JPH0894314A - 光学式変位センサー - Google Patents
光学式変位センサーInfo
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- JPH0894314A JPH0894314A JP6229776A JP22977694A JPH0894314A JP H0894314 A JPH0894314 A JP H0894314A JP 6229776 A JP6229776 A JP 6229776A JP 22977694 A JP22977694 A JP 22977694A JP H0894314 A JPH0894314 A JP H0894314A
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Classifications
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Landscapes
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光学要素が高い精度で容易に位置決めされた超
小型の光学式変位センサーを提供する。 【構成】垂直共振器型面発光レーザー２０２の表面にポ
リイミド等の樹脂層２０３が設けられている。この樹脂
層２０３に、アルミニウム等の金属膜２０４と酸化珪素
等の絶縁膜２０５が支持されている。垂直共振器型面発
光レーザー２０２の窓部の上部は中空になっていて、ミ
ラー２０６は、その上に設けた感圧子２２２が外力を受
けた際にその外力に応じて変位する構造となっている。
垂直共振器型面発光レーザー２０２の裏面にはｎ型電極
２２１と絶縁膜２２０を介してフォトダイオード等の受
光素子２０７が取り付けられている。垂直共振器型面発
光レーザー２０２と受光素子２０７は電気配線２０９を
介してＬＤ及びＰＤ電源２０８に接続されている。受光
素子２０７は演算装置２１０に接続されている。
小型の光学式変位センサーを提供する。 【構成】垂直共振器型面発光レーザー２０２の表面にポ
リイミド等の樹脂層２０３が設けられている。この樹脂
層２０３に、アルミニウム等の金属膜２０４と酸化珪素
等の絶縁膜２０５が支持されている。垂直共振器型面発
光レーザー２０２の窓部の上部は中空になっていて、ミ
ラー２０６は、その上に設けた感圧子２２２が外力を受
けた際にその外力に応じて変位する構造となっている。
垂直共振器型面発光レーザー２０２の裏面にはｎ型電極
２２１と絶縁膜２２０を介してフォトダイオード等の受
光素子２０７が取り付けられている。垂直共振器型面発
光レーザー２０２と受光素子２０７は電気配線２０９を
介してＬＤ及びＰＤ電源２０８に接続されている。受光
素子２０７は演算装置２１０に接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザーやミラ
ー、受光素子等により構成された光学式変位センサーに
関する。
ー、受光素子等により構成された光学式変位センサーに
関する。
【０００２】
＜従来例１＞垂直共振器型面発光レーザーを光源に用い
た光学的変位センサーで、光の干渉を利用したものとし
ては、一例が、本出願人による特願平５−１９８３１８
に提案されている。その基本構成を図１２（Ａ）に示
す。
た光学的変位センサーで、光の干渉を利用したものとし
ては、一例が、本出願人による特願平５−１９８３１８
に提案されている。その基本構成を図１２（Ａ）に示
す。
【０００３】この光学式変位センサーは、図１２（Ａ）
に示すように、垂直共振器型面発光レーザーチップ５０
１を実装したシリコン基板５０２とフォトダイオード５
０５を設けたミラー５０３とが弾性体５０４を介して互
いに向き合う位置に組み合わされた構成となっている。
に示すように、垂直共振器型面発光レーザーチップ５０
１を実装したシリコン基板５０２とフォトダイオード５
０５を設けたミラー５０３とが弾性体５０４を介して互
いに向き合う位置に組み合わされた構成となっている。
【０００４】ミラー５０３は外力を受けると弾性体５０
４のヤング率に応じて変位し、図１２（Ｂ）のような光
の干渉によるパルス状の波形が得られる。この波形の一
周期がλ／２（λ＝１μｍの場合、０．５μｍ）に相当
するため、ミラー５０３の変位は高精度に検出される。 ＜従来例２＞垂直共振器型面発光レーザーを光源に用い
た光学的変位センサーで、面発光レーザーのビーム広が
り角が任意に設定できることを利用したものとしては、
一例が、本出願人による特願平６ー５９３３９に提案さ
れている。その基本構成を図１３（Ａ）に示す。
４のヤング率に応じて変位し、図１２（Ｂ）のような光
の干渉によるパルス状の波形が得られる。この波形の一
周期がλ／２（λ＝１μｍの場合、０．５μｍ）に相当
するため、ミラー５０３の変位は高精度に検出される。 ＜従来例２＞垂直共振器型面発光レーザーを光源に用い
た光学的変位センサーで、面発光レーザーのビーム広が
り角が任意に設定できることを利用したものとしては、
一例が、本出願人による特願平６ー５９３３９に提案さ
れている。その基本構成を図１３（Ａ）に示す。
【０００５】この光学式変位センサーでは、図１３
（Ａ）に示すように、垂直共振器型面発光レーザー６０
１がヒートシンク６０２を介して、単体のフォトダイオ
ード６０３が形成されたシリコン基板６０４の傾斜部に
固定されている。さらに、シリコン基板６０４はスペー
サー６０５を介して接着等により筐体６１８に固定され
ている。ミラー支持棒用ガイド穴６０９を通る支持棒６
０８とこれに連結された外部ミラー６１１と対象の取付
部６１２からなる構成体は、弾性体６１０により垂直方
向に移動可能に支持されている。垂直共振器型面発光レ
ーザー６０１は、通し穴６０６を通る電気配線６０７を
介してＬＤ駆動電源６１７に接続され、定電流が供給さ
れるようになっている。フォトダイオード６０３は、通
し穴６１３を通る電気配線６１４を介して受光系電源６
１５と演算装置６１１に接続されていて、受光系電源６
１５から駆動電流が供給され、出力信号を演算装置６１
１に供給するようになっている。
（Ａ）に示すように、垂直共振器型面発光レーザー６０
１がヒートシンク６０２を介して、単体のフォトダイオ
ード６０３が形成されたシリコン基板６０４の傾斜部に
固定されている。さらに、シリコン基板６０４はスペー
サー６０５を介して接着等により筐体６１８に固定され
ている。ミラー支持棒用ガイド穴６０９を通る支持棒６
０８とこれに連結された外部ミラー６１１と対象の取付
部６１２からなる構成体は、弾性体６１０により垂直方
向に移動可能に支持されている。垂直共振器型面発光レ
ーザー６０１は、通し穴６０６を通る電気配線６０７を
介してＬＤ駆動電源６１７に接続され、定電流が供給さ
れるようになっている。フォトダイオード６０３は、通
し穴６１３を通る電気配線６１４を介して受光系電源６
１５と演算装置６１１に接続されていて、受光系電源６
１５から駆動電流が供給され、出力信号を演算装置６１
１に供給するようになっている。
【０００６】垂直共振器型面発光レーザー６０１から射
出された光ビームは、外部ミラー６１１で反射され、フ
ォトダイオード６０３に入射する。フォトダイオード６
０３の出力と垂直共振器型面発光レーザー６０１と外部
ミラー６１１の間の距離ｚとの間には例えば図１３
（Ｂ）に示す関係があり、演算装置６１６においてフォ
トダイオード６０３の出力に基づき距離ｚが求められ
る。 ＜従来例３＞半導体レーザーを光源に用いて、両端面か
ら射出される光ビームを交差させ、光干渉位置に回折格
子を配置し、その変位を検出する、いわゆるエンコーダ
としては、一例がたとえば特開平３−２９１５２３に開
示されている。その基本構成を図１４（Ａ）に示す。
出された光ビームは、外部ミラー６１１で反射され、フ
ォトダイオード６０３に入射する。フォトダイオード６
０３の出力と垂直共振器型面発光レーザー６０１と外部
ミラー６１１の間の距離ｚとの間には例えば図１３
（Ｂ）に示す関係があり、演算装置６１６においてフォ
トダイオード６０３の出力に基づき距離ｚが求められ
る。 ＜従来例３＞半導体レーザーを光源に用いて、両端面か
ら射出される光ビームを交差させ、光干渉位置に回折格
子を配置し、その変位を検出する、いわゆるエンコーダ
としては、一例がたとえば特開平３−２９１５２３に開
示されている。その基本構成を図１４（Ａ）に示す。
【０００７】このエンコーダーでは、図１４（Ａ）に示
すように、半導体基板７０１の上に、二本の光ビームを
反対向きに射出する半導体レーザー７０２と、その光ビ
ームを案内する光導波路７０３と、光導波路７０３の射
出光を集光するレンズ７０４が形成されている。レンズ
７０４から射出された二本の光ビームが交差する位置に
は回折格子７０５が配置されている。半導体基板７０１
の上には更に回折光の干渉位置にフォトダイオード７０
６が形成されている。
すように、半導体基板７０１の上に、二本の光ビームを
反対向きに射出する半導体レーザー７０２と、その光ビ
ームを案内する光導波路７０３と、光導波路７０３の射
出光を集光するレンズ７０４が形成されている。レンズ
７０４から射出された二本の光ビームが交差する位置に
は回折格子７０５が配置されている。半導体基板７０１
の上には更に回折光の干渉位置にフォトダイオード７０
６が形成されている。
【０００８】半導体レーザー７０２の両端面から射出さ
れた二本の光ビームは、光導波路７０３を伝搬し、レン
ズ７０４により回折格子７０５に集光され、回折格子７
０５で回折された光は互いに干渉し合い、図１４（Ｂ）
に示すような回折格子７０５の移動による強度変化の波
形がフォトダイオード７０６で検出される。
れた二本の光ビームは、光導波路７０３を伝搬し、レン
ズ７０４により回折格子７０５に集光され、回折格子７
０５で回折された光は互いに干渉し合い、図１４（Ｂ）
に示すような回折格子７０５の移動による強度変化の波
形がフォトダイオード７０６で検出される。
【０００９】
＜従来例１の課題＞図１２に示した光学式変位センサー
は、小型で高精度な変位センサーを構成するが、以下の
ような問題点を抱えている。
は、小型で高精度な変位センサーを構成するが、以下の
ような問題点を抱えている。
【００１０】垂直共振器型面発光レーザー５０１を装着
したシリコン基板５０２に、弾性体５０４を実装し、そ
の上にミラー５０３を取り付ける際に、垂直共振器型面
発光レーザー５０１の表面とミラー５０３を高精度で平
行にする必要があり、位置決めに手間がかかる。また、
垂直共振器型面発光レーザー５０１の外側に弾性体５０
４を設ける空間が必要なため、装置の大型化を招くとと
もに、変位センサーの微細領域への応用範囲を狭めてい
る。
したシリコン基板５０２に、弾性体５０４を実装し、そ
の上にミラー５０３を取り付ける際に、垂直共振器型面
発光レーザー５０１の表面とミラー５０３を高精度で平
行にする必要があり、位置決めに手間がかかる。また、
垂直共振器型面発光レーザー５０１の外側に弾性体５０
４を設ける空間が必要なため、装置の大型化を招くとと
もに、変位センサーの微細領域への応用範囲を狭めてい
る。
【００１１】本発明は、光学要素が高い精度で容易に位
置決めされた超小型の光学式変位センサーを提供するこ
とを目的とする。 ＜従来例２の課題＞また、図１３に示した光学式変位セ
ンサーは、構成が簡単なため小型の変位センサーを提供
するが、以下のような問題点を抱えている。
置決めされた超小型の光学式変位センサーを提供するこ
とを目的とする。 ＜従来例２の課題＞また、図１３に示した光学式変位セ
ンサーは、構成が簡単なため小型の変位センサーを提供
するが、以下のような問題点を抱えている。
【００１２】垂直共振器型面発光レーザー６０１をシリ
コン基板６０４に装着する際、シリコン基板６０４に形
成された斜面に高精度で位置合わせする必要があり、位
置決めに手間がかかる。同様に、シリコン基板６０４を
筐体６１８への取り付ける際や外部ミラー６１１と対象
の取付部６１２を垂直に設置する際にも高精度に位置合
わせする必要があり、位置決めに手間がかかる。また、
シリコン基板６０４の外側に筐体６１８を設けているた
め、装置の大型化を招くとともに、変位センサーの微細
領域への応用範囲を狭めている。
コン基板６０４に装着する際、シリコン基板６０４に形
成された斜面に高精度で位置合わせする必要があり、位
置決めに手間がかかる。同様に、シリコン基板６０４を
筐体６１８への取り付ける際や外部ミラー６１１と対象
の取付部６１２を垂直に設置する際にも高精度に位置合
わせする必要があり、位置決めに手間がかかる。また、
シリコン基板６０４の外側に筐体６１８を設けているた
め、装置の大型化を招くとともに、変位センサーの微細
領域への応用範囲を狭めている。
【００１３】本発明は、光学要素が高い精度で容易に位
置決めされた超小型の光学式変位センサーを提供するこ
とを目的とする。 ＜従来例３の課題＞また、図１４に示した光学式変位セ
ンサーは、各光学素子が同一基板上に一体的に形成され
ているため、各光学素子間に位置ずれが生じ得ない小型
で高精度の変位センサーを構成するが、以下のような問
題点を持っている。
置決めされた超小型の光学式変位センサーを提供するこ
とを目的とする。 ＜従来例３の課題＞また、図１４に示した光学式変位セ
ンサーは、各光学素子が同一基板上に一体的に形成され
ているため、各光学素子間に位置ずれが生じ得ない小型
で高精度の変位センサーを構成するが、以下のような問
題点を持っている。
【００１４】通常の半導体レーザーは射出端面に劈開面
を用いるが、この変位センサーでは、半導体レーザー７
０２は光導波路７０３やレンズ７０４と一体的に形成さ
れるため、その端面７０７はドライエッチングにより形
成される。この端面７０７と光導波路７０３の間隔は狭
いため、端面保護が非常に難しく、特にアルミニウムを
含む化合物半導体材料を用いた半導体レーザーでは通電
による端面劣化により安定な発振が得られない。同様の
ことは、フォトダイオード７０６についても言える。ま
た、ビームを絞るためのレンズ７０４を半導体基板７０
１の上に一体的に成形するため、レンズ形状に高い制御
性が要求され、工程も複雑となる。本発明は、半導体レ
ーザーの射出端面の保護が不要で集光用のレンズも不要
な超小型で高精度な光学式変位センサーを提供すること
を目的とする。
を用いるが、この変位センサーでは、半導体レーザー７
０２は光導波路７０３やレンズ７０４と一体的に形成さ
れるため、その端面７０７はドライエッチングにより形
成される。この端面７０７と光導波路７０３の間隔は狭
いため、端面保護が非常に難しく、特にアルミニウムを
含む化合物半導体材料を用いた半導体レーザーでは通電
による端面劣化により安定な発振が得られない。同様の
ことは、フォトダイオード７０６についても言える。ま
た、ビームを絞るためのレンズ７０４を半導体基板７０
１の上に一体的に成形するため、レンズ形状に高い制御
性が要求され、工程も複雑となる。本発明は、半導体レ
ーザーの射出端面の保護が不要で集光用のレンズも不要
な超小型で高精度な光学式変位センサーを提供すること
を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
の光学式変位センサーは、従来例１の課題に解決するた
めのもので、半導体基板上に形成された垂直共振器型面
発光レーザーと、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓
を有する面に射出窓を避けて設けられたミラー離間支持
層と、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓に平行に所
定の間隔を空けて配置されたミラー層と、ミラー離間支
持層によって支持された、ミラー層を外力に対して変位
可能に支持するミラー支持層と、ミラー層の変位に応じ
て変化する光強度を検出する受光素子とを備えている。
の光学式変位センサーは、従来例１の課題に解決するた
めのもので、半導体基板上に形成された垂直共振器型面
発光レーザーと、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓
を有する面に射出窓を避けて設けられたミラー離間支持
層と、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓に平行に所
定の間隔を空けて配置されたミラー層と、ミラー離間支
持層によって支持された、ミラー層を外力に対して変位
可能に支持するミラー支持層と、ミラー層の変位に応じ
て変化する光強度を検出する受光素子とを備えている。
【００１６】請求項２に記載の本発明の光学式変位セン
サーは、従来例２の課題に解決するためのもので、半導
体基板上に形成された垂直共振器型面発光レーザーと、
垂直共振器型面発光レーザーの電流ブロック層内に形成
された受光素子と、垂直共振器型面発光レーザーの射出
窓と受光素子の受光部を有する面に射出窓と受光部を避
けて設けられたミラー離間支持層と、垂直共振器型面発
光レーザーの射出窓に対して所定の角度で所定の間隔を
空けて配置された、垂直共振器型面発光レーザーから射
出された光ビームを受光素子へ向けて反射するミラー層
と、ミラー離間支持層によって支持された、ミラー層を
外力に対して変位可能に支持するミラー支持層とを備え
ている。
サーは、従来例２の課題に解決するためのもので、半導
体基板上に形成された垂直共振器型面発光レーザーと、
垂直共振器型面発光レーザーの電流ブロック層内に形成
された受光素子と、垂直共振器型面発光レーザーの射出
窓と受光素子の受光部を有する面に射出窓と受光部を避
けて設けられたミラー離間支持層と、垂直共振器型面発
光レーザーの射出窓に対して所定の角度で所定の間隔を
空けて配置された、垂直共振器型面発光レーザーから射
出された光ビームを受光素子へ向けて反射するミラー層
と、ミラー離間支持層によって支持された、ミラー層を
外力に対して変位可能に支持するミラー支持層とを備え
ている。
【００１７】請求項３に記載の本発明は、従来例３の課
題に解決するためのもので、回折格子を多数備えたスケ
ールと、二つの可干渉光をスケールに入射し、その回折
光を互いに干渉させ、干渉光の強度変化を検出する装置
本体とのいずれか一方を移動物体に取り付けて移動物体
の移動量に比例した信号を出力する変位センサーにおい
て、二本の光ビームを反対方向に射出する、半導体基板
上に形成された垂直共振器型面発光レーザーと、垂直共
振器型面発光レーザーの射出窓を有する表面と裏面の各
々に射出窓を避けて設けられたミラー離間支持層と、垂
直共振器型面発光レーザーの射出窓に対して所定の角度
で配置された、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓か
ら射出された二本の光ビームを回折格子に同じ位置に向
けて反射するミラー膜と、各ミラー離間支持層に支持さ
れた、各ミラー膜を支持するミラー支持層と、回折格子
により生じる二本の光ビームの回折光の干渉位置に配置
された受光素子とを備えている。
題に解決するためのもので、回折格子を多数備えたスケ
ールと、二つの可干渉光をスケールに入射し、その回折
光を互いに干渉させ、干渉光の強度変化を検出する装置
本体とのいずれか一方を移動物体に取り付けて移動物体
の移動量に比例した信号を出力する変位センサーにおい
て、二本の光ビームを反対方向に射出する、半導体基板
上に形成された垂直共振器型面発光レーザーと、垂直共
振器型面発光レーザーの射出窓を有する表面と裏面の各
々に射出窓を避けて設けられたミラー離間支持層と、垂
直共振器型面発光レーザーの射出窓に対して所定の角度
で配置された、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓か
ら射出された二本の光ビームを回折格子に同じ位置に向
けて反射するミラー膜と、各ミラー離間支持層に支持さ
れた、各ミラー膜を支持するミラー支持層と、回折格子
により生じる二本の光ビームの回折光の干渉位置に配置
された受光素子とを備えている。
【００１８】
【作用】請求項１に記載の本発明の光学式変位センサー
は、たとえば、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓を
有する面に、ミラー離間支持層となるポリイミド等の樹
脂層を形成し、その上にミラー層となるアルミニウム等
の金属膜を形成し、さらにその上にミラー支持層となる
酸化珪素等の絶縁膜を形成した後、垂直共振器型面発光
レーザーの射出窓とその周辺部の上にある樹脂層をウエ
ットエッチング等により選択的に除去して、垂直共振器
型面発光レーザーの射出窓を有する面と金属膜の間を部
分的に中空にし、所定位置に受光素子を設けて作製され
る。受光素子を設ける位置としては、垂直共振器型面発
光レーザーの共振器部に対向した位置にあたる、半導体
基板の裏面やミラー層の裏側があげられる。これによ
り、垂直共振器型面発光レーザーのビーム射出面とミラ
ー層の表面とが高い精度で平行に配置されると共に全体
の構成も超小型となる。
は、たとえば、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓を
有する面に、ミラー離間支持層となるポリイミド等の樹
脂層を形成し、その上にミラー層となるアルミニウム等
の金属膜を形成し、さらにその上にミラー支持層となる
酸化珪素等の絶縁膜を形成した後、垂直共振器型面発光
レーザーの射出窓とその周辺部の上にある樹脂層をウエ
ットエッチング等により選択的に除去して、垂直共振器
型面発光レーザーの射出窓を有する面と金属膜の間を部
分的に中空にし、所定位置に受光素子を設けて作製され
る。受光素子を設ける位置としては、垂直共振器型面発
光レーザーの共振器部に対向した位置にあたる、半導体
基板の裏面やミラー層の裏側があげられる。これによ
り、垂直共振器型面発光レーザーのビーム射出面とミラ
ー層の表面とが高い精度で平行に配置されると共に全体
の構成も超小型となる。
【００１９】請求項２に記載の本発明の光学式変位セン
サーは、たとえば、垂直共振器型面発光レーザーの射出
窓と受光素子の受光部を有する面に、ミラー離間支持層
となるポリイミド等の樹脂層を形成し、イオンビームエ
ッチング等により樹脂層にＶ字状の凹部を形成し、その
上にミラー層となるアルミニウム等の金属膜を形成し、
さらにその上にミラー支持層となる酸化珪素等の絶縁膜
を形成した後、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓と
受光素子とその周辺部の上にある樹脂層をウエットエッ
チング等により選択的に除去して、垂直共振器型面発光
レーザーの射出窓を有する面と金属膜の間を部分的に中
空にして作製される。これにより、ミラー層の表面が垂
直共振器型面発光レーザーのビーム射出面に対して所定
の角度に高い精度で配置されると共に全体の構成も超小
型となる。
サーは、たとえば、垂直共振器型面発光レーザーの射出
窓と受光素子の受光部を有する面に、ミラー離間支持層
となるポリイミド等の樹脂層を形成し、イオンビームエ
ッチング等により樹脂層にＶ字状の凹部を形成し、その
上にミラー層となるアルミニウム等の金属膜を形成し、
さらにその上にミラー支持層となる酸化珪素等の絶縁膜
を形成した後、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓と
受光素子とその周辺部の上にある樹脂層をウエットエッ
チング等により選択的に除去して、垂直共振器型面発光
レーザーの射出窓を有する面と金属膜の間を部分的に中
空にして作製される。これにより、ミラー層の表面が垂
直共振器型面発光レーザーのビーム射出面に対して所定
の角度に高い精度で配置されると共に全体の構成も超小
型となる。
【００２０】請求項３に記載の本発明の光学式変位セン
サーは、たとえば、垂直共振器型面発光レーザーの表面
と裏面に、ミラー離間支持層となるポリイミド等の樹脂
層を形成し、イオンビームエッチング等により各樹脂層
にＶ字状の凹部を形成し、各樹脂層の上にミラー層とな
るアルミニウム等の金属膜をそれぞれ形成し、さらに各
金属膜の上にミラー支持層となる酸化珪素等の絶縁膜を
形成した後、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓と金
属膜の間にある樹脂層を除去して作製される。垂直共振
器型面発光レーザーの両射出端面は、通常の半導体レー
ザーと異なってビームの放射角を自由に設計できるた
め、レーザーの射出側にレンズを配置する必要がない。
また、通常の半導体レーザーにおいては端面に保護膜を
積層する必要があるが、垂直共振器型面発光レーザーの
両射出端面は全面をＧａＡｓのように通電劣化の殆どな
い材料で構成できるため保護膜を形成する必要がない。
サーは、たとえば、垂直共振器型面発光レーザーの表面
と裏面に、ミラー離間支持層となるポリイミド等の樹脂
層を形成し、イオンビームエッチング等により各樹脂層
にＶ字状の凹部を形成し、各樹脂層の上にミラー層とな
るアルミニウム等の金属膜をそれぞれ形成し、さらに各
金属膜の上にミラー支持層となる酸化珪素等の絶縁膜を
形成した後、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓と金
属膜の間にある樹脂層を除去して作製される。垂直共振
器型面発光レーザーの両射出端面は、通常の半導体レー
ザーと異なってビームの放射角を自由に設計できるた
め、レーザーの射出側にレンズを配置する必要がない。
また、通常の半導体レーザーにおいては端面に保護膜を
積層する必要があるが、垂直共振器型面発光レーザーの
両射出端面は全面をＧａＡｓのように通電劣化の殆どな
い材料で構成できるため保護膜を形成する必要がない。
【００２１】
【実施例】ここで、本発明による光学式変位センサーの
実施例について説明する前に、各実施例において用いら
れる製造方法について説明する。まず、最も基本的な製
造方法について図１を参照して説明する。
実施例について説明する前に、各実施例において用いら
れる製造方法について説明する。まず、最も基本的な製
造方法について図１を参照して説明する。
【００２２】工程１［図１（Ａ１）（Ａ２）］：基板１
０１の上に絶縁膜等のマスク１０２を形成し、フォトリ
ソグラフィー等により二箇所に矩形の窓１０８を形成す
る。図１（Ａ１）におけるＡ２−Ａ２線での断面を図１
（Ａ２）に示す。図１（Ａ２）において、ｙ1 とｙ2 と
ｔはｘに比べて十分大きく設定する。
０１の上に絶縁膜等のマスク１０２を形成し、フォトリ
ソグラフィー等により二箇所に矩形の窓１０８を形成す
る。図１（Ａ１）におけるＡ２−Ａ２線での断面を図１
（Ａ２）に示す。図１（Ａ２）において、ｙ1 とｙ2 と
ｔはｘに比べて十分大きく設定する。
【００２３】工程２［図１（Ｂ１）（Ｂ２）］：ウェッ
トエッチング等により矩形の窓１０８に挟まれた領域の
下側を完全に除去する。たとえばＧａＡｓ等の化合物半
導体材料を（りん酸：過酸化水素水：水）等のエッチン
グ液でエッチングを行なう。エッチングが進行して行く
と、図１（Ｂ２）に示すように、やがて矩形の窓１０８
に挟まれた部分１０３の下側は完全に中空の状態にな
り、矩形の窓１０８に挟まれた部分１０３が基板上のマ
スク１０２のみで支持された構造となる。
トエッチング等により矩形の窓１０８に挟まれた領域の
下側を完全に除去する。たとえばＧａＡｓ等の化合物半
導体材料を（りん酸：過酸化水素水：水）等のエッチン
グ液でエッチングを行なう。エッチングが進行して行く
と、図１（Ｂ２）に示すように、やがて矩形の窓１０８
に挟まれた部分１０３の下側は完全に中空の状態にな
り、矩形の窓１０８に挟まれた部分１０３が基板上のマ
スク１０２のみで支持された構造となる。
【００２４】このようにして製造された構造体は、矩形
の窓１０８に挟まれた部分１０３は下向きの力が加わる
と、材料の形状とヤング率により変位する。図１（Ｃ
１）（Ｃ２）は、図１（Ｂ１）（Ｂ２）の変形例とし
て、矩形の窓を四箇所に設け、十字型の梁を形成した構
造を示している。この構造は、特定方向に対するねじれ
の影響を受け難く、マスク１０４は基板のエッチング面
１０５と平行位置を保ったまま、上下方向に変位する。
の窓１０８に挟まれた部分１０３は下向きの力が加わる
と、材料の形状とヤング率により変位する。図１（Ｃ
１）（Ｃ２）は、図１（Ｂ１）（Ｂ２）の変形例とし
て、矩形の窓を四箇所に設け、十字型の梁を形成した構
造を示している。この構造は、特定方向に対するねじれ
の影響を受け難く、マスク１０４は基板のエッチング面
１０５と平行位置を保ったまま、上下方向に変位する。
【００２５】上述の変形例として、前述の矩形の窓に挟
まれた部分の下面に任意の角度で傾斜したミラーを備え
た構造体を製造する方法について図２を参照して説明す
る。 工程１［図２（Ａ）］：たとえばＧａＡｓ等の半導体基
板１０６の上にポリイミド等の樹脂１０７を数十〜数百
μｍ塗布する。
まれた部分の下面に任意の角度で傾斜したミラーを備え
た構造体を製造する方法について図２を参照して説明す
る。 工程１［図２（Ａ）］：たとえばＧａＡｓ等の半導体基
板１０６の上にポリイミド等の樹脂１０７を数十〜数百
μｍ塗布する。
【００２６】工程２［図２（Ｂ）］：樹脂１０７をイオ
ンビームエッチング等により任意の角度で斜め方向に溝
部１０９を形成する。 工程３［図２（Ｃ）］：反対側からもイオンビームエッ
チングで任意の角度で斜め方向に溝部を形成し、Ｖ字形
状の凹部を形成する。
ンビームエッチング等により任意の角度で斜め方向に溝
部１０９を形成する。 工程３［図２（Ｃ）］：反対側からもイオンビームエッ
チングで任意の角度で斜め方向に溝部を形成し、Ｖ字形
状の凹部を形成する。
【００２７】工程４［図２（Ｄ）］：アルミニウム等の
金属膜１１０を蒸着等により形成し、その上に酸化珪素
等の絶縁膜１１１をスパッタ等により形成する。 工程５［図２（Ｅ）］：レジスト等のエッチングマスク
１１２を塗布し、フォトリソグラフィー等により二箇所
に矩形の窓１１３を形成する。
金属膜１１０を蒸着等により形成し、その上に酸化珪素
等の絶縁膜１１１をスパッタ等により形成する。 工程５［図２（Ｅ）］：レジスト等のエッチングマスク
１１２を塗布し、フォトリソグラフィー等により二箇所
に矩形の窓１１３を形成する。
【００２８】工程６［図２（Ｆ）］：絶縁膜１１１と金
属膜１１０をドライエッチングで垂直にエッチングし、
エッチングマスク１１２を剥離する。 工程７［図２（Ｇ）］：樹脂１０７をウェットエッチン
グにより選択的に除去して、矩形の窓に挟まれた任意の
角度を有するミラー１１４が形成される。
属膜１１０をドライエッチングで垂直にエッチングし、
エッチングマスク１１２を剥離する。 工程７［図２（Ｇ）］：樹脂１０７をウェットエッチン
グにより選択的に除去して、矩形の窓に挟まれた任意の
角度を有するミラー１１４が形成される。
【００２９】このようにして製造された構造体は、ミラ
ー１１４に下向きの力が加わると、材料の形状とヤング
率に応じて変位する。ミラー１１４の傾斜角度を任意に
設定することにより、所望の方向に光ビームを反射させ
ることができる。
ー１１４に下向きの力が加わると、材料の形状とヤング
率に応じて変位する。ミラー１１４の傾斜角度を任意に
設定することにより、所望の方向に光ビームを反射させ
ることができる。
【００３０】これまで説明してきた製造方法を用いた実
施例を以下に示す。 ＜第一実施例＞本発明の第一実施例の光学式変位センサ
ーを図３に示す。垂直共振器型面発光レーザー２０２の
ｐ型電極２０１の表面の周縁部にポリイミド等の樹脂層
２０３が設けられている。この樹脂層２０３により、ミ
ラーとして用いるアルミニウム等の金属膜２０４とその
上に形成された酸化珪素等の絶縁膜２０５が支持されて
いる。垂直共振器型面発光レーザー２０２の窓部の上部
は中空になっていて、金属膜２０４と絶縁膜２０５に形
成した窓に挟まれた部分にあたるミラー２０６は、その
上に設けた感圧子２２２が外力を受けた際にその外力に
応じて変位する構造となっている。垂直共振器型面発光
レーザー２０２の裏面にはｎ型電極２２１と絶縁膜２２
０を介してフォトダイオード等の受光素子２０７が取り
付けられている。垂直共振器型面発光レーザー２０２と
受光素子２０７は、電気配線２０９を介して、これらに
電力を供給するＬＤ及びＰＤ電源２０８に接続されてい
る。また、受光素子２０７はその出力を受ける演算装置
２１０に接続されている。
施例を以下に示す。 ＜第一実施例＞本発明の第一実施例の光学式変位センサ
ーを図３に示す。垂直共振器型面発光レーザー２０２の
ｐ型電極２０１の表面の周縁部にポリイミド等の樹脂層
２０３が設けられている。この樹脂層２０３により、ミ
ラーとして用いるアルミニウム等の金属膜２０４とその
上に形成された酸化珪素等の絶縁膜２０５が支持されて
いる。垂直共振器型面発光レーザー２０２の窓部の上部
は中空になっていて、金属膜２０４と絶縁膜２０５に形
成した窓に挟まれた部分にあたるミラー２０６は、その
上に設けた感圧子２２２が外力を受けた際にその外力に
応じて変位する構造となっている。垂直共振器型面発光
レーザー２０２の裏面にはｎ型電極２２１と絶縁膜２２
０を介してフォトダイオード等の受光素子２０７が取り
付けられている。垂直共振器型面発光レーザー２０２と
受光素子２０７は、電気配線２０９を介して、これらに
電力を供給するＬＤ及びＰＤ電源２０８に接続されてい
る。また、受光素子２０７はその出力を受ける演算装置
２１０に接続されている。
【００３１】この光学式変位センサーによる変位検出は
図１２に示した従来例と同様にして行なわれる。すなわ
ち、感圧子２２２が外力を受けると、ミラー２０６がこ
れを構成している弾性体のヤング率に応じて変位し、受
光素子２０７からは図１２（Ｂ）と同様の光の干渉によ
るパルス状の波形が出力される。演算装置２１０におい
て出力変動回数をカウントすることにより変位が求めら
れる。この波形の一周期はλ／２（λ＝１μｍの場合、
０．５μｍ）に相当するため、その変位は高精度に求め
られる。
図１２に示した従来例と同様にして行なわれる。すなわ
ち、感圧子２２２が外力を受けると、ミラー２０６がこ
れを構成している弾性体のヤング率に応じて変位し、受
光素子２０７からは図１２（Ｂ）と同様の光の干渉によ
るパルス状の波形が出力される。演算装置２１０におい
て出力変動回数をカウントすることにより変位が求めら
れる。この波形の一周期はλ／２（λ＝１μｍの場合、
０．５μｍ）に相当するため、その変位は高精度に求め
られる。
【００３２】このように本実施例によれば、高精度で超
小型の光学式変位センサーが得られる。次に、本実施例
の光学式変位センサーの製造方法について、図４を用い
て説明する。
小型の光学式変位センサーが得られる。次に、本実施例
の光学式変位センサーの製造方法について、図４を用い
て説明する。
【００３３】工程１［図４（Ａ）］：ｎ型半導体基板２
１１にｎ型半導体多層ミラー層２１２と活性層２１３と
ｐ型半導体多層ミラー層２１４を積層する。 工程２［図４（Ｂ）］：垂直共振器型面発光レーザー２
０２の共振器部を残して、ｐ型半導体多層ミラー層２１
４と活性層２１３とｎ型半導体ミラー層２１２を除去
し、その部分にポリイミド等の樹脂２１５で埋め込み、
その上にｐ型電極２１６を形成し、フォトリソグラフィ
ーにより射出窓を開ける。埋め込みは樹脂２１５の代わ
りに半導体材料を用いてもよい。
１１にｎ型半導体多層ミラー層２１２と活性層２１３と
ｐ型半導体多層ミラー層２１４を積層する。 工程２［図４（Ｂ）］：垂直共振器型面発光レーザー２
０２の共振器部を残して、ｐ型半導体多層ミラー層２１
４と活性層２１３とｎ型半導体ミラー層２１２を除去
し、その部分にポリイミド等の樹脂２１５で埋め込み、
その上にｐ型電極２１６を形成し、フォトリソグラフィ
ーにより射出窓を開ける。埋め込みは樹脂２１５の代わ
りに半導体材料を用いてもよい。
【００３４】工程３［図４（Ｃ）］：ポリイミド等の樹
脂層２０３とアルミニウム等の金属膜層２０４と酸化珪
素等の絶縁膜層２０５を順次形成する。 工程４［図４（Ｄ）］：絶縁膜層２０５と金属膜層２０
４をフォトリソグラフィーによりパターニングして窓を
形成し、ウェットエッチングにより樹脂層２０３を選択
的に除去し、ミラー２０６と共振器部の間を中空状態と
する。この工程は、前述した図１に関する工程に相当し
ている。
脂層２０３とアルミニウム等の金属膜層２０４と酸化珪
素等の絶縁膜層２０５を順次形成する。 工程４［図４（Ｄ）］：絶縁膜層２０５と金属膜層２０
４をフォトリソグラフィーによりパターニングして窓を
形成し、ウェットエッチングにより樹脂層２０３を選択
的に除去し、ミラー２０６と共振器部の間を中空状態と
する。この工程は、前述した図１に関する工程に相当し
ている。
【００３５】工程５［図４（Ｅ）］：ｎ型半導体基板２
１１の裏面にｎ型電極２２１と絶縁膜２２０を所定の形
状に形成した後、フォトダイオード等の受光素子２０７
をボンディング等により接着して、上述した本実施例の
光学式変位センサーが完成する。
１１の裏面にｎ型電極２２１と絶縁膜２２０を所定の形
状に形成した後、フォトダイオード等の受光素子２０７
をボンディング等により接着して、上述した本実施例の
光学式変位センサーが完成する。
【００３６】本実施例では、受光素子２０７は、垂直共
振器型面発光レーザー２０２の裏面に実装されている
が、ミラー２０６に設けてもよい。あるいは、ｎ型半導
体基板中にフォトダイオードを形成して構成してもよ
い。 ＜第二実施例＞本発明の第二実施例の光学式変位センサ
ーを図５に示す。フォトダイオード３０１とｐ型電極３
０２と３０３が形成された垂直共振器型面発光レーザー
３０４の表面にポリイミド等の樹脂層３０５が形成され
ており、その上にミラー３０６として用いるアルミニウ
ム等の金属膜３０７が形成され、さらにその上に酸化珪
素等の絶縁膜３０８が形成されている。垂直共振器型面
発光レーザー３０４の窓部の上は中空の状態になってい
て、絶縁膜３０８と金属膜３０７を貫通する二つの窓に
挟まれた部分であるミラー３０６は外力に対して変位す
る構造となっている。ミラー３０６は、垂直共振器型面
発光レーザー３０４の窓部の上方が一定の傾斜角を有す
る形状となっている。このミラー３０６は、断面形状が
左右対象なので、上下方向に変位する際のねじれは少な
い。垂直共振器型面発光レーザー３０４とフォトダイオ
ード３０１は、電気配線３１０を介して、これらに電力
を供給するＬＤ及びＰＤ電源３０９に接続されている。
振器型面発光レーザー２０２の裏面に実装されている
が、ミラー２０６に設けてもよい。あるいは、ｎ型半導
体基板中にフォトダイオードを形成して構成してもよ
い。 ＜第二実施例＞本発明の第二実施例の光学式変位センサ
ーを図５に示す。フォトダイオード３０１とｐ型電極３
０２と３０３が形成された垂直共振器型面発光レーザー
３０４の表面にポリイミド等の樹脂層３０５が形成され
ており、その上にミラー３０６として用いるアルミニウ
ム等の金属膜３０７が形成され、さらにその上に酸化珪
素等の絶縁膜３０８が形成されている。垂直共振器型面
発光レーザー３０４の窓部の上は中空の状態になってい
て、絶縁膜３０８と金属膜３０７を貫通する二つの窓に
挟まれた部分であるミラー３０６は外力に対して変位す
る構造となっている。ミラー３０６は、垂直共振器型面
発光レーザー３０４の窓部の上方が一定の傾斜角を有す
る形状となっている。このミラー３０６は、断面形状が
左右対象なので、上下方向に変位する際のねじれは少な
い。垂直共振器型面発光レーザー３０４とフォトダイオ
ード３０１は、電気配線３１０を介して、これらに電力
を供給するＬＤ及びＰＤ電源３０９に接続されている。
【００３７】この光学式変位センサーによる変位検出は
図１３に示した従来例と同様にして行なわれる。ミラー
３０６は、外力を受けると、これを構成している弾性体
のヤング率に応じて変位する。垂直共振器型面発光レー
ザー３０４から射出された光ビームは、ミラー３０６で
反射され、フォトダイオード３０１に入射する。フォト
ダイオード３０１の出力と、垂直共振器型面発光レーザ
ー３０４からミラー３０６を経由してフォトダイオード
３０１に至るまでの距離ｚとの間には図１３（Ｂ）と同
様の関係があり、フォトダイオード３０１の出力を演算
装置３１１により演算することによって、垂直共振器型
面発光レーザー３０４とミラー３０６間の距離ｚ''を求
められる。垂直共振器型面発光レーザー３０４のビーム
広がり内にフォトダイオード３０１の受光領域が常に含
まれる場合は変位の方向も検出できる。
図１３に示した従来例と同様にして行なわれる。ミラー
３０６は、外力を受けると、これを構成している弾性体
のヤング率に応じて変位する。垂直共振器型面発光レー
ザー３０４から射出された光ビームは、ミラー３０６で
反射され、フォトダイオード３０１に入射する。フォト
ダイオード３０１の出力と、垂直共振器型面発光レーザ
ー３０４からミラー３０６を経由してフォトダイオード
３０１に至るまでの距離ｚとの間には図１３（Ｂ）と同
様の関係があり、フォトダイオード３０１の出力を演算
装置３１１により演算することによって、垂直共振器型
面発光レーザー３０４とミラー３０６間の距離ｚ''を求
められる。垂直共振器型面発光レーザー３０４のビーム
広がり内にフォトダイオード３０１の受光領域が常に含
まれる場合は変位の方向も検出できる。
【００３８】以下、本実施例の光学式変位センサーの製
造方法について、図６と図７を用いて説明する。 工程１［図６（Ａ）］：ｎ型半導体基板３１１にｎ型半
導体多層ミラー層３１２と活性層３１３とｐ型半導体多
層ミラー層３１４を順に積層する。
造方法について、図６と図７を用いて説明する。 工程１［図６（Ａ）］：ｎ型半導体基板３１１にｎ型半
導体多層ミラー層３１２と活性層３１３とｐ型半導体多
層ミラー層３１４を順に積層する。
【００３９】工程２［図６（Ｂ）］：垂直共振器型面発
光レーザー３０４の共振器部を残して、ｐ型半導体多層
ミラー層３１４と活性層３１３とｎ型半導体ミラー層３
１２を除去し、薄いｐ型半導体層３１５とｎ型半導体層
３１６の順に埋め込みを行なう。
光レーザー３０４の共振器部を残して、ｐ型半導体多層
ミラー層３１４と活性層３１３とｎ型半導体ミラー層３
１２を除去し、薄いｐ型半導体層３１５とｎ型半導体層
３１６の順に埋め込みを行なう。
【００４０】工程３［図６（Ｃ）］：埋め込み層の一部
に不純物拡散等によりｐ型領域３１７を形成し、フォト
ダイオードを作製する。 工程４［図６（Ｄ）］：このような構造体の上に酸化珪
素等の絶縁膜３１９を形成し、フォトダイオードのｐ型
領域から短絡することなく電極を取り出せるようにパタ
ーニングした後、ｐ電極３１８を積層し、フォトリソグ
ラフィーにより垂直共振器型面発光レーザー３０４の射
出窓とフォトダイオード３０１の受光窓を形成する。絶
縁膜３１９の厚さは３０００オングストローム程度で、
後の工程でこの上に設ける樹脂層（数十〜数百μｍ）に
比べて二桁以上小さい値であり、最終的に形成されるミ
ラーの傾斜に影響を与えるおそれはない。
に不純物拡散等によりｐ型領域３１７を形成し、フォト
ダイオードを作製する。 工程４［図６（Ｄ）］：このような構造体の上に酸化珪
素等の絶縁膜３１９を形成し、フォトダイオードのｐ型
領域から短絡することなく電極を取り出せるようにパタ
ーニングした後、ｐ電極３１８を積層し、フォトリソグ
ラフィーにより垂直共振器型面発光レーザー３０４の射
出窓とフォトダイオード３０１の受光窓を形成する。絶
縁膜３１９の厚さは３０００オングストローム程度で、
後の工程でこの上に設ける樹脂層（数十〜数百μｍ）に
比べて二桁以上小さい値であり、最終的に形成されるミ
ラーの傾斜に影響を与えるおそれはない。
【００４１】工程５［図７（Ａ）］：ポリイミド等の樹
脂層３２１を形成した後、これをイオンビームエッチン
グ等により任意の角度でＶ字状にエッチングする。 工程６［図７（Ｂ）］：アルミニウム等の金属膜３２２
と酸化珪素等の絶縁膜３２３を形成し、裏面にｎ型電極
３２４を積層し、フォトリソグラフィーにより射出窓を
形成する。
脂層３２１を形成した後、これをイオンビームエッチン
グ等により任意の角度でＶ字状にエッチングする。 工程６［図７（Ｂ）］：アルミニウム等の金属膜３２２
と酸化珪素等の絶縁膜３２３を形成し、裏面にｎ型電極
３２４を積層し、フォトリソグラフィーにより射出窓を
形成する。
【００４２】工程７［図７（Ｃ）］：絶縁膜層３２３と
金属膜層３２２をフォトリソグラフィーによりパターニ
ングして窓を形成した後、ウェットエッチングにより樹
脂層３０５を選択的に除去して、垂直共振器型面発光レ
ーザー３０４の共振器部とフォトダイオードの上部を中
空状態にする。これにより外力に対して変位するミラー
３０６を形成され、本実施例の光学式変位センサーが完
成する。
金属膜層３２２をフォトリソグラフィーによりパターニ
ングして窓を形成した後、ウェットエッチングにより樹
脂層３０５を選択的に除去して、垂直共振器型面発光レ
ーザー３０４の共振器部とフォトダイオードの上部を中
空状態にする。これにより外力に対して変位するミラー
３０６を形成され、本実施例の光学式変位センサーが完
成する。
【００４３】本実施例の具体的な寸法の一例を図８に示
す。この例では、垂直共振器型面発光レーザーの開口数
（２ｒ）を１０μｍ、フォトダイオードの受光領域径を
５μｍ、ミラーの傾斜角（ミラーに立てた法線が鉛直方
向に対してなす角）を３０°に設定している。この設定
においては、垂直共振器型面発光レーザーとフォトダイ
オードの中心間距離は４５μｍであり、ミラーと射出面
の距離（図５のＺ''）は３０μｍ、その変位幅は１０μ
ｍまで設定できる。 ＜第三実施例＞本発明の第三実施例の光学式変位センサ
ーを図９に示す。ｐ型電極４０１の形成された垂直共振
器型面発光レーザー４０２の表面にポリイミド等の樹脂
層４０３が形成されており、その上にミラーとして用い
るアルミニウム等の金属膜４０５と酸化珪素等の絶縁膜
４０６が形成されている。同様に、垂直共振器型面発光
レーザー４０２の裏面にもポリイミド等の樹脂層４０７
が形成されており、その上にミラーとして用いるアルミ
ニウム等の金属膜４０９と酸化珪素等の厚い絶縁膜４１
０が形成されている。垂直共振器型面発光レーザー４０
２の表面側は、金属膜４０９と絶縁膜４１０により構成
されるミラー４０４が一定の傾斜角を有する庇状にせり
出た形状となっている。垂直共振器型面発光レーザー４
０２の裏面側も同様に、金属膜４０９と絶縁膜４１０に
より構成されるミラー４０８が一定の傾斜角を有する庇
状にせり出た形状となっている。回折格子４１６に面す
る側の基板側面にはフォトダイオード等の受光素子４１
２が設けられている。その反対側の基板側面にはｎ型電
極領域４１１が形成されている。垂直共振器型面発光レ
ーザー４０２と受光素子４１２は、電気配線４１５を介
して、これらに電力を供給するＬＤ電源４１３とＰＤ電
源４１４に接続されている。垂直共振器型面発光レーザ
ー４０２の両端面から射出される光ビームの交差位置に
回折格子４１６が配置される。
す。この例では、垂直共振器型面発光レーザーの開口数
（２ｒ）を１０μｍ、フォトダイオードの受光領域径を
５μｍ、ミラーの傾斜角（ミラーに立てた法線が鉛直方
向に対してなす角）を３０°に設定している。この設定
においては、垂直共振器型面発光レーザーとフォトダイ
オードの中心間距離は４５μｍであり、ミラーと射出面
の距離（図５のＺ''）は３０μｍ、その変位幅は１０μ
ｍまで設定できる。 ＜第三実施例＞本発明の第三実施例の光学式変位センサ
ーを図９に示す。ｐ型電極４０１の形成された垂直共振
器型面発光レーザー４０２の表面にポリイミド等の樹脂
層４０３が形成されており、その上にミラーとして用い
るアルミニウム等の金属膜４０５と酸化珪素等の絶縁膜
４０６が形成されている。同様に、垂直共振器型面発光
レーザー４０２の裏面にもポリイミド等の樹脂層４０７
が形成されており、その上にミラーとして用いるアルミ
ニウム等の金属膜４０９と酸化珪素等の厚い絶縁膜４１
０が形成されている。垂直共振器型面発光レーザー４０
２の表面側は、金属膜４０９と絶縁膜４１０により構成
されるミラー４０４が一定の傾斜角を有する庇状にせり
出た形状となっている。垂直共振器型面発光レーザー４
０２の裏面側も同様に、金属膜４０９と絶縁膜４１０に
より構成されるミラー４０８が一定の傾斜角を有する庇
状にせり出た形状となっている。回折格子４１６に面す
る側の基板側面にはフォトダイオード等の受光素子４１
２が設けられている。その反対側の基板側面にはｎ型電
極領域４１１が形成されている。垂直共振器型面発光レ
ーザー４０２と受光素子４１２は、電気配線４１５を介
して、これらに電力を供給するＬＤ電源４１３とＰＤ電
源４１４に接続されている。垂直共振器型面発光レーザ
ー４０２の両端面から射出される光ビームの交差位置に
回折格子４１６が配置される。
【００４４】垂直共振器型面発光レーザー４０２の両端
面から射出された二本の光ビームは、ミラー４０４と４
０８で反射された後、回折格子４０６で回折され、互い
に干渉し合い、その干渉光の強度変化が受光素子４１２
で検出され、図１４（Ｂ）に示したものと同じ波形が得
られる。この波形に基づいて、回折格子４０６の移動量
が求められる。
面から射出された二本の光ビームは、ミラー４０４と４
０８で反射された後、回折格子４０６で回折され、互い
に干渉し合い、その干渉光の強度変化が受光素子４１２
で検出され、図１４（Ｂ）に示したものと同じ波形が得
られる。この波形に基づいて、回折格子４０６の移動量
が求められる。
【００４５】以下、本実施例の光学式変位センサーの製
造方法について図１０と図１１を用いて説明する。 工程１［図１０（Ａ）］：ｎ型半導体基板４１７にｎ型
半導体多層ミラー層４１８と活性層４１９とｐ型半導体
多層ミラー層４２０を積層する。
造方法について図１０と図１１を用いて説明する。 工程１［図１０（Ａ）］：ｎ型半導体基板４１７にｎ型
半導体多層ミラー層４１８と活性層４１９とｐ型半導体
多層ミラー層４２０を積層する。
【００４６】工程２［図１０（Ｂ）］：垂直共振器型面
発光レーザー４０２の共振器部を残して、ｐ型半導体多
層ミラー層４２０と活性層４１９とｎ型半導体ミラー層
４１８を除去し、ポリイミド等の樹脂４２１で埋め込
み、その上にｐ型電極４２２を形成し、フォトリソグラ
フィーにより射出窓を開ける。埋め込みは、ポリイミド
等の樹脂４２１に代えて、半導体材料を用いて行なって
もよい。
発光レーザー４０２の共振器部を残して、ｐ型半導体多
層ミラー層４２０と活性層４１９とｎ型半導体ミラー層
４１８を除去し、ポリイミド等の樹脂４２１で埋め込
み、その上にｐ型電極４２２を形成し、フォトリソグラ
フィーにより射出窓を開ける。埋め込みは、ポリイミド
等の樹脂４２１に代えて、半導体材料を用いて行なって
もよい。
【００４７】工程３［図１０（Ｃ）］：ポリイミド等の
樹脂層４２３を形成し、イオンビームエッチング等によ
り任意の角度でＶ字状にエッチングする。 工程４［図１０（Ｄ）］：アルミニウム等の金属膜４２
４と酸化珪素等の絶縁膜４２５を形成し、絶縁膜４２５
と金属膜４２４をフォトリソグラフィーによりパターニ
ングする。
樹脂層４２３を形成し、イオンビームエッチング等によ
り任意の角度でＶ字状にエッチングする。 工程４［図１０（Ｄ）］：アルミニウム等の金属膜４２
４と酸化珪素等の絶縁膜４２５を形成し、絶縁膜４２５
と金属膜４２４をフォトリソグラフィーによりパターニ
ングする。
【００４８】工程５［図１１（Ａ）］：裏面側に対して
も同様に、ポリイミド等の樹脂層４２６を形成し、イオ
ンビームエッチング等により任意の角度でＶ字状にエッ
チングする。続いて、アルミニウム等の金属膜４２４と
酸化珪素等の絶縁膜４２５を積層し、絶縁膜４２８と金
属膜４２７をフォトリソグラフィーによりパターニング
する。
も同様に、ポリイミド等の樹脂層４２６を形成し、イオ
ンビームエッチング等により任意の角度でＶ字状にエッ
チングする。続いて、アルミニウム等の金属膜４２４と
酸化珪素等の絶縁膜４２５を積層し、絶縁膜４２８と金
属膜４２７をフォトリソグラフィーによりパターニング
する。
【００４９】工程６［図１１（Ｂ）］：ウェットエッチ
ングにより樹脂層４２３と４２６を選択的に除去し、ｐ
型電極４２２が露出した状態にする。 工程７［図１１（Ｃ）］：ｎ型半導体基板４１７の（図
の右側の）側面にｎ型電極４１１を設け、垂直共振器型
面発光レーザー４０２から射出した光ビームが回折して
入射する側面にフォトダイオード等の受光素子４１２を
設けて、本実施例の光学式変位センサーが完成する。
ングにより樹脂層４２３と４２６を選択的に除去し、ｐ
型電極４２２が露出した状態にする。 工程７［図１１（Ｃ）］：ｎ型半導体基板４１７の（図
の右側の）側面にｎ型電極４１１を設け、垂直共振器型
面発光レーザー４０２から射出した光ビームが回折して
入射する側面にフォトダイオード等の受光素子４１２を
設けて、本実施例の光学式変位センサーが完成する。
【００５０】以上、実施例に基づいて本発明について説
明したが、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、本発明の要旨の範囲内において種々多くの変形や
応用が可能である。
明したが、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、本発明の要旨の範囲内において種々多くの変形や
応用が可能である。
【００５１】１．（第一実施例に対応） （構成）半導体基板上に形成された垂直共振器型面発光
レーザーと、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓を有
する面に射出窓を避けて設けられたミラー離間支持層
と、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓に平行に所定
の間隔を空けて配置されたミラー層と、ミラー離間支持
層によって支持された、ミラー層を外力に対して変位可
能に支持するミラー支持層と、ミラー層の変位に応じて
変化する光強度を検出する受光素子とを備えている光学
式変位センサー。 （作用）このような光学式変位センサーは半導体技術を
用いて作製される。たとえば、垂直共振器型面発光レー
ザーの射出窓を有する面に、ミラー離間支持層となるポ
リイミド等の樹脂層を形成し、その上にミラー層となる
アルミニウム等の金属膜を形成し、さらにその上にミラ
ー支持層となる酸化珪素等の絶縁膜を形成した後、垂直
共振器型面発光レーザーの射出窓とその周辺部の上にあ
る樹脂層をウエットエッチング等により選択的に除去し
て、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓を有する面と
金属膜の間を部分的に中空にし、所定位置に受光素子を
設けて作製される。受光素子を設ける位置としては、垂
直共振器型面発光レーザーの共振器部に対向した位置に
あたる、半導体基板の裏面やミラー層の裏側があげられ
る。 （効果）このような光学式変位センサーは、半導体技術
を用いて作られるので、垂直共振器型面発光レーザーの
ビーム射出面とミラー層の表面とが高い精度で平行に配
置されるとともに、全体の構成も超小型なものとなる。
レーザーと、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓を有
する面に射出窓を避けて設けられたミラー離間支持層
と、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓に平行に所定
の間隔を空けて配置されたミラー層と、ミラー離間支持
層によって支持された、ミラー層を外力に対して変位可
能に支持するミラー支持層と、ミラー層の変位に応じて
変化する光強度を検出する受光素子とを備えている光学
式変位センサー。 （作用）このような光学式変位センサーは半導体技術を
用いて作製される。たとえば、垂直共振器型面発光レー
ザーの射出窓を有する面に、ミラー離間支持層となるポ
リイミド等の樹脂層を形成し、その上にミラー層となる
アルミニウム等の金属膜を形成し、さらにその上にミラ
ー支持層となる酸化珪素等の絶縁膜を形成した後、垂直
共振器型面発光レーザーの射出窓とその周辺部の上にあ
る樹脂層をウエットエッチング等により選択的に除去し
て、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓を有する面と
金属膜の間を部分的に中空にし、所定位置に受光素子を
設けて作製される。受光素子を設ける位置としては、垂
直共振器型面発光レーザーの共振器部に対向した位置に
あたる、半導体基板の裏面やミラー層の裏側があげられ
る。 （効果）このような光学式変位センサーは、半導体技術
を用いて作られるので、垂直共振器型面発光レーザーの
ビーム射出面とミラー層の表面とが高い精度で平行に配
置されるとともに、全体の構成も超小型なものとなる。
【００５２】２．（第二実施例に対応） （構成）半導体基板上に形成された垂直共振器型面発光
レーザーと、垂直共振器型面発光レーザーの電流ブロッ
ク層内に形成された受光素子と、垂直共振器型面発光レ
ーザーの射出窓と受光素子の受光部を有する面に射出窓
と受光部を避けて設けられたミラー離間支持層と、垂直
共振器型面発光レーザーの射出窓に対して所定の角度で
所定の間隔を空けて配置された、垂直共振器型面発光レ
ーザーから射出された光ビームを受光素子へ向けて反射
するミラー層と、ミラー離間支持層によって支持され
た、ミラー層を外力に対して変位可能に支持するミラー
支持層とを備えている光学式変位センサー。 （作用）このような光学式変位センサーは半導体技術を
用いて作製される。たとえば、垂直共振器型面発光レー
ザーの射出窓と受光素子の受光部を有する面に、ミラー
離間支持層となるポリイミド等の樹脂層を形成し、イオ
ンビームエッチング等により樹脂層にＶ字状の凹部を形
成し、その上にミラー層となるアルミニウム等の金属膜
を形成し、さらにその上にミラー支持層となる酸化珪素
等の絶縁膜を形成した後、垂直共振器型面発光レーザー
の射出窓と受光素子とその周辺部の上にある樹脂層をウ
エットエッチング等により選択的に除去して、垂直共振
器型面発光レーザーの射出窓を有する面と金属膜の間を
部分的に中空にして作製される。 （効果）このような光学式変位センサーは、半導体技術
を用いて作られるので、ミラー層の表面が垂直共振器型
面発光レーザーのビーム射出面に対して所定の角度に高
い精度で配置されるとともに、全体の構成も超小型なも
のとなる。
レーザーと、垂直共振器型面発光レーザーの電流ブロッ
ク層内に形成された受光素子と、垂直共振器型面発光レ
ーザーの射出窓と受光素子の受光部を有する面に射出窓
と受光部を避けて設けられたミラー離間支持層と、垂直
共振器型面発光レーザーの射出窓に対して所定の角度で
所定の間隔を空けて配置された、垂直共振器型面発光レ
ーザーから射出された光ビームを受光素子へ向けて反射
するミラー層と、ミラー離間支持層によって支持され
た、ミラー層を外力に対して変位可能に支持するミラー
支持層とを備えている光学式変位センサー。 （作用）このような光学式変位センサーは半導体技術を
用いて作製される。たとえば、垂直共振器型面発光レー
ザーの射出窓と受光素子の受光部を有する面に、ミラー
離間支持層となるポリイミド等の樹脂層を形成し、イオ
ンビームエッチング等により樹脂層にＶ字状の凹部を形
成し、その上にミラー層となるアルミニウム等の金属膜
を形成し、さらにその上にミラー支持層となる酸化珪素
等の絶縁膜を形成した後、垂直共振器型面発光レーザー
の射出窓と受光素子とその周辺部の上にある樹脂層をウ
エットエッチング等により選択的に除去して、垂直共振
器型面発光レーザーの射出窓を有する面と金属膜の間を
部分的に中空にして作製される。 （効果）このような光学式変位センサーは、半導体技術
を用いて作られるので、ミラー層の表面が垂直共振器型
面発光レーザーのビーム射出面に対して所定の角度に高
い精度で配置されるとともに、全体の構成も超小型なも
のとなる。
【００５３】３．（第三実施例に対応） （構成）回折格子を多数備えたスケールと、二つの可干
渉光をスケールに入射し、その回折光を互いに干渉さ
せ、干渉光の強度変化を検出する装置本体とのいずれか
一方を移動物体に取り付けて移動物体の移動量に比例し
た信号を出力する変位センサーにおいて、二本の光ビー
ムを反対方向に射出する、半導体基板上に形成された垂
直共振器型面発光レーザーと、垂直共振器型面発光レー
ザーの射出窓を有する表面と裏面の各々に射出窓を避け
て設けられたミラー離間支持層と、垂直共振器型面発光
レーザーの射出窓に対して所定の角度で配置された、垂
直共振器型面発光レーザーの射出窓から射出された二本
の光ビームを回折格子に同じ位置に向けて反射するミラ
ー膜と、各ミラー離間支持層に支持された、各ミラー膜
を支持するミラー支持層と、回折格子により生じる二本
の光ビームの回折光の干渉位置に配置された受光素子と
を備えている光学式変位センサー。 （作用）このような光学式変位センサーは半導体技術を
用いて作製される。たとえば、垂直共振器型面発光レー
ザーの表面と裏面に、ミラー離間支持層となるポリイミ
ド等の樹脂層を形成し、イオンビームエッチング等によ
り各樹脂層にＶ字状の凹部を形成し、各樹脂層の上にミ
ラー層となるアルミニウム等の金属膜をそれぞれ形成
し、さらに各金属膜の上にミラー支持層となる酸化珪素
等の絶縁膜を形成した後、垂直共振器型面発光レーザー
の射出窓と金属膜の間にある樹脂層を除去して作製され
る。 （効果）射出端面の保護が不要で、集光用レンズも不要
な、小型で高精度な光学式変位センサーが得られる。
渉光をスケールに入射し、その回折光を互いに干渉さ
せ、干渉光の強度変化を検出する装置本体とのいずれか
一方を移動物体に取り付けて移動物体の移動量に比例し
た信号を出力する変位センサーにおいて、二本の光ビー
ムを反対方向に射出する、半導体基板上に形成された垂
直共振器型面発光レーザーと、垂直共振器型面発光レー
ザーの射出窓を有する表面と裏面の各々に射出窓を避け
て設けられたミラー離間支持層と、垂直共振器型面発光
レーザーの射出窓に対して所定の角度で配置された、垂
直共振器型面発光レーザーの射出窓から射出された二本
の光ビームを回折格子に同じ位置に向けて反射するミラ
ー膜と、各ミラー離間支持層に支持された、各ミラー膜
を支持するミラー支持層と、回折格子により生じる二本
の光ビームの回折光の干渉位置に配置された受光素子と
を備えている光学式変位センサー。 （作用）このような光学式変位センサーは半導体技術を
用いて作製される。たとえば、垂直共振器型面発光レー
ザーの表面と裏面に、ミラー離間支持層となるポリイミ
ド等の樹脂層を形成し、イオンビームエッチング等によ
り各樹脂層にＶ字状の凹部を形成し、各樹脂層の上にミ
ラー層となるアルミニウム等の金属膜をそれぞれ形成
し、さらに各金属膜の上にミラー支持層となる酸化珪素
等の絶縁膜を形成した後、垂直共振器型面発光レーザー
の射出窓と金属膜の間にある樹脂層を除去して作製され
る。 （効果）射出端面の保護が不要で、集光用レンズも不要
な、小型で高精度な光学式変位センサーが得られる。
【００５４】４．（第一実施例と第二実施例に対応） （構成）前項１または前項２において、ミラー層とミラ
ー支持層が、十字形状の梁の構造となっていて、その中
心部が垂直共振器型面発光レーザーの射出窓に対向する
よう設けられている光学式変位センサー。 （作用）十字形状の梁構造となっているため、ねじれが
生じ難い。 （効果）ねじれが生じ難いので、外力の検出精度が向上
する。
ー支持層が、十字形状の梁の構造となっていて、その中
心部が垂直共振器型面発光レーザーの射出窓に対向する
よう設けられている光学式変位センサー。 （作用）十字形状の梁構造となっているため、ねじれが
生じ難い。 （効果）ねじれが生じ難いので、外力の検出精度が向上
する。
【００５５】５．（第一実施例に対応） （構成）前項１において、受光素子が、垂直共振器型面
発光レーザーの基板裏面内部に形成されたフォトダイオ
ードである光学式変位センサー。 （作用）フォトダイオードは、垂直共振器型面発光レー
ザーの基板となっている半導体基板の裏面に対して不純
物拡散等の半導体製造技術を適用することにより作製さ
れる。 （効果）受光素子が半導体基板に一体的に形成されるの
で、さらに小型の光学式変位センサーが得られる。
発光レーザーの基板裏面内部に形成されたフォトダイオ
ードである光学式変位センサー。 （作用）フォトダイオードは、垂直共振器型面発光レー
ザーの基板となっている半導体基板の裏面に対して不純
物拡散等の半導体製造技術を適用することにより作製さ
れる。 （効果）受光素子が半導体基板に一体的に形成されるの
で、さらに小型の光学式変位センサーが得られる。
【００５６】６．（第二実施例に対応） （構成）前項２において、ミラー層とミラー支持層の梁
の断面形状が左右対象となっている光学式変位センサ
ー。 （作用）ミラー層とミラー支持層の梁の断面形状が左右
対象たとえばＶ字状となっているので、ねじれが生じ難
い。 （効果）ねじれが生じ難いので、外力の検出精度が向上
する。
の断面形状が左右対象となっている光学式変位センサ
ー。 （作用）ミラー層とミラー支持層の梁の断面形状が左右
対象たとえばＶ字状となっているので、ねじれが生じ難
い。 （効果）ねじれが生じ難いので、外力の検出精度が向上
する。
【００５７】７．（第二実施例に対応） （構成）前項２において、受光素子の受光部が常に垂直
共振器型面発光レーザーの光ビーム内に位置している光
学式変位センサー。 （作用）受光素子の出力は変位の方向と量に応じて変化
する。 （効果）変位の方向も検出できる。
共振器型面発光レーザーの光ビーム内に位置している光
学式変位センサー。 （作用）受光素子の出力は変位の方向と量に応じて変化
する。 （効果）変位の方向も検出できる。
【００５８】
【発明の効果】請求項１に記載の本発明によれば、垂直
共振器型面発光レーザーのビーム射出面とミラー層の表
面とが高い精度で平行に配置された超小型の光学式変位
センサーが得られる。これにより、弾性体の取り付ける
際の作業性の悪さや位置精度の悪さ、さらに装置の大型
化といった諸問題が回避される。
共振器型面発光レーザーのビーム射出面とミラー層の表
面とが高い精度で平行に配置された超小型の光学式変位
センサーが得られる。これにより、弾性体の取り付ける
際の作業性の悪さや位置精度の悪さ、さらに装置の大型
化といった諸問題が回避される。
【００５９】請求項２に記載の本発明によれば、ミラー
層の表面が垂直共振器型面発光レーザーのビーム射出面
に対して所定の角度に高い精度で配置された超小型の光
学式変位センサーが得られる。これにより、弾性体の取
り付ける際の作業性の悪さや位置精度の悪さ、さらに装
置の大型化といった諸問題が回避される。
層の表面が垂直共振器型面発光レーザーのビーム射出面
に対して所定の角度に高い精度で配置された超小型の光
学式変位センサーが得られる。これにより、弾性体の取
り付ける際の作業性の悪さや位置精度の悪さ、さらに装
置の大型化といった諸問題が回避される。
【００６０】請求項３に記載の本発明によれば、ビーム
の放射角が自由に設計できることにより集光用レンズが
不要で、射出端面を通電劣化の殆どない材料で構成でき
ることにより射出端面の保護が不要な、小型で高精度な
光学式変位センサーが得られる。
の放射角が自由に設計できることにより集光用レンズが
不要で、射出端面を通電劣化の殆どない材料で構成でき
ることにより射出端面の保護が不要な、小型で高精度な
光学式変位センサーが得られる。
【図１】本発明の実施例において用いられる基本的な製
造方法を説明するための図である。
造方法を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例において用いられる別の基本的
な製造方法を説明するための図である。
な製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の第一実施例の光学式変位センサーを示
す図である。
す図である。
【図４】図３の光学式変位センサーの製造工程を説明す
るための図である。
るための図である。
【図５】本発明の第二実施例の光学式変位センサーを示
す図である。
す図である。
【図６】図５の光学式変位センサーの製造工程を説明す
るための図で、最初の工程を示した図である。
るための図で、最初の工程を示した図である。
【図７】図５の光学式変位センサーの製造工程を説明す
るための図で、図６に続く工程を示した図である。
るための図で、図６に続く工程を示した図である。
【図８】図５の光学式変位センサーの具体的な寸法の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図９】本発明の第三実施例の光学式変位センサーを示
す図である。
す図である。
【図１０】図９の光学式変位センサーの製造工程を説明
するための図で、最初の工程を示した図である。
するための図で、最初の工程を示した図である。
【図１１】図９の光学式変位センサーの製造工程を説明
するための図で、図１０に続く工程を示した図である。
するための図で、図１０に続く工程を示した図である。
【図１２】垂直共振器型面発光レーザーを光源に使用し
た従来の光学式変位センサー（従来例１）を示す図であ
る。
た従来の光学式変位センサー（従来例１）を示す図であ
る。
【図１３】垂直共振器型面発光レーザーを光源に使用し
た従来の光学式変位センサー（従来例２）を示す図であ
る。
た従来の光学式変位センサー（従来例２）を示す図であ
る。
【図１４】干渉を利用して回折格子の移動量を検出する
いわゆるエンコーダとして知られた従来の光学式変位セ
ンサー（従来例３）を示す図である。
いわゆるエンコーダとして知られた従来の光学式変位セ
ンサー（従来例３）を示す図である。
２０２…垂直共振器型面発光レーザー、２０３…樹脂
層、２０４…金属膜、２０５…絶縁膜、２０７…受光素
子。
層、２０４…金属膜、２０５…絶縁膜、２０７…受光素
子。
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板上に形成された垂直共振器型面
発光レーザーと、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓
を有する面に射出窓を避けて設けられたミラー離間支持
層と、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓に平行に所
定の間隔を空けて配置されたミラー層と、ミラー離間支
持層によって支持された、ミラー層を外力に対して変位
可能に支持するミラー支持層と、ミラー層の変位に応じ
て変化する光強度を検出する受光素子とを備えている光
学式変位センサー。 - 【請求項２】半導体基板上に形成された垂直共振器型面
発光レーザーと、垂直共振器型面発光レーザーの電流ブ
ロック層内に形成された受光素子と、垂直共振器型面発
光レーザーの射出窓と受光素子の受光部を有する面に射
出窓と受光部を避けて設けられたミラー離間支持層と、
垂直共振器型面発光レーザーの射出窓に対して所定の角
度で所定の間隔を空けて配置された、垂直共振器型面発
光レーザーから射出された光ビームを受光素子へ向けて
反射するミラー層と、ミラー離間支持層によって支持さ
れた、ミラー層を外力に対して変位可能に支持するミラ
ー支持層とを備えている光学式変位センサー。 - 【請求項３】回折格子を多数備えたスケールと、二つの
可干渉光をスケールに入射し、その回折光を互いに干渉
させ、干渉光の強度変化を検出する装置本体とのいずれ
か一方を移動物体に取り付けて移動物体の移動量に比例
した信号を出力する変位センサーにおいて、 二本の光ビームを反対方向に射出する、半導体基板上に
形成された垂直共振器型面発光レーザーと、垂直共振器
型面発光レーザーの射出窓を有する表面と裏面の各々に
射出窓を避けて設けられたミラー離間支持層と、垂直共
振器型面発光レーザーの射出窓に対して所定の角度で配
置された、垂直共振器型面発光レーザーの射出窓から射
出された二本の光ビームを回折格子に同じ位置に向けて
反射するミラー膜と、各ミラー離間支持層に支持され
た、各ミラー膜を支持するミラー支持層と、回折格子に
より生じる二本の光ビームの回折光の干渉位置に配置さ
れた受光素子とを備えている光学式変位センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229776A JPH0894314A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 光学式変位センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229776A JPH0894314A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 光学式変位センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894314A true JPH0894314A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16897501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6229776A Withdrawn JPH0894314A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 光学式変位センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0894314A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100920640B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2009-10-08 | 주식회사 포스코 | 선재 코일 권취 형상 측정 장치 |
| JP2010526315A (ja) * | 2007-05-07 | 2010-07-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 検出範囲の広がった自己混合干渉計用レーザーセンサ |
| CN102681024A (zh) * | 2012-05-24 | 2012-09-19 | 北京北奥东华激光技术有限公司 | 连续反射式激光探测装置 |
| CN114754714A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-07-15 | 常州莫森智能科技有限公司 | 一种单晶硅尺寸测量机 |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP6229776A patent/JPH0894314A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010526315A (ja) * | 2007-05-07 | 2010-07-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 検出範囲の広がった自己混合干渉計用レーザーセンサ |
| CN103840369A (zh) * | 2007-05-07 | 2014-06-04 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于探测距离增加的自混合干涉测量术的激光传感器 |
| US9397476B2 (en) | 2007-05-07 | 2016-07-19 | Koninklijke Philips N.V. | Laser sensor for self-mixing interferometry having a vertical external cavity surface emission laser (VECSEL) as the light source |
| US10502547B2 (en) | 2007-05-07 | 2019-12-10 | Philips Photonics Gmbh | Laser sensor for self-mixing interferometry having a vertical external cavity surface emission laser (VECSEL) as the light source |
| KR100920640B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2009-10-08 | 주식회사 포스코 | 선재 코일 권취 형상 측정 장치 |
| CN102681024A (zh) * | 2012-05-24 | 2012-09-19 | 北京北奥东华激光技术有限公司 | 连续反射式激光探测装置 |
| CN114754714A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-07-15 | 常州莫森智能科技有限公司 | 一种单晶硅尺寸测量机 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |