JPH0897182A - 半導体装置のｐｓｇ膜エッチング方法 - Google Patents
半導体装置のｐｓｇ膜エッチング方法Info
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- JPH0897182A JPH0897182A JP6254298A JP25429894A JPH0897182A JP H0897182 A JPH0897182 A JP H0897182A JP 6254298 A JP6254298 A JP 6254298A JP 25429894 A JP25429894 A JP 25429894A JP H0897182 A JPH0897182 A JP H0897182A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ＰＳＧ膜の再結晶が発生せず、また
エッチングにより露出したアルミパッドが変色しないよ
うにした、半導体装置のＰＳＧ膜エッチング方法を提供
することを目的とする。 【構成】半導体装置の表面に形成されたＰＳＧ膜１４の
所望領域を、フッ化水素，酢酸，フッ化アンモニウムの
混合液から成るエッチング液によって、ウェットエッチ
ングして、窓部１４ａを形成するようにした、半導体装
置１０のＰＳＧ膜エッチング方法において、上記ＰＳＧ
膜のウェットエッチングが、先づ、酢酸濃度が比較的低
いエッチング液によって、行なわれ、続いて、酢酸濃度
が比較的高いエッチング液によって、行なわれるよう
に、半導体装置のＰＳＧ膜エッチング方法を構成する。
エッチングにより露出したアルミパッドが変色しないよ
うにした、半導体装置のＰＳＧ膜エッチング方法を提供
することを目的とする。 【構成】半導体装置の表面に形成されたＰＳＧ膜１４の
所望領域を、フッ化水素，酢酸，フッ化アンモニウムの
混合液から成るエッチング液によって、ウェットエッチ
ングして、窓部１４ａを形成するようにした、半導体装
置１０のＰＳＧ膜エッチング方法において、上記ＰＳＧ
膜のウェットエッチングが、先づ、酢酸濃度が比較的低
いエッチング液によって、行なわれ、続いて、酢酸濃度
が比較的高いエッチング液によって、行なわれるよう
に、半導体装置のＰＳＧ膜エッチング方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の表面に形
成された最終保護膜であるＰＳＧ膜の所望領域を、フッ
化水素，酢酸，フッ化アンモニウムの混合液から成るエ
ッチング液によって、ウェットエッチングして、窓部を
形成するようにした、半導体装置のＰＳＧ膜エッチング
方法に関するものである。
成された最終保護膜であるＰＳＧ膜の所望領域を、フッ
化水素，酢酸，フッ化アンモニウムの混合液から成るエ
ッチング液によって、ウェットエッチングして、窓部を
形成するようにした、半導体装置のＰＳＧ膜エッチング
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は、例えば図３に示す
ように構成されている。即ち、図３において、半導体装
置１は、ｐ-型シリコン基板２の表面に対して、熱拡散
等によってｎ+型埋込層３を形成し、該基板２の表面全
体に亘ってエピタキシャル成長等によりｎ-型層４を形
成した後に、該ｎ-型層４の周囲にｐ+型層２ａ，２ｂを
形成することにより、上記ｎ-型層４を分離し、続い
て、該ｎ-型層４の表面に、熱拡散によりｐ型拡散層５
を形成すると共に、該ｐ型拡散層５とｐ+型層２ｂの間
の領域、そしてｐ型拡散層５の表面に、それぞれ熱拡散
によりｎ+型拡散層６ａ，６ｂを形成することにより、
トランジスタが構成されている。
ように構成されている。即ち、図３において、半導体装
置１は、ｐ-型シリコン基板２の表面に対して、熱拡散
等によってｎ+型埋込層３を形成し、該基板２の表面全
体に亘ってエピタキシャル成長等によりｎ-型層４を形
成した後に、該ｎ-型層４の周囲にｐ+型層２ａ，２ｂを
形成することにより、上記ｎ-型層４を分離し、続い
て、該ｎ-型層４の表面に、熱拡散によりｐ型拡散層５
を形成すると共に、該ｐ型拡散層５とｐ+型層２ｂの間
の領域、そしてｐ型拡散層５の表面に、それぞれ熱拡散
によりｎ+型拡散層６ａ，６ｂを形成することにより、
トランジスタが構成されている。
【０００３】このように構成された半導体装置１は、さ
らに、その表面に酸化膜による絶縁層７を形成した後、
該絶縁層７の電極取出し部分に窓部を形成して、下方の
半導体層、即ちｐ型拡散層５，ｎ+型拡散層６ａ及びｎ+
型層６ｂを露出させ、その上から、金属層８を形成す
る。これにより、金属層８により、取出し電極８ａ，８
ｂ，８ｃが形成されることになる。さらに、その上から
最終保護膜であるＰＳＧ膜９をＣＶＤ法等により形成す
る。
らに、その表面に酸化膜による絶縁層７を形成した後、
該絶縁層７の電極取出し部分に窓部を形成して、下方の
半導体層、即ちｐ型拡散層５，ｎ+型拡散層６ａ及びｎ+
型層６ｂを露出させ、その上から、金属層８を形成す
る。これにより、金属層８により、取出し電極８ａ，８
ｂ，８ｃが形成されることになる。さらに、その上から
最終保護膜であるＰＳＧ膜９をＣＶＤ法等により形成す
る。
【０００４】かくして、半導体装置１は、ｐ型拡散層５
がベースとして、ｎ+型拡散層６ａがコレクタとして、
さらにｎ+型拡散層６ｂがエミッタとして、それぞれ作
用するようになっている。
がベースとして、ｎ+型拡散層６ａがコレクタとして、
さらにｎ+型拡散層６ｂがエミッタとして、それぞれ作
用するようになっている。
【０００５】ここで、上記ＰＳＧ膜９は、金属層８の一
部を、アルミパッドとして開放するために、ウェットエ
ッチングにより、窓部９ａが形成される。このウェット
エッチングは、エッチング液として、例えばフッ化水素
ＨＦ，酢酸ＣＨ3ＣＯＯＨ及びフッ化アンモニウムＮＨ4
Ｆの混合液が使用されている。組成比は、一般に、微量
のフッ化水素に対して、酢酸４，フッ化アンモニウム６
の割合である。
部を、アルミパッドとして開放するために、ウェットエ
ッチングにより、窓部９ａが形成される。このウェット
エッチングは、エッチング液として、例えばフッ化水素
ＨＦ，酢酸ＣＨ3ＣＯＯＨ及びフッ化アンモニウムＮＨ4
Ｆの混合液が使用されている。組成比は、一般に、微量
のフッ化水素に対して、酢酸４，フッ化アンモニウム６
の割合である。
【０００６】かくして、このようなエッチング液を使用
することにより、フッ化アンモニウム及びフッ化水素に
よって、ＰＳＧ膜９のウェットエッチングが行なわれる
と共に、酢酸によって、露出せしめられたアルミパッド
（金属層８）の変色が抑制され得る。
することにより、フッ化アンモニウム及びフッ化水素に
よって、ＰＳＧ膜９のウェットエッチングが行なわれる
と共に、酢酸によって、露出せしめられたアルミパッド
（金属層８）の変色が抑制され得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＰＳＧ膜のウェットエッチングにおいては、エッチ
ング液の酢酸濃度が高過ぎると、図４に示すように、Ｐ
ＳＧ膜９の窓部９ａ内に、エッチングされたＰＳＧ膜９
の再結晶９ｂが付着してしまうという問題があった。
うなＰＳＧ膜のウェットエッチングにおいては、エッチ
ング液の酢酸濃度が高過ぎると、図４に示すように、Ｐ
ＳＧ膜９の窓部９ａ内に、エッチングされたＰＳＧ膜９
の再結晶９ｂが付着してしまうという問題があった。
【０００８】本発明は、以上の点に鑑み、ＰＳＧ膜の再
結晶が発生せず、またエッチングにより露出したアルミ
パッドが変色しないようにした、半導体装置のＰＳＧ膜
エッチング方法を提供することを目的としている。
結晶が発生せず、またエッチングにより露出したアルミ
パッドが変色しないようにした、半導体装置のＰＳＧ膜
エッチング方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、半導体装置の表面に形成されたＰＳＧ膜の所望領
域を、フッ化水素，酢酸，フッ化アンモニウムの混合液
から成るエッチング液によって、ウェットエッチングし
て、窓部を形成するようにした、半導体装置のＰＳＧ膜
エッチング方法において、上記ＰＳＧ膜のウェットエッ
チングが、先づ、酢酸濃度が比較的低いエッチング液に
よって、行なわれ、続いて、酢酸濃度が比較的高いエッ
チング液によって、行なわれることを特徴とする、半導
体装置のＰＳＧ膜エッチング方法により、達成される。
れば、半導体装置の表面に形成されたＰＳＧ膜の所望領
域を、フッ化水素，酢酸，フッ化アンモニウムの混合液
から成るエッチング液によって、ウェットエッチングし
て、窓部を形成するようにした、半導体装置のＰＳＧ膜
エッチング方法において、上記ＰＳＧ膜のウェットエッ
チングが、先づ、酢酸濃度が比較的低いエッチング液に
よって、行なわれ、続いて、酢酸濃度が比較的高いエッ
チング液によって、行なわれることを特徴とする、半導
体装置のＰＳＧ膜エッチング方法により、達成される。
【００１０】本発明による方法は、好ましくは最初のウ
ェットエッチングにおけるエッチング液の酢酸濃度が、
酢酸の組成比を小さくすることにより、低減されてい
る。
ェットエッチングにおけるエッチング液の酢酸濃度が、
酢酸の組成比を小さくすることにより、低減されてい
る。
【００１１】また、本発明による方法は、好ましくは、
最初のウェットエッチングにおけるエッチング液の酢酸
濃度が、エッチング液に水を加えることにより、低減さ
れている。
最初のウェットエッチングにおけるエッチング液の酢酸
濃度が、エッチング液に水を加えることにより、低減さ
れている。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、ウェットエッチングの第一
段階にて、酢酸濃度が比較的低いエッチング液によっ
て、ＰＳＧ膜のウェットエッチングが行なわれるので、
エッチングされたＰＳＧ膜が再結晶し、ＰＳＧ膜の窓部
に付着することが抑制され得る。続いて、酢酸濃度が比
較的高いエッチング液によって、ＰＳＧ膜のウェットエ
ッチングが行なわれるので、ＰＳＧ膜の下の金属層が露
出したとき、該金属層の変色が抑制され得ることにな
り、ウェットエッチングが完了することになる。
段階にて、酢酸濃度が比較的低いエッチング液によっ
て、ＰＳＧ膜のウェットエッチングが行なわれるので、
エッチングされたＰＳＧ膜が再結晶し、ＰＳＧ膜の窓部
に付着することが抑制され得る。続いて、酢酸濃度が比
較的高いエッチング液によって、ＰＳＧ膜のウェットエ
ッチングが行なわれるので、ＰＳＧ膜の下の金属層が露
出したとき、該金属層の変色が抑制され得ることにな
り、ウェットエッチングが完了することになる。
【００１３】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１及び図２は、本発明によるエ
ッチング方法を適用した半導体装置の一実施例を示して
いる。
明を詳細に説明する。図１及び図２は、本発明によるエ
ッチング方法を適用した半導体装置の一実施例を示して
いる。
【００１４】図１及び図２において、半導体装置１０
は、ｐ-型シリコン基板１１に対して、各種半導体層
（図示せず）が形成されることにより、半導体装置の各
要素が構成されていると共に、その表面に対して、酸化
膜による絶縁層１２が形成された後、その上から、取出
し電極として使用される金属層１３が形成される。さら
に、その上から最終保護膜であるＰＳＧ膜１４がＣＶＤ
法等により形成される。
は、ｐ-型シリコン基板１１に対して、各種半導体層
（図示せず）が形成されることにより、半導体装置の各
要素が構成されていると共に、その表面に対して、酸化
膜による絶縁層１２が形成された後、その上から、取出
し電極として使用される金属層１３が形成される。さら
に、その上から最終保護膜であるＰＳＧ膜１４がＣＶＤ
法等により形成される。
【００１５】ここで、ＰＳＧ膜１４は、金属層１３の一
部を、アルミパッドとして開放するために、ウェットエ
ッチングにより、窓部１４ａが形成されるが、本実施例
においては、このウェットエッチングは、組成比の異な
るエッチング液を使用した二段階のエッチング工程によ
り、以下のようにして行なわれる。
部を、アルミパッドとして開放するために、ウェットエ
ッチングにより、窓部１４ａが形成されるが、本実施例
においては、このウェットエッチングは、組成比の異な
るエッチング液を使用した二段階のエッチング工程によ
り、以下のようにして行なわれる。
【００１６】即ち、先づ図１に示すように、ＰＳＧ膜１
４の窓部１４ａの領域に対して、第一段階のウェットエ
ッチングが行なわれる。この第一段階のウェットエッチ
ングでは、エッチング液として、酢酸濃度が比較的低い
エッチング液、例えば組成比が、微量のフッ化水素に対
して、酢酸３，フッ化アンモニウム７の割合であるエッ
チング液が使用される。これにより、ＰＳＧ膜１４の再
結晶が抑制されることになる。そして、この第一段階の
ウェットエッチングは、ＰＳＧ膜１４の膜厚が、２００
０乃至３０００Å程度になるまで、行なわれる。
４の窓部１４ａの領域に対して、第一段階のウェットエ
ッチングが行なわれる。この第一段階のウェットエッチ
ングでは、エッチング液として、酢酸濃度が比較的低い
エッチング液、例えば組成比が、微量のフッ化水素に対
して、酢酸３，フッ化アンモニウム７の割合であるエッ
チング液が使用される。これにより、ＰＳＧ膜１４の再
結晶が抑制されることになる。そして、この第一段階の
ウェットエッチングは、ＰＳＧ膜１４の膜厚が、２００
０乃至３０００Å程度になるまで、行なわれる。
【００１７】続いて、図２に示すように、ＰＳＧ膜１４
の窓部１４ａの領域に対して、第二段階のウェットエッ
チングが行なわれる。この第二段階のウェットエッチン
グでは、エッチング液として、酢酸濃度が比較的高いエ
ッチング液、例えば組成比が、微量のフッ化水素に対し
て、酢酸４，フッ化アンモニウム６の割合であるエッチ
ング液が使用される。そして、この第二段階のウェット
エッチングは、窓部１４ａの領域にて、ＰＳＧ膜１４
が、完全に除去されるまで、行なわれる。これにより、
ＰＳＧ膜１４の下の金属層１３が露出して、アルミパッ
ドが形成されることになる。この場合、エッチング液
は、酢酸濃度が比較的高いことから、アルミパッドの変
色が抑制され得ることになる。
の窓部１４ａの領域に対して、第二段階のウェットエッ
チングが行なわれる。この第二段階のウェットエッチン
グでは、エッチング液として、酢酸濃度が比較的高いエ
ッチング液、例えば組成比が、微量のフッ化水素に対し
て、酢酸４，フッ化アンモニウム６の割合であるエッチ
ング液が使用される。そして、この第二段階のウェット
エッチングは、窓部１４ａの領域にて、ＰＳＧ膜１４
が、完全に除去されるまで、行なわれる。これにより、
ＰＳＧ膜１４の下の金属層１３が露出して、アルミパッ
ドが形成されることになる。この場合、エッチング液
は、酢酸濃度が比較的高いことから、アルミパッドの変
色が抑制され得ることになる。
【００１８】尚、第二段階のウェットエッチングにおい
ては、窓部１４ａにおけるＰＳＧ膜１４の膜厚は、上述
したように、２０００乃至３０００Å程度であるので、
エッチングされたＰＳＧ膜１４の再結晶が、該窓部１４
ａ内に付着することが抑制され得ることになる。
ては、窓部１４ａにおけるＰＳＧ膜１４の膜厚は、上述
したように、２０００乃至３０００Å程度であるので、
エッチングされたＰＳＧ膜１４の再結晶が、該窓部１４
ａ内に付着することが抑制され得ることになる。
【００１９】上記実施例においては、第一段階のウェッ
トエッチングにおけるエッチング液の酢酸濃度を低減す
るために、酢酸の組成比を小さくするようにしている
が、これに限らず、相対的に酢酸濃度が低減されればよ
く、例えば第二段階のウェットエッチングにおけるエッ
チング液に対して、水を加えることにより、酢酸濃度を
低減するようにしてもよいことは明らかである。
トエッチングにおけるエッチング液の酢酸濃度を低減す
るために、酢酸の組成比を小さくするようにしている
が、これに限らず、相対的に酢酸濃度が低減されればよ
く、例えば第二段階のウェットエッチングにおけるエッ
チング液に対して、水を加えることにより、酢酸濃度を
低減するようにしてもよいことは明らかである。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ウ
ェットエッチングの第一段階にて、酢酸濃度が比較的低
いエッチング液によって、ＰＳＧ膜のウェットエッチン
グが行なわれるので、エッチングされたＰＳＧ膜が再結
晶し、ＰＳＧ膜の窓部に付着することが抑制され得る。
続いて、酢酸濃度が比較的高いエッチング液によって、
ＰＳＧ膜のウェットエッチングが行なわれるので、ＰＳ
Ｇ膜の下の金属層が露出したとき、該金属層の変色が抑
制され得ることになり、ウェットエッチングが完了する
ことになる。
ェットエッチングの第一段階にて、酢酸濃度が比較的低
いエッチング液によって、ＰＳＧ膜のウェットエッチン
グが行なわれるので、エッチングされたＰＳＧ膜が再結
晶し、ＰＳＧ膜の窓部に付着することが抑制され得る。
続いて、酢酸濃度が比較的高いエッチング液によって、
ＰＳＧ膜のウェットエッチングが行なわれるので、ＰＳ
Ｇ膜の下の金属層が露出したとき、該金属層の変色が抑
制され得ることになり、ウェットエッチングが完了する
ことになる。
【００２１】かくして、本発明によれば、ＰＳＧ膜の再
結晶が発生せず、またエッチングにより露出したアルミ
パッドが変色しないようにした、極めて優れた半導体装
置のＰＳＧ膜エッチング方法が提供され得ることにな
る。
結晶が発生せず、またエッチングにより露出したアルミ
パッドが変色しないようにした、極めて優れた半導体装
置のＰＳＧ膜エッチング方法が提供され得ることにな
る。
【図１】本発明による半導体装置のＰＳＧ膜エッチング
方法の一実施例における第一段階のウェットエッチング
後の状態を示す概略断面図である。
方法の一実施例における第一段階のウェットエッチング
後の状態を示す概略断面図である。
【図２】本発明による半導体装置のＰＳＧ膜エッチング
方法の一実施例における第二段階のウェットエッチング
後の状態を示す概略断面図である。
方法の一実施例における第二段階のウェットエッチング
後の状態を示す概略断面図である。
【図３】従来の半導体装置の一例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図４】図３の半導体装置のＰＳＧ膜エッチングにより
再結晶が付着した状態を示す概略断面図である。
再結晶が付着した状態を示す概略断面図である。
１０ 半導体装置 １１ 半導体基板 １２ 絶縁層 １３ 金属層 １４ ＰＳＧ膜 １４ａ 窓部
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置の表面に形成されたＰＳＧ膜
の所望領域を、フッ化水素，酢酸，フッ化アンモニウム
の混合液から成るエッチング液によって、ウェットエッ
チングして、窓部を形成するようにした、半導体装置の
ＰＳＧ膜エッチング方法において、 上記ＰＳＧ膜のウェットエッチングが、先づ、酢酸濃度
が比較的低いエッチング液によって、行なわれ、続い
て、酢酸濃度が比較的高いエッチング液によって、行な
われることを特徴とする、半導体装置のＰＳＧ膜エッチ
ング方法。 - 【請求項２】 最初のウェットエッチングにおけるエッ
チング液の酢酸濃度が、酢酸の組成比を小さくすること
により、低減されていることを特徴とする、請求項１に
記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 最初のウェットエッチングにおけるエッ
チング液の酢酸濃度が、エッチング液に水を加えること
により、低減されていることを特徴とする、請求項１に
記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254298A JPH0897182A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体装置のｐｓｇ膜エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254298A JPH0897182A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体装置のｐｓｇ膜エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897182A true JPH0897182A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17263041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6254298A Pending JPH0897182A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体装置のｐｓｇ膜エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897182A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110993725A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-04-10 | 福建福顺微电子有限公司 | 一种psg钝化层压点腐蚀方法 |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP6254298A patent/JPH0897182A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110993725A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-04-10 | 福建福顺微电子有限公司 | 一种psg钝化层压点腐蚀方法 |
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