JPH0894470A - 静電容量型圧力センサ - Google Patents
静電容量型圧力センサInfo
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- JPH0894470A JPH0894470A JP25457794A JP25457794A JPH0894470A JP H0894470 A JPH0894470 A JP H0894470A JP 25457794 A JP25457794 A JP 25457794A JP 25457794 A JP25457794 A JP 25457794A JP H0894470 A JPH0894470 A JP H0894470A
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成で、電気的接続が確実であり、取
扱も容易なものにする。 【構成】 流体の圧力が印加される絶縁体のダイヤフラ
ム１１と、このダイヤフラム１１の裏面に平面的に形成
されたダイヤフラム側電極１３と、ダイヤフラム１１と
一定間隔を隔てて対面して設けられた絶縁体のベース基
板１２と、このベース基板１２の表面に形成され、ダイ
ヤフラム側電極１３と対面して同様に設けられたベース
側電極１４とを有する。ダイヤフラム側電極１３とベー
ス側電極１４に各々ダイヤフラム１１及びベース基板１
２の側面部まで伸びた延長部１６，１７が形成され、ベ
ース基板１２の側面に沿って各延長部１６，１７に接続
しベース基板１２の裏面側に伸びた配線２４を備える。
扱も容易なものにする。 【構成】 流体の圧力が印加される絶縁体のダイヤフラ
ム１１と、このダイヤフラム１１の裏面に平面的に形成
されたダイヤフラム側電極１３と、ダイヤフラム１１と
一定間隔を隔てて対面して設けられた絶縁体のベース基
板１２と、このベース基板１２の表面に形成され、ダイ
ヤフラム側電極１３と対面して同様に設けられたベース
側電極１４とを有する。ダイヤフラム側電極１３とベー
ス側電極１４に各々ダイヤフラム１１及びベース基板１
２の側面部まで伸びた延長部１６，１７が形成され、ベ
ース基板１２の側面に沿って各延長部１６，１７に接続
しベース基板１２の裏面側に伸びた配線２４を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、流体圧力をダイヤフ
ラムに導いてその歪を静電容量の変化として検出し、圧
力の値を電気的に得る静電容量型圧力センサに関する。
ラムに導いてその歪を静電容量の変化として検出し、圧
力の値を電気的に得る静電容量型圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の圧力センサは、図６に示すよう
に、一対のリード端子２を使用して、ベース基板４側の
電極及びダイアフラム６側の電極に対する電気的接続を
図っていた。このリード端子２は、図７に示すように、
ベース基板４の端子穴８に、銀ペースト等の導電性ペー
スト９と共にこのリード線２を挿通し、圧力センサの内
部の電極に電気的に接触させているものである。
に、一対のリード端子２を使用して、ベース基板４側の
電極及びダイアフラム６側の電極に対する電気的接続を
図っていた。このリード端子２は、図７に示すように、
ベース基板４の端子穴８に、銀ペースト等の導電性ペー
スト９と共にこのリード線２を挿通し、圧力センサの内
部の電極に電気的に接触させているものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、この圧力センサを外部に形成された回路基板等に取
り付ける際や搬送途中等に、図６に示すようにリード端
子２が曲げられてしまう場合があった。そして、曲げら
れた状態で、図６の矢印方向に力が加わると、図７に示
す端子穴８及び電極との接続部に対して、相対的にきわ
めて大きな力がかかり、容易に接続部分が剥離してしま
う恐れがあった。しかも、この剥離により電気的接触状
態が不安定となるため、テスタによる検査時には接続が
確認されても、実際の使用時に接触不良になる可能性が
あり、品質管理上大きな問題であった。
合、この圧力センサを外部に形成された回路基板等に取
り付ける際や搬送途中等に、図６に示すようにリード端
子２が曲げられてしまう場合があった。そして、曲げら
れた状態で、図６の矢印方向に力が加わると、図７に示
す端子穴８及び電極との接続部に対して、相対的にきわ
めて大きな力がかかり、容易に接続部分が剥離してしま
う恐れがあった。しかも、この剥離により電気的接触状
態が不安定となるため、テスタによる検査時には接続が
確認されても、実際の使用時に接触不良になる可能性が
あり、品質管理上大きな問題であった。
【０００４】この発明は、上記従来の技術の問題点に鑑
みて成されたもので、簡単な構成で、電気的接続が確実
であり、取扱も容易な静電容量型圧力センサを提供する
ことを目的とする。
みて成されたもので、簡単な構成で、電気的接続が確実
であり、取扱も容易な静電容量型圧力センサを提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、流体の圧力
が印加されるアルミナ等のセラミックスやジルコニア、
シリコン、水晶等の絶縁体のダイヤフラムと、このダイ
ヤフラムの裏面に平面的に印刷または真空蒸着等により
形成されたダイヤフラム側電極と、上記ダイヤフラムと
一定間隔を隔てて対面して設けられたアルミナまたはジ
ルコニア等の絶縁体のベース基板と、このベース基板の
表面に形成され、上記ダイヤフラム側電極と対面して同
様に設けられたベース側電極とからなり、上記ダイヤフ
ラム側電極とベース側電極に各々上記ダイヤフラム及び
ベース基板の側面部まで伸びた延長部が形成され、上記
ベース基板の側面に沿って上記各延長部に接続し上記ベ
ース基板の裏面側に伸びた配線が形成された静電容量型
圧力センサである。
が印加されるアルミナ等のセラミックスやジルコニア、
シリコン、水晶等の絶縁体のダイヤフラムと、このダイ
ヤフラムの裏面に平面的に印刷または真空蒸着等により
形成されたダイヤフラム側電極と、上記ダイヤフラムと
一定間隔を隔てて対面して設けられたアルミナまたはジ
ルコニア等の絶縁体のベース基板と、このベース基板の
表面に形成され、上記ダイヤフラム側電極と対面して同
様に設けられたベース側電極とからなり、上記ダイヤフ
ラム側電極とベース側電極に各々上記ダイヤフラム及び
ベース基板の側面部まで伸びた延長部が形成され、上記
ベース基板の側面に沿って上記各延長部に接続し上記ベ
ース基板の裏面側に伸びた配線が形成された静電容量型
圧力センサである。
【０００６】上記ベース基板側面には、表裏面方向に凹
部が形成され、この凹部にＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の
導電性ペーストを塗布して上記各電極の延長部に接続し
上記配線を形成したものである。さらに、上記ベース基
板の裏面側には、上記配線に接続した回路素子が取り付
けられているものである。
部が形成され、この凹部にＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の
導電性ペーストを塗布して上記各電極の延長部に接続し
上記配線を形成したものである。さらに、上記ベース基
板の裏面側には、上記配線に接続した回路素子が取り付
けられているものである。
【０００７】
【作用】この発明の静電容量型圧力センサは、ベース側
電極及びダイヤフラム側電極と外部の回路との電気的接
続を、ベース基板側面に形成した導電性ペースト等の配
線により行なうので、リード端子のように外部の部材に
引っ掛かるものがなく、外部的な力により接続不良を生
じる恐れがないものである。特に、ベース基板側面の凹
部にこの配線を設けることにより、この配線が機械的電
気的にも外部の部材に対してより安全に位置しているも
のである。
電極及びダイヤフラム側電極と外部の回路との電気的接
続を、ベース基板側面に形成した導電性ペースト等の配
線により行なうので、リード端子のように外部の部材に
引っ掛かるものがなく、外部的な力により接続不良を生
じる恐れがないものである。特に、ベース基板側面の凹
部にこの配線を設けることにより、この配線が機械的電
気的にも外部の部材に対してより安全に位置しているも
のである。
【０００８】
【実施例】以下この発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図１〜図５はこの発明の一実施例を示すも
ので、この実施例の静電容量型圧力センサ１０は、流体
の圧力が印加されるアルミナ製の円形のダイヤフラム１
１を有している。このダイヤフラム１１は、例えば厚さ
が０．２〜２．０ｍｍ程度に形成され、測定圧は１００
ｋｇ／ｃｍ2程度までのものである。ダイヤフラム１１
の裏面には、図５に示すように、平面的に円形に形成さ
れたダイヤフラム側電極１３が設けられている。ダイヤ
フラム側電極１３は、金、銀又は銀パラジウム等の導電
性ペーストにより印刷形成されたものや、真空蒸着によ
り形成されたものである。
て説明する。図１〜図５はこの発明の一実施例を示すも
ので、この実施例の静電容量型圧力センサ１０は、流体
の圧力が印加されるアルミナ製の円形のダイヤフラム１
１を有している。このダイヤフラム１１は、例えば厚さ
が０．２〜２．０ｍｍ程度に形成され、測定圧は１００
ｋｇ／ｃｍ2程度までのものである。ダイヤフラム１１
の裏面には、図５に示すように、平面的に円形に形成さ
れたダイヤフラム側電極１３が設けられている。ダイヤ
フラム側電極１３は、金、銀又は銀パラジウム等の導電
性ペーストにより印刷形成されたものや、真空蒸着によ
り形成されたものである。
【０００９】この実施例の静電容量型圧力センサ１０に
は、さらに、ダイヤフラム１１と一定間隔を隔てて対面
して、アルミナ製の円形のベース基板１２が設けられて
いる。このベース基板１２の表面には、図４に示すよう
に、ダイヤフラム側電極１３と対面して、同様の方法に
より形成されたベース側電極１４が設けられ、ベース側
電極１４の外周には、ベース側補助電極１５も形成され
ている。
は、さらに、ダイヤフラム１１と一定間隔を隔てて対面
して、アルミナ製の円形のベース基板１２が設けられて
いる。このベース基板１２の表面には、図４に示すよう
に、ダイヤフラム側電極１３と対面して、同様の方法に
より形成されたベース側電極１４が設けられ、ベース側
電極１４の外周には、ベース側補助電極１５も形成され
ている。
【００１０】ダイヤフラム側電極１３、ベース側電極１
４、及びベース側補助電極１５には、各々それらの外周
部から同様の方法により形成された延長パターンである
延長部１６，１７，１８が形成されている。この延長部
１６，１７，１８は、各々ダイヤフラム１１及びベース
基板１２の側面部にまで直線的に伸びている。
４、及びベース側補助電極１５には、各々それらの外周
部から同様の方法により形成された延長パターンである
延長部１６，１７，１８が形成されている。この延長部
１６，１７，１８は、各々ダイヤフラム１１及びベース
基板１２の側面部にまで直線的に伸びている。
【００１１】ダイヤフラム１１とベース基板１２とは、
その周縁部にガラスフリットによる封着剤１９が設けら
れ、ダイヤフラム側電極１３とベース側電極１４とが、
互いに約１０〜３０μｍの範囲内で所定の間隔を隔てて
対面して形成されている。この封着剤１９には、ダイヤ
フラム１１とベース基板１２との間を一定間隔に形成す
るために、例えば中に一定の大きさのセラミックビーズ
が混合されているものである。
その周縁部にガラスフリットによる封着剤１９が設けら
れ、ダイヤフラム側電極１３とベース側電極１４とが、
互いに約１０〜３０μｍの範囲内で所定の間隔を隔てて
対面して形成されている。この封着剤１９には、ダイヤ
フラム１１とベース基板１２との間を一定間隔に形成す
るために、例えば中に一定の大きさのセラミックビーズ
が混合されているものである。
【００１２】さらに、ベース基板１２の側面には、その
側面外周に３本の凹部２１，２２，２３が、ベース基板
１２の表裏面方向に互いに平行に直線的に形成されてい
る。この凹部２１，２２，２３には、各々全長に渡って
Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の導電性ペースト２４が塗布
されて電気的配線が施されている。そして、この凹部２
１に、図５に示すダイヤフラム側電極１３の延長部１６
の先端が対面し、導電性ペースト２４を、ダイヤフラム
１１とベース基板１２間に渡って塗布し、電気的接続を
図っている。また、凹部２２，２３の導電性ペースト２
４には、図４に示すベース側電極１４及びベース側補助
電極１５の各延長部１７，１８が各々接続している。
側面外周に３本の凹部２１，２２，２３が、ベース基板
１２の表裏面方向に互いに平行に直線的に形成されてい
る。この凹部２１，２２，２３には、各々全長に渡って
Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の導電性ペースト２４が塗布
されて電気的配線が施されている。そして、この凹部２
１に、図５に示すダイヤフラム側電極１３の延長部１６
の先端が対面し、導電性ペースト２４を、ダイヤフラム
１１とベース基板１２間に渡って塗布し、電気的接続を
図っている。また、凹部２２，２３の導電性ペースト２
４には、図４に示すベース側電極１４及びベース側補助
電極１５の各延長部１７，１８が各々接続している。
【００１３】この圧力センサ１０は、別体のＨＩＣ基板
等を必要とぜず、図２に示すように、ベース基板１２上
に回路パターン２５が直接形成されている。この回路パ
ターン２５には、凹部２１，２２，２３の各導電性ペー
スト２４による各配線、電子素子としてＣ−Ｖ変換回路
である専用ＩＣ２６及びコンデンサ２７が各々接続さ
れ、さらに、入出力パッド２８も接続されている。
等を必要とぜず、図２に示すように、ベース基板１２上
に回路パターン２５が直接形成されている。この回路パ
ターン２５には、凹部２１，２２，２３の各導電性ペー
スト２４による各配線、電子素子としてＣ−Ｖ変換回路
である専用ＩＣ２６及びコンデンサ２７が各々接続さ
れ、さらに、入出力パッド２８も接続されている。
【００１４】この実施例の静電容量型圧力センサによれ
ば、ベース基板１２の凹部２１，２２，２３に設けられ
た導電性ペースト２４の配線により、各電極１３，１
４，１５と外部の回路とを接続しているので、従来のリ
ード端子のように外部からの力により折れ曲がったり接
続不良を生じたりすることがないものである。また各電
極１３，１４，１５からの延長部１６，１７，１８と、
各凹部２１，２２，２３の導電性ペースト２４との接続
状態を目視により確認することができ、電気的接続の検
査が容易になるものである。さらにＨＩＣ用の基板を別
体に必要とせず、ベース基板１２の裏面に直接回路を形
成することができるものである。
ば、ベース基板１２の凹部２１，２２，２３に設けられ
た導電性ペースト２４の配線により、各電極１３，１
４，１５と外部の回路とを接続しているので、従来のリ
ード端子のように外部からの力により折れ曲がったり接
続不良を生じたりすることがないものである。また各電
極１３，１４，１５からの延長部１６，１７，１８と、
各凹部２１，２２，２３の導電性ペースト２４との接続
状態を目視により確認することができ、電気的接続の検
査が容易になるものである。さらにＨＩＣ用の基板を別
体に必要とせず、ベース基板１２の裏面に直接回路を形
成することができるものである。
【００１５】尚、この発明の静電容量型圧力センサは、
上記の実施例に限定されるものではなく、外形や電極の
形状は円形の他に方形や他の多角形状に形成しても良い
ものである。また、凹部や、凹部に形成した配線の位置
は、適宜変更可能であり、配線も、凹部以外にベース基
板側面に直接形成したものでも良い。さらに、ベース基
板側面の配線は、導電性ペーストのほか、銅箔や、他の
導電性薄膜を形成したものでも良い。また、ダイヤフラ
ムは、セラミックスの他、ジルコニア、シリコン、水晶
等でも良い。またベース基板も、アルミナの他、ジルコ
ニア等の絶縁体でも良い。
上記の実施例に限定されるものではなく、外形や電極の
形状は円形の他に方形や他の多角形状に形成しても良い
ものである。また、凹部や、凹部に形成した配線の位置
は、適宜変更可能であり、配線も、凹部以外にベース基
板側面に直接形成したものでも良い。さらに、ベース基
板側面の配線は、導電性ペーストのほか、銅箔や、他の
導電性薄膜を形成したものでも良い。また、ダイヤフラ
ムは、セラミックスの他、ジルコニア、シリコン、水晶
等でも良い。またベース基板も、アルミナの他、ジルコ
ニア等の絶縁体でも良い。
【００１６】
【発明の効果】この発明の静電容量型圧力センサは、ベ
ース基板の側面に設けた配線により、各電極と外部の回
路との接続を図っているので、取扱が容易であり、リー
ド端子のように外部の部材に引っ掛かるものがなく、外
的な力により接続不良を生じることがない。また、配線
をベース基板側面の凹部に形成することにより、配線が
外部の部材に当接することがなく、より安全である。ま
た、配線を導電性ペーストにより形成することにより、
作業が容易で確実に配線が可能であり、電気的接続も信
頼性の高いものにすることができる。さらに、ベース基
板の裏面に、回路パターンを形成し、電子素子を付ける
ことができ、装置の小型化及びコストダウンにも寄与す
るものである。
ース基板の側面に設けた配線により、各電極と外部の回
路との接続を図っているので、取扱が容易であり、リー
ド端子のように外部の部材に引っ掛かるものがなく、外
的な力により接続不良を生じることがない。また、配線
をベース基板側面の凹部に形成することにより、配線が
外部の部材に当接することがなく、より安全である。ま
た、配線を導電性ペーストにより形成することにより、
作業が容易で確実に配線が可能であり、電気的接続も信
頼性の高いものにすることができる。さらに、ベース基
板の裏面に、回路パターンを形成し、電子素子を付ける
ことができ、装置の小型化及びコストダウンにも寄与す
るものである。
【図１】この発明の一実施例の静電容量型圧力センサの
斜視図である。
斜視図である。
【図２】この実施例の静電容量型圧力センサの底面図で
ある。
ある。
【図３】この実施例の静電容量型圧力センサの側面図で
ある。
ある。
【図４】この実施例の静電容量型圧力センサのベース側
電極形成面のベース基板の平面図である。
電極形成面のベース基板の平面図である。
【図５】この実施例の静電容量型圧力センサのダイヤフ
ラム側電極形成面のダイヤフラムの平面図である。
ラム側電極形成面のダイヤフラムの平面図である。
【図６】従来の静電容量型圧力センサの斜視図である。
【図７】従来の静電容量型圧力センサの一部拡大断面図
である。
である。
１０ 静電容量型圧力センサ １１ ダイヤフラム １２ ベース基板 １３ ダイヤフラム側電極 １４ ベース側電極 １６，１７，１８ 延長部 ２１，２２，２３ 凹部 ２４ 導電性ペースト
Claims (4)
- 【請求項１】 流体の圧力が印加される絶縁体のダイヤ
フラムと、このダイヤフラムの裏面に平面的に形成され
たダイヤフラム側電極と、上記ダイヤフラムと一定間隔
を隔てて対面して設けられたベース基板と、このベース
基板の表面に形成され上記ダイヤフラム側電極と対面し
て同様に設けられたベース側電極と、上記ダイヤフラム
側電極とベース側電極から延長して形成され各々上記ダ
イヤフラム及びベース基板の側面部まで伸びた延長部
と、一端が上記ベース基板の側面に沿って上記各延長部
に接続し他端が上記ベース基板の上記ダイヤフラムとは
反対側に延びた配線を設けた静電容量型圧力センサ。 - 【請求項２】 上記ベース基板の側面には、表裏面方向
に凹部が形成され、この凹部に、上記各電極の延長部に
接続した上記配線を形成したものである請求項１記載の
静電容量型圧力センサ。 - 【請求項３】 上記ベース基板の側面に形成された上記
配線は、導電性ペーストを塗布して形成したものである
請求項１又は２記載の静電容量型圧力センサ。 - 【請求項４】 上記ベース基板の裏面側には、上記配線
に接続した回路パターンが形成され、この回路パターン
に電子素子が取り付けられている請求項１，２又は３記
載の静電容量型圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25457794A JPH0894470A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 静電容量型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25457794A JPH0894470A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 静電容量型圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894470A true JPH0894470A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17266976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25457794A Pending JPH0894470A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 静電容量型圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0894470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009175113A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-08-06 | Kyocera Corp | センサモジュール、センサ付ホイール、およびタイヤ組立体 |
| WO2019073926A1 (ja) * | 2017-10-11 | 2019-04-18 | 東レ株式会社 | 感光性導電ペーストおよび導電パターン形成用フィルム |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP25457794A patent/JPH0894470A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009175113A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-08-06 | Kyocera Corp | センサモジュール、センサ付ホイール、およびタイヤ組立体 |
| WO2019073926A1 (ja) * | 2017-10-11 | 2019-04-18 | 東レ株式会社 | 感光性導電ペーストおよび導電パターン形成用フィルム |
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