導膜層、パターニングされた第3電極15(ライン幅
及びピッチはそれぞれ10〜500μm)としての電導
膜層によって構成されている。
視図である。この図に示すように、このEL素子は、ガ
ラス基板10上に透明または半透明性第1電極11(陽
極)としての電導膜層、正孔輸送層としての無機薄膜層
12(膜厚0.01〜1μm)、電子輸送層として発光
性有機物質を含む有機薄膜層13(膜厚0.01〜1μ
m)、パターニングされた第2電極14(陰極)(ライ
ン幅及びピッチはそれぞれ10〜500μm)としての
電導膜層、パターニングされた第3電極15(ライン幅
及びピッチはそれぞれ10〜500μm)としての電導
膜層によって構成されている。
【0019】ここで、無機薄膜層12の材料としては、
P型アモルファスシリコンカーバイト(a−SiC)、
有機薄膜層13の材料としては、アルミキノリノール錯
体、、また、第1電極11の電導膜層の材料、第2電極
14の電導膜層の材料、第3電極15の電導膜層の材料
として、それぞれ、インジウム−スズ酸化物(IT
O)、マグネシウム−銀合金(MgAg)、アルミニウ
ム(Al)をそれぞれ用いた。
P型アモルファスシリコンカーバイト(a−SiC)、
有機薄膜層13の材料としては、アルミキノリノール錯
体、、また、第1電極11の電導膜層の材料、第2電極
14の電導膜層の材料、第3電極15の電導膜層の材料
として、それぞれ、インジウム−スズ酸化物(IT
O)、マグネシウム−銀合金(MgAg)、アルミニウ
ム(Al)をそれぞれ用いた。
【0020】次に、本発明の実施例を示すEL素子アレ
イの製造方法を説明する。図2は本発明の実施例を示す
EL素子アレイの製造工程断面図であり、図1のA方向
から見た各工程ごとの断面図である。 (1)まず、図2(a)に示すように、ガラス基板10
を洗浄する。 (2)次に、図2(b)に示すように、第1電極11と
してITO透明薄膜層をスパッタ法により100nmの
厚さに形成し、所望の形状にホトリソエッチング法によ
り加工し、その後洗浄を行う。
イの製造方法を説明する。図2は本発明の実施例を示す
EL素子アレイの製造工程断面図であり、図1のA方向
から見た各工程ごとの断面図である。 (1)まず、図2(a)に示すように、ガラス基板10
を洗浄する。 (2)次に、図2(b)に示すように、第1電極11と
してITO透明薄膜層をスパッタ法により100nmの
厚さに形成し、所望の形状にホトリソエッチング法によ
り加工し、その後洗浄を行う。
【0021】(3)次に、図2(c)に示すように、P
型a−SiCよりなる無機薄膜層12は高周波プラズマ
CVD法により作製した。SiH4 :CH4 :B2 H6
=50:50:0.2の混合ガスを用い50nmの厚さ
に形成した。成膜中、基板は180℃に加熱を行った。 (4)次に、図2(d)に示すように、基板を有機膜形
成用の真空蒸着装置に移し、有機薄膜層13としての昇
華精製したアルミキノリノール錯体〔Tris(8−h
ydroxyquinolinol)aluminu
m〕〔以下、Alq3と略す〕を50nmの厚さに形成
した。蒸着は試料を石英製のるつぼに入れ、るつぼを抵
抗線加熱することで試料を昇華させることによって行っ
た。一定温度に加熱制御することで蒸着速度が0.3n
m/secになるように、るつぼの温度を制御して行っ
た。蒸着時の真空度は10-3Pa以下で、基板温度は室
温で行った。
型a−SiCよりなる無機薄膜層12は高周波プラズマ
CVD法により作製した。SiH4 :CH4 :B2 H6
=50:50:0.2の混合ガスを用い50nmの厚さ
に形成した。成膜中、基板は180℃に加熱を行った。 (4)次に、図2(d)に示すように、基板を有機膜形
成用の真空蒸着装置に移し、有機薄膜層13としての昇
華精製したアルミキノリノール錯体〔Tris(8−h
ydroxyquinolinol)aluminu
m〕〔以下、Alq3と略す〕を50nmの厚さに形成
した。蒸着は試料を石英製のるつぼに入れ、るつぼを抵
抗線加熱することで試料を昇華させることによって行っ
た。一定温度に加熱制御することで蒸着速度が0.3n
m/secになるように、るつぼの温度を制御して行っ
た。蒸着時の真空度は10-3Pa以下で、基板温度は室
温で行った。
【0022】(5)次に、図2(e)に示すように、基
板を金属蒸着用の真空蒸着装置に移し、ライン/ピッチ
が100μm/200μmの金属マスクをかぶせて、マ
グネシウム(Mg)と銀(Ag)を、蒸着速度比が1
0:1になるように共蒸着し、150nmの第2電極1
4としての電導膜を形成した。 (6)更に、図2(f)に示すように、第3電極15と
してアルミニウム(Al)を同じライン/ピッチの金属
マスクを介して、第2電極14上に重なるように500
nmの厚さに形成し、陽極の引き出しパットを形成し
た。
板を金属蒸着用の真空蒸着装置に移し、ライン/ピッチ
が100μm/200μmの金属マスクをかぶせて、マ
グネシウム(Mg)と銀(Ag)を、蒸着速度比が1
0:1になるように共蒸着し、150nmの第2電極1
4としての電導膜を形成した。 (6)更に、図2(f)に示すように、第3電極15と
してアルミニウム(Al)を同じライン/ピッチの金属
マスクを介して、第2電極14上に重なるように500
nmの厚さに形成し、陽極の引き出しパットを形成し
た。
【0023】このように構成した素子においては、陰極
から注入された電子と、陽極から注入された正孔とが、
印加電場により薄膜中を移動する。薄膜中を移動した電
子と正孔は再結合し、その時放出されたエネルギーが蛍
光分子(この場合、電子輸送層の材料)を励起し、蛍光
(EL発光)が生じて、透明電極を通して外部に出射さ
れる。有機薄膜層にAlq3を用いた本素子では、波長
520nmにピークを有する緑色発光が、直流10Vの
印加で、1000cd/m2 以上の輝度で得られた。
から注入された電子と、陽極から注入された正孔とが、
印加電場により薄膜中を移動する。薄膜中を移動した電
子と正孔は再結合し、その時放出されたエネルギーが蛍
光分子(この場合、電子輸送層の材料)を励起し、蛍光
(EL発光)が生じて、透明電極を通して外部に出射さ
れる。有機薄膜層にAlq3を用いた本素子では、波長
520nmにピークを有する緑色発光が、直流10Vの
印加で、1000cd/m2 以上の輝度で得られた。
【0024】なお、第1電極11に用いる正孔注入用電
極材料としては、仕事関数の大きい(おおむね4eV以
上の)金属、電気伝導材料を用いることができる。この
第1電極11においては、上記したITOの他に、Sn
O2 、ZnOなどの透明酸化物導電材料、また金(A
u)などの金属を用いることができる。Auを用いる場
合には、EL光の透過を良くするために膜厚を20〜4
0nmとし、半透明薄膜とすることが望ましい。
極材料としては、仕事関数の大きい(おおむね4eV以
上の)金属、電気伝導材料を用いることができる。この
第1電極11においては、上記したITOの他に、Sn
O2 、ZnOなどの透明酸化物導電材料、また金(A
u)などの金属を用いることができる。Auを用いる場
合には、EL光の透過を良くするために膜厚を20〜4
0nmとし、半透明薄膜とすることが望ましい。
【0025】また、第2電極14に用いる電子注入用電
極材料としては、仕事関数の小さい(おおむね4eV以
下の)金属、合金等を用いることができる。この第2電
極14においては、MgAgのほかに、Mg,In,A
lなどの金属、MgIn、AlLiなどの合金を用いる
ことができる。また、第3電極15としては、Alのほ
かにAuなど導電性が高く、特性の経時変化が少ない安
定な金属を用いることができる。
極材料としては、仕事関数の小さい(おおむね4eV以
下の)金属、合金等を用いることができる。この第2電
極14においては、MgAgのほかに、Mg,In,A
lなどの金属、MgIn、AlLiなどの合金を用いる
ことができる。また、第3電極15としては、Alのほ
かにAuなど導電性が高く、特性の経時変化が少ない安
定な金属を用いることができる。
【0026】正孔輸送製造する無機薄膜層12として
は、a−SiCのほかに、水素化アモルファスシリコン
(a−Si:H)、多結晶シリコンなどの薄膜を用いる
ことができる。また、発光性の電子輸送層として用いる
有機薄膜層13としては、Alq3に限定されるもので
はなく、ベリリウムベンゾキノリノール錯体などの他の
キノリノール錯体、あるいはポルフィリン系錯体等の金
属錯体、シクロペンタジエン誘導体、ペリレン誘導体、
あるいはAlq3に蛍光色素をドープしたドープ系材料
等、有機EL発光材料として既知の材料を用いることが
できる。ただし、光プリンタヘッドとして駆動した時に
発生するジュール熱等による劣化を防止する観点から、
融点が300℃以上の熱的安定性に優れた材料を用いる
ことが望ましい。
は、a−SiCのほかに、水素化アモルファスシリコン
(a−Si:H)、多結晶シリコンなどの薄膜を用いる
ことができる。また、発光性の電子輸送層として用いる
有機薄膜層13としては、Alq3に限定されるもので
はなく、ベリリウムベンゾキノリノール錯体などの他の
キノリノール錯体、あるいはポルフィリン系錯体等の金
属錯体、シクロペンタジエン誘導体、ペリレン誘導体、
あるいはAlq3に蛍光色素をドープしたドープ系材料
等、有機EL発光材料として既知の材料を用いることが
できる。ただし、光プリンタヘッドとして駆動した時に
発生するジュール熱等による劣化を防止する観点から、
融点が300℃以上の熱的安定性に優れた材料を用いる
ことが望ましい。
【0027】さらに、素子を形成する基板についても、
ガラスに限定されるものではなく、透明プラスチックや
フィルム状の透明樹脂等を用いることも可能である。ま
た、工程には示していないが、素子が湿度を含んだ雰囲
気に触れて劣化することや、空気中の酸素によって電子
注入電極等が参加して劣化することを防止するために、
