JPH09100196A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH09100196A JPH09100196A JP25991495A JP25991495A JPH09100196A JP H09100196 A JPH09100196 A JP H09100196A JP 25991495 A JP25991495 A JP 25991495A JP 25991495 A JP25991495 A JP 25991495A JP H09100196 A JPH09100196 A JP H09100196A
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- JP
- Japan
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- plasma cvd
- reaction tank
- cvd apparatus
- substrate
- vacuum
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構造が簡単で作業性の高いプラズマＣＶＤ装
置を提供する。 【解決手段】 円柱形状の基体３の表面にプラズマＣＶ
Ｄ法により薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置におい
て、原料ガスに放電電圧を印加するための基体３及び電
極２と、上記原料ガスを放電させて基体３に成膜する系
と、減圧するための系とを兼ねる真空反応槽１３とから
成り、電極２と真空反応槽１３とは一体的に構成される
ものである。また、上記プラズマＣＶＤ装置によれば、
真空槽と反応槽とを一体的に構成することで、プラズマ
ＣＶＤ装置の小型化が実現できて、かつ装置が単純な構
成になるためメンテナンスが容易になるとともに作業性
が向上して、さらに安価な装置を提供することが可能に
なる。
置を提供する。 【解決手段】 円柱形状の基体３の表面にプラズマＣＶ
Ｄ法により薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置におい
て、原料ガスに放電電圧を印加するための基体３及び電
極２と、上記原料ガスを放電させて基体３に成膜する系
と、減圧するための系とを兼ねる真空反応槽１３とから
成り、電極２と真空反応槽１３とは一体的に構成される
ものである。また、上記プラズマＣＶＤ装置によれば、
真空槽と反応槽とを一体的に構成することで、プラズマ
ＣＶＤ装置の小型化が実現できて、かつ装置が単純な構
成になるためメンテナンスが容易になるとともに作業性
が向上して、さらに安価な装置を提供することが可能に
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基体表面にプラズ
マ化学気相成長法により薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
装置に関する。
マ化学気相成長法により薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来において、円柱形状の基体１０４に
成膜するためのプラズマＣＶＤ装置は、図９に示すよう
に、排気管１０６が接続された主真空槽１０１の内部に
供給管１０７と接続するとともに基体１０４に薄膜形成
する系を提供する反応槽１０３が配設される。
成膜するためのプラズマＣＶＤ装置は、図９に示すよう
に、排気管１０６が接続された主真空槽１０１の内部に
供給管１０７と接続するとともに基体１０４に薄膜形成
する系を提供する反応槽１０３が配設される。
【０００３】上記プラズマＣＶＤ装置によれば、主真空
槽１０１は排気管１０６より減圧され、また、反応槽１
０２には原料ガスが供給管１０７より供給される。この
とき、反応槽１０２にて、電源１０５により正の電圧が
印加された電極１０３と、接地電位の基体１０４との間
で形成される電界に応じてグロー放電を起こし、基体１
０４と電極１０３との間にできる隙間１０８で生じる気
圧差を利用してプラズマ化された原料ガスが基体１０４
に蒸着して薄膜が形成される。
槽１０１は排気管１０６より減圧され、また、反応槽１
０２には原料ガスが供給管１０７より供給される。この
とき、反応槽１０２にて、電源１０５により正の電圧が
印加された電極１０３と、接地電位の基体１０４との間
で形成される電界に応じてグロー放電を起こし、基体１
０４と電極１０３との間にできる隙間１０８で生じる気
圧差を利用してプラズマ化された原料ガスが基体１０４
に蒸着して薄膜が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図９に示し
たようなプラズマＣＶＤ装置では、真空容器が主真空槽
１０１と反応槽１０２とで２重に構成されている。従っ
て、主真空槽１０１は、反応槽１０２及び該反応槽１０
２の付属部品を配設する必要があることから、ある程度
大きい容積を必要とする。
たようなプラズマＣＶＤ装置では、真空容器が主真空槽
１０１と反応槽１０２とで２重に構成されている。従っ
て、主真空槽１０１は、反応槽１０２及び該反応槽１０
２の付属部品を配設する必要があることから、ある程度
大きい容積を必要とする。
【０００５】よって、排気管１０６の先には、この容積
分を真空にする程度の排気能力が必要になり、これとと
もに、主真空槽の方にも各導入端子を設ける必要があ
り、構造が複雑になってしまうばかりでなく、メンテナ
ンス等においても作業性を考慮した構造にする工夫が必
要になり、その結果、装置が大型化してしまいコストも
上がってしまう。
分を真空にする程度の排気能力が必要になり、これとと
もに、主真空槽の方にも各導入端子を設ける必要があ
り、構造が複雑になってしまうばかりでなく、メンテナ
ンス等においても作業性を考慮した構造にする工夫が必
要になり、その結果、装置が大型化してしまいコストも
上がってしまう。
【０００６】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みてな
されたものであり、構造が簡単で作業性の高いプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
されたものであり、構造が簡単で作業性の高いプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマＣ
ＶＤ装置は、基体表面にプラズマ化学気相成長法により
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、原料気体
に放電電圧を印加するするための電極と、上記原料気体
を放電させて上記基体に成膜する系と、減圧するための
系とを兼ねる真空反応槽とから成り、上記真空反応槽の
少なくとも一部は導電性の材質から成るとともに上記電
極の一方を形成し、上記基体は上記電極の他方を形成す
ることを特徴とすることで、上述の問題を解決する。
ＶＤ装置は、基体表面にプラズマ化学気相成長法により
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、原料気体
に放電電圧を印加するするための電極と、上記原料気体
を放電させて上記基体に成膜する系と、減圧するための
系とを兼ねる真空反応槽とから成り、上記真空反応槽の
少なくとも一部は導電性の材質から成るとともに上記電
極の一方を形成し、上記基体は上記電極の他方を形成す
ることを特徴とすることで、上述の問題を解決する。
【０００８】上記プラズマＣＶＤ装置によれば、真空反
応槽には原料気体が供給されるとともに内部が減圧され
る。また、真空反応槽の少なくとも一部は電極にもなっ
ており、電圧が印加されると、上記原料気体は他方の電
極を形成している基体と真空反応槽との間で生じる電界
が印加されグロー放電を起こし、プラズマ化する。この
プラズマが、基体に蒸着し薄膜が基体上に形成される。
ここで、真空槽と反応槽とを一体的に構成し真空反応槽
とすることで、構成が簡単になり、メンテナンスも容易
になる。
応槽には原料気体が供給されるとともに内部が減圧され
る。また、真空反応槽の少なくとも一部は電極にもなっ
ており、電圧が印加されると、上記原料気体は他方の電
極を形成している基体と真空反応槽との間で生じる電界
が印加されグロー放電を起こし、プラズマ化する。この
プラズマが、基体に蒸着し薄膜が基体上に形成される。
ここで、真空槽と反応槽とを一体的に構成し真空反応槽
とすることで、構成が簡単になり、メンテナンスも容易
になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置が適用される具体的な例について、図面を参照し
ながら説明する。
Ｄ装置が適用される具体的な例について、図面を参照し
ながら説明する。
【００１０】上記プラズマＣＶＤ装置は、図１に示すよ
うに、例えば円柱形状の基体３の表面にプラズマ化学気
相成長（ＣＶＤ：chemical vapor deposition ）法によ
り薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、原料ガ
スに放電電圧を印加するための基体３及び電極２と、上
記原料ガスを放電させて基体３に成膜する系と、減圧す
るための系とを兼ねる真空反応槽１３とから成り、電極
２と真空反応槽１３とは一体的に構成されるものであ
る。
うに、例えば円柱形状の基体３の表面にプラズマ化学気
相成長（ＣＶＤ：chemical vapor deposition ）法によ
り薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、原料ガ
スに放電電圧を印加するための基体３及び電極２と、上
記原料ガスを放電させて基体３に成膜する系と、減圧す
るための系とを兼ねる真空反応槽１３とから成り、電極
２と真空反応槽１３とは一体的に構成されるものであ
る。
【００１１】すなわち、真空反応槽１３は、上下一組の
例えば絶縁性材質で円形状の反応槽板１と、この反応槽
板１の円の端部に沿って形成される金属材質で円筒形状
の電極２とから構成されている。なお、反応槽板１を絶
縁性材質に限らず導電性の材質で構成してもよい。
例えば絶縁性材質で円形状の反応槽板１と、この反応槽
板１の円の端部に沿って形成される金属材質で円筒形状
の電極２とから構成されている。なお、反応槽板１を絶
縁性材質に限らず導電性の材質で構成してもよい。
【００１２】また、例えば、基体３に成膜する薄膜は、
ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ：diamond like carbo
n ）薄膜であることが挙げられる。この場合、原料ガス
として、メタン、アセチレン、ベンゼン、エチレン等の
炭化水素ガスが用いられる。このとき、真空反応槽１３
の電極２はアノードを形成し、基体３はカソード１を形
成する。
ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ：diamond like carbo
n ）薄膜であることが挙げられる。この場合、原料ガス
として、メタン、アセチレン、ベンゼン、エチレン等の
炭化水素ガスが用いられる。このとき、真空反応槽１３
の電極２はアノードを形成し、基体３はカソード１を形
成する。
【００１３】図２には、上記プラズマＣＶＤ装置の断面
図を示す。
図を示す。
【００１４】図２において、ガス導入口５は電極２に設
けられており、原料ガスが真空反応槽１３に導入され
る。また、上下の各反応槽板１には、排気口６が設けら
れ、さらに排気口６には、真空反応槽１３から排気され
るガスの流出速度を制御する排気制御手段としてのバル
ブ７が設けられている。また、真空反応槽１３の内部
は、このバルブ７の先に配設されている図示されない真
空ポンプを備えた減圧系より減圧される。
けられており、原料ガスが真空反応槽１３に導入され
る。また、上下の各反応槽板１には、排気口６が設けら
れ、さらに排気口６には、真空反応槽１３から排気され
るガスの流出速度を制御する排気制御手段としてのバル
ブ７が設けられている。また、真空反応槽１３の内部
は、このバルブ７の先に配設されている図示されない真
空ポンプを備えた減圧系より減圧される。
【００１５】図１及び図２によれば、真空槽と反応槽と
を一体的に構成することで、プラズマＣＶＤ装置の小型
化が実現できて、かつ装置が単純な構成になるためメン
テナンスが容易になるとともに作業性が向上して、さら
に安価な装置を提供することが可能になる。
を一体的に構成することで、プラズマＣＶＤ装置の小型
化が実現できて、かつ装置が単純な構成になるためメン
テナンスが容易になるとともに作業性が向上して、さら
に安価な装置を提供することが可能になる。
【００１６】ここで、図１及び図２において、電極２は
上述のように導電性を持たせるために金属材質でかつ反
応槽板１の端部に沿って取り付けられるように円筒形状
をしており、また、電極２の表面の複数箇所にガス導入
口５が配設されている。
上述のように導電性を持たせるために金属材質でかつ反
応槽板１の端部に沿って取り付けられるように円筒形状
をしており、また、電極２の表面の複数箇所にガス導入
口５が配設されている。
【００１７】基体３は、一対の反応槽板１に対して隙間
を有して、対称となる位置に設置される。また、原料ガ
スに印加する放電電圧を発生させるための直流電源であ
る電池４の正極側は電極２に接続され、負極側は接地さ
れるとともに基体３に接続されている。また、基体３そ
のものにＤＬＣ薄膜を形成してもよいが、例えば基体３
にフィルムを巻き付けて当該フィルムにＤＬＣ薄膜を形
成してもよい。
を有して、対称となる位置に設置される。また、原料ガ
スに印加する放電電圧を発生させるための直流電源であ
る電池４の正極側は電極２に接続され、負極側は接地さ
れるとともに基体３に接続されている。また、基体３そ
のものにＤＬＣ薄膜を形成してもよいが、例えば基体３
にフィルムを巻き付けて当該フィルムにＤＬＣ薄膜を形
成してもよい。
【００１８】排気口６は、両方の反応槽板１に設けられ
ており、排気口６の先にはバルブ７が設けられ、このバ
ルブ７にて排出口６から排出されるガスの流量が制御さ
れる。
ており、排気口６の先にはバルブ７が設けられ、このバ
ルブ７にて排出口６から排出されるガスの流量が制御さ
れる。
【００１９】また、図３に上記プラズマＣＶＤ装置の第
２の具体例の断面図を示す。以下の具体例では、図１及
び図２に示したプラズマＣＶＤ装置と。同一の図番号が
付与された部分の説明について、特にことわりがない場
合は、図１及び図２のものと同様の機能を有することと
する。
２の具体例の断面図を示す。以下の具体例では、図１及
び図２に示したプラズマＣＶＤ装置と。同一の図番号が
付与された部分の説明について、特にことわりがない場
合は、図１及び図２のものと同様の機能を有することと
する。
【００２０】図３において、基体３はモータ８の回転軸
９により回転可能に支持される。このように構成するこ
とで、ＤＬＣ薄膜の成膜させながら基体３を回転させる
ことで、より均一のＤＬＣ薄膜を成膜することが可能に
なる。
９により回転可能に支持される。このように構成するこ
とで、ＤＬＣ薄膜の成膜させながら基体３を回転させる
ことで、より均一のＤＬＣ薄膜を成膜することが可能に
なる。
【００２１】図４に上記プラズマＣＶＤ装置の第３の具
体例の断面図を示す。
体例の断面図を示す。
【００２２】図４において、紙面において上下両側に基
体３を反応槽板１から離すように支持するために円板１
０が、基体３と反応槽板１との間に挿入されている。ま
た、円板１０は片方の面に支持部材が配設され、該支持
部材にて反応槽板１に取り付けられ、他方の面は基体３
と対向している。これにより、反応槽板１と円板１０と
の間に僅かな隙間が形成される。真空反応槽１３からガ
スが排気口６より排気される際に、この隙間がノズルと
して機能し、ガスの流出量を制御する、すなわち上記バ
ルブ７と同様の動作を行う。従って、真空反応槽１３の
圧力を制御することができる。なお、図４ではガスの流
出量を制御するバルブ７を設けているが、円板１０を設
けることでバルブ７を省略したり、開閉のみのバルブに
変更可能である。
体３を反応槽板１から離すように支持するために円板１
０が、基体３と反応槽板１との間に挿入されている。ま
た、円板１０は片方の面に支持部材が配設され、該支持
部材にて反応槽板１に取り付けられ、他方の面は基体３
と対向している。これにより、反応槽板１と円板１０と
の間に僅かな隙間が形成される。真空反応槽１３からガ
スが排気口６より排気される際に、この隙間がノズルと
して機能し、ガスの流出量を制御する、すなわち上記バ
ルブ７と同様の動作を行う。従って、真空反応槽１３の
圧力を制御することができる。なお、図４ではガスの流
出量を制御するバルブ７を設けているが、円板１０を設
けることでバルブ７を省略したり、開閉のみのバルブに
変更可能である。
【００２３】図５に上記プラズマＣＶＤ装置の第４の具
体例の断面図を示す。
体例の断面図を示す。
【００２４】また、図５に示すように、大型の基体１１
に成膜する場合、円板１０を配設しなくても、基体１１
と反応槽板１との間に隙間を設け、上述のように、真空
反応槽１３からガスが排気口６より排気される際に、こ
の隙間がノズルとして機能することで、真空反応槽１３
の圧力を調節することができる。なお、円板１０を設け
たときと同様に、基体１１と反応槽板１との間に狭い隙
間を設けることで、バルブを省略したり、開閉のみのバ
ルブに変更可能である。
に成膜する場合、円板１０を配設しなくても、基体１１
と反応槽板１との間に隙間を設け、上述のように、真空
反応槽１３からガスが排気口６より排気される際に、こ
の隙間がノズルとして機能することで、真空反応槽１３
の圧力を調節することができる。なお、円板１０を設け
たときと同様に、基体１１と反応槽板１との間に狭い隙
間を設けることで、バルブを省略したり、開閉のみのバ
ルブに変更可能である。
【００２５】また、図６に上記プラズマＣＶＤ装置の第
５の具体例の断面図を示す。なお、上記円板１０の代わ
りに設けられたオリフィス１２が真空反応槽１３の圧力
を調節している例が示される。
５の具体例の断面図を示す。なお、上記円板１０の代わ
りに設けられたオリフィス１２が真空反応槽１３の圧力
を調節している例が示される。
【００２６】図６において、オリフィス１２は排出口６
の内部で反応槽板１の内壁に沿って設けられている。こ
のようにすることで、オリフィス１２が形成する隙間に
よりノズルが形成されたようになり、真空反応槽１３か
らの排気口６へのガスの流出量が制御される。従って、
真空反応槽１３の圧力を制御することが可能になる。な
お、図６においても、上記円板１０を設けたときと同様
に、オリフィス１２を設けることで、バルブ７を省略し
たり、開閉のみのバルブに変更可能である。
の内部で反応槽板１の内壁に沿って設けられている。こ
のようにすることで、オリフィス１２が形成する隙間に
よりノズルが形成されたようになり、真空反応槽１３か
らの排気口６へのガスの流出量が制御される。従って、
真空反応槽１３の圧力を制御することが可能になる。な
お、図６においても、上記円板１０を設けたときと同様
に、オリフィス１２を設けることで、バルブ７を省略し
たり、開閉のみのバルブに変更可能である。
【００２７】また、図７に上記プラズマＣＶＤ装置の第
６の具体例の断面図を示す。なお、放電電圧を発生させ
る電源として直流電源である電池４の代わりに、交流電
源１５が用いられる例を示す。
６の具体例の断面図を示す。なお、放電電圧を発生させ
る電源として直流電源である電池４の代わりに、交流電
源１５が用いられる例を示す。
【００２８】図７において、交流電源１５は一端が接地
されるとともに基体３に接続され、他端が電極２に接続
される。このようにすることで、直流電源を用いなくて
もアノード及びカソードが形成される。すなわち、電極
２がアノード、基体３がカソードとして機能し、図２に
示したプラズマＣＶＤ装置と同様に動作する。
されるとともに基体３に接続され、他端が電極２に接続
される。このようにすることで、直流電源を用いなくて
もアノード及びカソードが形成される。すなわち、電極
２がアノード、基体３がカソードとして機能し、図２に
示したプラズマＣＶＤ装置と同様に動作する。
【００２９】図８に、上記プラズマＣＶＤ装置の第７の
具体例の断面図を示す。
具体例の断面図を示す。
【００３０】図８において、排気口６及びバルブ７が上
面部分に１箇所のみ配設されている。このように、排気
口を２箇所ではなく１箇所にしてもよい。
面部分に１箇所のみ配設されている。このように、排気
口を２箇所ではなく１箇所にしてもよい。
【００３１】以上、本発明を適用した具体例について説
明したが、これに限定されることなく種々の変更が可能
である。例えば、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置によ
り成膜される薄膜はＤＬＣ薄膜に限らず、例えば窒化チ
タンやシアノチタンを用いた硬質膜としてもよい。
明したが、これに限定されることなく種々の変更が可能
である。例えば、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置によ
り成膜される薄膜はＤＬＣ薄膜に限らず、例えば窒化チ
タンやシアノチタンを用いた硬質膜としてもよい。
【００３２】また、成膜する基体として円柱形状の基体
を用いたが、他に平面な基体を用いて当該基体に薄膜を
成膜してもよい。
を用いたが、他に平面な基体を用いて当該基体に薄膜を
成膜してもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマＣＶＤ装置によれば、真空槽と反応槽とを一体的に
構成することで、装置の小型化が実現できて、かつ装置
が単純な構成になるためメンテナンスが容易になるとと
もに作業性が向上して、さらに安価な装置を提供するこ
とが可能になる。
ズマＣＶＤ装置によれば、真空槽と反応槽とを一体的に
構成することで、装置の小型化が実現できて、かつ装置
が単純な構成になるためメンテナンスが容易になるとと
もに作業性が向上して、さらに安価な装置を提供するこ
とが可能になる。
【図１】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第１の具体
例の一部を切り欠いて示す斜視図である。
例の一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図２】上記プラズマＣＶＤ装置の第１の具体例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】上記プラズマＣＶＤ装置の第２の具体例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】上記プラズマＣＶＤ装置の第３の具体例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】上記プラズマＣＶＤ装置の第４の具体例を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】上記プラズマＣＶＤ装置の第５の具体例を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】上記プラズマＣＶＤ装置の第６の具体例を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】上記プラズマＣＶＤ装置の第７の具体例を示す
断面図である。
断面図である。
【図９】従来のプラズマＣＶＤ装置を示す断面図であ
る。
る。
１ 反応槽板 ２ 電極 ３ 基体 ４ 電池 ７ バルブ １１ 基体 １２ オリフィス １３ 真空反応槽 １５ 交流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 30/02 Ｃ３０Ｂ 30/02 (72)発明者 外崎 峰広 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 本庄 禎治 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 基体表面にプラズマ化学気相成長法によ
り薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、 原料気体に放電電圧を印加するするための電極と、 上記原料気体を放電させて上記基体に成膜する系と、減
圧するための系とを兼ねる真空反応槽とから成り、 上記真空反応槽の少なくとも一部は導電性の材質から成
るとともに上記電極の一方を形成し、上記基体は上記電
極の他方を形成することを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。 - 【請求項２】 上記反応槽から排気される気体の流出速
度を制御する排気制御手段を設けることを特徴とする請
求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 上記放電電圧は、直流電源により発生さ
せることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装
置。 - 【請求項４】 上記基体に成膜する薄膜は、ダイヤモン
ド状カーボン薄膜であり、上記真空反応槽はアノードを
形成し、上記基体はカソードを形成することを特徴とす
る請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 上記基体を回転させる回転機構を備える
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 上記放電電圧は、交流電源により発生さ
せることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25991495A JPH09100196A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25991495A JPH09100196A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09100196A true JPH09100196A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17340689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25991495A Withdrawn JPH09100196A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09100196A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1700905A1 (en) | 2005-03-07 | 2006-09-13 | The Procter & Gamble Company | Detergent or bleach compositions |
-
1995
- 1995-10-06 JP JP25991495A patent/JPH09100196A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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