JPH0892705A - 希土類磁石粉末製造用原料合金およびその製造方法 - Google Patents
希土類磁石粉末製造用原料合金およびその製造方法Info
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- JPH0892705A JPH0892705A JP6257357A JP25735794A JPH0892705A JP H0892705 A JPH0892705 A JP H0892705A JP 6257357 A JP6257357 A JP 6257357A JP 25735794 A JP25735794 A JP 25735794A JP H0892705 A JPH0892705 A JP H0892705A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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- H01F1/053—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals
- H01F1/055—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 脱水素処理するだけで希土類磁石粉末を製造
することのできる希土類磁石粉末製造用原料合金および
その製造方法を提供する。 【構成】 (1)R(Yを含む希土類元素)とT(遷移
金属)からなる合金、RとTとM(Si、Ga、Zr、
Nb、Mo、Hf、Ta、W、Al、Ti、Vのうち1
種または2種以上)からなる合金の各合金素地中に平均
太さ:0.002〜20μmの棒状のRの水素化物が少
なくとも分散している組織を有する希土類磁石粉末製造
用原料合金。 (2)RとTからなる合金、RとTとMからなる合金を
主に水素雰囲気中、500〜750度に保持して、水素
吸蔵処理したのち、この処理温度よりも相対的に低い1
00〜600℃の温度に保持し、引き続き室温に冷却す
る希土類磁石粉末製造用原料合金の製造方法。
することのできる希土類磁石粉末製造用原料合金および
その製造方法を提供する。 【構成】 (1)R(Yを含む希土類元素)とT(遷移
金属)からなる合金、RとTとM(Si、Ga、Zr、
Nb、Mo、Hf、Ta、W、Al、Ti、Vのうち1
種または2種以上)からなる合金の各合金素地中に平均
太さ:0.002〜20μmの棒状のRの水素化物が少
なくとも分散している組織を有する希土類磁石粉末製造
用原料合金。 (2)RとTからなる合金、RとTとMからなる合金を
主に水素雰囲気中、500〜750度に保持して、水素
吸蔵処理したのち、この処理温度よりも相対的に低い1
00〜600℃の温度に保持し、引き続き室温に冷却す
る希土類磁石粉末製造用原料合金の製造方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、脱水素処理するだけ
で希土類磁石粉末を製造することのできる原料合金およ
びその製造方法に関するものである。
で希土類磁石粉末を製造することのできる原料合金およ
びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】R(Yを含む希土類元素)、T(遷移金
属)、D(B、Cなどの半金属)、さらにM(Si、G
a、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Al、Ti、
Vのうち1種または2種以上)とすると、RとT、Rと
TとDまたはRとTとDとMを主成分とする希土類磁石
粉末は知られており、例えば、RとTを主成分とする希
土類磁石粉末にはR2 T17、RT12、RT5 、RT3 、
RT2 などの金属間化合物相を主相とする希土類磁石粉
末などがあり、RとTとDを主成分とする希土類磁石粉
末にはR2 T14B金属間化合物相を主相とする希土類磁
石粉末などがあり、さらに、RとTとDとMを主成分と
する希土類磁石粉末にはR2 (T、M)14B金属間化合
物相を主相とする希土類磁石粉末などがあることも知ら
れている。
属)、D(B、Cなどの半金属)、さらにM(Si、G
a、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Al、Ti、
Vのうち1種または2種以上)とすると、RとT、Rと
TとDまたはRとTとDとMを主成分とする希土類磁石
粉末は知られており、例えば、RとTを主成分とする希
土類磁石粉末にはR2 T17、RT12、RT5 、RT3 、
RT2 などの金属間化合物相を主相とする希土類磁石粉
末などがあり、RとTとDを主成分とする希土類磁石粉
末にはR2 T14B金属間化合物相を主相とする希土類磁
石粉末などがあり、さらに、RとTとDとMを主成分と
する希土類磁石粉末にはR2 (T、M)14B金属間化合
物相を主相とする希土類磁石粉末などがあることも知ら
れている。
【0003】前記RとTとDを主成分とする希土類磁石
粉末またはRとTとDとMを主成分とする希土類磁石粉
末は、R−T−D合金またはR−T−D−M合金をAr
ガス雰囲気中、温度:600〜1200℃に保持して均
質化処理し、または均質化処理せずに、R−T−D合金
またはR−T−D−M合金をH2 ガスまたはH2 ガスと
不活性ガスの混合雰囲気中で室温から昇温し、温度:5
00〜1000℃に保持してH2 吸蔵処理したのち、真
空雰囲気中または不活性ガス雰囲気中、温度:500〜
1000℃に保持して脱H2 処理し、ついで冷却し、粉
砕して製造される。この様にして得られた希土類磁石粉
末の内部組織は、微細で均一な希土類金属間化合物の再
結晶集合組織となり、その磁気特性が大幅に向上するこ
とも知られている。
粉末またはRとTとDとMを主成分とする希土類磁石粉
末は、R−T−D合金またはR−T−D−M合金をAr
ガス雰囲気中、温度:600〜1200℃に保持して均
質化処理し、または均質化処理せずに、R−T−D合金
またはR−T−D−M合金をH2 ガスまたはH2 ガスと
不活性ガスの混合雰囲気中で室温から昇温し、温度:5
00〜1000℃に保持してH2 吸蔵処理したのち、真
空雰囲気中または不活性ガス雰囲気中、温度:500〜
1000℃に保持して脱H2 処理し、ついで冷却し、粉
砕して製造される。この様にして得られた希土類磁石粉
末の内部組織は、微細で均一な希土類金属間化合物の再
結晶集合組織となり、その磁気特性が大幅に向上するこ
とも知られている。
【0004】内部組織が微細で均一な希土類金属間化合
物の再結晶集合組織となる過程において、例えば、R−
Fe−B合金をH2 ガスまたはH2 ガスと不活性ガスの
混合雰囲気中で温度:500〜1000℃に保持してH
2 吸蔵処理すると、 R2 Fe14B(HX )→RH2 +Fe+Fe2 B に相変態し、続けて同じ温度領域で脱H2 処理すると、 RH2 +Fe+Fe2 B→R2 Fe14B(HX ) に再変態し、微細な希土類金属間化合物相の再結晶の集
合組織が形成されることも知られている(特開平3−1
29702号公報、特開平3−129703号公報、特
開平4−253304号公報、特開平4−245403
号公報など参照)。前記のようなH2 吸蔵処理および脱
H2 処理による相変態を行って微細な希土類金属間化合
物相の再結晶の集合組織が形成されることはR2 F
e17、R(Fe,Ti)12系磁石材料についても示され
ている(特開平4−260302号公報、特開平4−3
48002号公報など参照)。
物の再結晶集合組織となる過程において、例えば、R−
Fe−B合金をH2 ガスまたはH2 ガスと不活性ガスの
混合雰囲気中で温度:500〜1000℃に保持してH
2 吸蔵処理すると、 R2 Fe14B(HX )→RH2 +Fe+Fe2 B に相変態し、続けて同じ温度領域で脱H2 処理すると、 RH2 +Fe+Fe2 B→R2 Fe14B(HX ) に再変態し、微細な希土類金属間化合物相の再結晶の集
合組織が形成されることも知られている(特開平3−1
29702号公報、特開平3−129703号公報、特
開平4−253304号公報、特開平4−245403
号公報など参照)。前記のようなH2 吸蔵処理および脱
H2 処理による相変態を行って微細な希土類金属間化合
物相の再結晶の集合組織が形成されることはR2 F
e17、R(Fe,Ti)12系磁石材料についても示され
ている(特開平4−260302号公報、特開平4−3
48002号公報など参照)。
【0005】また、Nd−Fe−B合金をH2 ガスまた
はH2 ガスと不活性ガスの混合雰囲気中で温度:500
〜1000℃に保持してH2 吸蔵すると、マトリックス
中に0.2〜0.5μmのNdH2 が分散している組織
となることも確認されている(日本金属学会秋季大会一
般講演概要1989,P367参照)。
はH2 ガスと不活性ガスの混合雰囲気中で温度:500
〜1000℃に保持してH2 吸蔵すると、マトリックス
中に0.2〜0.5μmのNdH2 が分散している組織
となることも確認されている(日本金属学会秋季大会一
般講演概要1989,P367参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の温度:
500〜1000℃に保持してH2 吸蔵処理したのち、
引き続いて同じ温度に保持して脱H2 処理する製造方法
では、(a) 同一容器内の雰囲気をH2 ガスまたはH
2 ガスと不活性ガスの混合雰囲気中から真空雰囲気に変
換しなければならず、真空雰囲気に切り換える際に、高
温の水素とロータリポンプなどの機内に残留する空気と
が反応して、爆発する危険性がある、(b) H2 吸蔵
処理工程では相分解は発熱反応であり、脱H2 処理工程
での再結合は吸熱反応であるために、連続的な熱処理を
行うと熱変化により希土類金属間化合物の再結晶組織が
制御できず、異常粒成長が起こるなどして均一で微細な
再結晶集合組織が得られないことがあり、さらにこの方
法で得られた希土類磁石粉末は保磁力が十分でなくかつ
保磁力温度係数が大きいために、この磁石粉末で作製し
た部品を組み込んだ電気機器は温度変化によって性能が
変化することがあるなどの課題があった。
500〜1000℃に保持してH2 吸蔵処理したのち、
引き続いて同じ温度に保持して脱H2 処理する製造方法
では、(a) 同一容器内の雰囲気をH2 ガスまたはH
2 ガスと不活性ガスの混合雰囲気中から真空雰囲気に変
換しなければならず、真空雰囲気に切り換える際に、高
温の水素とロータリポンプなどの機内に残留する空気と
が反応して、爆発する危険性がある、(b) H2 吸蔵
処理工程では相分解は発熱反応であり、脱H2 処理工程
での再結合は吸熱反応であるために、連続的な熱処理を
行うと熱変化により希土類金属間化合物の再結晶組織が
制御できず、異常粒成長が起こるなどして均一で微細な
再結晶集合組織が得られないことがあり、さらにこの方
法で得られた希土類磁石粉末は保磁力が十分でなくかつ
保磁力温度係数が大きいために、この磁石粉末で作製し
た部品を組み込んだ電気機器は温度変化によって性能が
変化することがあるなどの課題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる課題を解決すべく研究を行った結果、 R:Yを含む希土類元素、 T:遷移金属、 を含有し、必要に応じて、さらに、 M:Si,Ga,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,W,
Al,Ti,Vのうちの1種または2種以上 を含み、残部不可避不純物からなるR−T系合金インゴ
ットまたはR−T−M系合金インゴットを必要に応じて
900〜1200℃で均質化処理し、これら合金インゴ
ットに、水素または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気
中で、まず温度:500〜750℃に保持することによ
り第1処理条件の水素吸蔵処理を施し、続けてまたは一
度室温に冷却後、同じ雰囲気で水素吸蔵処理温度より相
対的に低い100〜600℃の温度範囲に保持したの
ち、室温に急冷する第2処理条件の処理を施すことによ
り得られた水素吸蔵合金は、合金素地中に平均太さ:
0.002〜20μmの棒状のRの水素化物が存在する
組織または、この棒状のRの水素化物と平均粒径:0.
002〜20μmの粒状のRの水素化物が混在する組織
を有し、場合により前記棒状のRの水素化物が同一方向
に揃っている組織を有し、かかる組織を有する水素吸蔵
合金は、耐酸化性も向上するので原料合金として保存す
ることができ、この原料合金を予め作製して貯蔵してお
き、所定量取り出して別の真空炉に装入し、温度:50
0〜1000℃に昇温保持して脱H2 処理すると、前記
雰囲気の変換に伴う危険、並びにH2 吸蔵処理工程での
相分解による発熱反応および脱H2 処理工程での再結合
による吸熱反応に伴う希土類金属間化合物の再結晶組織
の異常粒成長を防止することができ、均一で微細な再結
晶組織を有し、従来の希土類磁石粉末に比べて保磁力が
大きくなるという研究結果が得られたのである。
かかる課題を解決すべく研究を行った結果、 R:Yを含む希土類元素、 T:遷移金属、 を含有し、必要に応じて、さらに、 M:Si,Ga,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,W,
Al,Ti,Vのうちの1種または2種以上 を含み、残部不可避不純物からなるR−T系合金インゴ
ットまたはR−T−M系合金インゴットを必要に応じて
900〜1200℃で均質化処理し、これら合金インゴ
ットに、水素または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気
中で、まず温度:500〜750℃に保持することによ
り第1処理条件の水素吸蔵処理を施し、続けてまたは一
度室温に冷却後、同じ雰囲気で水素吸蔵処理温度より相
対的に低い100〜600℃の温度範囲に保持したの
ち、室温に急冷する第2処理条件の処理を施すことによ
り得られた水素吸蔵合金は、合金素地中に平均太さ:
0.002〜20μmの棒状のRの水素化物が存在する
組織または、この棒状のRの水素化物と平均粒径:0.
002〜20μmの粒状のRの水素化物が混在する組織
を有し、場合により前記棒状のRの水素化物が同一方向
に揃っている組織を有し、かかる組織を有する水素吸蔵
合金は、耐酸化性も向上するので原料合金として保存す
ることができ、この原料合金を予め作製して貯蔵してお
き、所定量取り出して別の真空炉に装入し、温度:50
0〜1000℃に昇温保持して脱H2 処理すると、前記
雰囲気の変換に伴う危険、並びにH2 吸蔵処理工程での
相分解による発熱反応および脱H2 処理工程での再結合
による吸熱反応に伴う希土類金属間化合物の再結晶組織
の異常粒成長を防止することができ、均一で微細な再結
晶組織を有し、従来の希土類磁石粉末に比べて保磁力が
大きくなるという研究結果が得られたのである。
【0008】この発明は、かかる研究結果に基づいてな
されたものであって、(1)RとTからなる合金または
RとTとMからなる合金の各合金素地中に平均太さ:
0.002〜20μmの棒状のRの水素化物が存在しま
たはこの棒状のRの水素化物と平均粒径:0.002〜
20μmの粒状のRの水素化物が混在し、場合により前
記棒状のRの水素化物が同一方向に揃っている組織を有
する希土類磁石粉末製造用原料合金、(2)RとTから
なる合金またはRとTとMからなる合金を、水素雰囲気
中または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気中、500
〜750℃の範囲内の所定の温度に保持して、第1処理
条件の水素吸蔵処理したのち、引き続き、または一度室
温に冷却後、前記水素吸蔵処理温度よりも相対的に低い
100〜600℃の範囲の所定の温度に保持し、引き続
き室温に冷却する第2処理条件での熱処理を行う希土類
磁石粉末製造用原料合金の製造方法、に特徴を有するも
のである。
されたものであって、(1)RとTからなる合金または
RとTとMからなる合金の各合金素地中に平均太さ:
0.002〜20μmの棒状のRの水素化物が存在しま
たはこの棒状のRの水素化物と平均粒径:0.002〜
20μmの粒状のRの水素化物が混在し、場合により前
記棒状のRの水素化物が同一方向に揃っている組織を有
する希土類磁石粉末製造用原料合金、(2)RとTから
なる合金またはRとTとMからなる合金を、水素雰囲気
中または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気中、500
〜750℃の範囲内の所定の温度に保持して、第1処理
条件の水素吸蔵処理したのち、引き続き、または一度室
温に冷却後、前記水素吸蔵処理温度よりも相対的に低い
100〜600℃の範囲の所定の温度に保持し、引き続
き室温に冷却する第2処理条件での熱処理を行う希土類
磁石粉末製造用原料合金の製造方法、に特徴を有するも
のである。
【0009】この発明の水素化物としては、合金系によ
り例えばMの水素化物が一部存在することがあるが、R
の水素化物が少なくとも分散している組織が好ましい。
また希土類磁石粉末製造用原料合金素地中の棒状のRの
水素化物の平均太さは0.002〜20μmの範囲内に
あることが好ましく、一層好ましい平均太さは0.00
2〜3μm、さらに一層好ましい平均太さは0.002
〜1μmである。
り例えばMの水素化物が一部存在することがあるが、R
の水素化物が少なくとも分散している組織が好ましい。
また希土類磁石粉末製造用原料合金素地中の棒状のRの
水素化物の平均太さは0.002〜20μmの範囲内に
あることが好ましく、一層好ましい平均太さは0.00
2〜3μm、さらに一層好ましい平均太さは0.002
〜1μmである。
【0010】また、上記棒状のRの水素化物と混在する
粒状のRの水素化物の平均粒径は0.002〜20μm
の範囲内にあることが好ましく、一層好ましい平均粒径
は0.002〜3μm、さらに一層好ましい平均粒径は
0.002〜1μmである。
粒状のRの水素化物の平均粒径は0.002〜20μm
の範囲内にあることが好ましく、一層好ましい平均粒径
は0.002〜3μm、さらに一層好ましい平均粒径は
0.002〜1μmである。
【0011】この発明の希土類磁石粉末製造用原料合金
の組織は、素地中に棒状のRの水素化物が100%存在
することが最も好ましいが、棒状のRの水素化物と粒状
のRの水素化物が混在してもよく、粒状のRの水素化物
は80%まで混在することが許容される。
の組織は、素地中に棒状のRの水素化物が100%存在
することが最も好ましいが、棒状のRの水素化物と粒状
のRの水素化物が混在してもよく、粒状のRの水素化物
は80%まで混在することが許容される。
【0012】この発明の希土類磁石粉末製造用原料合金
のRはYを含む希土類元素のうち少なくとも1種を示
す。
のRはYを含む希土類元素のうち少なくとも1種を示
す。
【0013】いずれにしても、水素または水素と不活性
ガスの混合雰囲気中、温度:500〜750℃保持の第
1処理を施したのち、この第1処理と同じ雰囲気で第1
処理温度よりも相対的に低い100〜600℃の範囲内
の温度に保持し、この温度に所定時間保持することが必
要である。素地中に存在する棒状のRの水素化物の割合
は、第1処理温度が低いほど多くなり、高いほど少なく
なる。したがって第1処理温度が750℃の時にその合
金組成において素地中に存在する棒状のRの水素化物の
割合が最も少なくなり、粒状のRの水素化物の割合が最
も多くなる。保磁力および保磁力温度係数の優れた希土
類磁石粉末を製造するための原料合金は、素地中に棒状
のRの水素化物が多く存在する方が好ましい。しかし第
1処理温度が500℃未満であるとRの水素化物が形成
され難いので好ましくない。
ガスの混合雰囲気中、温度:500〜750℃保持の第
1処理を施したのち、この第1処理と同じ雰囲気で第1
処理温度よりも相対的に低い100〜600℃の範囲内
の温度に保持し、この温度に所定時間保持することが必
要である。素地中に存在する棒状のRの水素化物の割合
は、第1処理温度が低いほど多くなり、高いほど少なく
なる。したがって第1処理温度が750℃の時にその合
金組成において素地中に存在する棒状のRの水素化物の
割合が最も少なくなり、粒状のRの水素化物の割合が最
も多くなる。保磁力および保磁力温度係数の優れた希土
類磁石粉末を製造するための原料合金は、素地中に棒状
のRの水素化物が多く存在する方が好ましい。しかし第
1処理温度が500℃未満であるとRの水素化物が形成
され難いので好ましくない。
【0014】この発明の希土類磁石粉末製造用原料合金
を製造するための第1処理および第2処理を含む水素吸
蔵処理パターンを図2および図3に例示し、さらに従来
の水素吸蔵処理パターンを図4に示した。この発明の水
素吸蔵処理パターンは従来の水素吸蔵処理パターンと比
較して、第1処理温度よりも相対的に低い100〜60
0℃で保持する第2処理を施す点で相違する。
を製造するための第1処理および第2処理を含む水素吸
蔵処理パターンを図2および図3に例示し、さらに従来
の水素吸蔵処理パターンを図4に示した。この発明の水
素吸蔵処理パターンは従来の水素吸蔵処理パターンと比
較して、第1処理温度よりも相対的に低い100〜60
0℃で保持する第2処理を施す点で相違する。
【0015】上記図2および図3において示した第1処
理および第2処理を含む水素吸蔵処理パターンは、この
発明の希土類磁石粉末製造用原料合金を製造するための
代表的なパターンであって、この発明の水素吸蔵処理パ
ターンは上記図2および図3に限定されるものではな
く、種々に変形した水素吸蔵処理パターンを採用するこ
とができる。また、第1処理または第2処理は、1回だ
けでなく、2回以上行ってもよい。
理および第2処理を含む水素吸蔵処理パターンは、この
発明の希土類磁石粉末製造用原料合金を製造するための
代表的なパターンであって、この発明の水素吸蔵処理パ
ターンは上記図2および図3に限定されるものではな
く、種々に変形した水素吸蔵処理パターンを採用するこ
とができる。また、第1処理または第2処理は、1回だ
けでなく、2回以上行ってもよい。
【0016】この発明の希土類磁石粉末製造用原料合金
(以下、本発明原料合金という)を製造するための出発
原料としては、鋳造合金、焼結合金、超急冷合金、アト
マイズ合金、一部あるいは全部非晶質合金、メカニカル
アロイ合金、共還元粉末などいずれの合金を用いてもよ
いが、この中でも鋳造合金、一部あるいは全部非晶質合
金またはメカニカルアロイ合金を用いることが特に好ま
しい。
(以下、本発明原料合金という)を製造するための出発
原料としては、鋳造合金、焼結合金、超急冷合金、アト
マイズ合金、一部あるいは全部非晶質合金、メカニカル
アロイ合金、共還元粉末などいずれの合金を用いてもよ
いが、この中でも鋳造合金、一部あるいは全部非晶質合
金またはメカニカルアロイ合金を用いることが特に好ま
しい。
【0017】
〔実施例1〕Arガス雰囲気中、プラズマアーク溶解炉
を用いて、表1に示される成分組成の合金を溶解し、鋳
造して鋳塊A〜Iを製造した。この表1の鋳塊A〜Iを
アルゴン雰囲気中で表1に示される条件で均質化処理
し、またはすることなく表1に示される大きさに粉砕
し、ついで表2、表3に示される水素雰囲気で表2、3
に示される温度および時間保持して水素吸蔵処理の第1
処理を施したのち、さらに1気圧の水素雰囲気中で水素
吸蔵処理温度よりも低い表2、3に示される温度および
時間保持の条件で第2処理を施し、引き続いて室温に冷
却し、本発明原料合金1〜9および比較原料合金1〜4
を作製した。これら原料合金を走査電子顕微鏡または透
過電子顕微鏡で組織観察を行い、原料合金素地中に存在
する棒状のRの水素化物の平均太さ並びに粒状のRの水
素化物の平均粒径および混在比率を測定し、その結果を
表2、3に示した。比較例原料合金1はH2 吸蔵が充分
行われず、Rの水素化物が生成しなかった。比較例原料
合金4は、棒状のRの水素化物が観察されなかった。な
お、本実施例で得られた本発明原料合金5を透過電子顕
微鏡で組織観察を行い、透過電子顕微鏡による金属組織
写真を図1に示した。図1より棒状のRの水素化物に一
部混在比率10%の粒状のRの水素化物が存在し、また
棒状のRの水素化物が同一方向にそろっていることがわ
かる。
を用いて、表1に示される成分組成の合金を溶解し、鋳
造して鋳塊A〜Iを製造した。この表1の鋳塊A〜Iを
アルゴン雰囲気中で表1に示される条件で均質化処理
し、またはすることなく表1に示される大きさに粉砕
し、ついで表2、表3に示される水素雰囲気で表2、3
に示される温度および時間保持して水素吸蔵処理の第1
処理を施したのち、さらに1気圧の水素雰囲気中で水素
吸蔵処理温度よりも低い表2、3に示される温度および
時間保持の条件で第2処理を施し、引き続いて室温に冷
却し、本発明原料合金1〜9および比較原料合金1〜4
を作製した。これら原料合金を走査電子顕微鏡または透
過電子顕微鏡で組織観察を行い、原料合金素地中に存在
する棒状のRの水素化物の平均太さ並びに粒状のRの水
素化物の平均粒径および混在比率を測定し、その結果を
表2、3に示した。比較例原料合金1はH2 吸蔵が充分
行われず、Rの水素化物が生成しなかった。比較例原料
合金4は、棒状のRの水素化物が観察されなかった。な
お、本実施例で得られた本発明原料合金5を透過電子顕
微鏡で組織観察を行い、透過電子顕微鏡による金属組織
写真を図1に示した。図1より棒状のRの水素化物に一
部混在比率10%の粒状のRの水素化物が存在し、また
棒状のRの水素化物が同一方向にそろっていることがわ
かる。
【0018】
【表1】
【0019】
【表2】
【0020】
【表3】
【0021】これら本発明原料合金1〜9および比較原
料合金1〜4を別の真空炉に装入し、表4に示される温
度および時間保持することにより脱水素処理したのち、
必要に応じて表4に示される条件で窒化処理し、ついで
粉砕し、均一で微細な希土類金属間化合物の再結晶集合
組織を有する希土類磁石粉末を作製した。この磁石粉末
の残留磁化および保持力を振動試料型磁束計で測定し、
これらの測定結果を表4に示した。
料合金1〜4を別の真空炉に装入し、表4に示される温
度および時間保持することにより脱水素処理したのち、
必要に応じて表4に示される条件で窒化処理し、ついで
粉砕し、均一で微細な希土類金属間化合物の再結晶集合
組織を有する希土類磁石粉末を作製した。この磁石粉末
の残留磁化および保持力を振動試料型磁束計で測定し、
これらの測定結果を表4に示した。
【0022】
【表4】
【0023】ついで、表1の鋳塊E,G,Iを本発明原
料合金5,7,9の場合と同じ条件で均質化処理し、表
5に示される大きさに粉砕し、ついで水素雰囲気中で表
5に示される温度および時間保持することにより水素吸
蔵処理の第1処理を施し、そのまま同じ容器内に保持し
ながら第2処理を施すこと無く室温まで冷却し、従来原
料合金1〜3を作製し、この原料合金を引き続いて同じ
容器内で表6に示される温度に表6に示される時間保持
することにより、脱水素処理したのち、必要に応じて表
6に示される条件で窒化処理し、ついで粉砕し、希土類
金属間化合物の再結晶集合組織を有する従来原料合金か
ら製造した従来希土類磁石粉末1〜3を作製した。つい
でこれら従来法からなる希土類磁石粉末の残留磁化およ
び保磁力を振動試料型磁束計で測定し、これらの測定結
果を表6に示した。
料合金5,7,9の場合と同じ条件で均質化処理し、表
5に示される大きさに粉砕し、ついで水素雰囲気中で表
5に示される温度および時間保持することにより水素吸
蔵処理の第1処理を施し、そのまま同じ容器内に保持し
ながら第2処理を施すこと無く室温まで冷却し、従来原
料合金1〜3を作製し、この原料合金を引き続いて同じ
容器内で表6に示される温度に表6に示される時間保持
することにより、脱水素処理したのち、必要に応じて表
6に示される条件で窒化処理し、ついで粉砕し、希土類
金属間化合物の再結晶集合組織を有する従来原料合金か
ら製造した従来希土類磁石粉末1〜3を作製した。つい
でこれら従来法からなる希土類磁石粉末の残留磁化およ
び保磁力を振動試料型磁束計で測定し、これらの測定結
果を表6に示した。
【0024】
【表5】
【0025】
【表6】
【0026】〔実施例2〕つぎに、Arガス雰囲気中、
プラズマアーク溶解炉を用いて、表7に示される成分組
成の合金を作製し、この合金を溶解して得られた溶湯を
単ロール式の液体急冷装置にて超急冷を行い、アモルフ
ァスリボンを作製し、このアモルファスリボンを粉砕し
て表7に示される平均粒径の粉末J〜Lを製造した。
プラズマアーク溶解炉を用いて、表7に示される成分組
成の合金を作製し、この合金を溶解して得られた溶湯を
単ロール式の液体急冷装置にて超急冷を行い、アモルフ
ァスリボンを作製し、このアモルファスリボンを粉砕し
て表7に示される平均粒径の粉末J〜Lを製造した。
【0027】この粉末J〜Lを水素雰囲気中で表8に示
される圧力および温度に表8に示される時間保持するこ
とにより水素吸蔵処理の第1処理を施し、水素吸蔵処理
したのち、さらに水素吸蔵処理温度よりも相対的に低い
表8に示される圧力、温度および時間保持の条件で保持
の第2処理を施し、引き続いて表8に示される条件で室
温に冷却し、本発明原料合金10〜12を作製した。こ
れら原料合金粉末を走査電子顕微鏡または透過電子顕微
鏡で組織観察を行い、原料合金粉末素地中に存在する棒
状のRの水素化物の平均太さ並びに粒状のRの水素化物
の平均粒径および混合比率を測定し、その結果を表8に
示した。
される圧力および温度に表8に示される時間保持するこ
とにより水素吸蔵処理の第1処理を施し、水素吸蔵処理
したのち、さらに水素吸蔵処理温度よりも相対的に低い
表8に示される圧力、温度および時間保持の条件で保持
の第2処理を施し、引き続いて表8に示される条件で室
温に冷却し、本発明原料合金10〜12を作製した。こ
れら原料合金粉末を走査電子顕微鏡または透過電子顕微
鏡で組織観察を行い、原料合金粉末素地中に存在する棒
状のRの水素化物の平均太さ並びに粒状のRの水素化物
の平均粒径および混合比率を測定し、その結果を表8に
示した。
【0028】これら本発明原料合金10〜12を別の真
空炉に装入し、表9に示される圧力および温度で、表9
に示される時間保持することにより脱水素処理し、均一
で微細な希土類金属間化合物の再結晶集合組織を有する
希土類磁石粉末を作製した。なお本発明原料合金10よ
り得られた希土類磁石粉末については引き続き450℃
で50時間窒素ガス中で窒化処理を行った。これら希土
類磁石粉末の残留磁化および保磁力を振動試料型磁束計
で測定し、これらの測定結果を表9に示した。
空炉に装入し、表9に示される圧力および温度で、表9
に示される時間保持することにより脱水素処理し、均一
で微細な希土類金属間化合物の再結晶集合組織を有する
希土類磁石粉末を作製した。なお本発明原料合金10よ
り得られた希土類磁石粉末については引き続き450℃
で50時間窒素ガス中で窒化処理を行った。これら希土
類磁石粉末の残留磁化および保磁力を振動試料型磁束計
で測定し、これらの測定結果を表9に示した。
【0029】表7の粉末J〜Lを本発明原料合金10〜
12と同じ条件で第2処理を施すこと無く第1処理を施
し、そのまま同じ容器内に保持しながら水素吸蔵処理温
度から室温まで冷却し、従来原料合金10〜12を作製
し、これらを引き続いて表9に示される圧力、温度およ
び時間保持することにより脱水素処理し、ついで粉砕
し、均一で微細な希土類金属間化合物の再結晶集合組織
を有する従来原料合金から作製した希土類磁石粉末10
〜12を作製した。なお、上記従来原料合金10より得
られた希土類磁石粉末については、引き続き450℃で
50時間窒素ガス中で窒化処理を行った。これら希土類
磁石粉末の残留磁化および保磁力を振動試料型磁束計で
測定し、これらの測定結果を表9に示した。
12と同じ条件で第2処理を施すこと無く第1処理を施
し、そのまま同じ容器内に保持しながら水素吸蔵処理温
度から室温まで冷却し、従来原料合金10〜12を作製
し、これらを引き続いて表9に示される圧力、温度およ
び時間保持することにより脱水素処理し、ついで粉砕
し、均一で微細な希土類金属間化合物の再結晶集合組織
を有する従来原料合金から作製した希土類磁石粉末10
〜12を作製した。なお、上記従来原料合金10より得
られた希土類磁石粉末については、引き続き450℃で
50時間窒素ガス中で窒化処理を行った。これら希土類
磁石粉末の残留磁化および保磁力を振動試料型磁束計で
測定し、これらの測定結果を表9に示した。
【0030】
【表7】
【0031】
【表8】
【0032】
【表9】
【0033】
【発明の効果】表4、表6および表9から明らかなよう
に、本発明合金1〜12を原料合金として使用し、これ
を脱水素処理することにより得られた希土類磁石粉末の
残留磁化および保磁力は、比較原料合金1〜4および従
来原料合金1〜3または10〜12を原料合金として使
用し、これを脱水素処理して得られた希土類磁石粉末の
残留磁化および保磁力に比べ一段と優れていることが判
る。なお、原料合金素地中に分散している棒状のRの水
素化物の平均粒径が0.002〜20μmの範囲から外
れている場合、また第1処理温度が500〜750℃か
ら外れている場合、また第2処理温度が100〜600
℃から外れている場合のように比較原料合金を使用して
得られた希土類磁石粉末は十分な保磁力が得られていな
いことが判る。
に、本発明合金1〜12を原料合金として使用し、これ
を脱水素処理することにより得られた希土類磁石粉末の
残留磁化および保磁力は、比較原料合金1〜4および従
来原料合金1〜3または10〜12を原料合金として使
用し、これを脱水素処理して得られた希土類磁石粉末の
残留磁化および保磁力に比べ一段と優れていることが判
る。なお、原料合金素地中に分散している棒状のRの水
素化物の平均粒径が0.002〜20μmの範囲から外
れている場合、また第1処理温度が500〜750℃か
ら外れている場合、また第2処理温度が100〜600
℃から外れている場合のように比較原料合金を使用して
得られた希土類磁石粉末は十分な保磁力が得られていな
いことが判る。
【0034】上述のように、この発明によると、R−T
合金、またはR−T−M合金をH2ガスまたはH2 ガス
と不活性ガスの混合雰囲気中で室温から昇温し、温度:
500〜750℃に保持してH2 吸蔵処理したのち前記
水素吸蔵処理温度よりも低い100〜600℃の範囲内
の所定の温度に保持し、引き続いて室温まで冷却して、
合金素地中に平均太さ:0.002〜20μmの棒状の
Rの水素化物が分散している組織を有する原料合金を予
め作製して貯蔵しておき、原料合金を所定量取り出して
別の真空炉に装入し、温度:500〜1000℃に昇温
保持して脱H2処理すると、従来よりも磁気特性の優れ
た希土類磁石粉末を製造することができ、産業上すぐれ
た効果を奏するものである。
合金、またはR−T−M合金をH2ガスまたはH2 ガス
と不活性ガスの混合雰囲気中で室温から昇温し、温度:
500〜750℃に保持してH2 吸蔵処理したのち前記
水素吸蔵処理温度よりも低い100〜600℃の範囲内
の所定の温度に保持し、引き続いて室温まで冷却して、
合金素地中に平均太さ:0.002〜20μmの棒状の
Rの水素化物が分散している組織を有する原料合金を予
め作製して貯蔵しておき、原料合金を所定量取り出して
別の真空炉に装入し、温度:500〜1000℃に昇温
保持して脱H2処理すると、従来よりも磁気特性の優れ
た希土類磁石粉末を製造することができ、産業上すぐれ
た効果を奏するものである。
【図1】この発明の希土類磁石粉末製造用原料合金の透
過電子顕微鏡による金属組織写真である。
過電子顕微鏡による金属組織写真である。
【図2】この発明の希土類磁石粉末製造用原料合金を製
造するための水素吸蔵処理パターンである。
造するための水素吸蔵処理パターンである。
【図3】この発明の希土類磁石粉末製造用原料合金を製
造するための水素吸蔵処理パターンである。
造するための水素吸蔵処理パターンである。
【図4】従来の希土類磁石粉末製造用原料合金を製造す
るための水素吸蔵処理パターンである。
るための水素吸蔵処理パターンである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武下 拓夫 埼玉県大宮市北袋町1−297 三菱マテリ アル株式会社中央研究所内
Claims (7)
- 【請求項1】 R(Yを含む希土類元素)、T(遷移金
属)とすると、これらRおよびTを含み、残部不可避不
純物からなるR−T系合金素地中に、平均太さ:0.0
02〜20μmの棒状のRの水素化物が、少なくとも分
散している組織を有することを特徴とする希土類磁石粉
末製造用原料合金。 - 【請求項2】 R(Yを含む希土類元素)、T(遷移金
属)、さらにM(Si、Ga、Zr、Nb、Mo、H
f、Ta、W、Al、Ti、Vのうちの1種または2種
以上)とすると、これらR、TおよびMを含み、残部不
可避不純物からなるR−T−M系合金素地中に、平均太
さ:0.002〜20μmの棒状のRの水素化物が少な
くとも分散している組織を有することを特徴とする希土
類磁石粉末製造用原料合金。 - 【請求項3】 上記RおよびTを含み、残部不可避不純
物からの素地中に存在する棒状のRの水素化物は、同一
方向に揃っている組織を有することを特徴とする請求項
1記載の希土類磁石粉末製造用原料合金。 - 【請求項4】 上記R,TおよびMを含み、残部不可避
不純物からなるR−T−M系合金の素地中に存在する棒
状のRの水素化物は、同一方向に揃っている組織を有す
ることを特徴とする請求項2記載の希土類磁石粉末製造
用原料合金。 - 【請求項5】 上記RおよびTを含み、残部不可避不純
物からなるR−T系合金の素地中に、棒状のRの水素化
物と平均粒径:0.002〜20μmの粒状のRの水素
化物が混在した組織を有することを特徴とする請求項1
または3記載の希土類磁石粉末製造用原料合金。 - 【請求項6】 上記R、TおよびMを含み、残部不可避
不純物からなるR−T−M系合金の素地中に、棒状のR
の水素化物と平均径:0.002〜20μmの粒状のR
の水素化物が混在した組織を有することを特徴とする請
求項2または4記載の希土類磁石粉末製造用原料合金。 - 【請求項7】 上記RおよびTを含み、残部不可避不純
物からなるR−T系合金、R、TおよびMを含み、残部
不可避不純物からなるR−T−M系合金を水素雰囲気中
または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気中、500〜
750℃の範囲内の所定の温度に保持して水素吸蔵処理
したのち、引き続き、または一度室温に冷却後、前記水
素吸蔵処理温度よりも相対的に低い100〜600℃の
範囲内の所定の温度に保持し、引き続いて室温に冷却す
ることを特徴とする請求項1,2,3,4,5または6
記載の希土類磁石粉末製造用原料合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6257357A JPH0892705A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 希土類磁石粉末製造用原料合金およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6257357A JPH0892705A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 希土類磁石粉末製造用原料合金およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0892705A true JPH0892705A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=17305265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6257357A Withdrawn JPH0892705A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 希土類磁石粉末製造用原料合金およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0892705A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111681868A (zh) * | 2020-07-09 | 2020-09-18 | 福建省长汀金龙稀土有限公司 | 一种熔炼后钕铁硼合金片的处理方法 |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP6257357A patent/JPH0892705A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111681868A (zh) * | 2020-07-09 | 2020-09-18 | 福建省长汀金龙稀土有限公司 | 一种熔炼后钕铁硼合金片的处理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |