SE517341C2 - Integrerad våglängdsmonitor för laserljus - Google Patents

Integrerad våglängdsmonitor för laserljus

Info

Publication number
SE517341C2
SE517341C2 SE0000041A SE0000041A SE517341C2 SE 517341 C2 SE517341 C2 SE 517341C2 SE 0000041 A SE0000041 A SE 0000041A SE 0000041 A SE0000041 A SE 0000041A SE 517341 C2 SE517341 C2 SE 517341C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
wavelength
interference filter
sensitive
detector
light
Prior art date
Application number
SE0000041A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0000041D0 (sv
SE0000041L (sv
Inventor
Krister Froejdh
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE0000041A priority Critical patent/SE517341C2/sv
Publication of SE0000041D0 publication Critical patent/SE0000041D0/sv
Priority to TW089101492A priority patent/TW484269B/zh
Priority to EP01901625A priority patent/EP1269586B1/en
Priority to CNB018035485A priority patent/CN1178342C/zh
Priority to JP2001552483A priority patent/JP2003520439A/ja
Priority to PCT/SE2001/000018 priority patent/WO2001052369A1/en
Priority to AT01901625T priority patent/ATE275764T1/de
Priority to AU2001227209A priority patent/AU2001227209A1/en
Priority to DE60105403T priority patent/DE60105403T2/de
Priority to US09/756,127 priority patent/US6639679B2/en
Publication of SE0000041L publication Critical patent/SE0000041L/sv
Publication of SE517341C2 publication Critical patent/SE517341C2/sv

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30Coatings
    • H10F77/306Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H10F77/337Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/95Circuit arrangements
    • H10F77/953Circuit arrangements for devices having potential barriers
    • H10F77/957Circuit arrangements for devices having potential barriers for position-sensitive photodetectors, e.g. lateral-effect photodiodes or quadrant photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H01S5/0264Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

517,¿_341 Även en internationell ansökning WO95/ 20144 visar en optisk våglängds- sensor som består av en kilfonnad Fabry-Perotplatta som uppvisar resonans för olika optiska våglängder tvärs sin bredd och en grupp av detektorer som detekterar den rumsliga dispositionen av resonanstoppar som uppträder. Ännu ett ytterligare dokument US-A-5 305 330 visar ett system som inne- fattar en laserdiod och ett system för att stabilisera laserdiodens våglängd.
Systemet innefattar en stråluppdelare och ett diffraktionsgitter för mätning samt ett antal fotodetektorer.
Alla funna lösningar så långt är ganska komplexa och mer eller mindre svåra att implementera i en standardlaseranordning. En laser med en integrerad våglångdsövervakning skulle emellertid på marknaden vara en attraktiv komponent. Därför finns det ett önskemål om en enkel kompakt integrerad anordning för övervakning av våglängden för en laseranordning.
SAMMANFATTNING En våglângdsmonitor lämplig för integration i en halvledarlasennodul för fiberoptisk kommunikation kan tillverkas på följande sätt: Ett interferens- filter deponeras direkt på en lägeskånslig fotodetektor eller monteras direkt ovanpå detektorn. Detektoranordningen monteras med en vinkel bakom lasem i samma läge som en normal effektövervakningsmonitor. Det elekt- riskt härledda laterala läget för ljus som träffar den lägeskänsliga anord- ningen försedd med interferensfiltret kommer att vara beroende av våglängden för det infallande ljuset och detta härledda läge används för våglängdsövervakningen.
Ett förfarande för att erhålla en våglängdsövervakningsanordning i enlighet med den föreliggande uppfinningen fastställs av det oberoende patentkravet 1 och de beroende patentkraven 2 - 5.' Vidare fastställs en anordning för styrning av våglängden för en laserkälla genom det oberoende patentkravet 6 och ytterligare utföringsformer av anordningen fastställs av de beroende patentkraven 7 - 10. 517 341 3 KORT BESKRIVNING AV RITNINGARNA Uppfinningen tillsammans med ytterligare ändamål och fördelar med denna kan bäst förstås genom hänvisning till följande beskrivning läst tillsammans med de medföljande ritningarna, i vilka: Fig.l illustrerar en typisk utföringsform av en lågeskånslig diod i enlighet med teknikens ståndpunkt, Fig. 2 illustrerar en kombination av en lägeskänslig fotodetektor och ett interferensñlter i enlighet med den föreliggande uppfinningen, Fig. 3 illustrerar, i enlighet med Fig. 1, montering av en integrerad våglängdsmonitor med en vinkel vid ett avstånd från bakfasetten av en laseranordning, samt Fig. 4 illustrerar en linje bildad genom den lägeskånsliga anordningens deponerade filter, varvid läget för denna linje är beroende av våglängden.
DETALJERAD BESKRIVNING I Fig. 1 demonstreras en allmän utföringsform av en lågeskänslig diod. En lågeskänslig diod år en modifikation av en vanlig fotodiod. Genom använd- ning av två frontelektroder 1 och 2 kommer fotoströmmen alstrad genom inkommande ljus 3 att uppdelas mellan frontelektroderna som alstrar strömmarna 11 och 12 i de två frontelektroderna. Ljusets laterala läge x kan då extraheras ur förhållandet mellan de två erhållna strömmarna. Detta utgör grundprincipen för en lägeskänslig detektor normalt hänvisad till som en PSD, för att utnyttjas i den föreliggande tillämpningen.
En våglängdsmonitor i enlighet med den föreliggande uppfinníngen utformas genom en uppfinningsmässig kombination av en lågeskänslig detektor och ett interferensfilter. Följaktligen utgör PSD 10 en fotodetektor från vilken 517 341 Iš. Iå-Ilflïlli 3 Ål både läget liksom intensiteten för infallande ljus kan extraheras. Denna PSD erhålls genom att påföra flertalet elektroder på en fotodioddetektor. Läget och intensiteten härleds sedan från strömmen observerad i respektive elektroder.
I en grundläggande utföringsform demonstrerad i Fig. 2 tillverkas ett interferensfilter ovanpå PSD 10 genom deponering av ett antal skikt av olika optiska transparenta material. I ännu en annan utföringsform tillverkas ett interferensfilter separat och fästs genom bondning därefter på den positionskänsliga detektorskivan 10. Upplösning och väglängdsområde för monitorn kan styras genom distansskiktets tjocklek i interferensfiltret 12.
Filtret kan till exempel i en typisk utföringsfonn skapas som en Fabry- Perotplatta. Genom att använda material med låg termisk utvidgning som distansskikt kan temperaturberoendet minimeras.
I en typisk utföringsform som använder den föreliggande uppfinningen monteras en våglängdsmonitor 13, ord som indikerats ovan, med en vinkel på ett avstånd från bakfasetten för en laser 14 som illustrerats i Fig. 3. Alter- nativt kan något av ljuset från framfasetten riktas mot monitom.
Eftersom endast ljus som infaller vid en specifik vinkel kommer att överföras genom filtret 12 kommer en linje 15, som indikerats i Fig. 4, att formas på den lägeskänsliga detektorn 10, varvid linjens läge är beroende av våglängden. Ur strömmen detekterad av fotodetektorns elektroder kan ljusets våglängd sedan extraheras.
Detektorn är enkel att tillverka med användning av tillgängliga standard- processer. Den föreliggande monitorn kan direkt ersätta effektmonitorn använd i aktuella laserpaket. Kommersiellt producerade lägeskänsliga detektorer hittas till exempel hos SiTek Electro Optics, Partille, Sverige.
Genom att montera komponenten 13 i enlighet med den föreliggande uppfinningen framför en optisk ñber skapas en billig, högtillförlithg 5175341 våglångdsmeter. Genom att använda fler elektroder i den lâgeskänsliga detektorn PSD kunde även en lasers dubbelmoder detekteras. Genom att mäta våglängdssignalen upplöst i» tid kan laserns "kvitter" då enkelt övervakas.
Det kommer att inses av fackmannen att olika modifikationer och ändringar kan göras i den föreliggande uppfinningen utan avsteg från dess omfattning som definieras av de bifogade patentkraven.

Claims (10)

517 341 6 PATENTKRAV
1. Förfarande för att erhålla enljusvåglängdsmonitor, kännetecknad av stegen användning av en lägeskänslig detektor (10) som tillhandahåller information om läget och intensiteten för ínfallande ljus genom extraherad ström från ett antal detektorelektroder, placering av ett interferensfilter (12) direkt ovanpå den lägeskänsliga detektorn (10) för att därigenom skapa en integrerad våglängdskänslig anordning (13), montering den skapade våglängdkänsliga anordningen (13) med en vinkel vid ett avstånd från en ljuskälla för att få den våglängdskänsliga anordningen att tjäna som en ljusvåglångdsmonitor.
2. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av det ytterligare steget att tillverka interferensfiltret (12) direkt ovanpå den lägeskänsliga detektorn (10) genom deponering av ett antal optiskt transparenta materialskikt som bildar materialskikt för ett optiskt ñlter.
3. Förfarande enligt krav l, kännetecknat av det ytterligare steget att separat tillverka interferensfiltret (12) med ett antal materialskikt och därefter genom bondning fästa det erhållna interferensfiltret (12) mot den lågeskänsliga detektorn (10).
4. Förfarande enligt krav l, kännetecknat av det ytterligare steget att använda ett material med låg termisk utvidgning som separationsskikt i interferensfiltret (12) för att minimera temperaturberoende.
5. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av det ytterligare steget med användning av utsignalerna deriverade från den lägeskänsliga detektorn för att styra våglängden för en emitterare avlaserljus. 5177341
6. Anordning för skapande av en ljusvåglängdsmonitor, kännetecknar! av en lägeskänslig detektor (10), som används för att tillhandahålla information om läge och intensitet för infallande ljus genom användning av ström extraherad från ett antal lägeskänsliga diodelektroder, ett interferensfilter (12) som är placerat direkt ovanpå den lägeskänsliga detektorn (10) för att därmed skapa en integrerad våglängdskänslig anordning (13), varvid den våglängdskänsliga anordningen (13) är monterad med en vinkel vid ett avstånd från en ljuskälla ßr att få den väglängdkänsliga anordningen att arbeta som en våglängdsöver- vakningsanordning.
7. Anordning enligt krav 6, kännetecknad av att interferensfiltret (12) tillverkas direkt ovanpå den lägeskänsliga anordningen (10) genom deponering av ett antal skikt av olika optiskt transparenta material som bildar ett optiskt filter för att skapa den integrerade våglängdsöver- vakningsanordningen.
8. Anordning enligt krav 6, kännetecknad av att interferensfiltret (12) tillverkas separat av ett antal skikt av olika optiskt transparenta material som bildar filtret som därefter genom bondning fästs mot den lägeskänsliga detektorn ( 10) för att därmed skapa den integrerade våglängdsövervak- ningsanordningen.
9. Anordning enligt krav 6, kännetecknad av att ett material med låg termisk utvidgning används som separationsskikt i interferensfiltret (12) för att minimera temperaturberoende.
10. Anordning enligt krav 6, kännetecknad av väglängdstyrning genom användning av utsignaler härledda från »den lägeskänsliga detektorn (10) för styrning av våglängden för en emitterare av laserljus.
SE0000041A 2000-01-10 2000-01-10 Integrerad våglängdsmonitor för laserljus SE517341C2 (sv)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0000041A SE517341C2 (sv) 2000-01-10 2000-01-10 Integrerad våglängdsmonitor för laserljus
TW089101492A TW484269B (en) 2000-01-10 2000-01-28 Method for obtaining a light wavelength monitor and device for forming a light wavelength monitor
DE60105403T DE60105403T2 (de) 2000-01-10 2001-01-08 Integrierte wellenlängen-überwachungsvorrichtung
JP2001552483A JP2003520439A (ja) 2000-01-10 2001-01-08 統合波長モニタ
CNB018035485A CN1178342C (zh) 2000-01-10 2001-01-08 集成式波长监测器
EP01901625A EP1269586B1 (en) 2000-01-10 2001-01-08 Integrated wavelength monitor
PCT/SE2001/000018 WO2001052369A1 (en) 2000-01-10 2001-01-08 Integrated wavelength monitor
AT01901625T ATE275764T1 (de) 2000-01-10 2001-01-08 Integrierte wellenlängen-überwachungsvorrichtung
AU2001227209A AU2001227209A1 (en) 2000-01-10 2001-01-08 Integrated wavelength monitor
US09/756,127 US6639679B2 (en) 2000-01-10 2001-01-09 Integrated wavelength monitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0000041A SE517341C2 (sv) 2000-01-10 2000-01-10 Integrerad våglängdsmonitor för laserljus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0000041D0 SE0000041D0 (sv) 2000-01-10
SE0000041L SE0000041L (sv) 2001-07-11
SE517341C2 true SE517341C2 (sv) 2002-05-28

Family

ID=20278043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0000041A SE517341C2 (sv) 2000-01-10 2000-01-10 Integrerad våglängdsmonitor för laserljus

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6639679B2 (sv)
EP (1) EP1269586B1 (sv)
JP (1) JP2003520439A (sv)
CN (1) CN1178342C (sv)
AT (1) ATE275764T1 (sv)
AU (1) AU2001227209A1 (sv)
DE (1) DE60105403T2 (sv)
SE (1) SE517341C2 (sv)
TW (1) TW484269B (sv)
WO (1) WO2001052369A1 (sv)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075656B2 (en) 2001-12-11 2006-07-11 Adc Telecommunications, Inc. Method and algorithm for continuous wavelength locking
US6859469B2 (en) * 2001-12-11 2005-02-22 Adc Telecommunications, Inc. Method and apparatus for laser wavelength stabilization
US7038782B2 (en) 2001-12-11 2006-05-02 Adc Telecommunications, Inc. Robust wavelength locker for control of laser wavelength
US6864980B2 (en) * 2002-01-22 2005-03-08 Digital Optics Corp. Linear filter based wavelength locking optical sub-assembly and associated methods
CN100564592C (zh) * 2003-09-19 2009-12-02 应用材料公司 对无电沉积的终点进行检测的装置和方法
US7310153B2 (en) * 2004-08-23 2007-12-18 Palo Alto Research Center, Incorporated Using position-sensitive detectors for wavelength determination
US7522786B2 (en) 2005-12-22 2009-04-21 Palo Alto Research Center Incorporated Transmitting light with photon energy information
US8437582B2 (en) 2005-12-22 2013-05-07 Palo Alto Research Center Incorporated Transmitting light with lateral variation
US7315667B2 (en) * 2005-12-22 2008-01-01 Palo Alto Research Center Incorporated Propagating light to be sensed
US7433552B2 (en) * 2005-12-22 2008-10-07 Palo Alto Research Center Incorporated Obtaining analyte information
US7718948B2 (en) * 2006-12-04 2010-05-18 Palo Alto Research Center Incorporated Monitoring light pulses
US8821799B2 (en) 2007-01-26 2014-09-02 Palo Alto Research Center Incorporated Method and system implementing spatially modulated excitation or emission for particle characterization with enhanced sensitivity
US9164037B2 (en) 2007-01-26 2015-10-20 Palo Alto Research Center Incorporated Method and system for evaluation of signals received from spatially modulated excitation and emission to accurately determine particle positions and distances
US7936463B2 (en) 2007-02-05 2011-05-03 Palo Alto Research Center Incorporated Containing analyte in optical cavity structures
US7554673B2 (en) * 2007-02-05 2009-06-30 Palo Alto Research Center Incorporated Obtaining information about analytes using optical cavity output light
US7817276B2 (en) * 2007-02-05 2010-10-19 Palo Alto Research Center Incorporated Distinguishing objects
US7633629B2 (en) * 2007-02-05 2009-12-15 Palo Alto Research Center Incorporated Tuning optical cavities
US7852490B2 (en) * 2007-02-05 2010-12-14 Palo Alto Research Center Incorporated Implanting optical cavity structures
US7471399B2 (en) * 2007-02-05 2008-12-30 Palo Alto Research Center Incorporated Photosensing optical cavity output light
US7817281B2 (en) * 2007-02-05 2010-10-19 Palo Alto Research Center Incorporated Tuning optical cavities
US8320983B2 (en) 2007-12-17 2012-11-27 Palo Alto Research Center Incorporated Controlling transfer of objects affecting optical characteristics
US8629981B2 (en) 2008-02-01 2014-01-14 Palo Alto Research Center Incorporated Analyzers with time variation based on color-coded spatial modulation
US8373860B2 (en) 2008-02-01 2013-02-12 Palo Alto Research Center Incorporated Transmitting/reflecting emanating light with time variation
US8723140B2 (en) 2011-08-09 2014-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Particle analyzer with spatial modulation and long lifetime bioprobes
US9029800B2 (en) 2011-08-09 2015-05-12 Palo Alto Research Center Incorporated Compact analyzer with spatial modulation and multiple intensity modulated excitation sources
EP3664160A4 (en) * 2017-09-13 2020-06-10 Kaneka Corporation ELEMENT FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION AND DEVICE FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION
WO2019097838A1 (ja) 2017-11-15 2019-05-23 株式会社カネカ 光電変換装置
DE102019210950A1 (de) * 2019-07-24 2021-01-28 Robert Bosch Gmbh LIDAR-Sensor zur optischen Erfassung eines Sichtfeldes und Verfahren zur optischen Erfassung eines Sichtfeldes
DE102020202824A1 (de) 2020-03-05 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Sensorvorrichtung unter verwendung der winkelabhängigkeit eines dichroitischen filters

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2086303T3 (es) * 1987-02-03 1996-07-01 Fujitsu Ltd Dispositivo de desviacion holografico.
DE3885134D1 (de) * 1987-03-30 1993-12-02 Siemens Ag Anordnung zur Steuerung oder Regelung einer Emissionswellenlänge und emittierten Leistung eines Halbleiterlasers.
JP2840709B2 (ja) * 1989-12-28 1998-12-24 京セラ株式会社 集積型半導体レーザ
JP3200903B2 (ja) 1991-12-03 2001-08-20 東ソー株式会社 塩水中の微量アルカリ土類金属の定量分析法
JPH05275731A (ja) * 1992-03-25 1993-10-22 Sharp Corp フォトダイオード
AT396841B (de) 1992-04-02 1993-12-27 Rsf Elektronik Gmbh Anordnung zur stabilisierung der wellenlänge des von einer laserdiode abgegebenen lichtstrahlesund laser-interferometer
WO1995020144A1 (en) 1994-01-20 1995-07-27 British Telecommunications Public Limited Company Optical wavelength sensor
JPH07226524A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Olympus Optical Co Ltd 光電変換装置
US5825792A (en) * 1996-07-11 1998-10-20 Northern Telecom Limited Wavelength monitoring and control assembly for WDM optical transmission systems
JP3745097B2 (ja) 1997-10-14 2006-02-15 富士通株式会社 波長のモニタリング及び波長制御のための光デバイス
US6186937B1 (en) * 1999-07-30 2001-02-13 Lucent Technologies, Inc. Method and device for obtaining a desired phase of optical characteristic of a fabry-perot etalon

Also Published As

Publication number Publication date
DE60105403D1 (de) 2004-10-14
US20010007501A1 (en) 2001-07-12
DE60105403T2 (de) 2005-09-29
US6639679B2 (en) 2003-10-28
JP2003520439A (ja) 2003-07-02
CN1404640A (zh) 2003-03-19
WO2001052369A1 (en) 2001-07-19
EP1269586A1 (en) 2003-01-02
ATE275764T1 (de) 2004-09-15
CN1178342C (zh) 2004-12-01
EP1269586B1 (en) 2004-09-08
AU2001227209A1 (en) 2001-07-24
SE0000041D0 (sv) 2000-01-10
TW484269B (en) 2002-04-21
SE0000041L (sv) 2001-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE517341C2 (sv) Integrerad våglängdsmonitor för laserljus
EP0392714B1 (en) A semiconductor laser device
US6581465B1 (en) Micro-electro-mechanical systems ultra-sensitive accelerometer
US6763718B1 (en) Micro-electro-mechanical systems ultra-sensitive accelerometer with independent sensitivity adjustment
US7626707B2 (en) Dual cavity displacement sensor
JP2009522805A (ja) 集積フォトニックデバイス用のモニタ光検出器
EP1345298A1 (en) Wavelength monitoring apparatus and method therefor
KR20170098518A (ko) 광센서
Sawada et al. Hybrid microlaser encoder
WO2001080324A2 (en) Transmission detection for vertical cavity surface emitting laser power monitor and system
JP2003069133A (ja) 微細多共振器を利用した波長固定集積光源構造
EP1233459A1 (en) Light-receiving device and photodetector comprising light-receiving device
US6803852B2 (en) Sensor for preventing automobile crashes by using photonic quantum ring laser array
JPH0324783A (ja) 半導体レーザ装置
KR100282611B1 (ko) 파장안정화 장치 및 능동 파장 측정 장치용 광검출기 및 그 광검출기의 제작방법
WO2004017428A1 (en) Wavelength-demultiplexer with integrated monolithic photodiodes
JPH0894314A (ja) 光学式変位センサー
JPH0230192A (ja) 半導体レーザ装置
JPH03201488A (ja) 光学素子
JPH07270120A (ja) 変位センサー
JP2000223747A (ja) 発光装置
JPH03284883A (ja) 受光装置
JPS60253930A (ja) 受光装置
KR20010019755A (ko) 파장안정화기를 내장한 광원모듈
JPH02163980A (ja) 光検出器

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed