JPH089402A - 消磁回路装置 - Google Patents
消磁回路装置Info
- Publication number
- JPH089402A JPH089402A JP6141798A JP14179894A JPH089402A JP H089402 A JPH089402 A JP H089402A JP 6141798 A JP6141798 A JP 6141798A JP 14179894 A JP14179894 A JP 14179894A JP H089402 A JPH089402 A JP H089402A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- degaussing
- ceramic element
- semiconductor ceramic
- coil
- electrodes
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/0007—Elimination of unwanted or stray electromagnetic effects
- H01J2229/0046—Preventing or cancelling fields within the enclosure
- H01J2229/0053—Demagnetisation
Landscapes
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】正特性サ−ミスタに消磁コイルを一体化した構
造の消磁回路装置を提供する。 【構成】半導体セラミック素子２ａと消磁コイル３が同
一素子の内部で接続された構造の消磁回路装置１を提供
する。このような構造の消磁回路装置は基板に実装した
ときの占有面積を削減できるので、高密度実装、小形化
ができる。また接続箇所を減少したのでほかの電子部品
との接続工程を削減できる。
造の消磁回路装置を提供する。 【構成】半導体セラミック素子２ａと消磁コイル３が同
一素子の内部で接続された構造の消磁回路装置１を提供
する。このような構造の消磁回路装置は基板に実装した
ときの占有面積を削減できるので、高密度実装、小形化
ができる。また接続箇所を減少したのでほかの電子部品
との接続工程を削減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は陰極線管の消磁回路装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】正特性サ−ミスタは、ある特定の温度で
抵抗が急激に大きくなるため、電流制限用素子、温度制
御用素子等として広く使用されている。例えば陰極線管
の消磁回路は、正特性サ−ミスタと消磁コイルとにより
構成されており、電源をいれた後、地磁気の影響を除去
するようにはたらく。図３にこのような消磁回路の基本
的な構成を示す。この消磁回路はたとえば基板上で正特
性サ−ミスタ２と消磁コイル３とが直列接続する構成と
なっている。電源が投入されると消磁回路に大きな電流
が流れ、消磁コイル３の近傍に磁場が発生すると同時に
正特性サ−ミスタ２が発熱する。正特性サ−ミスタ２を
構成している半導体セラミック素子２ａは温度が上がる
と抵抗が増加するという特性を有しているため、発熱す
るにつれて抵抗が増加しそれを流れる電流を制限する。
そして一定時間経過後に少ない電流が流れる定常状態と
なる。このような消磁回路に用いられる正特性サ−ミス
タ２は図４（１）に示すようにバネ端子２１、２１で保
持された半導体セラミック素子２ａがケ−ス２２に収納
された構造を有するケ−スタイプや図４（２）に示すよ
うに半導体セラミック素子２ａの両主面に形成された二
層構造を有する電極６ａ、６ｂにリ−ド線８、８がそれ
ぞれ半田７、７で接続され、リ−ド線８、８の先端部を
残して絶縁樹脂５で被覆された構造のリ−ドタイプなど
がある。
抵抗が急激に大きくなるため、電流制限用素子、温度制
御用素子等として広く使用されている。例えば陰極線管
の消磁回路は、正特性サ−ミスタと消磁コイルとにより
構成されており、電源をいれた後、地磁気の影響を除去
するようにはたらく。図３にこのような消磁回路の基本
的な構成を示す。この消磁回路はたとえば基板上で正特
性サ−ミスタ２と消磁コイル３とが直列接続する構成と
なっている。電源が投入されると消磁回路に大きな電流
が流れ、消磁コイル３の近傍に磁場が発生すると同時に
正特性サ−ミスタ２が発熱する。正特性サ−ミスタ２を
構成している半導体セラミック素子２ａは温度が上がる
と抵抗が増加するという特性を有しているため、発熱す
るにつれて抵抗が増加しそれを流れる電流を制限する。
そして一定時間経過後に少ない電流が流れる定常状態と
なる。このような消磁回路に用いられる正特性サ−ミス
タ２は図４（１）に示すようにバネ端子２１、２１で保
持された半導体セラミック素子２ａがケ−ス２２に収納
された構造を有するケ−スタイプや図４（２）に示すよ
うに半導体セラミック素子２ａの両主面に形成された二
層構造を有する電極６ａ、６ｂにリ−ド線８、８がそれ
ぞれ半田７、７で接続され、リ−ド線８、８の先端部を
残して絶縁樹脂５で被覆された構造のリ−ドタイプなど
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上の構
成の消磁回路は以下に述べるような問題点がある。すな
わち消磁回路は、正特性サ−ミスタと消磁コイルとから
構成されているので、基板に組み込むためには二ヶの部
品を接続する必要がある。したがって基板に占める面積
が大きくなると共に、半田付けなどの接続工程もそれぞ
れの端子について必要であるから接続工数が多くなる。
成の消磁回路は以下に述べるような問題点がある。すな
わち消磁回路は、正特性サ−ミスタと消磁コイルとから
構成されているので、基板に組み込むためには二ヶの部
品を接続する必要がある。したがって基板に占める面積
が大きくなると共に、半田付けなどの接続工程もそれぞ
れの端子について必要であるから接続工数が多くなる。
【０００４】本発明の目的は正特性サ−ミスタと消磁コ
イルとを一体化して小形化すると同時に、接続工数が削
減できる消磁回路装置を提供する事にある。
イルとを一体化して小形化すると同時に、接続工数が削
減できる消磁回路装置を提供する事にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
る消磁回路装置は、半導体セラミック素子とコイルとが
一体化されたことを特徴とする。
る消磁回路装置は、半導体セラミック素子とコイルとが
一体化されたことを特徴とする。
【０００６】
【作用】請求項１記載の消磁回路装置は半導体セラミッ
ク素子と消磁コイルとが一体化されているので、基板の
占有面積を少なくできると共に、接続工数を減らすこと
ができる。
ク素子と消磁コイルとが一体化されているので、基板の
占有面積を少なくできると共に、接続工数を減らすこと
ができる。
【０００７】
（実施例１）本発明の実施例に係る消磁回路装置１を図
１の側面断面図を用いて説明する。図１に示す消磁回路
装置１は半導体セラミック素子２ａ、消磁コイル３、金
属接合部４ａ、４ｂが絶縁樹脂５により被覆された構造
となっている。
１の側面断面図を用いて説明する。図１に示す消磁回路
装置１は半導体セラミック素子２ａ、消磁コイル３、金
属接合部４ａ、４ｂが絶縁樹脂５により被覆された構造
となっている。
【０００８】半導体セラミック素子２ａは両主面に電極
６ａ、６ｂが形成されており、電極６ａ、６ｂは少なく
とも１層以上の電極からなり図１では２層構造を示して
いる。消磁コイル３は陰極線管（図示せず）に作用する
磁界を発生するコイル部３ａと、端子部３ｂ、３ｃとか
ら形成されている。前記端子部３ｂは半導体セラミック
素子２ａの電極６ａに、端子部３ｃは金属接合部４ａに
それぞれ半田７、７などにより接続されている。さらに
半導体セラミック素子２ａの電極６ｂは金属接合部４ｂ
とリ−ド線８を用いて半田７、７で接続されている。そ
して前記半導体セラミック素子２ａ、端子部３ｂ、３
ｃ、金属接合部４ａ、４ｂは金属接合部４ａ、４ｂの一
部を残して絶縁樹脂５で被覆されている。前記金属接合
部４ａ、４ｂの絶縁樹脂５で被覆されていない部分は図
示しない基板やリ−ド線など他の電子部品と例えばコネ
クタ構造によって接続される。
６ａ、６ｂが形成されており、電極６ａ、６ｂは少なく
とも１層以上の電極からなり図１では２層構造を示して
いる。消磁コイル３は陰極線管（図示せず）に作用する
磁界を発生するコイル部３ａと、端子部３ｂ、３ｃとか
ら形成されている。前記端子部３ｂは半導体セラミック
素子２ａの電極６ａに、端子部３ｃは金属接合部４ａに
それぞれ半田７、７などにより接続されている。さらに
半導体セラミック素子２ａの電極６ｂは金属接合部４ｂ
とリ−ド線８を用いて半田７、７で接続されている。そ
して前記半導体セラミック素子２ａ、端子部３ｂ、３
ｃ、金属接合部４ａ、４ｂは金属接合部４ａ、４ｂの一
部を残して絶縁樹脂５で被覆されている。前記金属接合
部４ａ、４ｂの絶縁樹脂５で被覆されていない部分は図
示しない基板やリ−ド線など他の電子部品と例えばコネ
クタ構造によって接続される。
【０００９】以上の構造を有する消磁回路装置１は金属
接合部４ａ、４ｂを回路基板の所定箇所に接続すること
により、消磁コイルと正特性サ−ミスタを同時に他の電
子部品と接続することができる。
接合部４ａ、４ｂを回路基板の所定箇所に接続すること
により、消磁コイルと正特性サ−ミスタを同時に他の電
子部品と接続することができる。
【００１０】（実施例２）本発明の別の実施例に係る消
磁回路装置１０を図２の側面断面図を用いて説明する。
磁回路装置１０を図２の側面断面図を用いて説明する。
【００１１】図２に示す消磁回路装置１０は半導体セラ
ミック素子２ａ、消磁コイル３、金属接合部４ａ、４
ｂ、絶縁板９が絶縁樹脂５により被覆された構造となっ
ている。
ミック素子２ａ、消磁コイル３、金属接合部４ａ、４
ｂ、絶縁板９が絶縁樹脂５により被覆された構造となっ
ている。
【００１２】半導体セラミック素子２ａは両主面に電極
６ａ、６ｂが形成されており、電極６ａ、６ｂは少なく
とも１層以上の電極からなり図２では２層構造を示して
いる。消磁コイル３は陰極線管（図示せず）に作用する
磁界を発生するコイル部３ａと、端子部３ｂ、３ｃとか
ら形成されている。前記端子部３ｂは半導体セラミック
素子２ａの電極６ａに、端子部３ｃは金属接合部４ａに
それぞれ半田付けなどにより接続されている。電極６ａ
と金属接合部４ａとの間には電気的に絶縁するための絶
縁板９が配置されている。さらに半導体セラミック素子
２ａの電極６ｂには金属接合部４ｂが直接接続されてい
る。そして前記半導体セラミック素子２ａ、端子部３
ｂ、３ｃ、金属接合部４ａ、４ｂは金属接合部４ａ、４
ｂの一部を残して絶縁樹脂５で被覆されている。前記金
属接合部４ａ、４ｂの絶縁樹脂５で被覆されていない部
分は図示しない基板やリ−ド線など他の電子部品と例え
ばコネクタ構造によって接続される。
６ａ、６ｂが形成されており、電極６ａ、６ｂは少なく
とも１層以上の電極からなり図２では２層構造を示して
いる。消磁コイル３は陰極線管（図示せず）に作用する
磁界を発生するコイル部３ａと、端子部３ｂ、３ｃとか
ら形成されている。前記端子部３ｂは半導体セラミック
素子２ａの電極６ａに、端子部３ｃは金属接合部４ａに
それぞれ半田付けなどにより接続されている。電極６ａ
と金属接合部４ａとの間には電気的に絶縁するための絶
縁板９が配置されている。さらに半導体セラミック素子
２ａの電極６ｂには金属接合部４ｂが直接接続されてい
る。そして前記半導体セラミック素子２ａ、端子部３
ｂ、３ｃ、金属接合部４ａ、４ｂは金属接合部４ａ、４
ｂの一部を残して絶縁樹脂５で被覆されている。前記金
属接合部４ａ、４ｂの絶縁樹脂５で被覆されていない部
分は図示しない基板やリ−ド線など他の電子部品と例え
ばコネクタ構造によって接続される。
【００１３】以上の構造を有する消磁回路装置１０は金
属接合部４ａ、４ｂを回路基板の所定箇所に接続するこ
とにより、消磁コイルと正特性サ−ミスタを同時に他の
電子部品と接続することができる。
属接合部４ａ、４ｂを回路基板の所定箇所に接続するこ
とにより、消磁コイルと正特性サ−ミスタを同時に他の
電子部品と接続することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明にかかる消磁回路装置は、半導体
セラミック素子と消磁コイルとが内部で接続された一体
型構造を有しているので、それぞれ独立した部品である
正特性サ−ミスタと消磁コイルにより消磁回路を形成す
る場合に比べて、基板などに組み込む時に占有面積を削
減できるため、高密度実装、小形化が実現できる。また
接続箇所を減少したのでほかの電子部品との接続工数を
削減できる。
セラミック素子と消磁コイルとが内部で接続された一体
型構造を有しているので、それぞれ独立した部品である
正特性サ−ミスタと消磁コイルにより消磁回路を形成す
る場合に比べて、基板などに組み込む時に占有面積を削
減できるため、高密度実装、小形化が実現できる。また
接続箇所を減少したのでほかの電子部品との接続工数を
削減できる。
【図１】本発明に係る一実施例消磁回路装置の側面断面
図である。
図である。
【図２】本発明に係る別の実施例消磁回路装置の側面断
面図である。
面図である。
【図３】本発明に係る消磁回路図である。
【図４】従来の正特性サ−ミスタの側面断面図である。
１、１０ 消磁回路装置 ２ 正特性サ−ミスタ ２ａ 半導体セラミック素子 ３ 消磁コイル ３ａ コイル部 ３ｂ、３ｃ 端子部 ４ａ、４ｂ 金属接合部 ５ 絶縁樹脂 ６ａ、６ｂ 電極 ７ 半田 ８ リ−ド線 ９ 絶縁板
Claims (1)
- 【請求項１】半導体セラミック素子とコイルとが一体化
されたことを特徴とする消磁回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6141798A JPH089402A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 消磁回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6141798A JPH089402A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 消磁回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH089402A true JPH089402A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15300390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6141798A Pending JPH089402A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 消磁回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089402A (ja) |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP6141798A patent/JPH089402A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |