JPH0897067A - 磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0897067A JPH0897067A JP6254297A JP25429794A JPH0897067A JP H0897067 A JPH0897067 A JP H0897067A JP 6254297 A JP6254297 A JP 6254297A JP 25429794 A JP25429794 A JP 25429794A JP H0897067 A JPH0897067 A JP H0897067A
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- soft magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ビデオテープレコーダやデジタルオ
ーディオテープレコーダ装置、磁気ディスク装置等の磁
気記録装置としての、磁気ヘッドに関するもので、磁気
ヘッドのコア材として微細結晶粒径の飽和磁束密度が高
い、軟磁性薄膜のコア材を提供する事を目的とする。 【構成】本発明は、Ｔａ組成比が１．６〜２．３〔ａｔ
％〕であるＦｅ−Ｔａターゲット４をＡｒ−５０、Ｎ2
−３〜４、Ｏ2−４〜５〔ｓｃｃｍ〕の雰囲気中でスパ
ッタリングし、その後熱処理を行うことにより、軟磁性
薄膜６を製造することを特徴とする磁気ヘッド用軟磁性
薄膜の製造方法としたものである。
ーディオテープレコーダ装置、磁気ディスク装置等の磁
気記録装置としての、磁気ヘッドに関するもので、磁気
ヘッドのコア材として微細結晶粒径の飽和磁束密度が高
い、軟磁性薄膜のコア材を提供する事を目的とする。 【構成】本発明は、Ｔａ組成比が１．６〜２．３〔ａｔ
％〕であるＦｅ−Ｔａターゲット４をＡｒ−５０、Ｎ2
−３〜４、Ｏ2−４〜５〔ｓｃｃｍ〕の雰囲気中でスパ
ッタリングし、その後熱処理を行うことにより、軟磁性
薄膜６を製造することを特徴とする磁気ヘッド用軟磁性
薄膜の製造方法としたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオテープレコーダ
装置や、デジタルオーディオテープレコーダ装置、ハー
ドディスク装置等の、特に高密度磁気記録に適する磁気
ヘッドの軟磁性薄膜に関するものである。
装置や、デジタルオーディオテープレコーダ装置、ハー
ドディスク装置等の、特に高密度磁気記録に適する磁気
ヘッドの軟磁性薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種磁気記録装置に使用されている磁
気ヘッドとしては、その磁気ヘッド用コア材として、高
飽和磁束密度の軟磁性薄膜材料が使用されている。一般
的に、高飽和磁束密度の磁性膜を形成するためには、Ｆ
ｅの含有量を増加させることにより実現される。
気ヘッドとしては、その磁気ヘッド用コア材として、高
飽和磁束密度の軟磁性薄膜材料が使用されている。一般
的に、高飽和磁束密度の磁性膜を形成するためには、Ｆ
ｅの含有量を増加させることにより実現される。
【０００３】しかしながら、上記のように形成された磁
性膜においては、Ｆｅの含有量を増加させた場合、相反
して軟磁性を示しずらくなる。このため、これを解決す
るために、磁性膜を形成するための素材に非磁性の遷移
元素又は半金属元素を添加し、アモルファス合金を作成
し、熱処理により結晶粒径を微細化させ、軟磁性を形成
する方法が実施されている。
性膜においては、Ｆｅの含有量を増加させた場合、相反
して軟磁性を示しずらくなる。このため、これを解決す
るために、磁性膜を形成するための素材に非磁性の遷移
元素又は半金属元素を添加し、アモルファス合金を作成
し、熱処理により結晶粒径を微細化させ、軟磁性を形成
する方法が実施されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように形成する磁性薄膜においては、軟磁性を達成する
ためにアモルファス合金を得る必要があり、このために
非磁性の遷移元素または半金属元素を約２０〔ａｔ％〕
以上添加する必要があり、そのため飽和磁束密度が低く
押さえられてしまうという課題が生じていた。
ように形成する磁性薄膜においては、軟磁性を達成する
ためにアモルファス合金を得る必要があり、このために
非磁性の遷移元素または半金属元素を約２０〔ａｔ％〕
以上添加する必要があり、そのため飽和磁束密度が低く
押さえられてしまうという課題が生じていた。
【０００５】本発明は上記した課題に鑑みて発明された
もので、軟磁性で、飽和磁束密度の高い磁性薄膜の磁気
ヘッド用軟磁性薄膜を形成する事を目的とする。
もので、軟磁性で、飽和磁束密度の高い磁性薄膜の磁気
ヘッド用軟磁性薄膜を形成する事を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明において
は、上記した課題を解決するための手段として、Ｔａ組
成比が１．６〜２．３〔ａｔ％〕であるＦｅ−Ｔａター
ゲットをＡｒ−５０、Ｎ2−３〜４、Ｏ2−４〜５〔ｓｃ
ｃｍ〕の雰囲気中でスパッタリングし、その後熱処理を
行うことにより、軟磁性薄膜を製造することを特徴とす
る磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製造方法としたものであ
る。
は、上記した課題を解決するための手段として、Ｔａ組
成比が１．６〜２．３〔ａｔ％〕であるＦｅ−Ｔａター
ゲットをＡｒ−５０、Ｎ2−３〜４、Ｏ2−４〜５〔ｓｃ
ｃｍ〕の雰囲気中でスパッタリングし、その後熱処理を
行うことにより、軟磁性薄膜を製造することを特徴とす
る磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製造方法としたものであ
る。
【０００７】
【作用】上記方法によれば、本発明に係る磁気ヘッド
は、Ｆｅ組成比が高くても高飽和磁束密度を有する軟磁
性の磁性薄膜が形成される。
は、Ｆｅ組成比が高くても高飽和磁束密度を有する軟磁
性の磁性薄膜が形成される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係る軟磁性薄膜の製造方法を
説明する。図１は本発明に係る磁気ヘッドの軟磁性薄膜
を製造するスパッタリング装置の一実施例を示す概略図
であり、図２は軟磁性薄膜で形成した磁気ヘッドの概略
構成図である。
説明する。図１は本発明に係る磁気ヘッドの軟磁性薄膜
を製造するスパッタリング装置の一実施例を示す概略図
であり、図２は軟磁性薄膜で形成した磁気ヘッドの概略
構成図である。
【０００９】本発明に係る磁気ヘッドの軟磁性薄膜の製
造は、例えば図１で示すＲＦマグネトロンスパッタリン
グ装置１において製造される。そして装置１において、
２，３は雰囲気中のガス調整供給用のバルブ、４はター
ゲット、５はターゲットホルダー、６は磁気ヘッドの軟
磁性薄膜を形成する非磁性基板、７は基板ホルダー、８
は装置１の排気バルブ、９はマグネット、１０は電源で
あり、１１は基板ホルダーの温度調整部である。
造は、例えば図１で示すＲＦマグネトロンスパッタリン
グ装置１において製造される。そして装置１において、
２，３は雰囲気中のガス調整供給用のバルブ、４はター
ゲット、５はターゲットホルダー、６は磁気ヘッドの軟
磁性薄膜を形成する非磁性基板、７は基板ホルダー、８
は装置１の排気バルブ、９はマグネット、１０は電源で
あり、１１は基板ホルダーの温度調整部である。
【００１０】この装置１において、Ｔａ組成比が低いＦ
ｅ−ＴａターゲットをＡｒ、Ｎ2、Ｏ2の雰囲気中でスパ
ッタリングを行うもので、そのスパッタリング条件は以
下の条件とされている。 ターゲット組成 ：Ｔａ−１．６〜２．３〔ａｔ
％〕−ｂａｌ．Ｆｅ スパッタリング雰囲気：Ａｒ−５０、Ｎ2−３〜４、Ｏ2
−４〜５〔ｓｃｃｍ〕 ガス圧 ：０．４〜０．６〔ｍＴｏｒｒ〕 投入電力 ：８．６〜９．９〔Ｗ／ｃｍ2〕 基板温度 ：水冷〜２００〔℃〕 以上の条件でスパッタリング装置１によりスパッタリン
グを行い、基板６に磁性薄膜を形成する。
ｅ−ＴａターゲットをＡｒ、Ｎ2、Ｏ2の雰囲気中でスパ
ッタリングを行うもので、そのスパッタリング条件は以
下の条件とされている。 ターゲット組成 ：Ｔａ−１．６〜２．３〔ａｔ
％〕−ｂａｌ．Ｆｅ スパッタリング雰囲気：Ａｒ−５０、Ｎ2−３〜４、Ｏ2
−４〜５〔ｓｃｃｍ〕 ガス圧 ：０．４〜０．６〔ｍＴｏｒｒ〕 投入電力 ：８．６〜９．９〔Ｗ／ｃｍ2〕 基板温度 ：水冷〜２００〔℃〕 以上の条件でスパッタリング装置１によりスパッタリン
グを行い、基板６に磁性薄膜を形成する。
【００１１】次ぎに、スパッタリングにより基板６に形
成された磁性薄膜に、次ぎの工程として真空中で熱処理
を行うもので、その熱処理条件は； 真空度 ：５×１０-5〔Ｔｏｒｒ〕以下 熱処理温度：５００〜５２０〔℃〕 熱処理時間：３０分保持 磁場強度 ：１０００〔Ｏｅ〕以上（静磁場） 以上の熱処理条件とされているものであり、これにより
磁性薄膜は、微細結晶粒径の高飽和磁束密度の軟磁性薄
膜として形成されることとなる。
成された磁性薄膜に、次ぎの工程として真空中で熱処理
を行うもので、その熱処理条件は； 真空度 ：５×１０-5〔Ｔｏｒｒ〕以下 熱処理温度：５００〜５２０〔℃〕 熱処理時間：３０分保持 磁場強度 ：１０００〔Ｏｅ〕以上（静磁場） 以上の熱処理条件とされているものであり、これにより
磁性薄膜は、微細結晶粒径の高飽和磁束密度の軟磁性薄
膜として形成されることとなる。
【００１２】そして、この軟磁性薄膜はその膜特性とし
て； 飽和磁束密度：１９０００〔Ｇ〕 保磁力 ：０．３〔Ｏｅ〕 透磁率 ：３０００〔ａｔ１ＭＨｚ〕 平均結晶粒径：７０〜１５０〔Å〕 以上の特性を備えた軟磁性薄膜が非磁性基板６上に形成
される。
て； 飽和磁束密度：１９０００〔Ｇ〕 保磁力 ：０．３〔Ｏｅ〕 透磁率 ：３０００〔ａｔ１ＭＨｚ〕 平均結晶粒径：７０〜１５０〔Å〕 以上の特性を備えた軟磁性薄膜が非磁性基板６上に形成
される。
【００１３】次ぎに、本発明に係る軟磁性薄膜を備えた
磁気ヘッドの一実施例について、図２で示す磁気ヘッド
２０について説明すると、図示するように磁気ヘッド２
０は、一対のコア半体２１，２２を接合することによ
り、ギャップ部２３を設けた構成として形成される。
磁気ヘッドの一実施例について、図２で示す磁気ヘッド
２０について説明すると、図示するように磁気ヘッド２
０は、一対のコア半体２１，２２を接合することによ
り、ギャップ部２３を設けた構成として形成される。
【００１４】ここで、コア半体２１，２２は非磁性基板
２４に軟磁性薄膜２５，２６が積層状に形成され、コア
半体２１，２２の軟磁性薄膜２５，２６のギャップ形成
接合面に絶縁膜２８が配設されている。
２４に軟磁性薄膜２５，２６が積層状に形成され、コア
半体２１，２２の軟磁性薄膜２５，２６のギャップ形成
接合面に絶縁膜２８が配設されている。
【００１５】尚、実施例として、上記のビデオ用磁気ベ
ッドについて説明したが、本発明に係る磁気ヘッドとし
ては、ビデオ用磁気ヘッドに限らず、磁気ディスク用磁
気ヘッド等の薄膜タイプの磁気ヘッド等で、高密度記録
を行う磁気ヘッドにも実施することが可能である。
ッドについて説明したが、本発明に係る磁気ヘッドとし
ては、ビデオ用磁気ヘッドに限らず、磁気ディスク用磁
気ヘッド等の薄膜タイプの磁気ヘッド等で、高密度記録
を行う磁気ヘッドにも実施することが可能である。
【００１６】
【発明の効果】上述の如く、本発明に係る磁気ヘッド用
磁性薄膜の製造方法によれば、ターゲットに非磁性の遷
移元素、または半金属元素等の添加量を低くする事でも
微細結晶粒径で、かつ飽和磁束密度が高い、軟磁性薄膜
のコア材を得ることができるという効果が得られるもの
である。
磁性薄膜の製造方法によれば、ターゲットに非磁性の遷
移元素、または半金属元素等の添加量を低くする事でも
微細結晶粒径で、かつ飽和磁束密度が高い、軟磁性薄膜
のコア材を得ることができるという効果が得られるもの
である。
【図１】本発明に係る磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製造装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図２】本発明による軟磁性薄膜基板を実施した磁気ヘ
ッドの概略図である。
ッドの概略図である。
【符号の説明】 １ スパッタリング装置 ２ 雰囲気中のガス調整供給用バルブ ４ ターゲット ５ ターゲットホルダー ６ 磁気ヘッドの軟磁性薄膜を形成する非磁性
基板 ７ 基板ホルダー ８ 装置１の排気バルブ ９ マグネット １０ 電源 １１ 基板ホルダーの温度調整部 ２０ 磁気ヘッド ２１ コア半体 ２２ コア半体 ２３ ギャップ部 ２４ 非磁性基板 ２５ 積層軟磁性薄膜 ２６ ガラス ２７ 冷却水 ２８ 絶縁膜 ２９ シャッター
基板 ７ 基板ホルダー ８ 装置１の排気バルブ ９ マグネット １０ 電源 １１ 基板ホルダーの温度調整部 ２０ 磁気ヘッド ２１ コア半体 ２２ コア半体 ２３ ギャップ部 ２４ 非磁性基板 ２５ 積層軟磁性薄膜 ２６ ガラス ２７ 冷却水 ２８ 絶縁膜 ２９ シャッター
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｔａ組成比が１．６〜２．３〔ａｔ％〕
であるＦｅ−ＴａターゲットをＡｒ−５０、Ｎ2−３〜
４、Ｏ2−４〜５〔ｓｃｃｍ〕の雰囲気中でスパッタリ
ングし、その後熱処理を行うことにより、軟磁性薄膜を
製造することを特徴とする磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254297A JPH0897067A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254297A JPH0897067A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897067A true JPH0897067A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17263026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6254297A Pending JPH0897067A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897067A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100430671B1 (ko) * | 2001-09-08 | 2004-05-10 | 한국전기연구원 | 자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법 |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP6254297A patent/JPH0897067A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100430671B1 (ko) * | 2001-09-08 | 2004-05-10 | 한국전기연구원 | 자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법 |
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