防湿、脱酸素機能を有す保護層で素子を封止することが
望ましい。防湿材料としては、ポリイミド、エポキシ等
の樹脂、また、脱酸素材料としてはGeO、BaO等の
ゲッター材料を用いることができる。
ガラスに限定されるものではなく、透明プラスチックや
フィルム状の透明樹脂等を用いることも可能である。ま
た、工程には示していないが、素子が湿度を含んだ雰囲
気に触れて劣化することや、空気中の酸素によって電子
注入電極等が参加して劣化することを防止するために、
防湿、脱酸素機能を有す保護層で素子を封止することが
望ましい。防湿材料としては、ポリイミド、エポキシ等
の樹脂、また、脱酸素材料としてはGeO、BaO等の
ゲッター材料を用いることができる。
【0028】また、各薄膜の作製手順も実施例に限定さ
れることはなく、例えば、金属の場合には、抵抗線加熱
法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等を適宜用いること
ができる。また、正孔輸送性無機膜の作製においては、
プラズマCVD法以外に、光CVD法、熱CVD法、有
機金属分解法(MOCVD)等を用いることができる。
れることはなく、例えば、金属の場合には、抵抗線加熱
法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等を適宜用いること
ができる。また、正孔輸送性無機膜の作製においては、
プラズマCVD法以外に、光CVD法、熱CVD法、有
機金属分解法(MOCVD)等を用いることができる。
【0029】さらに、有機薄膜層の成膜法としては実施
例に述べた真空蒸着法以外に、ドライな方法としては、
有機分子線蒸着法、プラズマ重合法等が、ウエットな方
法としては、ディップコート法、スピンコート法、ラン
グミュア・ブロジェット(LB)法やミセル電解法等の
適応も可能である。本実施例では、パターン化された電
極の形成は、金属マスクを介しての蒸着により行った
が、パターンが100μmより狭い場合には、ホトリソ
グラフィーの手法を用いた微細加工プロセスによってパ
ターンを形成することが望ましい。
例に述べた真空蒸着法以外に、ドライな方法としては、
有機分子線蒸着法、プラズマ重合法等が、ウエットな方
法としては、ディップコート法、スピンコート法、ラン
グミュア・ブロジェット(LB)法やミセル電解法等の
適応も可能である。本実施例では、パターン化された電
極の形成は、金属マスクを介しての蒸着により行った
が、パターンが100μmより狭い場合には、ホトリソ
グラフィーの手法を用いた微細加工プロセスによってパ
ターンを形成することが望ましい。
【0030】完成したELアレイ方式光ヘッドは、複数
の駆動用ドライバLSIよりなる回路と、ワイヤーボン
ドなどの方法で接続され電子写真方式プリンタ光源とな
る。集光性ロッドレンズアレイ等の結像系を用いて、前
記ELアレイ方式ヘッドからの出力光を感光ドラム面上
に結像させることができる。第1実施例と同じ工程で、
正孔輸送性無機薄膜として水素化アモルファスシリコン
(a−Si:H)を、50nmの厚さに高周波プラズマ
CVD法で、有機薄膜層として、4−Dicyanom
ethylene−6−(p−dimethylami
nostyryl)−2−methyl−4H−pyr
an(DCM)を0.3%ドープしたAlq3 を50n
mの厚さに真空蒸着法により形成した。この真空蒸着は
ドープ量が一定になるように、DCMとAlq3の蒸着
速度を制御しながら行った。
の駆動用ドライバLSIよりなる回路と、ワイヤーボン
ドなどの方法で接続され電子写真方式プリンタ光源とな
る。集光性ロッドレンズアレイ等の結像系を用いて、前
記ELアレイ方式ヘッドからの出力光を感光ドラム面上
に結像させることができる。第1実施例と同じ工程で、
正孔輸送性無機薄膜として水素化アモルファスシリコン
(a−Si:H)を、50nmの厚さに高周波プラズマ
CVD法で、有機薄膜層として、4−Dicyanom
ethylene−6−(p−dimethylami
nostyryl)−2−methyl−4H−pyr
an(DCM)を0.3%ドープしたAlq3 を50n
mの厚さに真空蒸着法により形成した。この真空蒸着は
ドープ量が一定になるように、DCMとAlq3の蒸着
速度を制御しながら行った。
【0031】このように形成した素子からは580nm
にピークを有するオレンジ色のEL発光が得られた。完
成したELアレイ方式光ヘッドは、第1実施例と同様、
駆動用ドライバ、集光性ロッドレンズアレイ等を組み合
わせELアレイ方式光プリンタヘッドユニットを作製し
た。
にピークを有するオレンジ色のEL発光が得られた。完
成したELアレイ方式光ヘッドは、第1実施例と同様、
駆動用ドライバ、集光性ロッドレンズアレイ等を組み合
わせELアレイ方式光プリンタヘッドユニットを作製し
た。
【0032】この光ヘッドは、光プリンタ、ファクシミ
リ、複写機の出力装置等、広汎に使用できる。なお、本
発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の
趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発
明の範囲から排除するものではない。
リ、複写機の出力装置等、広汎に使用できる。なお、本
発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の
趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発
明の範囲から排除するものではない。
【0033】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。本発
明の光プリンタヘッドは、基板上にEL素子をアレイに
することによって作られるため、光プリンタのLBスキ
ャン方式の光ヘッドに比べて、回転多面鏡を主体とする
走査機構がなく、超高速化と超小型化ができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。本発
明の光プリンタヘッドは、基板上にEL素子をアレイに
することによって作られるため、光プリンタのLBスキ
ャン方式の光ヘッドに比べて、回転多面鏡を主体とする
走査機構がなく、超高速化と超小型化ができる。
【0034】また、LEDアレイ方式の光ヘッドと比べ
て、高価なGaAs系等半導体単結晶基板、高価な真空
エピタキシャル装置を使用しない。また、一つの光ヘッ
ドを一枚の基板で作ることができ、基板をブレークする
回数、位置出しに要する時間(実装、検査)が少なくな
り、工程が簡単になり、低コスト化が可能になり、同時
に配列誤差が発生しない。
て、高価なGaAs系等半導体単結晶基板、高価な真空
エピタキシャル装置を使用しない。また、一つの光ヘッ
ドを一枚の基板で作ることができ、基板をブレークする
回数、位置出しに要する時間(実装、検査)が少なくな
り、工程が簡単になり、低コスト化が可能になり、同時
に配列誤差が発生しない。
【0035】LCSアレイ方式の光ヘッドと比べて、印
刷速度が速い。また、光源の蛍光灯を使用しないため、
ヘッドのサイズも小さくできる。従来のZnS:Mn等
を発光層とする電界励起型無機ELアレイ方式の光ヘッ
ドと比べて、駆動電圧が低く(例えば、10V前後)、
輝度が高い(例えば、最高105 cd/m2 以上)。
刷速度が速い。また、光源の蛍光灯を使用しないため、
ヘッドのサイズも小さくできる。従来のZnS:Mn等
を発光層とする電界励起型無機ELアレイ方式の光ヘッ
ドと比べて、駆動電圧が低く(例えば、10V前後)、
輝度が高い(例えば、最高105 cd/m2 以上)。
【0036】従って、本発明の光プリンタヘッドは、高
速・安価・高解像度・低騒音・コンパクト・普通紙印字
・低電圧駆動等すべての光ヘッドの長所を持っている。
更に、ここで無機材料からなる正孔輸送性材料を用いて
いることによる効果としては、次のことが挙げられる。
まず、アモルファスシリコンやアモルファスシリコンカ
ーバイトなどの半導体系の無機材料は、その組成を変調
することにより、価電子帯ならびに伝導帯のエネルギー
準位の可変が可能であり、高い正孔注入効率が得られ、
従って、高い発光効率が得られるように、その組成を最
適化することが可能である。
速・安価・高解像度・低騒音・コンパクト・普通紙印字
・低電圧駆動等すべての光ヘッドの長所を持っている。
更に、ここで無機材料からなる正孔輸送性材料を用いて
いることによる効果としては、次のことが挙げられる。
まず、アモルファスシリコンやアモルファスシリコンカ
ーバイトなどの半導体系の無機材料は、その組成を変調
することにより、価電子帯ならびに伝導帯のエネルギー
準位の可変が可能であり、高い正孔注入効率が得られ、
従って、高い発光効率が得られるように、その組成を最
適化することが可能である。
【0037】なお、この組成の最適化は、正孔注入電極
との関係においてのみなされるのではなく、有機薄膜層
材料との関係においても調整され、個々の材料ごとに最
適化が成されることが望ましい。また、熱的な安定性に
おいても、200〜300℃の温度では特性劣化は見ら
れず、一般的に熱安定性があまり良くない有機材料より
なる正孔輸送材料を用いた場合に比べ、高い耐久性を有
する素子の作製が可能である。
との関係においてのみなされるのではなく、有機薄膜層
材料との関係においても調整され、個々の材料ごとに最
適化が成されることが望ましい。また、熱的な安定性に
おいても、200〜300℃の温度では特性劣化は見ら
れず、一般的に熱安定性があまり良くない有機材料より
なる正孔輸送材料を用いた場合に比べ、高い耐久性を有
する素子の作製が可能である。
【0038】このように無機材料よりなる正孔輸送性薄
膜を用いたことにより、高い発光効率、高い耐久性を有
する素子を得ることができ、高性能で、信頼性の高い光
プリンタヘッドの作製が可能となった。
膜を用いたことにより、高い発光効率、高い耐久性を有
する素子を得ることができ、高性能で、信頼性の高い光
プリンタヘッドの作製が可能となった。
【図1】本発明の実施例を示すEL素子の斜視図であ
る。
る。
【図2】本発明の実施例を示すEL素子アレイの製造工
程断面図である。
程断面図である。
【図3】従来の光プリンタの全体構成を示す概略構成図
である。
である。
10 ガラス基板 11 第1電極(陽極) 12 無機薄膜層 13 有機薄膜層 14 第2電極(陰極) 15 第3電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲蒋▼ 一超 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に少なくとも、第1電極となる電
導膜、正孔輸送性無機薄膜層、発光性有機物質を含む有
機薄膜層、第2電極となる電導膜をこの順に積層し、前
記2つの導電膜間に電圧を印加することによって、前記
有機薄膜層から発光させるようにしたことを特徴とする
EL素子アレイを有する光プリンタヘッド。 - 【請求項2】 請求項1記載の光プリンタヘッドにおい
て、前記正孔輸送性無機薄膜層として、アモルファスシ
リコンカーバイトを用いることを特徴とする光プリンタ
ヘッド。 - 【請求項3】 請求項1記載の光プリンタヘッドにおい
て、前記正孔輸送性無機薄膜層として、アモルファスシ
リコンを用いることを特徴とする光プリンタヘッド。 - 【請求項4】 請求項1記載の光プリンタヘッドにおい
て、前記有機薄膜層として、キノリノール錯体あるいは
金属錯体系材料を用いることを特徴とする光プリンタヘ
ッド。 - 【請求項5】 請求項1記載の光プリンタヘッドにおい
て、前記有機薄膜層として、色素分子をドープした、キ
ノリノール錯体を用いることを特徴とする光プリンタヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5545295A JPH08244272A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 光プリンタヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5545295A JPH08244272A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 光プリンタヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08244272A true JPH08244272A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=12999003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5545295A Pending JPH08244272A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 光プリンタヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08244272A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266074B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting apparatus with temperature control, exposure apparatus, and image forming apparatus |
| US6640433B1 (en) * | 1997-05-13 | 2003-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming a micro-pattern |
-
1995
- 1995-03-15 JP JP5545295A patent/JPH08244272A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6640433B1 (en) * | 1997-05-13 | 2003-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming a micro-pattern |
| US6266074B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting apparatus with temperature control, exposure apparatus, and image forming apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |