JPH0894474A - 圧力測定装置 - Google Patents
圧力測定装置Info
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- JPH0894474A JPH0894474A JP23108794A JP23108794A JPH0894474A JP H0894474 A JPH0894474 A JP H0894474A JP 23108794 A JP23108794 A JP 23108794A JP 23108794 A JP23108794 A JP 23108794A JP H0894474 A JPH0894474 A JP H0894474A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製作が容易で、シールダイヤフラムを過大圧
力から保護すると共に、オーバーロードヒステリシスお
よびスティックが生じないようにする。 【構成】 検出器ボディ１の受圧側面７に高硬度多孔質
セラミック膜３３を形成し、オーバーロード時にシール
ダイヤフラム５が受圧側面７に着底したときの密着力を
弱くする。
力から保護すると共に、オーバーロードヒステリシスお
よびスティックが生じないようにする。 【構成】 検出器ボディ１の受圧側面７に高硬度多孔質
セラミック膜３３を形成し、オーバーロード時にシール
ダイヤフラム５が受圧側面７に着底したときの密着力を
弱くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤフラムの変位に
よって各種プロセス流体の圧力等を測定する圧力測定装
置に関し、特にプロセス側からダイヤフラムに過大圧力
が加わった際の不具合を解消してなる圧力測定装置に関
するものである。
よって各種プロセス流体の圧力等を測定する圧力測定装
置に関し、特にプロセス側からダイヤフラムに過大圧力
が加わった際の不具合を解消してなる圧力測定装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、管内流体の流量を測定しよう
とする場合、管内にオリフィス板を設けて流体抵抗と
し、その上、下流側での圧力差を所定の演算式に基づき
流量を算出測定することが行なわれている。この種の差
圧測定用として用いられる差圧・圧力発信器は、一般に
高圧側および低圧側のシールダイヤフラムに２点間のプ
ロセス流体圧を与え、検出器ボディ内における封入液の
移動を封入回路を仕切って設けた半導体圧力センサの歪
みを電気信号に変換して取り出すように構成されている
（例：実公昭５９−３０４４４号、実公平４−３２４４
号公報等）。
とする場合、管内にオリフィス板を設けて流体抵抗と
し、その上、下流側での圧力差を所定の演算式に基づき
流量を算出測定することが行なわれている。この種の差
圧測定用として用いられる差圧・圧力発信器は、一般に
高圧側および低圧側のシールダイヤフラムに２点間のプ
ロセス流体圧を与え、検出器ボディ内における封入液の
移動を封入回路を仕切って設けた半導体圧力センサの歪
みを電気信号に変換して取り出すように構成されている
（例：実公昭５９−３０４４４号、実公平４−３２４４
号公報等）。
【０００３】図３および図４はかかる差圧・圧力発信器
の従来例を示す断面図および要部拡大断面図である。こ
れを概略説明すると、１は高圧側ボディ２と低圧側ボデ
ィ３を電子ビーム等によって一体的に接合して形成され
た円板状の検出器ボディ、４は検出器ボディ１の溶接
部、５，６は検出器ボディ１の高圧，低圧側の各受圧側
面７，８に外周縁部を溶接固定されて配設されたシール
ダイヤフラムである。シールダイヤフラム５，６として
は、通常燐青銅、ベリルム銅、ステンレス鋼などの薄膜
状金属板を絞り加工によって塑性変形させることでカッ
プ状に形成されることにより、円板状の受圧部ａと、受
圧部ａの外周に連接された円筒部ｂと、円筒部ｂの先端
に連接され検出器ボディ１のダイヤフラム取付面２２に
溶接によって接合固定される環状の固定部ｃとを一体に
有している。また、ダイヤフラムの加工形成に際して
は、受圧部ａに半径方向に波形の襞を同心円状に付ける
ことで、ダイヤフラムのコンプライアンスを大きくし、
言い換えればダイヤフラムを柔らかくし、荷重−変位の
式を満足する線形域を広くしている。このため、受圧側
面７，８もシールダイヤフラム５，６の受圧部ａと同形
の波形面に形成されている。９は検出器ボディ１の中央
接合面に設けた内室１０を２つの室、すなわち高圧側ボ
ディ内室１０Ａと低圧側ボディ内室１０Ｂとに仕切るセ
ンターダイヤフラム、１１は検出器ボディ１の上部外周
面に加工形成されたヘッダーカバー取付部１２に溶接固
定されたヘッダーカバー、１３はヘッダーカバー１１内
に組み込まれた差圧測定用圧力センサで、この圧力セン
サ１３の半導体ダイヤフラム１４の表裏面にプロセス流
体の高圧ＰH と、低圧ＰL を、検出器ボディ１内の封入
回路１５，１６に封入したシリコンオイル等の圧力伝達
用封入液１７Ａ，１７Ｂを介してそれぞれ伝達するよう
にしている。封入回路１５，１６にはリストリクタ１８
が圧入固定されており、これによってプロセス流体の急
激な圧力変動や脈動を抑制し、前記各ダイヤフラム５，
６，９および圧力センサ１３を保護している。なお、１
９，２０は検出器ボディ１の各側面にＯリング（図示せ
ず）を介して嵌合固定されシールダイヤフラム５，６を
保護するカバーである。
の従来例を示す断面図および要部拡大断面図である。こ
れを概略説明すると、１は高圧側ボディ２と低圧側ボデ
ィ３を電子ビーム等によって一体的に接合して形成され
た円板状の検出器ボディ、４は検出器ボディ１の溶接
部、５，６は検出器ボディ１の高圧，低圧側の各受圧側
面７，８に外周縁部を溶接固定されて配設されたシール
ダイヤフラムである。シールダイヤフラム５，６として
は、通常燐青銅、ベリルム銅、ステンレス鋼などの薄膜
状金属板を絞り加工によって塑性変形させることでカッ
プ状に形成されることにより、円板状の受圧部ａと、受
圧部ａの外周に連接された円筒部ｂと、円筒部ｂの先端
に連接され検出器ボディ１のダイヤフラム取付面２２に
溶接によって接合固定される環状の固定部ｃとを一体に
有している。また、ダイヤフラムの加工形成に際して
は、受圧部ａに半径方向に波形の襞を同心円状に付ける
ことで、ダイヤフラムのコンプライアンスを大きくし、
言い換えればダイヤフラムを柔らかくし、荷重−変位の
式を満足する線形域を広くしている。このため、受圧側
面７，８もシールダイヤフラム５，６の受圧部ａと同形
の波形面に形成されている。９は検出器ボディ１の中央
接合面に設けた内室１０を２つの室、すなわち高圧側ボ
ディ内室１０Ａと低圧側ボディ内室１０Ｂとに仕切るセ
ンターダイヤフラム、１１は検出器ボディ１の上部外周
面に加工形成されたヘッダーカバー取付部１２に溶接固
定されたヘッダーカバー、１３はヘッダーカバー１１内
に組み込まれた差圧測定用圧力センサで、この圧力セン
サ１３の半導体ダイヤフラム１４の表裏面にプロセス流
体の高圧ＰH と、低圧ＰL を、検出器ボディ１内の封入
回路１５，１６に封入したシリコンオイル等の圧力伝達
用封入液１７Ａ，１７Ｂを介してそれぞれ伝達するよう
にしている。封入回路１５，１６にはリストリクタ１８
が圧入固定されており、これによってプロセス流体の急
激な圧力変動や脈動を抑制し、前記各ダイヤフラム５，
６，９および圧力センサ１３を保護している。なお、１
９，２０は検出器ボディ１の各側面にＯリング（図示せ
ず）を介して嵌合固定されシールダイヤフラム５，６を
保護するカバーである。
【０００４】このような構成からなる差圧・圧力発信器
において、シールダイヤフラム５，６にプロセス流体の
高圧ＰH と、低圧ＰL をそれぞれ印加すると、この時の
差圧（ＰH −ＰL ）に応じてこれら両ダイヤフラム５，
６が変位し、その変位により封入液１７Ａ，１７Ｂが移
動してセンターダイヤフラム９を変位させ、さらにセン
ターダイヤフラム９の変位が封入液１７Ａ，１７Ｂを介
して圧力センサ１３の半導体ダイヤフラム１４に加えら
れる。したがって、半導体ダイヤフラム１４はその差圧
に応じて歪み、その歪量が電気信号に変換されて取り出
されることで差圧測定が行われる。
において、シールダイヤフラム５，６にプロセス流体の
高圧ＰH と、低圧ＰL をそれぞれ印加すると、この時の
差圧（ＰH −ＰL ）に応じてこれら両ダイヤフラム５，
６が変位し、その変位により封入液１７Ａ，１７Ｂが移
動してセンターダイヤフラム９を変位させ、さらにセン
ターダイヤフラム９の変位が封入液１７Ａ，１７Ｂを介
して圧力センサ１３の半導体ダイヤフラム１４に加えら
れる。したがって、半導体ダイヤフラム１４はその差圧
に応じて歪み、その歪量が電気信号に変換されて取り出
されることで差圧測定が行われる。
【０００５】なお、上記したような従来の差圧・圧力発
信器にあっては、例えば高圧側のシールダイヤフラム５
に対し所定力以上の過大圧力が作用した場合、そのシー
ルダイヤフラム５と受圧側面７との間の封入液１７Ａを
センターダイヤフラム９側に流出させ、シールダイヤフ
ラム５を受圧側面７に着底させることで、シールダイヤ
フラム５，６およびセンターダイヤフラム９の破損等を
防止すると共に、圧力センサ１３に或る所定値以上の圧
力が加わらないように構成してなる、所謂オーバーロー
ド保護機構を採用している。
信器にあっては、例えば高圧側のシールダイヤフラム５
に対し所定力以上の過大圧力が作用した場合、そのシー
ルダイヤフラム５と受圧側面７との間の封入液１７Ａを
センターダイヤフラム９側に流出させ、シールダイヤフ
ラム５を受圧側面７に着底させることで、シールダイヤ
フラム５，６およびセンターダイヤフラム９の破損等を
防止すると共に、圧力センサ１３に或る所定値以上の圧
力が加わらないように構成してなる、所謂オーバーロー
ド保護機構を採用している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の差圧・圧力発信器では、過大圧力によってシ
ールダイヤフラム５（６も同様）が変位してその受圧部
ａが受圧側面７に着底すると、シールダイヤフラム５の
受圧部ａの外周部、つまり変形時に支点となる部分５ａ
が受圧側面７に当たって擦られ塑性変形するため、ヒス
テリシスが発生し、出力値がシフト（この出力シフトを
通称オーバーロードヒステリシスを呼ぶ）してしまうと
いう問題があった。したがって、正確な測定ができなく
なる。また、長時間にわたって過大圧力が作用した場合
には、シールダイヤフラム５の受圧部ａ全体が受圧側面
７に完全に押し付けられて密着するため、過大圧力から
解放されてもシールダイヤフラム５が受圧側面７から直
ぐには離れず、出力が零に戻るのが遅いという問題を生
じ、これをスティックと呼んでいる。このようなスティ
ック現象は、受圧側面７の波形形状に馴染み易く、しか
もそれ自身の弾性力も小さい柔らかい材料（例：モネ
ル、タンタル等）で形成されたシールダイヤフラムにお
いて顕著なものであった。
うな従来の差圧・圧力発信器では、過大圧力によってシ
ールダイヤフラム５（６も同様）が変位してその受圧部
ａが受圧側面７に着底すると、シールダイヤフラム５の
受圧部ａの外周部、つまり変形時に支点となる部分５ａ
が受圧側面７に当たって擦られ塑性変形するため、ヒス
テリシスが発生し、出力値がシフト（この出力シフトを
通称オーバーロードヒステリシスを呼ぶ）してしまうと
いう問題があった。したがって、正確な測定ができなく
なる。また、長時間にわたって過大圧力が作用した場合
には、シールダイヤフラム５の受圧部ａ全体が受圧側面
７に完全に押し付けられて密着するため、過大圧力から
解放されてもシールダイヤフラム５が受圧側面７から直
ぐには離れず、出力が零に戻るのが遅いという問題を生
じ、これをスティックと呼んでいる。このようなスティ
ック現象は、受圧側面７の波形形状に馴染み易く、しか
もそれ自身の弾性力も小さい柔らかい材料（例：モネ
ル、タンタル等）で形成されたシールダイヤフラムにお
いて顕著なものであった。
【０００７】そこで、このような問題を解決する方法と
して、例えば特開平４−１１５１３３号公報に開示され
た差圧伝送器（以下先行発明という）が知られている。
この先行発明は、検出器ボディの側面に凹設した凹陥部
内に焼結金属、セラミック等の多孔質材料で製作したバ
ックアッププレートを嵌合固定し、このプレートの表面
を同心円状の波形面からなるバックアップ面としたもの
である。このような構成においては、バックアッププレ
ートが多孔質材料で製作されていることから封入液を通
すため、バックアップ面とダイヤフラムとの密着力を弱
め、ダイヤフラムがバックアップ面から離れ易くなる。
したがって、ダイヤフラムのスティックを防止すること
ができる。しかしながら、このような先行発明にあって
は、焼結金属、セラミック等の多孔質材料でバックアッ
ププレートを製作しているでの、その製作、特にバック
アップ面を高精度に加工、形成することが難しく、また
検出器ボディへの取り付けに際してはその凹陥部に嵌合
して溶接等によって接合固定する必要があるため、検出
器ボディの製作も面倒であるという問題があった。
して、例えば特開平４−１１５１３３号公報に開示され
た差圧伝送器（以下先行発明という）が知られている。
この先行発明は、検出器ボディの側面に凹設した凹陥部
内に焼結金属、セラミック等の多孔質材料で製作したバ
ックアッププレートを嵌合固定し、このプレートの表面
を同心円状の波形面からなるバックアップ面としたもの
である。このような構成においては、バックアッププレ
ートが多孔質材料で製作されていることから封入液を通
すため、バックアップ面とダイヤフラムとの密着力を弱
め、ダイヤフラムがバックアップ面から離れ易くなる。
したがって、ダイヤフラムのスティックを防止すること
ができる。しかしながら、このような先行発明にあって
は、焼結金属、セラミック等の多孔質材料でバックアッ
ププレートを製作しているでの、その製作、特にバック
アップ面を高精度に加工、形成することが難しく、また
検出器ボディへの取り付けに際してはその凹陥部に嵌合
して溶接等によって接合固定する必要があるため、検出
器ボディの製作も面倒であるという問題があった。
【０００８】したがって、本発明は上記したような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、製作が容易で、シールダイヤフラムを過大圧力か
ら保護すると共に、オーバーロードヒステリシスおよび
スティックが生じないようにした圧力測定装置を提供す
ることにある。
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、製作が容易で、シールダイヤフラムを過大圧力か
ら保護すると共に、オーバーロードヒステリシスおよび
スティックが生じないようにした圧力測定装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１に記載の発明は、外周縁部が検出器ボディに固
定され、検出器ボディ内に封入された封入液と被測定流
体とを隔絶するダイヤフラムの変位によって流体圧を測
定する圧力測定装置において、前記検出器ボディの受圧
側面もしくはこの受圧側面と対向するダイヤフラム面に
高硬度多孔質セラミック膜を形成したことを特徴とす
る。
請求項１に記載の発明は、外周縁部が検出器ボディに固
定され、検出器ボディ内に封入された封入液と被測定流
体とを隔絶するダイヤフラムの変位によって流体圧を測
定する圧力測定装置において、前記検出器ボディの受圧
側面もしくはこの受圧側面と対向するダイヤフラム面に
高硬度多孔質セラミック膜を形成したことを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】過大圧力のためダイヤフラムが検出器ボディ側
に変位すると、受圧側面とダイヤフラムとの空間に封入
されている封入液は検出器ボディ内の封入回路側に排出
され、ダイヤフラムが受圧側面に密着する。このため、
過大圧力から解放されてもシールダイヤフラムは受圧側
面から直ぐには離れず、元の位置に復帰するのに時間が
かかる。そこで、受圧側面もしくはこの受圧側面と対向
するダイヤフラム面に高硬度多孔質セラミック膜を形成
しておくと、セラミック膜は多孔質であることから封入
液を通すため、受圧側面とダイヤフラムとの密着力を弱
め、ダイヤフラムが受圧側面から離れ易くする。したが
って、ダイヤフラムのスティックがなくなる。また、セ
ラミック膜はダイヤフラムに形成されると、ダイヤフラ
ム全体としての硬度を高めるので、受圧側面に当たって
も塑性変形量が少なく、オーバーロードヒステリシスの
発生を軽減防止する。
に変位すると、受圧側面とダイヤフラムとの空間に封入
されている封入液は検出器ボディ内の封入回路側に排出
され、ダイヤフラムが受圧側面に密着する。このため、
過大圧力から解放されてもシールダイヤフラムは受圧側
面から直ぐには離れず、元の位置に復帰するのに時間が
かかる。そこで、受圧側面もしくはこの受圧側面と対向
するダイヤフラム面に高硬度多孔質セラミック膜を形成
しておくと、セラミック膜は多孔質であることから封入
液を通すため、受圧側面とダイヤフラムとの密着力を弱
め、ダイヤフラムが受圧側面から離れ易くする。したが
って、ダイヤフラムのスティックがなくなる。また、セ
ラミック膜はダイヤフラムに形成されると、ダイヤフラ
ム全体としての硬度を高めるので、受圧側面に当たって
も塑性変形量が少なく、オーバーロードヒステリシスの
発生を軽減防止する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明を差圧・圧力発信器に適
用した場合の一実施例を示す要部断面図である。なお、
図中図３および図４と同一構成部材のものに対しては同
一符号を持って示す。同図において、検出器ボディ１内
に封入された封入液１７Ａと被測定流体３０とを隔絶す
る高圧側のシールダイヤフラム５は、燐青銅、ベリルム
銅、ステンレス鋼などの薄膜状金属板を絞り加工によっ
て塑性変形させることでカップ状に形成されることによ
り、円板状の受圧部ａと、受圧部ａの外周に連接された
円筒部ｂと、円筒部ｂの先端に連接され検出器ボディ１
のダイヤフラム取付面２２に溶接３１によって接合固定
される環状の固定部ｃとを一体に有し、また受圧部ａに
は半径方向に波形の襞が同心円状に形成されている。検
出器ボディ１の側面に凹設された凹陥部３２の底面は、
シールダイヤフラム５と同形状の同心円状波形面からな
る受圧側面７を形成しており、その表面には高硬度多孔
質セラミック膜３３が形成されている。
詳細に説明する。図１は本発明を差圧・圧力発信器に適
用した場合の一実施例を示す要部断面図である。なお、
図中図３および図４と同一構成部材のものに対しては同
一符号を持って示す。同図において、検出器ボディ１内
に封入された封入液１７Ａと被測定流体３０とを隔絶す
る高圧側のシールダイヤフラム５は、燐青銅、ベリルム
銅、ステンレス鋼などの薄膜状金属板を絞り加工によっ
て塑性変形させることでカップ状に形成されることによ
り、円板状の受圧部ａと、受圧部ａの外周に連接された
円筒部ｂと、円筒部ｂの先端に連接され検出器ボディ１
のダイヤフラム取付面２２に溶接３１によって接合固定
される環状の固定部ｃとを一体に有し、また受圧部ａに
は半径方向に波形の襞が同心円状に形成されている。検
出器ボディ１の側面に凹設された凹陥部３２の底面は、
シールダイヤフラム５と同形状の同心円状波形面からな
る受圧側面７を形成しており、その表面には高硬度多孔
質セラミック膜３３が形成されている。
【００１２】セラミック膜３３としては、例えばＳｉ3
Ｎ4 、ＴｉＮ，ＴｉＣＮ，ＳｉＯ2，ＳｉＣ，ＡｌＯ
3 ，ＺｒＯ2 等が使用され、その厚みは１〜１０μｍ程
度とされる。このようなセラミック膜３３の形成方法と
しては、ＣＶＤ（Chemical Vaper Deposition）法、Ｐ
ＶＤ（Phisical Vaper Deposition）法、溶射等の周知
の技術によって形成することができる。
Ｎ4 、ＴｉＮ，ＴｉＣＮ，ＳｉＯ2，ＳｉＣ，ＡｌＯ
3 ，ＺｒＯ2 等が使用され、その厚みは１〜１０μｍ程
度とされる。このようなセラミック膜３３の形成方法と
しては、ＣＶＤ（Chemical Vaper Deposition）法、Ｐ
ＶＤ（Phisical Vaper Deposition）法、溶射等の周知
の技術によって形成することができる。
【００１３】なお、図１においては高圧側についてのみ
示したが、低圧側の受圧側面についても高圧側と同様な
高硬度多孔質セラミック膜が形成されている。その他の
構成は図３に示した従来装置と同様である。
示したが、低圧側の受圧側面についても高圧側と同様な
高硬度多孔質セラミック膜が形成されている。その他の
構成は図３に示した従来装置と同様である。
【００１４】かくしてこのような構成からなる差圧・圧
力発信器にあってはシールダイヤフラム５のスティック
およびオーバーロードヒステリシスの発生を軽減防止す
ることができる。すなわち、過大圧力によりシールダイ
ヤフラム５が検出器ボディ１側に変位すると、シールダ
イヤフラム５と受圧側面７との空間に封入されていた封
入液１７Ａは検出器ボディ１内の封入回路１５側に排出
され、シールダイヤフラム５が受圧側面７にセラミック
膜３３を介して着底する。しかし、セラミック膜３３は
多孔質で、内部はもとより表面に多数の微細な孔を有す
ることからシールダイヤフラム５の密着力を弱める。し
たがって、長時間オーバーロードしても過大圧力から解
放されると、シールダイヤフラム５は自身の弾性力によ
り受圧側面７から容易に離れて元の位置に復帰する。し
たがって、スティック現象を生じず、過大圧力から解放
された後、直ちに出力を零に戻すことができる。また、
セラミック膜３３は、溶射、スパッタリング、蒸着、Ｃ
ＶＤ法等によって簡単に形成することができるので、上
記した先行発明に比べて検出器ボディ１の製作が簡単
で、受圧側面７を高精度に加工形成することができる。
力発信器にあってはシールダイヤフラム５のスティック
およびオーバーロードヒステリシスの発生を軽減防止す
ることができる。すなわち、過大圧力によりシールダイ
ヤフラム５が検出器ボディ１側に変位すると、シールダ
イヤフラム５と受圧側面７との空間に封入されていた封
入液１７Ａは検出器ボディ１内の封入回路１５側に排出
され、シールダイヤフラム５が受圧側面７にセラミック
膜３３を介して着底する。しかし、セラミック膜３３は
多孔質で、内部はもとより表面に多数の微細な孔を有す
ることからシールダイヤフラム５の密着力を弱める。し
たがって、長時間オーバーロードしても過大圧力から解
放されると、シールダイヤフラム５は自身の弾性力によ
り受圧側面７から容易に離れて元の位置に復帰する。し
たがって、スティック現象を生じず、過大圧力から解放
された後、直ちに出力を零に戻すことができる。また、
セラミック膜３３は、溶射、スパッタリング、蒸着、Ｃ
ＶＤ法等によって簡単に形成することができるので、上
記した先行発明に比べて検出器ボディ１の製作が簡単
で、受圧側面７を高精度に加工形成することができる。
【００１５】図２は本発明の他の実施例を示す要部断面
図である。この実施例は受圧側面７の代わりにシールダ
イヤフラム５の受圧側面７と対向する面に高硬度多孔質
セラミック膜３３を形成したものである。このような構
成においても過大圧力によりシールダイヤフラム５が受
圧側面７に着底したとき、セラミック膜３３の作用によ
り上記実施例と同様に、シールダイヤフラム５の密着力
を弱めるので、長時間にわたってオーバーロードしても
スティックの発生を防止することができる。また、本実
施例においてはセラミック膜３３はシールダイヤフラム
５全体としての硬度を高めるので、受圧側面７に当たっ
てもシールダイヤフラム５の塑性変形量が少なく、オー
バーロードヒステリシスの発生を軽減防止する。
図である。この実施例は受圧側面７の代わりにシールダ
イヤフラム５の受圧側面７と対向する面に高硬度多孔質
セラミック膜３３を形成したものである。このような構
成においても過大圧力によりシールダイヤフラム５が受
圧側面７に着底したとき、セラミック膜３３の作用によ
り上記実施例と同様に、シールダイヤフラム５の密着力
を弱めるので、長時間にわたってオーバーロードしても
スティックの発生を防止することができる。また、本実
施例においてはセラミック膜３３はシールダイヤフラム
５全体としての硬度を高めるので、受圧側面７に当たっ
てもシールダイヤフラム５の塑性変形量が少なく、オー
バーロードヒステリシスの発生を軽減防止する。
【００１６】なお、図１に示した実施例においては受圧
側面７側に、図２に示した実施例においてはシールダイ
ヤフラム５側に高硬度多孔質セラミック膜３３をそれぞ
れ形成した例を示したが、これに限らず受圧側面７とシ
ールダイヤフラム５の双方にセラミック膜を形成しても
よいことは勿論である。
側面７側に、図２に示した実施例においてはシールダイ
ヤフラム５側に高硬度多孔質セラミック膜３３をそれぞ
れ形成した例を示したが、これに限らず受圧側面７とシ
ールダイヤフラム５の双方にセラミック膜を形成しても
よいことは勿論である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る圧力測
定装置によれば、外周縁部が検出器ボディに固定され、
検出器ボディ内に封入された封入液と被測定流体とを隔
絶するダイヤフラムの変位によって流体圧を測定する圧
力測定装置において、前記検出器ボディの受圧側面もし
くはこの受圧側面と対向するダイヤフラム面に高硬度多
孔質セラミック膜を形成したので、過大圧力のためダイ
ヤフラムが受圧側面に着底しても、その密着力が弱く、
ダイヤフラムのスティックを軽減防止することができ
る。また、セラミック膜をダイヤフラムに形成すると、
ダイヤフラム全体としての硬度が増すため、受圧側面に
当たっても塑性変形量が少なく、オーバーロードヒステ
リシスの発生を軽減防止することができる。
定装置によれば、外周縁部が検出器ボディに固定され、
検出器ボディ内に封入された封入液と被測定流体とを隔
絶するダイヤフラムの変位によって流体圧を測定する圧
力測定装置において、前記検出器ボディの受圧側面もし
くはこの受圧側面と対向するダイヤフラム面に高硬度多
孔質セラミック膜を形成したので、過大圧力のためダイ
ヤフラムが受圧側面に着底しても、その密着力が弱く、
ダイヤフラムのスティックを軽減防止することができ
る。また、セラミック膜をダイヤフラムに形成すると、
ダイヤフラム全体としての硬度が増すため、受圧側面に
当たっても塑性変形量が少なく、オーバーロードヒステ
リシスの発生を軽減防止することができる。
【図１】 本発明を差圧・圧力発信器に適用した場合の
一実施例を示す要部断面図である。
一実施例を示す要部断面図である。
【図２】 本発明の他の実施例を示す要部断面図であ
る。
る。
【図３】 差圧・圧力発信器の従来例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】 要部拡大断面図である。
１…検出器ボディ、５，６…シールダイヤフラム、７…
受圧側面、８…受圧側面、９…センターダイヤフラム、
１０…内室、１３…差圧測定用圧力センサ、１４…半導
体ダイヤフラム、１５…封入回路、１６…封入回路、１
７Ａ，１７Ｂ…圧力伝達用封入液、３０…被測定流体、
３３…セラミック膜、ａ…受圧部、ｂ…円筒部、ｃ…固
定部。
受圧側面、８…受圧側面、９…センターダイヤフラム、
１０…内室、１３…差圧測定用圧力センサ、１４…半導
体ダイヤフラム、１５…封入回路、１６…封入回路、１
７Ａ，１７Ｂ…圧力伝達用封入液、３０…被測定流体、
３３…セラミック膜、ａ…受圧部、ｂ…円筒部、ｃ…固
定部。
Claims (1)
- 【請求項１】 外周縁部が検出器ボディに固定され、検
出器ボディ内に封入された封入液と被測定流体とを隔絶
するダイヤフラムの変位によって流体圧を測定する圧力
測定装置において、前記検出器ボディの受圧側面もしく
はこの受圧側面と対向するダイヤフラム面に高硬度多孔
質セラミック膜を形成したことを特徴とする圧力測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23108794A JPH0894474A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 圧力測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23108794A JPH0894474A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 圧力測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894474A true JPH0894474A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16918088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23108794A Pending JPH0894474A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 圧力測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0894474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849577A1 (de) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | WIKA ALEXANDER WIEGAND GmbH & CO. | Membran für einen Druckmittler |
| DE102007061184A1 (de) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckmesszelle |
| JP2022082688A (ja) * | 2017-10-05 | 2022-06-02 | ニプロ株式会社 | 圧力測定用チャンバ |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP23108794A patent/JPH0894474A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849577A1 (de) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | WIKA ALEXANDER WIEGAND GmbH & CO. | Membran für einen Druckmittler |
| US6209397B1 (en) | 1996-12-18 | 2001-04-03 | Wika Alexander Wiegand Gmbh & Co. | Pressure sensor membrane having stepped annular peripheral surfaces and pressure sensor employing same |
| DE102007061184A1 (de) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckmesszelle |
| US8402836B2 (en) | 2007-12-17 | 2013-03-26 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Pressure difference measuring cell |
| JP2022082688A (ja) * | 2017-10-05 | 2022-06-02 | ニプロ株式会社 | 圧力測定用チャンバ |
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