JPH0910544A - 除害装置及び成膜装置及びエッチング装置 - Google Patents
除害装置及び成膜装置及びエッチング装置Info
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- JPH0910544A JPH0910544A JP16108095A JP16108095A JPH0910544A JP H0910544 A JPH0910544 A JP H0910544A JP 16108095 A JP16108095 A JP 16108095A JP 16108095 A JP16108095 A JP 16108095A JP H0910544 A JPH0910544 A JP H0910544A
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Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】反応ガスを活性化して成膜を行うチャンバと該
チャンバ内を排気する排気装置との間に設けられ、チャ
ンバからの排出ガスを処理して反応生成物を除去する除
外装置に関し、成膜チャンバから排出された未反応の反
応ガスから反応生成物を捕獲するとともに、該反応生成
物の逆流を阻止することにより成膜チャンバ内の汚染を
防止し、また安全性が高められた除外装置を提供する。 【構成】処理すべき反応ガスが導入されるガス導入口１
と、対の電極４ａ，４ｂが設けられ、対の電極４ａ，４
ｂ間に電圧を印加することにより導入された反応ガスを
プラズマ化し、一方の電極４ｂに反応生成物を付着させ
て捕獲する反応室３と、処理後の反応ガスを排出する排
気口８と、ガス導入口１から反応室に至る反応ガスの入
口側通流路２と、反応室３から排気口８に至る反応ガス
の出口側通流路７と、入口側通流路２に設けられた反応
ガスの逆流防止手段１１とを含み構成する。
チャンバ内を排気する排気装置との間に設けられ、チャ
ンバからの排出ガスを処理して反応生成物を除去する除
外装置に関し、成膜チャンバから排出された未反応の反
応ガスから反応生成物を捕獲するとともに、該反応生成
物の逆流を阻止することにより成膜チャンバ内の汚染を
防止し、また安全性が高められた除外装置を提供する。 【構成】処理すべき反応ガスが導入されるガス導入口１
と、対の電極４ａ，４ｂが設けられ、対の電極４ａ，４
ｂ間に電圧を印加することにより導入された反応ガスを
プラズマ化し、一方の電極４ｂに反応生成物を付着させ
て捕獲する反応室３と、処理後の反応ガスを排出する排
気口８と、ガス導入口１から反応室に至る反応ガスの入
口側通流路２と、反応室３から排気口８に至る反応ガス
の出口側通流路７と、入口側通流路２に設けられた反応
ガスの逆流防止手段１１とを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、除害装置及び成膜装置
及びエッチング装置に関し、更に詳しく言えば、反応ガ
スにより成膜またはエッチングを行うチャンバと該チャ
ンバ内を排気する排気装置との間に設けられ、チャンバ
からの排出ガスを処理して反応生成物を除去する除害装
置及びこの除害装置の接続された成膜装置及びエッチン
グ装置に関する。
及びエッチング装置に関し、更に詳しく言えば、反応ガ
スにより成膜またはエッチングを行うチャンバと該チャ
ンバ内を排気する排気装置との間に設けられ、チャンバ
からの排出ガスを処理して反応生成物を除去する除害装
置及びこの除害装置の接続された成膜装置及びエッチン
グ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、減圧ＣＶＤ装置等の成膜装置で
は、排気装置により減圧された状態のチャンバ内で反応
ガスを反応させて半導体基板上に絶縁膜や半導体膜を形
成している。このとき、チャンバから排出された不要な
反応ガスは排気装置内に入るが、反応ガスが未反応の場
合排気装置内で反応生成物が生じるため、排気装置、特
にロータリポンプのオイル中に混入し、ロータリポンプ
の排気能力が低下したり、ロータリポンプが故障すると
いう問題がある。このような問題はエッチング終了後の
エッチング物を含むエッチングガスに対しても起きる。
は、排気装置により減圧された状態のチャンバ内で反応
ガスを反応させて半導体基板上に絶縁膜や半導体膜を形
成している。このとき、チャンバから排出された不要な
反応ガスは排気装置内に入るが、反応ガスが未反応の場
合排気装置内で反応生成物が生じるため、排気装置、特
にロータリポンプのオイル中に混入し、ロータリポンプ
の排気能力が低下したり、ロータリポンプが故障すると
いう問題がある。このような問題はエッチング終了後の
エッチング物を含むエッチングガスに対しても起きる。
【０００３】この問題を解決するため、ロータリポンプ
の直前に除害装置を設け、未反応の反応ガスがロータリ
ポンプ内に入る前に、反応生成物を除去するようにして
いる。この除害装置は、ガスの通流路に対の電極を有
し、この対の電極間に電圧を印加して未反応の反応ガス
をプラズマ化し、生じた反応生成物を一方の電極に付着
させ、捕獲している。除害装置から排出される処理済の
反応ガスからは反応生成物を生じないので、除害装置よ
り下流のロータリポンプで、反応生成物の発生による故
障等が防止される。
の直前に除害装置を設け、未反応の反応ガスがロータリ
ポンプ内に入る前に、反応生成物を除去するようにして
いる。この除害装置は、ガスの通流路に対の電極を有
し、この対の電極間に電圧を印加して未反応の反応ガス
をプラズマ化し、生じた反応生成物を一方の電極に付着
させ、捕獲している。除害装置から排出される処理済の
反応ガスからは反応生成物を生じないので、除害装置よ
り下流のロータリポンプで、反応生成物の発生による故
障等が防止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の除害装
置では、電極に反応生成物が付着しているので、ガスの
逆流により、剥離した反応生成物がＣＶＤ装置の方へ逆
流する。このため、成膜チャンバ内が汚染されるという
問題がある。また、除害装置内のガスの通流路を形成し
ている電極に反応生成物が付着されるので、ガスの通流
路が塞がれたり、ガスの流れが悪くなったりする。従っ
て、成膜チャンバ内のガス圧力が高くなり、放置してお
くと爆発等の危険がある。
置では、電極に反応生成物が付着しているので、ガスの
逆流により、剥離した反応生成物がＣＶＤ装置の方へ逆
流する。このため、成膜チャンバ内が汚染されるという
問題がある。また、除害装置内のガスの通流路を形成し
ている電極に反応生成物が付着されるので、ガスの通流
路が塞がれたり、ガスの流れが悪くなったりする。従っ
て、成膜チャンバ内のガス圧力が高くなり、放置してお
くと爆発等の危険がある。
【０００５】本発明はかかる従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、チャンバから排出された反応ガス
から反応生成物を捕獲するとともに、該反応生成物の逆
流を阻止することによりチャンバ内の汚染を防止し、ま
た安全性が高められた除害装置及び成膜装置およびエッ
チング装置の提供を目的とする。
作されたものであり、チャンバから排出された反応ガス
から反応生成物を捕獲するとともに、該反応生成物の逆
流を阻止することによりチャンバ内の汚染を防止し、ま
た安全性が高められた除害装置及び成膜装置およびエッ
チング装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、処
理すべき反応ガスが導入されるガス導入口と、対の電極
が設けられ、該対の電極間に電圧を印加することにより
前記導入された反応ガスをプラズマ化し、一方の電極に
反応生成物を付着させて捕獲する反応室と、該処理後の
反応ガスを排出する排気口と、前記ガス導入口から前記
反応室に至る反応ガスの入口側通流路と、前記入口側通
流路に設けられた反応ガスの逆流防止手段とを有する除
害装置によって達成され、第２に、処理すべき反応ガス
が導入されるガス導入口と、対の電極が設けられ、該対
の電極間に電圧を印加することにより前記導入された反
応ガスをプラズマ化し、一方の電極に反応生成物を付着
させて捕獲する反応室と、該処理後の反応ガスを排出す
る排気口と、前記ガス導入口から前記反応室に至る反応
ガスの入口側通流路と、前記反応室から前記排気口に至
る反応ガスの出口側通流路と、前記入口側通流路と前記
出口側通流路との間の圧力差を測定する差圧計とを有す
る除害装置によって達成され、第３に、処理すべき反応
ガスが導入されるガス導入口と、対の電極が設けられ、
該対の電極間に電圧を印加することにより前記導入され
た反応ガスをプラズマ化し、一方の電極に反応生成物を
付着させて捕獲する反応室と、該処理後の反応ガスを排
出する排気口と、前記ガス導入口から前記反応室に至る
反応ガスの入口側通流路と、前記反応室から前記排気口
に至る反応ガスの出口側通流路と、前記入口側通流路に
設けられた反応ガスの逆流防止手段と、前記入口側通流
路と前記出口側通流路との間の圧力差を測定する差圧計
とを有する除害装置によって達成され、第４に、処理す
べき反応ガスが導入されるガス導入口と、対の電極が設
けられ、該対の電極間に電圧を印加することにより前記
導入された反応ガスをプラズマ化し、一方の電極に反応
生成物を付着させて捕獲する反応室と、該処理後の反応
ガスを排出する排気口と、前記ガス導入口から前記反応
室に至る反応ガスの入口側通流路と、前記反応室から前
記排気口に至る反応ガスの出口側通流路と、前記入口側
通流路を開閉する開閉手段を有する反応ガスの逆流防止
手段と、前記入口側通流路と前記出口側通流路との間の
圧力差を測定する差圧計又は前記逆流防止手段の上流及
び下流の反応ガスの流れの方向を検出する流れ方向検出
手段と、前記差圧計により計測された圧力差の情報又は
流れ方向検出手段により検出された反応ガスの流れの方
向の情報が入力され、前記出口側通流路の圧力が前記入
口側通流路の圧力よりも低い場合或いは上流から下流に
反応ガスが流れている場合に前記入口側通流路が開か
れ、前記出口側通流路の圧力が前記入口側通流路の圧力
よりも高くなった場合或いは下流から上流に反応ガスが
流れた場合に前記入口側通流路が閉じられるように、前
記開閉手段を作動させる第１の制御手段とを有する除害
装置によって達成され、第５に、前記逆流防止手段は、
前記ガス導入口から前記反応室の方向への反応ガスの通
常の流れに応じて入口側通流路が開かれ、かつ前記反応
室から前記ガス導入口の方向への反応ガスの逆の流れに
応じて入口側通流路が閉じられる開閉手段を有すること
を特徴とする第１又は第３の発明に記載の除害装置によ
って達成され、第６に、前記反応室内に導入された反応
ガスのプラズマ化を均一に行わせるために、イオン化さ
れた前記反応ガス粒子を磁場により広い範囲にわたって
移動させる磁場発生手段が前記反応室の周囲に設けられ
ていることを特徴とする第１乃至第４の発明のいずれか
に記載の除害装置によって達成され、第７に、反応ガス
により成膜又はエッチングを行うチャンバと、該チャン
バ内を排気し、かつ該チャンバ内から不要な反応ガスを
排出する排気装置と、第１乃至第３の発明のいずれかに
記載の除害装置とを有し、前記除害装置は前記チャンバ
の下流であって、前記排気装置の上流に設けられ、かつ
前記チャンバからの排出ガスを下流に導く第１の配管と
前記ガス導入口とが連接され、かつ前記排気装置に前記
排出ガスを導く第２の配管と前記排気口とが連接されて
いることを特徴とする成膜装置又はエッチング装置によ
って達成され、第８に、反応ガスにより成膜又はエッチ
ングを行うチャンバと、該チャンバ内を排気し、かつ該
チャンバ内から不要な反応ガスを排出する排気装置と、
請求項２又は請求項３記載の除害装置とを有し、前記除
害装置は前記チャンバの下流であって、前記排気装置の
上流に設けられ、かつ前記チャンバからの排出ガスを下
流に導く第１の配管と前記ガス導入口とが連接され、か
つ前記排気装置に前記排出ガスを導く第２の配管と前記
排気口とが連接されており、前記差圧計により計測され
た圧力差の情報が入力され、前記入口側通流路の圧力が
前記出口側通流路の圧力よりも所定の圧力以上に高くな
った場合に前記チャンバ内への反応ガスの導入を停止す
る第２の制御手段が設けられていることを特徴とする成
膜装置又はエッチング装置によって達成される。
理すべき反応ガスが導入されるガス導入口と、対の電極
が設けられ、該対の電極間に電圧を印加することにより
前記導入された反応ガスをプラズマ化し、一方の電極に
反応生成物を付着させて捕獲する反応室と、該処理後の
反応ガスを排出する排気口と、前記ガス導入口から前記
反応室に至る反応ガスの入口側通流路と、前記入口側通
流路に設けられた反応ガスの逆流防止手段とを有する除
害装置によって達成され、第２に、処理すべき反応ガス
が導入されるガス導入口と、対の電極が設けられ、該対
の電極間に電圧を印加することにより前記導入された反
応ガスをプラズマ化し、一方の電極に反応生成物を付着
させて捕獲する反応室と、該処理後の反応ガスを排出す
る排気口と、前記ガス導入口から前記反応室に至る反応
ガスの入口側通流路と、前記反応室から前記排気口に至
る反応ガスの出口側通流路と、前記入口側通流路と前記
出口側通流路との間の圧力差を測定する差圧計とを有す
る除害装置によって達成され、第３に、処理すべき反応
ガスが導入されるガス導入口と、対の電極が設けられ、
該対の電極間に電圧を印加することにより前記導入され
た反応ガスをプラズマ化し、一方の電極に反応生成物を
付着させて捕獲する反応室と、該処理後の反応ガスを排
出する排気口と、前記ガス導入口から前記反応室に至る
反応ガスの入口側通流路と、前記反応室から前記排気口
に至る反応ガスの出口側通流路と、前記入口側通流路に
設けられた反応ガスの逆流防止手段と、前記入口側通流
路と前記出口側通流路との間の圧力差を測定する差圧計
とを有する除害装置によって達成され、第４に、処理す
べき反応ガスが導入されるガス導入口と、対の電極が設
けられ、該対の電極間に電圧を印加することにより前記
導入された反応ガスをプラズマ化し、一方の電極に反応
生成物を付着させて捕獲する反応室と、該処理後の反応
ガスを排出する排気口と、前記ガス導入口から前記反応
室に至る反応ガスの入口側通流路と、前記反応室から前
記排気口に至る反応ガスの出口側通流路と、前記入口側
通流路を開閉する開閉手段を有する反応ガスの逆流防止
手段と、前記入口側通流路と前記出口側通流路との間の
圧力差を測定する差圧計又は前記逆流防止手段の上流及
び下流の反応ガスの流れの方向を検出する流れ方向検出
手段と、前記差圧計により計測された圧力差の情報又は
流れ方向検出手段により検出された反応ガスの流れの方
向の情報が入力され、前記出口側通流路の圧力が前記入
口側通流路の圧力よりも低い場合或いは上流から下流に
反応ガスが流れている場合に前記入口側通流路が開か
れ、前記出口側通流路の圧力が前記入口側通流路の圧力
よりも高くなった場合或いは下流から上流に反応ガスが
流れた場合に前記入口側通流路が閉じられるように、前
記開閉手段を作動させる第１の制御手段とを有する除害
装置によって達成され、第５に、前記逆流防止手段は、
前記ガス導入口から前記反応室の方向への反応ガスの通
常の流れに応じて入口側通流路が開かれ、かつ前記反応
室から前記ガス導入口の方向への反応ガスの逆の流れに
応じて入口側通流路が閉じられる開閉手段を有すること
を特徴とする第１又は第３の発明に記載の除害装置によ
って達成され、第６に、前記反応室内に導入された反応
ガスのプラズマ化を均一に行わせるために、イオン化さ
れた前記反応ガス粒子を磁場により広い範囲にわたって
移動させる磁場発生手段が前記反応室の周囲に設けられ
ていることを特徴とする第１乃至第４の発明のいずれか
に記載の除害装置によって達成され、第７に、反応ガス
により成膜又はエッチングを行うチャンバと、該チャン
バ内を排気し、かつ該チャンバ内から不要な反応ガスを
排出する排気装置と、第１乃至第３の発明のいずれかに
記載の除害装置とを有し、前記除害装置は前記チャンバ
の下流であって、前記排気装置の上流に設けられ、かつ
前記チャンバからの排出ガスを下流に導く第１の配管と
前記ガス導入口とが連接され、かつ前記排気装置に前記
排出ガスを導く第２の配管と前記排気口とが連接されて
いることを特徴とする成膜装置又はエッチング装置によ
って達成され、第８に、反応ガスにより成膜又はエッチ
ングを行うチャンバと、該チャンバ内を排気し、かつ該
チャンバ内から不要な反応ガスを排出する排気装置と、
請求項２又は請求項３記載の除害装置とを有し、前記除
害装置は前記チャンバの下流であって、前記排気装置の
上流に設けられ、かつ前記チャンバからの排出ガスを下
流に導く第１の配管と前記ガス導入口とが連接され、か
つ前記排気装置に前記排出ガスを導く第２の配管と前記
排気口とが連接されており、前記差圧計により計測され
た圧力差の情報が入力され、前記入口側通流路の圧力が
前記出口側通流路の圧力よりも所定の圧力以上に高くな
った場合に前記チャンバ内への反応ガスの導入を停止す
る第２の制御手段が設けられていることを特徴とする成
膜装置又はエッチング装置によって達成される。
【０００７】
【作 用】本発明に係る除害装置においては、反応ガス
の入口側通流路に反応ガスの逆流防止手段を有する。例
えば、逆流防止手段はガス導入口から反応室の方向への
反応ガスの通常の流れに応じて入口側通流路が開かれ、
かつ反応室からガス導入口の方向への反応ガスの逆の流
れに応じて入口側通流路が閉じられるような開閉手段を
有する。従って、何らかの原因でガスが逆流した場合、
これに応じて直ちに入口側通流路が閉じられるので、ガ
スの逆流を阻止するとともに反応室で捕獲された反応生
成物の逆流を阻止することができる。
の入口側通流路に反応ガスの逆流防止手段を有する。例
えば、逆流防止手段はガス導入口から反応室の方向への
反応ガスの通常の流れに応じて入口側通流路が開かれ、
かつ反応室からガス導入口の方向への反応ガスの逆の流
れに応じて入口側通流路が閉じられるような開閉手段を
有する。従って、何らかの原因でガスが逆流した場合、
これに応じて直ちに入口側通流路が閉じられるので、ガ
スの逆流を阻止するとともに反応室で捕獲された反応生
成物の逆流を阻止することができる。
【０００８】また、逆流防止手段及び差圧計の両方を有
し、かつ差圧計により計測された出口側通流路と入口側
通流路との圧力差の情報が入力され、出口側通流路の圧
力が入口側通流路の圧力と同程度の場合に入口側通流路
が開かれ、出口側通流路の圧力が入口側通流路の圧力よ
りも高くなった場合に入口側通流路が閉じられるよう
に、逆流防止手段の開閉手段を作動させる第１の制御手
段を有する。従って、何らかの原因で下流の圧力が高く
なった場合、開閉手段を作動させて入口側通流路が閉じ
られるので、ガスの逆流を阻止するとともに反応室で捕
獲された反応生成物の逆流を阻止することができる。
し、かつ差圧計により計測された出口側通流路と入口側
通流路との圧力差の情報が入力され、出口側通流路の圧
力が入口側通流路の圧力と同程度の場合に入口側通流路
が開かれ、出口側通流路の圧力が入口側通流路の圧力よ
りも高くなった場合に入口側通流路が閉じられるよう
に、逆流防止手段の開閉手段を作動させる第１の制御手
段を有する。従って、何らかの原因で下流の圧力が高く
なった場合、開閉手段を作動させて入口側通流路が閉じ
られるので、ガスの逆流を阻止するとともに反応室で捕
獲された反応生成物の逆流を阻止することができる。
【０００９】または、逆流防止手段及び流れ方向検出手
段の両方を有し、かつ流れ方向検出手段により検出され
た逆流防止手段の上流及び下流での反応ガスの流れ方向
の情報が入力され、上流から下流に反応ガスが流れてい
る場合に前記入口側通流路が開かれ、下流から上流に反
応ガスが流れている場合に前記入口側通流路が閉じられ
るように、逆流防止手段の開閉手段を作動させる第１の
制御手段を有する。従って、何らかの原因で反応ガスが
逆流した場合、開閉手段を作動させて入口側通流路が閉
じられるので、ガスの逆流を阻止するとともに反応室で
捕獲された反応生成物の逆流を阻止することができる。
段の両方を有し、かつ流れ方向検出手段により検出され
た逆流防止手段の上流及び下流での反応ガスの流れ方向
の情報が入力され、上流から下流に反応ガスが流れてい
る場合に前記入口側通流路が開かれ、下流から上流に反
応ガスが流れている場合に前記入口側通流路が閉じられ
るように、逆流防止手段の開閉手段を作動させる第１の
制御手段を有する。従って、何らかの原因で反応ガスが
逆流した場合、開閉手段を作動させて入口側通流路が閉
じられるので、ガスの逆流を阻止するとともに反応室で
捕獲された反応生成物の逆流を阻止することができる。
【００１０】更に、逆流防止手段を有する除害装置が成
膜装置またはエッチング装置に接続されることにより、
除害装置の下流の圧力が高くなった場合等の異常時でも
ガスの逆流が除害装置の位置で阻止され、チャンバには
その影響が及ばない。これにより、除害装置内に捕獲さ
れている反応生成物が剥離し、逆流するのが阻止され、
チャンバ内の汚染を防止することができる。
膜装置またはエッチング装置に接続されることにより、
除害装置の下流の圧力が高くなった場合等の異常時でも
ガスの逆流が除害装置の位置で阻止され、チャンバには
その影響が及ばない。これにより、除害装置内に捕獲さ
れている反応生成物が剥離し、逆流するのが阻止され、
チャンバ内の汚染を防止することができる。
【００１１】また、差圧計を有する除害装置が成膜装置
又はエッチング装置に接続され、更に差圧計により計測
された圧力差の情報が入力され、かつ入口側通流路の圧
力が出口側通流路の圧力より所定の圧力以上に高くなっ
た場合にチャンバ内への反応ガスの導入を停止するよう
な第２の制御手段が設けられているので、除害装置内で
ガスの通流路が塞がれたり、流れが悪くなったりしてチ
ャンバ内のガス圧力が高くなった場合に、チャンバ内へ
の反応ガスの導入を停止し、危険を回避することができ
る。
又はエッチング装置に接続され、更に差圧計により計測
された圧力差の情報が入力され、かつ入口側通流路の圧
力が出口側通流路の圧力より所定の圧力以上に高くなっ
た場合にチャンバ内への反応ガスの導入を停止するよう
な第２の制御手段が設けられているので、除害装置内で
ガスの通流路が塞がれたり、流れが悪くなったりしてチ
ャンバ内のガス圧力が高くなった場合に、チャンバ内へ
の反応ガスの導入を停止し、危険を回避することができ
る。
【００１２】更に、成膜装置或いはエッチング装置と排
気装置との間をつなぐ配管の途中に除害装置を設けるこ
とにより、チャンバから排出された反応ガスが排気装置
に入る前にその反応ガスから反応生成物を除去すること
ができるので、排気装置の汚染を防止することができ
る。
気装置との間をつなぐ配管の途中に除害装置を設けるこ
とにより、チャンバから排出された反応ガスが排気装置
に入る前にその反応ガスから反応生成物を除去すること
ができるので、排気装置の汚染を防止することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。 （１）本発明の実施例に係る除害装置 (i) 第１の実施例の除害装置 図１は、本発明の第１の実施例に係る除害装置の全体構
成図、図２（ａ）〜（ｃ）は逆流防止手段を示す断面
図、図４は該除害装置の平面図、図５は反応生成物の付
着する電極が取り外された状態を示す構成図である。
しながら説明する。 （１）本発明の実施例に係る除害装置 (i) 第１の実施例の除害装置 図１は、本発明の第１の実施例に係る除害装置の全体構
成図、図２（ａ）〜（ｃ）は逆流防止手段を示す断面
図、図４は該除害装置の平面図、図５は反応生成物の付
着する電極が取り外された状態を示す構成図である。
【００１４】図１において、１は除害装置のガス導入
口、２はガス導入口１から反応室３に至る入口側通流路
である。３は導入された未反応の反応ガスから反応生成
物を除去するための反応室、４ａ，４ｂは反応室３内に
設けられた対となっている上部電極及び下部電極で、対
の電極４ａ，４ｂ間の間隙がガスの通流路５となってい
る。そして、対の電極４ａ，４ｂのうち、上部電極４ａ
に高周波電圧を発生するＲＦ電源９が接続され、下部電
極４ｂは接地される。これらの対の電極４ａ，４ｂによ
り、ガス導入口１から入ってきた未反応の反応ガスやエ
ッチング物を含む反応ガスが通流する通流路５が形成さ
れており、未反応の反応ガスが通流路５を通過するうち
にプラズマ化され、反応生成物が下部電極４ｂに付着さ
れる。
口、２はガス導入口１から反応室３に至る入口側通流路
である。３は導入された未反応の反応ガスから反応生成
物を除去するための反応室、４ａ，４ｂは反応室３内に
設けられた対となっている上部電極及び下部電極で、対
の電極４ａ，４ｂ間の間隙がガスの通流路５となってい
る。そして、対の電極４ａ，４ｂのうち、上部電極４ａ
に高周波電圧を発生するＲＦ電源９が接続され、下部電
極４ｂは接地される。これらの対の電極４ａ，４ｂによ
り、ガス導入口１から入ってきた未反応の反応ガスやエ
ッチング物を含む反応ガスが通流する通流路５が形成さ
れており、未反応の反応ガスが通流路５を通過するうち
にプラズマ化され、反応生成物が下部電極４ｂに付着さ
れる。
【００１５】更に、対の電極４ａ，４ｂのうち、反応生
成物が付着する方の下部電極４ｂが固定された下部室壁
３ｂは上部電極４ａが固定された上部室壁３ａとフラン
ジ10ａ，10ｂ部分同士が当接され、反応室３内部の気密
が保持されている。従って、下部室壁３ｂは、図５に示
すように、フランジ10ｂ部で上部室壁３ａから取りはず
すことができるようになっている。これにより、定期的
に、反応生成物が付着した下部電極４ｂを取り替える
か、又は下部電極４ｂを掃除することができる。また、
下部室壁３ｂの中央部にバネからなる押圧手段１５を有
し、下部室壁３ｂと上部室壁３ａとが当接されることに
より石英からなるバッファ部材１３を介して反応室３と
出口側通流路７との間のリークし易い当接部（Ａ部）が
下から押圧されるようになっている。
成物が付着する方の下部電極４ｂが固定された下部室壁
３ｂは上部電極４ａが固定された上部室壁３ａとフラン
ジ10ａ，10ｂ部分同士が当接され、反応室３内部の気密
が保持されている。従って、下部室壁３ｂは、図５に示
すように、フランジ10ｂ部で上部室壁３ａから取りはず
すことができるようになっている。これにより、定期的
に、反応生成物が付着した下部電極４ｂを取り替える
か、又は下部電極４ｂを掃除することができる。また、
下部室壁３ｂの中央部にバネからなる押圧手段１５を有
し、下部室壁３ｂと上部室壁３ａとが当接されることに
より石英からなるバッファ部材１３を介して反応室３と
出口側通流路７との間のリークし易い当接部（Ａ部）が
下から押圧されるようになっている。
【００１６】６は反応室３から出口側通流路７にガスを
送りだす通流孔、１４は反応室３と出口側通流路７との
間の仕切壁で、円筒状の石英からなり、円筒の内側が出
口側通流路７を形成している。７は反応室３から排気口
８に至る出口側通流路である。１１は入口側通流路２に
設けられた逆流防止手段で、詳細を図２（ａ）〜図２
（ｃ）に示す。図２（ａ）〜図２（ｃ）は逆流防止手段
１１を示す側面図である。
送りだす通流孔、１４は反応室３と出口側通流路７との
間の仕切壁で、円筒状の石英からなり、円筒の内側が出
口側通流路７を形成している。７は反応室３から排気口
８に至る出口側通流路である。１１は入口側通流路２に
設けられた逆流防止手段で、詳細を図２（ａ）〜図２
（ｃ）に示す。図２（ａ）〜図２（ｃ）は逆流防止手段
１１を示す側面図である。
【００１７】図２（ａ）に示すように、断面が円形状の
入口側通流路２に楕円形状の環状の枠11ａが下部を上流
側にして斜めに少し傾けられて隙間なく嵌め合わせら
れ、かつ下流側に面したその枠11ａの上部一か所で回動
自在に支持された楕円板状の開閉板（開閉手段）11ｂが
板面をガスの流れに対向させてつり下げられている。こ
の逆流防止手段１１は以下のように作動する。即ち、ガ
スが流れていないときは、図２（ａ）に示すように、開
閉板11ｂが自然に下に垂れ下がるので、通流路が開いて
いる。また、上流から下流にガスが通常に流れている場
合も、図２（ｂ）に示すように、通流ガスのガス圧によ
り開閉板11ｂが下流側に回動するため、通流路が開く。
逆に、下流側から上流側にガスが逆流した場合には、図
２（ｃ）に示すように、通流ガスのガス圧により開閉板
11ｂが上流側に回動して開閉板11ｂの周辺部全体が枠11
ａに接触し、掛止された状態で、枠11ａの中央部の開口
部を塞ぐため、入口側通流路２が閉じる。
入口側通流路２に楕円形状の環状の枠11ａが下部を上流
側にして斜めに少し傾けられて隙間なく嵌め合わせら
れ、かつ下流側に面したその枠11ａの上部一か所で回動
自在に支持された楕円板状の開閉板（開閉手段）11ｂが
板面をガスの流れに対向させてつり下げられている。こ
の逆流防止手段１１は以下のように作動する。即ち、ガ
スが流れていないときは、図２（ａ）に示すように、開
閉板11ｂが自然に下に垂れ下がるので、通流路が開いて
いる。また、上流から下流にガスが通常に流れている場
合も、図２（ｂ）に示すように、通流ガスのガス圧によ
り開閉板11ｂが下流側に回動するため、通流路が開く。
逆に、下流側から上流側にガスが逆流した場合には、図
２（ｃ）に示すように、通流ガスのガス圧により開閉板
11ｂが上流側に回動して開閉板11ｂの周辺部全体が枠11
ａに接触し、掛止された状態で、枠11ａの中央部の開口
部を塞ぐため、入口側通流路２が閉じる。
【００１８】また、図４に示すように、円筒状の反応室
３の周辺部には、円周に沿って６箇所、マグネット（磁
石）12ａ〜12ｈが設けられ、Ｎ極とＳ極とが交互に配列
されている。これにより、図４に示すように、主として
隣接するＮ極とＳ極とで磁場が形成されて、磁力線は反
応室３の内側に広がる。次に、上記の除害装置の動作に
ついて説明する。
３の周辺部には、円周に沿って６箇所、マグネット（磁
石）12ａ〜12ｈが設けられ、Ｎ極とＳ極とが交互に配列
されている。これにより、図４に示すように、主として
隣接するＮ極とＳ極とで磁場が形成されて、磁力線は反
応室３の内側に広がる。次に、上記の除害装置の動作に
ついて説明する。
【００１９】まず、ＲＦ電源９により対の電極４ａ，４
ｂ間に予め高周波電圧が印加された状態で、処理しよう
とする未反応の反応ガス等がガス導入口１から導入され
る。導入された未反応の反応ガス等は入口側通流路２を
通過し、更に反応室３に導入されて対の電極４ａ，４ｂ
により形成された通流路５を通過するうちにプラズマ化
される。このとき、マグネット12ａ〜12ｈにより形成さ
れ、反応室３の内側に広がっている磁場により、反応室
３を通流する反応ガスのイオン粒子はより広い範囲にわ
たって移動するため、反応ガスのプラズマ化の均一性が
増す。このようにして活性化された反応ガス粒子は接地
された下部電極４ｂに引き寄せられて一層完全に反応
し、反応生成物が生じて下部電極４ｂに付着する。これ
により、未反応の反応ガスから反応生成物が除去され
る。
ｂ間に予め高周波電圧が印加された状態で、処理しよう
とする未反応の反応ガス等がガス導入口１から導入され
る。導入された未反応の反応ガス等は入口側通流路２を
通過し、更に反応室３に導入されて対の電極４ａ，４ｂ
により形成された通流路５を通過するうちにプラズマ化
される。このとき、マグネット12ａ〜12ｈにより形成さ
れ、反応室３の内側に広がっている磁場により、反応室
３を通流する反応ガスのイオン粒子はより広い範囲にわ
たって移動するため、反応ガスのプラズマ化の均一性が
増す。このようにして活性化された反応ガス粒子は接地
された下部電極４ｂに引き寄せられて一層完全に反応
し、反応生成物が生じて下部電極４ｂに付着する。これ
により、未反応の反応ガスから反応生成物が除去され
る。
【００２０】反応が終わった反応ガスは反応室３から通
流孔６を通り抜けて、出口側通流路７に排出される。そ
して、出口側通流路７に排出された既反応の反応ガスは
排気口８から除害装置の外へ排出される。排気口８から
除害装置の外へ排出された既反応の反応ガスは、通常、
ロータリポンプ等に引き込まれるが、すでに反応済なの
で、新たな反応生成物は生じない。従って、ロータリポ
ンプのオイル中へのシリコン等の混入が防止されるの
で、ロータリポンプの排気能力が低下したり、ロータリ
ポンプが故障するのを防止することができる。
流孔６を通り抜けて、出口側通流路７に排出される。そ
して、出口側通流路７に排出された既反応の反応ガスは
排気口８から除害装置の外へ排出される。排気口８から
除害装置の外へ排出された既反応の反応ガスは、通常、
ロータリポンプ等に引き込まれるが、すでに反応済なの
で、新たな反応生成物は生じない。従って、ロータリポ
ンプのオイル中へのシリコン等の混入が防止されるの
で、ロータリポンプの排気能力が低下したり、ロータリ
ポンプが故障するのを防止することができる。
【００２１】ところで、上記の除害装置が動作中に、何
らかの原因で除害装置の下流の圧力が高くなった場合、
ガスが逆流しはじめるが、除害装置は反応ガスの入口側
通流路２に、ガス導入口１から反応室３の方向への反応
ガスの通常の流れに応じて入口側通流路２が開かれ、か
つ反応室３からガス導入口１の方向への反応ガスの逆の
流れに応じて入口側通流路２が閉じられるような開閉板
11ｂを有するので、ガスの逆流に応じて入口側通流路２
が閉じられる。このため、この除害装置の上流に反応ガ
スにより成膜或いはエッチングを行うチャンバが接続さ
れている場合、ガスが逆流する異常時に、除害装置に捕
獲された反応生成物が剥離してチャンバ側に逆流するの
を阻止し、成膜チャンバを汚染するのを防止することが
できる。
らかの原因で除害装置の下流の圧力が高くなった場合、
ガスが逆流しはじめるが、除害装置は反応ガスの入口側
通流路２に、ガス導入口１から反応室３の方向への反応
ガスの通常の流れに応じて入口側通流路２が開かれ、か
つ反応室３からガス導入口１の方向への反応ガスの逆の
流れに応じて入口側通流路２が閉じられるような開閉板
11ｂを有するので、ガスの逆流に応じて入口側通流路２
が閉じられる。このため、この除害装置の上流に反応ガ
スにより成膜或いはエッチングを行うチャンバが接続さ
れている場合、ガスが逆流する異常時に、除害装置に捕
獲された反応生成物が剥離してチャンバ側に逆流するの
を阻止し、成膜チャンバを汚染するのを防止することが
できる。
【００２２】なお、上記の逆流防止手段１１として、図
３に示すようなものを用いてもよい。これは断面が円形
状の入口側通流路２に環状の枠11ｃが隙間なく嵌め合わ
せられ、かつその枠11ｃの中央部で支持された伸縮自在
のバネ11ｅを介して下流側に円板状の開閉板（開閉手
段）11ｄが保持されている。更に、開閉板11ｄの板面は
ガス流に対面している。この逆流防止手段１１は以下の
ように作動する。即ち、ガスが流れていないときは、開
閉板11ｄがバネ11ｅにより下流側に移動して入口側通流
路２が開かれている。また、上流から下流にガスが通常
に流れている場合には、バネ11ｅにより下流側に移動し
た状態にある開閉板11ｄが通流ガスのガス圧により更に
下流側に押しやられるため、入口側通流路２は開いたま
まである。逆に、下流側から上流側にガスが逆流した場
合には、通流ガスのガス圧により開閉板11ｄが上流側に
押しやられて、開閉板11ｄの周辺部全体が枠11ｃに接触
し、掛止された状態で、枠11ｃの中央部の開口部が塞が
れるため、入口側通流路２が閉じる。
３に示すようなものを用いてもよい。これは断面が円形
状の入口側通流路２に環状の枠11ｃが隙間なく嵌め合わ
せられ、かつその枠11ｃの中央部で支持された伸縮自在
のバネ11ｅを介して下流側に円板状の開閉板（開閉手
段）11ｄが保持されている。更に、開閉板11ｄの板面は
ガス流に対面している。この逆流防止手段１１は以下の
ように作動する。即ち、ガスが流れていないときは、開
閉板11ｄがバネ11ｅにより下流側に移動して入口側通流
路２が開かれている。また、上流から下流にガスが通常
に流れている場合には、バネ11ｅにより下流側に移動し
た状態にある開閉板11ｄが通流ガスのガス圧により更に
下流側に押しやられるため、入口側通流路２は開いたま
まである。逆に、下流側から上流側にガスが逆流した場
合には、通流ガスのガス圧により開閉板11ｄが上流側に
押しやられて、開閉板11ｄの周辺部全体が枠11ｃに接触
し、掛止された状態で、枠11ｃの中央部の開口部が塞が
れるため、入口側通流路２が閉じる。
【００２３】(ii)第２の実施例の除害装置 図６は本発明の第２の実施例に係る除害装置の部分構成
図を示す。図６中、１６は入口側通流路２と出口側通流
路７との間の圧力差を測定する差圧計、１７は差圧計１
６により計測された圧力差の情報により、逆流防止手段
１１の作動を制御する第１の制御手段で、差圧計１６か
ら入口側通流路２と出口側通流路７との圧力差の情報が
入力されて、出口側通流路７の圧力が入口側通流路２の
圧力と同程度の場合に入口側通流路２が開かれ、出口側
通流路７の圧力が入口側通流路２の圧力よりも高くなっ
た場合に入口側通流路２が閉じられるように、例えば電
磁力により逆流防止手段１１の電磁弁を作動する。
図を示す。図６中、１６は入口側通流路２と出口側通流
路７との間の圧力差を測定する差圧計、１７は差圧計１
６により計測された圧力差の情報により、逆流防止手段
１１の作動を制御する第１の制御手段で、差圧計１６か
ら入口側通流路２と出口側通流路７との圧力差の情報が
入力されて、出口側通流路７の圧力が入口側通流路２の
圧力と同程度の場合に入口側通流路２が開かれ、出口側
通流路７の圧力が入口側通流路２の圧力よりも高くなっ
た場合に入口側通流路２が閉じられるように、例えば電
磁力により逆流防止手段１１の電磁弁を作動する。
【００２４】この逆流防止手段７ｂは以下のように作動
する。即ち、ガスが流れていないときは電磁弁が作動せ
ず、入口側通流路２が開いている。また、上流から下流
にガスが通常に流れている場合には、入口側通流路２と
出口側通流路７との圧力差が同程度なので、第１の制御
装置１７からの信号により電磁弁はそのままにしておか
れ、入口側通流路２は開いている。逆に、下流側から上
流側にガスが逆流した場合には第１の制御装置１７から
の信号で電磁力により強制的に電磁弁を作動させて、入
口側通流路２を閉じる。
する。即ち、ガスが流れていないときは電磁弁が作動せ
ず、入口側通流路２が開いている。また、上流から下流
にガスが通常に流れている場合には、入口側通流路２と
出口側通流路７との圧力差が同程度なので、第１の制御
装置１７からの信号により電磁弁はそのままにしておか
れ、入口側通流路２は開いている。逆に、下流側から上
流側にガスが逆流した場合には第１の制御装置１７から
の信号で電磁力により強制的に電磁弁を作動させて、入
口側通流路２を閉じる。
【００２５】以上のように、上記の除害装置は、逆流防
止手段７及び差圧計８の両方を有し、かつ差圧計８によ
り計測された圧力差の情報が入力され、出口側通流路５
の圧力が入口側通流路２の圧力と同程度の場合に入口側
通流路２が開かれ、出口側通流路５の圧力が入口側通流
路２の圧力よりも高くなった場合に入口側通流路２が閉
じられるように、逆流防止手段７を作動させる第１の制
御手段１１を有する。従って、何らかの原因で下流の圧
力が高くなった場合、第１の制御装置１７からの信号に
より強制的に電磁弁を作動させて入口側通流路２を閉
じ、ガスの逆流を防止する。これにより、反応ガスによ
り成膜或いはエッチングを行うチャンバがこの除害装置
に接続されている場合、除去された反応生成物によるチ
ャンバの汚染を防止することができる。
止手段７及び差圧計８の両方を有し、かつ差圧計８によ
り計測された圧力差の情報が入力され、出口側通流路５
の圧力が入口側通流路２の圧力と同程度の場合に入口側
通流路２が開かれ、出口側通流路５の圧力が入口側通流
路２の圧力よりも高くなった場合に入口側通流路２が閉
じられるように、逆流防止手段７を作動させる第１の制
御手段１１を有する。従って、何らかの原因で下流の圧
力が高くなった場合、第１の制御装置１７からの信号に
より強制的に電磁弁を作動させて入口側通流路２を閉
じ、ガスの逆流を防止する。これにより、反応ガスによ
り成膜或いはエッチングを行うチャンバがこの除害装置
に接続されている場合、除去された反応生成物によるチ
ャンバの汚染を防止することができる。
【００２６】なお、差圧計８を第１の制御装置１７に接
続して、圧力差を検出して電磁弁が作動するようにして
いるが、電磁弁の下流側及び上流側にガス流の方向を検
出する手段を設け、第１の制御装置１７に接続すること
により、ガス流の方向により電磁弁が作動するようにし
てもよい。 （２）本発明の実施例に係る成膜装置 次に、上記の(ii)の除害装置２４が接続された、本発明
の実施例に係る成膜装置について図７を参照しながら説
明する。
続して、圧力差を検出して電磁弁が作動するようにして
いるが、電磁弁の下流側及び上流側にガス流の方向を検
出する手段を設け、第１の制御装置１７に接続すること
により、ガス流の方向により電磁弁が作動するようにし
てもよい。 （２）本発明の実施例に係る成膜装置 次に、上記の(ii)の除害装置２４が接続された、本発明
の実施例に係る成膜装置について図７を参照しながら説
明する。
【００２７】図７は成膜装置の全体のブロック構成図
で、反応ガスが導入されて半導体基板上に絶縁膜又は半
導体膜等の成膜が行われるチャンバ２１、チャンバ２１
内を排気する拡散ポンプ２２及びロータリポンプ２３か
らなる排気装置及びチャンバ２１から排出される未反応
の反応ガスから反応生成物を取り除くための除害装置２
４からなる。拡散ポンプ２２はチャンバ２１の下流に設
けられ、拡散ポンプ２２の下流にロータリポンプ２３が
設けられている。そして、拡散ポンプ２２の下流であっ
てロータリポンプ２３の上流に除害装置２４が設けられ
ている。
で、反応ガスが導入されて半導体基板上に絶縁膜又は半
導体膜等の成膜が行われるチャンバ２１、チャンバ２１
内を排気する拡散ポンプ２２及びロータリポンプ２３か
らなる排気装置及びチャンバ２１から排出される未反応
の反応ガスから反応生成物を取り除くための除害装置２
４からなる。拡散ポンプ２２はチャンバ２１の下流に設
けられ、拡散ポンプ２２の下流にロータリポンプ２３が
設けられている。そして、拡散ポンプ２２の下流であっ
てロータリポンプ２３の上流に除害装置２４が設けられ
ている。
【００２８】また、差圧計１６により計測された圧力差
の情報が入力され、チャンバ２１内への反応ガスの導入
を調整するバルブ２６の開閉を制御する第２の制御手段
２５を有する。上記の成膜装置において、通常は、バル
ブ２６を介して反応ガスをチャンバ２１内に導入してＣ
ＶＤ法により半導体基板上に絶縁膜等を形成中に、除害
装置２４により、チャンバ２１から排出された未反応の
反応ガスから反応生成物を除去し、ロータリポンプ２３
に既反応の反応ガスを送ってロータリポンプ２３を保護
している。
の情報が入力され、チャンバ２１内への反応ガスの導入
を調整するバルブ２６の開閉を制御する第２の制御手段
２５を有する。上記の成膜装置において、通常は、バル
ブ２６を介して反応ガスをチャンバ２１内に導入してＣ
ＶＤ法により半導体基板上に絶縁膜等を形成中に、除害
装置２４により、チャンバ２１から排出された未反応の
反応ガスから反応生成物を除去し、ロータリポンプ２３
に既反応の反応ガスを送ってロータリポンプ２３を保護
している。
【００２９】一方、除害装置２４の入口側通流路２の圧
力が出口側通流路７の圧力よりも所定の圧力以上に高く
なるような異常時には、圧力差の情報により第２の制御
手段２５が作動してバルブ２６が閉じられる。これによ
り、チャンバ２１内への反応ガスの導入が停止され、暴
発等の危険が回避される。以上のように、本発明の実施
例の成膜装置によれば、逆流防止手段を有する除害装置
２４が成膜チャンバ２１の下流に接続されているので、
除害装置２４の下流の圧力が高くなった場合等の異常時
でもガスの逆流は除害装置２４の位置で阻止され、成膜
チャンバ２１にはその影響は及ばない。これにより、除
害装置２４内に捕獲されている反応生成物が剥離してチ
ャンバ２１側に逆流するのを阻止し、チャンバ２１内の
汚染を防止することができる。
力が出口側通流路７の圧力よりも所定の圧力以上に高く
なるような異常時には、圧力差の情報により第２の制御
手段２５が作動してバルブ２６が閉じられる。これによ
り、チャンバ２１内への反応ガスの導入が停止され、暴
発等の危険が回避される。以上のように、本発明の実施
例の成膜装置によれば、逆流防止手段を有する除害装置
２４が成膜チャンバ２１の下流に接続されているので、
除害装置２４の下流の圧力が高くなった場合等の異常時
でもガスの逆流は除害装置２４の位置で阻止され、成膜
チャンバ２１にはその影響は及ばない。これにより、除
害装置２４内に捕獲されている反応生成物が剥離してチ
ャンバ２１側に逆流するのを阻止し、チャンバ２１内の
汚染を防止することができる。
【００３０】また、差圧計１６を有する除害装置２４が
成膜チャンバ２１の下流に接続され、かつ差圧計１６か
らの圧力差情報により入口側通流路２の圧力が出口側通
流路７の圧力よりも所定の圧力以上に高くなった場合に
チャンバ２１内への反応ガスの導入が停止されるような
第２の制御手段２５が設けられているので、除害装置２
４内でガスの通流路が塞がれたり、流れが悪くなったり
してチャンバ２１内のガス圧力が所定の圧力以上に高く
なった場合に、チャンバ２１内への反応ガスの導入が停
止され、危険を回避することができる。
成膜チャンバ２１の下流に接続され、かつ差圧計１６か
らの圧力差情報により入口側通流路２の圧力が出口側通
流路７の圧力よりも所定の圧力以上に高くなった場合に
チャンバ２１内への反応ガスの導入が停止されるような
第２の制御手段２５が設けられているので、除害装置２
４内でガスの通流路が塞がれたり、流れが悪くなったり
してチャンバ２１内のガス圧力が所定の圧力以上に高く
なった場合に、チャンバ２１内への反応ガスの導入が停
止され、危険を回避することができる。
【００３１】なお、本発明はエッチング装置に除害装置
を接続した場合にも適用することが可能である。
を接続した場合にも適用することが可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る除害
装置によれば、反応ガスの入口側通流路に何らかの原因
で下流の圧力が高くなった場合等、ガスの逆流に応じて
入口側通流路が閉じられる逆流防止手段を有する。ま
た、逆流防止手段及び差圧計の両方を有し、かつ差圧計
により計測された圧力差の情報により、出口側通流路の
圧力が入口側通流路の圧力よりも高くなった場合に入口
側通流路が閉じられるように、開閉手段を作動させる第
１の制御手段を有する。又は、逆流防止手段及び流れ方
向検出手段の両方を有し、かつ流れ方向検出手段により
検出された反応ガスの流れ方向の情報が入力され、下流
から上流に反応ガスが流れている場合に前記入口側通流
路が閉じられるように、逆流防止手段の開閉手段を作動
させる第１の制御手段を有する。
装置によれば、反応ガスの入口側通流路に何らかの原因
で下流の圧力が高くなった場合等、ガスの逆流に応じて
入口側通流路が閉じられる逆流防止手段を有する。ま
た、逆流防止手段及び差圧計の両方を有し、かつ差圧計
により計測された圧力差の情報により、出口側通流路の
圧力が入口側通流路の圧力よりも高くなった場合に入口
側通流路が閉じられるように、開閉手段を作動させる第
１の制御手段を有する。又は、逆流防止手段及び流れ方
向検出手段の両方を有し、かつ流れ方向検出手段により
検出された反応ガスの流れ方向の情報が入力され、下流
から上流に反応ガスが流れている場合に前記入口側通流
路が閉じられるように、逆流防止手段の開閉手段を作動
させる第１の制御手段を有する。
【００３３】従って、下流の圧力が高くなった場合等、
開閉手段が作動して入口側通流路が閉じられ、ガスの逆
流を阻止するとともに反応生成物の逆流を阻止すること
ができる。更に、逆流防止手段を有する除害装置が成膜
装置やエッチング装置に接続されることにより、下流の
圧力が高くなった場合等の異常時でもガスの逆流を阻止
することができる。これにより、除害装置内に捕獲され
た反応生成物が剥離し、逆流するのを阻止し、チャンバ
内の汚染を防止することができる。
開閉手段が作動して入口側通流路が閉じられ、ガスの逆
流を阻止するとともに反応生成物の逆流を阻止すること
ができる。更に、逆流防止手段を有する除害装置が成膜
装置やエッチング装置に接続されることにより、下流の
圧力が高くなった場合等の異常時でもガスの逆流を阻止
することができる。これにより、除害装置内に捕獲され
た反応生成物が剥離し、逆流するのを阻止し、チャンバ
内の汚染を防止することができる。
【００３４】また、差圧計を有する除害装置が成膜装置
やエッチング装置に接続され、更に差圧計により計測さ
れた圧力差の情報が入力され、入口側通流路の圧力が出
口側通流路の圧力よりも所定の圧力以上に高くなった場
合にチャンバ内への反応ガスの導入が停止されるような
第２の制御手段が設けられているので、除害装置内でガ
スの通流路が塞がれたり、流れが悪くなったりしてチャ
ンバ内のガス圧力が高くなった場合に、チャンバ内への
反応ガスの導入が停止され、危険を回避することができ
る。
やエッチング装置に接続され、更に差圧計により計測さ
れた圧力差の情報が入力され、入口側通流路の圧力が出
口側通流路の圧力よりも所定の圧力以上に高くなった場
合にチャンバ内への反応ガスの導入が停止されるような
第２の制御手段が設けられているので、除害装置内でガ
スの通流路が塞がれたり、流れが悪くなったりしてチャ
ンバ内のガス圧力が高くなった場合に、チャンバ内への
反応ガスの導入が停止され、危険を回避することができ
る。
【００３５】更に、成膜装置或いはエッチング装置と排
気装置との間をつなぐ配管の途中に除害装置を設けるこ
とにより、排気装置の汚染を防止することができる。
気装置との間をつなぐ配管の途中に除害装置を設けるこ
とにより、排気装置の汚染を防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る除害装置の全体構
成図である。
成図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る除害装置の逆流防
止手段の詳細構成図である。
止手段の詳細構成図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る除害装置の他の逆
流防止手段の詳細構成図である。
流防止手段の詳細構成図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る除害装置の平面図
である。
である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る除害装置の下部電
極の取り外しについて説明する側面図である。
極の取り外しについて説明する側面図である。
【図６】本発明の第２の実施例に係る除害装置の部分構
成図である。
成図である。
【図７】本発明の実施例に係る除害装置の接続された成
膜装置の全体構成図である。
膜装置の全体構成図である。
１ ガス導入口、 ２ 入口側通流路、 ３ 反応室、 ３ａ 上部室壁、 ３ｂ 下部室壁、 ４ａ 下部電極、 ４ｂ 上部電極、 ５ 通流路、 ６ 通流孔、 ７ 出口側通流路、 ８ 排気口、 ９ ＲＦ電源、 10ａ，10ｂ フランジ、 １１ 逆流防止手段、 11ａ，11ｃ 枠、 11ｂ，11ｄ 開閉板（開閉手段）、 11ｅ バネ、 12ａ〜12ｈ 磁場発生手段、 １３ バッファ部材、 １４ 仕切壁、 １５ 押圧手段、 １６ 差圧計、 １７ 第１の制御手段、 ２１ ＣＶＤ装置（チャンバ）、 ２２ 拡散ポンプ、 ２３ ロータリポンプ、 ２４ 除害装置、 ２５ 第２の制御手段。
Claims (8)
- 【請求項１】 処理すべき反応ガスが導入されるガス導
入口と、 対の電極が設けられ、該対の電極間に電圧を印加するこ
とにより前記導入された反応ガスをプラズマ化し、一方
の電極に反応生成物を付着させて捕獲する反応室と、 処理後の前記反応ガスを排出する排気口と、 前記ガス導入口から前記反応室に至る反応ガスの入口側
通流路と、 前記入口側通流路に設けられた反応ガスの逆流防止手段
とを有する除害装置。 - 【請求項２】 処理すべき反応ガスが導入されるガス導
入口と、 対の電極が設けられ、該対の電極間に電圧を印加するこ
とにより前記導入された反応ガスをプラズマ化し、一方
の電極に反応生成物を付着させて捕獲する反応室と、 前記処理後の反応ガスを排出する排気口と、 前記ガス導入口から前記反応室に至る反応ガスの入口側
通流路と、 前記反応室から前記排気口に至る反応ガスの出口側通流
路と、 前記入口側通流路と前記出口側通流路との間の圧力差を
測定する差圧計とを有する除害装置。 - 【請求項３】 処理すべき反応ガスが導入されるガス導
入口と、 対の電極が設けられ、該対の電極間に電圧を印加するこ
とにより前記導入された反応ガスをプラズマ化し、一方
の電極に反応生成物を付着させて捕獲する反応室と、 前記処理後の反応ガスを排出する排気口と、 前記ガス導入口から前記反応室に至る反応ガスの入口側
通流路と、 前記反応室から前記排気口に至る反応ガスの出口側通流
路と、 前記入口側通流路に設けられた反応ガスの逆流防止手段
と、 前記入口側通流路と前記出口側通流路との間の圧力差を
測定する差圧計とを有する除害装置。 - 【請求項４】 処理すべき反応ガスが導入されるガス導
入口と、 対の電極が設けられ、該対の電極間に電圧を印加するこ
とにより前記導入された反応ガスをプラズマ化し、一方
の電極に反応生成物を付着させて捕獲する反応室と、 前記処理後の反応ガスを排出する排気口と、 前記ガス導入口から前記反応室に至る反応ガスの入口側
通流路と、 前記反応室から前記排気口に至る反応ガスの出口側通流
路と、 前記入口側通流路を開閉する開閉手段を有する反応ガス
の逆流防止手段と、 前記入口側通流路と前記出口側通流路との間の圧力差を
測定する差圧計又は前記逆流防止手段の上流及び下流の
反応ガスの流れの方向を検出する流れ方向検出手段と、 前記差圧計により計測された圧力差の情報又は流れ方向
検出手段により検出された反応ガスの流れの方向の情報
が入力され、前記出口側通流路の圧力が前記入口側通流
路の圧力よりも低い場合或いは上流から下流に反応ガス
が流れている場合に前記入口側通流路が開かれ、前記出
口側通流路の圧力が前記入口側通流路の圧力よりも高く
なった場合或いは下流から上流に反応ガスが流れた場合
に前記入口側通流路が閉じられるように、前記開閉手段
を作動させる第１の制御手段とを有する除害装置。 - 【請求項５】 前記逆流防止手段は、前記ガス導入口か
ら前記反応室の方向への反応ガスの通常の流れに応じて
入口側通流路が開かれ、かつ前記反応室から前記ガス導
入口の方向への反応ガスの逆の流れに応じて入口側通流
路が閉じられる開閉手段を有することを特徴とする請求
項１又は請求項３記載の除害装置。 - 【請求項６】 前記反応室内に導入された反応ガスのプ
ラズマ化を均一に行わせるために、イオン化された前記
反応ガス粒子を磁場により広い範囲にわたって移動させ
る磁場発生手段が前記反応室の周囲に設けられているこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の除害装置。 - 【請求項７】 反応ガスにより成膜又はエッチングを行
うチャンバと、該チャンバ内を排気し、かつ該チャンバ
内から不要な反応ガスを排出する排気装置と、請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載の除害装置とを有し、 前記除害装置は、前記チャンバの下流であって、前記排
気装置の上流に設けられ、かつ前記チャンバからの排出
ガスを下流に導く第１の配管と前記除害装置の前記ガス
導入口とが連接され、かつ前記排気装置に前記排出ガス
を導く第２の配管と前記排気口とが連接されていること
を特徴とする成膜装置又はエッチング装置。 - 【請求項８】 反応ガスにより成膜又はエッチングを行
うチャンバと、前記チャンバ内を排気し、かつ該チャン
バ内から不要な反応ガスを排出する排気装置と、請求項
２又は請求項３記載の除害装置とを有し、 前記除害装置は、前記チャンバの下流であって、前記排
気装置の上流に設けられ、かつ前記チャンバからの排出
ガスを下流に導く第１の配管と前記ガス導入口とが連接
され、かつ前記排気装置に前記排出ガスを導く第２の配
管と前記排気口とが連接されており、前記差圧計により
計測された圧力差の情報が入力され、前記入口側通流路
の圧力が前記出口側通流路の圧力よりも所定の圧力以上
に高くなった場合に前記チャンバ内への反応ガスの導入
を停止する第２の制御手段が設けられていることを特徴
とする成膜装置又はエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16108095A JPH0910544A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 除害装置及び成膜装置及びエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16108095A JPH0910544A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 除害装置及び成膜装置及びエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0910544A true JPH0910544A (ja) | 1997-01-14 |
Family
ID=15728251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16108095A Withdrawn JPH0910544A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 除害装置及び成膜装置及びエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0910544A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0839930A1 (en) * | 1996-10-30 | 1998-05-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for vacuum line cleaning in substrate processing equipment |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| KR100485151B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2005-04-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 성장 장치 |
| JP2008545262A (ja) * | 2005-07-06 | 2008-12-11 | エドワーズ リミテッド | 排気ガスの処理方法 |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP16108095A patent/JPH0910544A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6193802B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6517913B1 (en) | 1995-09-25 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6680420B2 (en) | 1995-09-25 | 2004-01-20 | Applied Materials Inc. | Apparatus for cleaning an exhaust line in a semiconductor processing system |
| US6689930B1 (en) | 1995-09-25 | 2004-02-10 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for cleaning an exhaust line in a semiconductor processing system |
| EP0839930A1 (en) * | 1996-10-30 | 1998-05-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for vacuum line cleaning in substrate processing equipment |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| KR100485151B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2005-04-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 성장 장치 |
| JP2008545262A (ja) * | 2005-07-06 | 2008-12-11 | エドワーズ リミテッド | 排気ガスの処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |