JPH09111448A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH09111448A JPH09111448A JP26736795A JP26736795A JPH09111448A JP H09111448 A JPH09111448 A JP H09111448A JP 26736795 A JP26736795 A JP 26736795A JP 26736795 A JP26736795 A JP 26736795A JP H09111448 A JPH09111448 A JP H09111448A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】静止或いは移動する大型の基板に膜厚と膜特性
の分布の良好な膜を成膜できるスパッタ装置を提供する
こと 【解決手段】真空の成膜室２内のカソード６に設けたタ
ーゲット７と対向した静止若しくは移動する基板１上に
スパッタ成膜を行うスパッタ装置に於いて、該ターゲッ
トと基板との間に格子状のアノード１２を設置した。該
アノードの開口率は８０〜９７％に設定される。 【効果】プラズマを固定状態となし得られ、静止或いは
移動する大型の基板に大型の開放形のターゲットにより
膜厚と膜特性の分布の良好な膜を再現性良く成膜でき、
該アノードがプラズマ中の電子をトラップするので基板
上の異常放電を防止できて損傷のない成膜を行える
の分布の良好な膜を成膜できるスパッタ装置を提供する
こと 【解決手段】真空の成膜室２内のカソード６に設けたタ
ーゲット７と対向した静止若しくは移動する基板１上に
スパッタ成膜を行うスパッタ装置に於いて、該ターゲッ
トと基板との間に格子状のアノード１２を設置した。該
アノードの開口率は８０〜９７％に設定される。 【効果】プラズマを固定状態となし得られ、静止或いは
移動する大型の基板に大型の開放形のターゲットにより
膜厚と膜特性の分布の良好な膜を再現性良く成膜でき、
該アノードがプラズマ中の電子をトラップするので基板
上の異常放電を防止できて損傷のない成膜を行える
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶用などの大型
の基板への成膜に適したスパッタ装置に関する。
の基板への成膜に適したスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤ
という）の製造プロセスで用いられている各種金属膜や
ＩＴＯ（インジュウム・スズ・酸化物）透明電極形成用
のスパッタ装置として、真空の成膜室内のカソードに設
けたターゲットと対向して静止した基板上に成膜を行う
マルチチャンバー型枚葉装置と、インライン型装置のよ
うにターゲットの前方を移動する基板上に成膜を行う装
置とが知られている。また、基板のサイズも、近時は５
５０mm×６５０mm以上にまで大型化している。
という）の製造プロセスで用いられている各種金属膜や
ＩＴＯ（インジュウム・スズ・酸化物）透明電極形成用
のスパッタ装置として、真空の成膜室内のカソードに設
けたターゲットと対向して静止した基板上に成膜を行う
マルチチャンバー型枚葉装置と、インライン型装置のよ
うにターゲットの前方を移動する基板上に成膜を行う装
置とが知られている。また、基板のサイズも、近時は５
５０mm×６５０mm以上にまで大型化している。
【０００３】これを更に説明すると、静止した基板に成
膜を行う上記枚葉装置では、基板に対向して設置された
該基板より一回り大きなターゲットが使用され、該ター
ゲットは、背面に永久磁石または電磁石からなる磁気回
路を備えたマグネトロンカソードに取付けられ、該カソ
ードへの通電によりターゲットの前方にマグネトロン放
電を発生させて基板上にターゲット物質の膜を形成して
いる。通常、永久磁石や電磁石を揺動させてターゲット
の前方の磁界を揺動させ、ターゲットの全面をエロージ
ョン化や膜特性の均一化を図っている。一方、インライ
ン型装置では、カソードの背面に永久磁石を取付けた固
定磁気回路を設けてマグネトロン放電を発生させる形式
のマグネトロンカソードが一般的であったが、ターゲッ
トの使用効率が低いこと、ターゲットの寿命が短いこ
と、放電によるエロージョン領域の加熱のため高電力の
投入ができない、などの問題があるため、ターゲットと
して従来より大きなターゲットを用い永久磁石の磁気回
路を揺動させる形式のマグネトロンカソードが使用され
ている。このカソードは、磁気回路の揺動によりターゲ
ットの使用効率が改善され、エロージョン領域が移動す
るため冷却効率がアップして高電力の投入が可能にな
り、ターゲットの大型化と使用効率の改善の相乗効果で
ターゲットの寿命が大幅に延びるなどの長所がある。
膜を行う上記枚葉装置では、基板に対向して設置された
該基板より一回り大きなターゲットが使用され、該ター
ゲットは、背面に永久磁石または電磁石からなる磁気回
路を備えたマグネトロンカソードに取付けられ、該カソ
ードへの通電によりターゲットの前方にマグネトロン放
電を発生させて基板上にターゲット物質の膜を形成して
いる。通常、永久磁石や電磁石を揺動させてターゲット
の前方の磁界を揺動させ、ターゲットの全面をエロージ
ョン化や膜特性の均一化を図っている。一方、インライ
ン型装置では、カソードの背面に永久磁石を取付けた固
定磁気回路を設けてマグネトロン放電を発生させる形式
のマグネトロンカソードが一般的であったが、ターゲッ
トの使用効率が低いこと、ターゲットの寿命が短いこ
と、放電によるエロージョン領域の加熱のため高電力の
投入ができない、などの問題があるため、ターゲットと
して従来より大きなターゲットを用い永久磁石の磁気回
路を揺動させる形式のマグネトロンカソードが使用され
ている。このカソードは、磁気回路の揺動によりターゲ
ットの使用効率が改善され、エロージョン領域が移動す
るため冷却効率がアップして高電力の投入が可能にな
り、ターゲットの大型化と使用効率の改善の相乗効果で
ターゲットの寿命が大幅に延びるなどの長所がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】マグネトロン放電によ
り発生するプラズマの密度はエロージョン領域で均一で
あることが必要であり、プラズマが不均一であると、基
板に成膜された膜の膜厚や膜特性の分布に大きな影響を
与える。特に反応性により膜特性が変化するＩＴＯ膜で
は、シート抵抗や透過率、エッチング特性にも大きな分
布不均一が発生する。
り発生するプラズマの密度はエロージョン領域で均一で
あることが必要であり、プラズマが不均一であると、基
板に成膜された膜の膜厚や膜特性の分布に大きな影響を
与える。特に反応性により膜特性が変化するＩＴＯ膜で
は、シート抵抗や透過率、エッチング特性にも大きな分
布不均一が発生する。
【０００５】プレーナー型のマグネトロンカソードで
は、マグネトロン放電内でのインピーダンスが低いた
め、エロージョン領域で均一なプラズマを発生させるた
めにはアノードの設置形状が非常に重要である。上記イ
ンライン型装置などで従来用いられてきた固定磁気回路
のマグネトロンカソードでは、ターゲットと基板の間
に、エロージョン領域を囲むようにアノード（接地電位
又は積極的に電位を印加する）を配置することにより、
プラズマを均一な状態で固定させていた。しかし、基板
の大型化に伴い、上記枚葉装置やインライン型装置の静
止基板や移動基板へ成膜する大型ターゲットを設けた高
使用効率型カソードは、開口面積の大きな開放型のカソ
ードであり、従来のようなアノードではプラズマが不均
一になりやすく、膜厚や膜特性が不均一になりやすい欠
点がある。さらに、開口面積の大きな開放型のカソード
は、プラズマから基板への電子の流れ込み量が非常に多
くなり、チャージアップによる基板上での異常放電も発
生しやすく、欠陥膜の不良品となる不都合があった。
は、マグネトロン放電内でのインピーダンスが低いた
め、エロージョン領域で均一なプラズマを発生させるた
めにはアノードの設置形状が非常に重要である。上記イ
ンライン型装置などで従来用いられてきた固定磁気回路
のマグネトロンカソードでは、ターゲットと基板の間
に、エロージョン領域を囲むようにアノード（接地電位
又は積極的に電位を印加する）を配置することにより、
プラズマを均一な状態で固定させていた。しかし、基板
の大型化に伴い、上記枚葉装置やインライン型装置の静
止基板や移動基板へ成膜する大型ターゲットを設けた高
使用効率型カソードは、開口面積の大きな開放型のカソ
ードであり、従来のようなアノードではプラズマが不均
一になりやすく、膜厚や膜特性が不均一になりやすい欠
点がある。さらに、開口面積の大きな開放型のカソード
は、プラズマから基板への電子の流れ込み量が非常に多
くなり、チャージアップによる基板上での異常放電も発
生しやすく、欠陥膜の不良品となる不都合があった。
【０００６】本発明は、静止或いは移動する大型の基板
に膜厚と膜特性の分布の良好な膜を成膜できるスパッタ
装置特にマグネトロンスパッタ装置を提供することを目
的とするものである。
に膜厚と膜特性の分布の良好な膜を成膜できるスパッタ
装置特にマグネトロンスパッタ装置を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、真空の成膜
室内のカソードに設けたターゲットと対向した静止若し
くは移動する基板上にスパッタ成膜を行うスパッタ装置
に於いて、該ターゲットと基板との間に格子状のアノー
ドを設置することにより、上記目的を達成するようにし
た。該アノードの格子の開口率を８０〜９７％とし、該
カソードは背面に永久磁石或いは電磁石を備えて直流電
源又は交流電源に接続したマグネトロンスパッタカソー
ドで構成される。
室内のカソードに設けたターゲットと対向した静止若し
くは移動する基板上にスパッタ成膜を行うスパッタ装置
に於いて、該ターゲットと基板との間に格子状のアノー
ドを設置することにより、上記目的を達成するようにし
た。該アノードの格子の開口率を８０〜９７％とし、該
カソードは背面に永久磁石或いは電磁石を備えて直流電
源又は交流電源に接続したマグネトロンスパッタカソー
ドで構成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１及び図
２に基づき説明すると、図１は基板１を静止状態として
成膜を施す枚葉型スパッタ装置に適用した例を示し、図
２は移動状態の基板１に成膜を施すインライン型スパッ
タ装置に適用した例を示す。該基板１には、ガラス、金
属、合成樹脂などの板状或いはフィルム状の基板が使用
される。
２に基づき説明すると、図１は基板１を静止状態として
成膜を施す枚葉型スパッタ装置に適用した例を示し、図
２は移動状態の基板１に成膜を施すインライン型スパッ
タ装置に適用した例を示す。該基板１には、ガラス、金
属、合成樹脂などの板状或いはフィルム状の基板が使用
される。
【０００９】図１の成膜室２はコンダクタンスバルブ３
を介して真空排気ポンプ４に接続され、基板１は基板ホ
ルダー５の上に設置されて外部から図示してないゲート
バルブを介して該成膜室２内へ搬入される。また、該成
膜室２内には、水冷されたバッキングプレートを備えた
カソード６が設けられ、該バッキングプレートにターゲ
ット７がボンディングされており、これに対向するよう
に基板１がセットされる。該ターゲット７の材料は用途
に応じて各種のものが使用され、例えば、膜の用途が金
属配線膜であるときは、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗなどが、
また透明電極を用途とする場合には、ＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ2 、ＺｎＯなど、さらに絶縁膜が用途のときは、Ｓｉ
Ｏ2 やＳｉＮX などが、ターゲット材料として使用され
る。
を介して真空排気ポンプ４に接続され、基板１は基板ホ
ルダー５の上に設置されて外部から図示してないゲート
バルブを介して該成膜室２内へ搬入される。また、該成
膜室２内には、水冷されたバッキングプレートを備えた
カソード６が設けられ、該バッキングプレートにターゲ
ット７がボンディングされており、これに対向するよう
に基板１がセットされる。該ターゲット７の材料は用途
に応じて各種のものが使用され、例えば、膜の用途が金
属配線膜であるときは、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗなどが、
また透明電極を用途とする場合には、ＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ2 、ＺｎＯなど、さらに絶縁膜が用途のときは、Ｓｉ
Ｏ2 やＳｉＮX などが、ターゲット材料として使用され
る。
【００１０】該カソード６は、その背面に永久磁石或い
は電磁石から成る磁気回路８が設けられ、該磁気回路８
がこれに取付けられたターゲット７の表面にマグネトロ
ン磁界を発生させる。符号９は、該成膜室２内にＡｒガ
ス及び必要に応じて反応性ガスを導入するガスノズルで
ある。該カソード６には、電源１０から必要に応じて直
流または交流（例えば13.56MHz）の電界が印加され、該
カソード６の表面に発生するマグネトロン放電によりス
パッタされたターゲット７の物質が、静止している基板
１の表面に衝突してそこに薄膜が形成される。符号１１
はスパッタ物質が成膜室２の内壁に付着することを防止
するための防着板である。
は電磁石から成る磁気回路８が設けられ、該磁気回路８
がこれに取付けられたターゲット７の表面にマグネトロ
ン磁界を発生させる。符号９は、該成膜室２内にＡｒガ
ス及び必要に応じて反応性ガスを導入するガスノズルで
ある。該カソード６には、電源１０から必要に応じて直
流または交流（例えば13.56MHz）の電界が印加され、該
カソード６の表面に発生するマグネトロン放電によりス
パッタされたターゲット７の物質が、静止している基板
１の表面に衝突してそこに薄膜が形成される。符号１１
はスパッタ物質が成膜室２の内壁に付着することを防止
するための防着板である。
【００１１】こうした構成は従来のスパッタ装置と特に
変りがないが、本発明のものでは、ターゲット７と基板
１との間に格子状のアノード１２を設けるようにし、該
アノード１２を接地し若しくは切替えスイッチにより外
部電源（図示してない）から積極的に正電位を印加する
ようにした。該アノード１２の詳細は図３の如くであ
り、同図のものでは、直径５mmの丸棒状の導電体１２ａ
を５０mmの間隔を存して６本平行に設けて構成した。該
アノード１２の開口率は、該導電体１２ａの径や間隔を
変えることで変更でき、該導電体１２ａには板状、パイ
プ状、Ｌ字型断面、コ字型断面のものでも使用できる。
変りがないが、本発明のものでは、ターゲット７と基板
１との間に格子状のアノード１２を設けるようにし、該
アノード１２を接地し若しくは切替えスイッチにより外
部電源（図示してない）から積極的に正電位を印加する
ようにした。該アノード１２の詳細は図３の如くであ
り、同図のものでは、直径５mmの丸棒状の導電体１２ａ
を５０mmの間隔を存して６本平行に設けて構成した。該
アノード１２の開口率は、該導電体１２ａの径や間隔を
変えることで変更でき、該導電体１２ａには板状、パイ
プ状、Ｌ字型断面、コ字型断面のものでも使用できる。
【００１２】図１の装置の成膜室１内を真空排気ポンプ
４により適当な真空圧に排気し、ガスノズル９からスパ
ッタガスや反応性ガスを導入してカソード６へ通電する
と、マグネトロン放電が発生してターゲット７がスパッ
タされ、基板１上に薄膜が形成されるが、このとき該ア
ノード１２がターゲット７と基板１との間に設けられて
いるので、プラズマがターゲット７上に均一に固定状態
となり、ターゲット７が均一にスパッタされるため、基
板１に膜厚と膜特性の分布が均一な膜が得られる。
４により適当な真空圧に排気し、ガスノズル９からスパ
ッタガスや反応性ガスを導入してカソード６へ通電する
と、マグネトロン放電が発生してターゲット７がスパッ
タされ、基板１上に薄膜が形成されるが、このとき該ア
ノード１２がターゲット７と基板１との間に設けられて
いるので、プラズマがターゲット７上に均一に固定状態
となり、ターゲット７が均一にスパッタされるため、基
板１に膜厚と膜特性の分布が均一な膜が得られる。
【００１３】図２のスパッタ装置は、成膜室２内の下方
にカソード６、コンダクタンスバルブ３及び真空排気ポ
ンプ４が設けられ、基板１を該成膜室２内へ搬出入する
ためのゲートバルブ１３、１４と該基板１を該成膜室２
内でターゲット７上を移動させる搬送ローラー等の搬送
手段（図示してない）を設けた点が図１の装置と相違
し、外部から該成膜室２内へ搬入された基板１がターゲ
ット７上を移動するときに、これにスパッタされたター
ゲット物質が付着して膜が形成され、ゲートバルブ１４
を介して外部へ搬出される。該ターゲット７と移動する
基板１との間に格子状のアノード１２が設置され、この
例でも棒状の導電体１２ａでアノード１２を構成し、そ
の径とピッチ間隔を変えることにより、アノード１２の
開口率が可変されるようにした。該アノード１２も接地
若しくは外部電源により正電位が印加され、図示の例で
は、直径３mmの導電体１２ａを用い、間隔を１５mmから
１００mmの範囲で変化させた。この場合の該導電体１２
ａの形状も、板状、パイプ状、Ｌ字型断面、コ字型断面
であってもよい。
にカソード６、コンダクタンスバルブ３及び真空排気ポ
ンプ４が設けられ、基板１を該成膜室２内へ搬出入する
ためのゲートバルブ１３、１４と該基板１を該成膜室２
内でターゲット７上を移動させる搬送ローラー等の搬送
手段（図示してない）を設けた点が図１の装置と相違
し、外部から該成膜室２内へ搬入された基板１がターゲ
ット７上を移動するときに、これにスパッタされたター
ゲット物質が付着して膜が形成され、ゲートバルブ１４
を介して外部へ搬出される。該ターゲット７と移動する
基板１との間に格子状のアノード１２が設置され、この
例でも棒状の導電体１２ａでアノード１２を構成し、そ
の径とピッチ間隔を変えることにより、アノード１２の
開口率が可変されるようにした。該アノード１２も接地
若しくは外部電源により正電位が印加され、図示の例で
は、直径３mmの導電体１２ａを用い、間隔を１５mmから
１００mmの範囲で変化させた。この場合の該導電体１２
ａの形状も、板状、パイプ状、Ｌ字型断面、コ字型断面
であってもよい。
【００１４】この場合は、上記と同様に真空排気したの
ちスパッタガス等を導入し、外部から搬入されてターゲ
ット７上を移動する基板１にマグネトロンスパッタによ
り成膜され、その後外部へ搬出されるが、このときも該
アノード１２がターゲット７と基板１との間に介在する
ので、プラズマが固定状態になり、ターゲット７が均一
にスパッタされて膜厚と膜特性の分布が均一な膜が基板
１上に得られ、その再現性も良好となしうる。
ちスパッタガス等を導入し、外部から搬入されてターゲ
ット７上を移動する基板１にマグネトロンスパッタによ
り成膜され、その後外部へ搬出されるが、このときも該
アノード１２がターゲット７と基板１との間に介在する
ので、プラズマが固定状態になり、ターゲット７が均一
にスパッタされて膜厚と膜特性の分布が均一な膜が基板
１上に得られ、その再現性も良好となしうる。
【００１５】
【実施例１】図１に示す装置のターゲット７として、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 − 10at%ＳｎＯ2 のＩＴＯ焼結体を用い、スパ
ッタガスとしてＡｒ−5at%Ｏ2 の混合ガスを用い、その
ガス圧を０．６７Ｐａとした。カソード６に直流２Ｋｗ
を印加し、膜厚が約１０００オングストロームとなるよ
うに通電時間で調節した。使用した基板１は３００mm×
４００mmのガラス基板であり、図１の矢印で示したＸ軸
方向（基板の４００mm方向）の膜厚分布を測定した。そ
の結果は図４の曲線Ａで示す如くほぼ均一となり、格子
アノードを用いないときは、曲線Ｂのように基板１の両
端の膜厚が上昇した。これは、格子アノード１２がない
状態では、周囲の防着板１１がアノードの役割をしてい
るため、ターゲット７の中心部より防着板１１に近い部
分にプラズマが集中したためである。これに対し、格子
アノード１２を使用した本発明の場合は、ターゲット７
上でプラズマが均一に固定されるため、基板１内で均一
な膜厚分布が得られた。
ｎ2 Ｏ3 − 10at%ＳｎＯ2 のＩＴＯ焼結体を用い、スパ
ッタガスとしてＡｒ−5at%Ｏ2 の混合ガスを用い、その
ガス圧を０．６７Ｐａとした。カソード６に直流２Ｋｗ
を印加し、膜厚が約１０００オングストロームとなるよ
うに通電時間で調節した。使用した基板１は３００mm×
４００mmのガラス基板であり、図１の矢印で示したＸ軸
方向（基板の４００mm方向）の膜厚分布を測定した。そ
の結果は図４の曲線Ａで示す如くほぼ均一となり、格子
アノードを用いないときは、曲線Ｂのように基板１の両
端の膜厚が上昇した。これは、格子アノード１２がない
状態では、周囲の防着板１１がアノードの役割をしてい
るため、ターゲット７の中心部より防着板１１に近い部
分にプラズマが集中したためである。これに対し、格子
アノード１２を使用した本発明の場合は、ターゲット７
上でプラズマが均一に固定されるため、基板１内で均一
な膜厚分布が得られた。
【００１６】
【実施例２】図２に示す装置のターゲット７として、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 − 10at%ＳｎＯ2 のＩＴＯ焼結体を用い、スパ
ッタガスとしてＡｒ−5at%Ｏ2 の混合ガスを用い、その
ガス圧を０．６７Ｐａとした。カソード６への印加電力
を直流で１Ｋｗと４Ｋｗとし、格子状アノード１２の開
口率を変化させてガラスの基板１にＩＴＯ膜を成膜し
た。膜厚は１０００オングストロームとなるように基板
搬送速度を調節した。その結果は表１の如くで、１Ｋｗ
では格子アノードを用いない場合（開口率１００％）、
基板上で異常放電が発生したが、格子アノード１２の開
口率が９７％以下のときにはプラズマ中の電子が該アノ
ードによりトラップされチャージアップによる基板上の
異常放電は見られなかった。一方、４Ｋｗを投入したと
きは、開口率８５％まで異常放電が見られ、８０％まで
開口率を低下させることで、異常放電の発生を抑えるこ
とができた。従って、開口率は投入電力に応じて８０〜
９７％の範囲で設定することが望ましい。
ｎ2 Ｏ3 − 10at%ＳｎＯ2 のＩＴＯ焼結体を用い、スパ
ッタガスとしてＡｒ−5at%Ｏ2 の混合ガスを用い、その
ガス圧を０．６７Ｐａとした。カソード６への印加電力
を直流で１Ｋｗと４Ｋｗとし、格子状アノード１２の開
口率を変化させてガラスの基板１にＩＴＯ膜を成膜し
た。膜厚は１０００オングストロームとなるように基板
搬送速度を調節した。その結果は表１の如くで、１Ｋｗ
では格子アノードを用いない場合（開口率１００％）、
基板上で異常放電が発生したが、格子アノード１２の開
口率が９７％以下のときにはプラズマ中の電子が該アノ
ードによりトラップされチャージアップによる基板上の
異常放電は見られなかった。一方、４Ｋｗを投入したと
きは、開口率８５％まで異常放電が見られ、８０％まで
開口率を低下させることで、異常放電の発生を抑えるこ
とができた。従って、開口率は投入電力に応じて８０〜
９７％の範囲で設定することが望ましい。
【００１７】
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、スパ
ッタ装置のターゲットと基板との間に格子状のアノード
を設置したので、プラズマを固定状態となし得られ、静
止或いは移動する大型の基板に大型の開放形のターゲッ
トにより膜厚と膜特性の分布の良好な膜を再現性良く成
膜でき、該アノードがプラズマ中の電子をトラップする
ので基板上の異常放電を防止できて損傷のない成膜を行
える効果があり、この効果は該アノードの開口率を８０
〜９７％とすることで的確に奏し得られ、該カソードが
マグネトロンカソードである場合には、その背後の磁気
回路を揺動させることが不要であり、カソードの構造も
簡単になる効果がある。
ッタ装置のターゲットと基板との間に格子状のアノード
を設置したので、プラズマを固定状態となし得られ、静
止或いは移動する大型の基板に大型の開放形のターゲッ
トにより膜厚と膜特性の分布の良好な膜を再現性良く成
膜でき、該アノードがプラズマ中の電子をトラップする
ので基板上の異常放電を防止できて損傷のない成膜を行
える効果があり、この効果は該アノードの開口率を８０
〜９７％とすることで的確に奏し得られ、該カソードが
マグネトロンカソードである場合には、その背後の磁気
回路を揺動させることが不要であり、カソードの構造も
簡単になる効果がある。
【図１】本発明を静止基板の成膜に適用した実施例の截
断側面図
断側面図
【図２】本発明を移動基板の成膜に適用した実施例の截
断側面図
断側面図
【図３】図１のアノードの斜視図
【図４】実施例１の膜厚分布の線図
１ 基板 ２ 成膜室 ６ カソード ７ ターゲット １２ アノード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀 隆英 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 中村 肇 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 杉浦 功 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】真空の成膜室内のカソードに設けたターゲ
ットと対向した静止若しくは移動する基板上にスパッタ
成膜を行うスパッタ装置に於いて、該ターゲットと基板
との間に格子状のアノードを設置したことを特徴とする
スパッタ装置。 - 【請求項２】上記アノードの格子の開口率が８０〜９７
％であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装
置。 - 【請求項３】上記カソードはその背面に永久磁石或いは
電磁石を備えて直流電源又は交流電源に接続したマグネ
トロンスパッタカソードであることを特徴とする請求項
１に記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26736795A JPH09111448A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26736795A JPH09111448A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111448A true JPH09111448A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17443852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26736795A Pending JPH09111448A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09111448A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008115325A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Sunpower Corporation | Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies |
| JP2011012348A (ja) * | 2010-09-21 | 2011-01-20 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタ装置 |
| JP2021004390A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP26736795A patent/JPH09111448A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008115325A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Sunpower Corporation | Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies |
| US8557093B2 (en) | 2007-03-22 | 2013-10-15 | Sunpower Corporation | Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies |
| US9556512B2 (en) | 2007-03-22 | 2017-01-31 | Sunpower Corporation | Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies |
| JP2011012348A (ja) * | 2010-09-21 | 2011-01-20 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタ装置 |
| JP2021004390A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
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