JPH062134A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPH062134A JPH062134A JP17883292A JP17883292A JPH062134A JP H062134 A JPH062134 A JP H062134A JP 17883292 A JP17883292 A JP 17883292A JP 17883292 A JP17883292 A JP 17883292A JP H062134 A JPH062134 A JP H062134A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット表面の林立黒化現象を防止するこ
とによって膜形成速度の変動および膜比抵抗の劣化を抑
制し、高品質のＩＴＯ透明導電膜の安定した連続的な製
造方法を提供する。 【構成】 インジウム−錫酸化物ターゲットを用いたス
パッタリング法による透明導電膜の製造方法において、
該スパッタリングに高周波放電を用いることを特徴とす
る透明導電膜の製造方法。
とによって膜形成速度の変動および膜比抵抗の劣化を抑
制し、高品質のＩＴＯ透明導電膜の安定した連続的な製
造方法を提供する。 【構成】 インジウム−錫酸化物ターゲットを用いたス
パッタリング法による透明導電膜の製造方法において、
該スパッタリングに高周波放電を用いることを特徴とす
る透明導電膜の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法によ
るインジウム−錫酸化物透明導電膜の製造方法に関し、
詳しくは成膜の際に高周波放電を用いることによって、
ターゲット表面の変質に起因する膜形成速度の変動およ
び膜比抵抗の劣化を抑制し、優れた特性を有する透明導
電膜の連続的な製造方法に関する。
るインジウム−錫酸化物透明導電膜の製造方法に関し、
詳しくは成膜の際に高周波放電を用いることによって、
ターゲット表面の変質に起因する膜形成速度の変動およ
び膜比抵抗の劣化を抑制し、優れた特性を有する透明導
電膜の連続的な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空蒸着法やスパッタリング法に
よって得られるインジウム−錫酸化物（Ｉｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2：Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）膜
は高導電性、高透明性等の特性を活かし、プラズマディ
スプレイ、液晶ディスプレイ、タッチパネル等の電子デ
ィスプレイの電極材料として広く用いられている。
よって得られるインジウム−錫酸化物（Ｉｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2：Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）膜
は高導電性、高透明性等の特性を活かし、プラズマディ
スプレイ、液晶ディスプレイ、タッチパネル等の電子デ
ィスプレイの電極材料として広く用いられている。
【０００３】近年、成膜速度の制御性、大面積基板に成
膜した場合の均一性等の点から、製造ラインではスパッ
タリング法が一般的となっているが、これまで企業的規
模でスパッタリングを利用する場合、成膜速度が遅いこ
とが大きなネックとなっていた。そこで、ターゲット電
極背面に磁石を設け、ターゲット表面に湾曲した磁力線
による不均一な磁界を発生させることで、プラズマをタ
ーゲット表面付近に封じ込め、アルゴンガス等の導入ガ
スのイオン化効率を上げることにより成膜速度を改善で
きるマグネトロン・スパッタリング法が考え出され、現
在、最も広く用いられるようになった。
膜した場合の均一性等の点から、製造ラインではスパッ
タリング法が一般的となっているが、これまで企業的規
模でスパッタリングを利用する場合、成膜速度が遅いこ
とが大きなネックとなっていた。そこで、ターゲット電
極背面に磁石を設け、ターゲット表面に湾曲した磁力線
による不均一な磁界を発生させることで、プラズマをタ
ーゲット表面付近に封じ込め、アルゴンガス等の導入ガ
スのイオン化効率を上げることにより成膜速度を改善で
きるマグネトロン・スパッタリング法が考え出され、現
在、最も広く用いられるようになった。
【０００４】一般に、スパッタリング法には陰極（ター
ゲット）と陽極（基板）の間に高周波電圧を印加する方
法（ＲＦスパッタ法）と直流電圧を印加する方法（ＤＣ
スパッタ法）がある。現在、企業的規模では成膜速度が
大きいことや成膜時の制御性、安定性等の点から透明導
電膜の製造には、直流マグネトロン・スパッタリング法
が主流となっており、１．５〜２．０×１０-4Ω・ｃｍ
の低抵抗膜が得られている。また、直流と高周波を併用
したマグネトロン・スパッタリング法も提案されている
（特開平３−２４９１７１号公報）。
ゲット）と陽極（基板）の間に高周波電圧を印加する方
法（ＲＦスパッタ法）と直流電圧を印加する方法（ＤＣ
スパッタ法）がある。現在、企業的規模では成膜速度が
大きいことや成膜時の制御性、安定性等の点から透明導
電膜の製造には、直流マグネトロン・スパッタリング法
が主流となっており、１．５〜２．０×１０-4Ω・ｃｍ
の低抵抗膜が得られている。また、直流と高周波を併用
したマグネトロン・スパッタリング法も提案されている
（特開平３−２４９１７１号公報）。
【０００５】しかるに、ＩＴＯターゲットを使用して直
流マグネトロン・スパッタリング法により成膜した場合
には、ターゲット使用時間が長くなるに従ってターゲッ
ト表面が黒色化し突起が発生し（林立黒化現象）、それ
に伴い、膜形成速度の変動および膜比抵抗の劣化が起こ
ることが判っている。このため長時間に亘って安定して
高品質のＩＴＯ膜が得られないという問題が生じる。
流マグネトロン・スパッタリング法により成膜した場合
には、ターゲット使用時間が長くなるに従ってターゲッ
ト表面が黒色化し突起が発生し（林立黒化現象）、それ
に伴い、膜形成速度の変動および膜比抵抗の劣化が起こ
ることが判っている。このため長時間に亘って安定して
高品質のＩＴＯ膜が得られないという問題が生じる。
【０００６】このためＩＴＯ膜の成膜に際し、生産性向
上のために、一定時間経過後にターゲット表面の黒色突
起部分を除去するといったクリーニングをしなければな
らない。しかし、量産タイプのスパッタリング装置で
は、この何回ものクリーニングが生産性に大きく影響す
る。
上のために、一定時間経過後にターゲット表面の黒色突
起部分を除去するといったクリーニングをしなければな
らない。しかし、量産タイプのスパッタリング装置で
は、この何回ものクリーニングが生産性に大きく影響す
る。
【０００７】従って、クリーニング回数が少ないか、あ
るいは全くクリーニングしなくても連続的に安定して高
品質のＩＴＯ膜を得られるような長寿命ターゲット（ロ
ングライフターゲット）が望まれている。
るいは全くクリーニングしなくても連続的に安定して高
品質のＩＴＯ膜を得られるような長寿命ターゲット（ロ
ングライフターゲット）が望まれている。
【０００８】ＩＴＯターゲットの長寿命化対策として、
ターゲットの高密度化が挙げられるが、高密度ターゲッ
トにおいても林立黒化現象は起こり、またターゲット表
面に林立黒化が発生していなくても膜比抵抗の劣化が起
こることが知られている。
ターゲットの高密度化が挙げられるが、高密度ターゲッ
トにおいても林立黒化現象は起こり、またターゲット表
面に林立黒化が発生していなくても膜比抵抗の劣化が起
こることが知られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従
来、通常使用されているＩＴＯターゲットを用いて成膜
したときに起こるターゲット表面の林立黒化現象を防止
することによって膜形成速度の変動および膜比抵抗の劣
化を抑制し、高品質のＩＴＯ透明導電膜の安定した連続
的な製造方法を提供することにある。
来、通常使用されているＩＴＯターゲットを用いて成膜
したときに起こるターゲット表面の林立黒化現象を防止
することによって膜形成速度の変動および膜比抵抗の劣
化を抑制し、高品質のＩＴＯ透明導電膜の安定した連続
的な製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、従
来より用いられている直流放電に代えて高周波放電によ
りスパッタリングを行なうことによって達成される。
来より用いられている直流放電に代えて高周波放電によ
りスパッタリングを行なうことによって達成される。
【００１１】すなわち、本発明の透明導電膜の製造方法
は、ＩＴＯターゲットを用いたスパッタリング法による
透明導電膜を製造方法において、該スパッタリングに高
周波放電を用いることを特徴とする。
は、ＩＴＯターゲットを用いたスパッタリング法による
透明導電膜を製造方法において、該スパッタリングに高
周波放電を用いることを特徴とする。
【００１２】以下、本発明について詳細に説明する。図
１は、本発明の製造方法を実施するための装置の構成図
であり、典型的な高周波マグネトロン・スパッタリング
装置を示している。同図において、１は真空チャンバ
ー、２は高周波電源、３はマグネット、４はバッキング
プレート、５はＩＴＯターゲット、６は基板、７はマス
フロー、８はガスボンベ、９は真空ポンプ、１０は真空
計、１１はマッチングボックスをそれぞれ示す。
１は、本発明の製造方法を実施するための装置の構成図
であり、典型的な高周波マグネトロン・スパッタリング
装置を示している。同図において、１は真空チャンバ
ー、２は高周波電源、３はマグネット、４はバッキング
プレート、５はＩＴＯターゲット、６は基板、７はマス
フロー、８はガスボンベ、９は真空ポンプ、１０は真空
計、１１はマッチングボックスをそれぞれ示す。
【００１３】この装置は、真空ポンプ９からなる真空排
気系とアルゴンガス等のガスボンベ８、マスフロー７か
らなるガス導入系を備えた真空チャンバー１の中にＩＴ
Ｏターゲット５と、これに対向して基板６が配設されて
いる。
気系とアルゴンガス等のガスボンベ８、マスフロー７か
らなるガス導入系を備えた真空チャンバー１の中にＩＴ
Ｏターゲット５と、これに対向して基板６が配設されて
いる。
【００１４】スパッタリングに際しては、真空チャンバ
ー１内に基板６をセットした後、真空ポンプ９により真
空チャンバー１内を高真空に排気し、ガス導入系からア
ルゴンガスあるいはアルゴンと酸素の混合ガスをマスフ
ロー７を介して真空チャンバー１内に導入してスパッタ
リング条件を設定する。また、必要に応じて基板ヒータ
ー等により基板６を加熱する。スパッタリング条件を設
定した後、高周波電源２によりＩＴＯターゲット５と基
板６の間に高周波電圧を印加する。このときアルゴンイ
オンがターゲット表面のターゲット物質をたたき出し、
基板表面に付着させて成膜する。
ー１内に基板６をセットした後、真空ポンプ９により真
空チャンバー１内を高真空に排気し、ガス導入系からア
ルゴンガスあるいはアルゴンと酸素の混合ガスをマスフ
ロー７を介して真空チャンバー１内に導入してスパッタ
リング条件を設定する。また、必要に応じて基板ヒータ
ー等により基板６を加熱する。スパッタリング条件を設
定した後、高周波電源２によりＩＴＯターゲット５と基
板６の間に高周波電圧を印加する。このときアルゴンイ
オンがターゲット表面のターゲット物質をたたき出し、
基板表面に付着させて成膜する。
【００１５】ＩＴＯターゲット５の背面には、ターゲッ
ト表面のプラズマ密度を上げて成膜速度を上げるための
マグネット３が設置してあり、これによりＩＴＯターゲ
ット５はプラズマ密度の高い部分が掘れ、この掘れた部
分をエロージョン部という。
ト表面のプラズマ密度を上げて成膜速度を上げるための
マグネット３が設置してあり、これによりＩＴＯターゲ
ット５はプラズマ密度の高い部分が掘れ、この掘れた部
分をエロージョン部という。
【００１６】直流電源１２によってＩＴＯターゲット５
と基板６の間に直流電圧を印加する従来の図２に示され
る直流マグネトロン・スパッタリング装置では、ターゲ
ット使用時間（スパッタ累積時間）が長くなるに従い、
このエロージョン付近が黒化し、突起が発生する。これ
に伴い膜形成速度の変動や膜比抵抗の劣化が生産現場に
おいて大きな問題となっていた。
と基板６の間に直流電圧を印加する従来の図２に示され
る直流マグネトロン・スパッタリング装置では、ターゲ
ット使用時間（スパッタ累積時間）が長くなるに従い、
このエロージョン付近が黒化し、突起が発生する。これ
に伴い膜形成速度の変動や膜比抵抗の劣化が生産現場に
おいて大きな問題となっていた。
【００１７】そこで、本発明では、スパッタリングに上
述のように高周波電圧を印加し、高周波放電を発生する
ことによって、ＩＴＯターゲット表面の黒化および突起
の発生を防止するものである。
述のように高周波電圧を印加し、高周波放電を発生する
ことによって、ＩＴＯターゲット表面の黒化および突起
の発生を防止するものである。
【００１８】このようにして、長期の使用にあってもＩ
ＴＯターゲットの林立黒化現象が抑制され、膜形成速度
の変動や膜比抵抗の劣化が防止される。
ＴＯターゲットの林立黒化現象が抑制され、膜形成速度
の変動や膜比抵抗の劣化が防止される。
【００１９】
【作用】ＩＴＯターゲットの突起発生の原因と高周波放
電を用いた場合の作用については次の通りである。
電を用いた場合の作用については次の通りである。
【００２０】すなわち、ＩＴＯターゲットを使ってスパ
ッタリングで成膜する場合、アルゴンイオンによってた
たき出されたターゲット物質は基板に到達してＩＴＯ膜
となるものと、基板に到達せずにターゲット表面に再び
付着するものとがある。この再付着物はアルゴンイオン
衝撃により酸素の不足状態にあると思われ、そのものの
抵抗がＩＴＯターゲット本体の抵抗より高いことが考え
られる。
ッタリングで成膜する場合、アルゴンイオンによってた
たき出されたターゲット物質は基板に到達してＩＴＯ膜
となるものと、基板に到達せずにターゲット表面に再び
付着するものとがある。この再付着物はアルゴンイオン
衝撃により酸素の不足状態にあると思われ、そのものの
抵抗がＩＴＯターゲット本体の抵抗より高いことが考え
られる。
【００２１】このような状態で直流放電によりスパッタ
リングを行なうと、再付着物の部分には流入するアルゴ
ンイオンが持ってくる正電荷が蓄積し、再付着部分の電
位はプラズマ電位と等しくなる。よって、その部分のみ
アルゴンイオンが衝突しなくなり、掘れ残り突起を形成
する。
リングを行なうと、再付着物の部分には流入するアルゴ
ンイオンが持ってくる正電荷が蓄積し、再付着部分の電
位はプラズマ電位と等しくなる。よって、その部分のみ
アルゴンイオンが衝突しなくなり、掘れ残り突起を形成
する。
【００２２】一方、高周波放電によるスパッタリング
は、従来、絶縁物の成膜に用いられているので高周波放
電によりスパッタリングすれば、再付着物の固着に起因
するターゲット表面の抵抗のバラツキに関係なくターゲ
ット本体と再付着物を同時にスパッタリングすることが
できるので突起の発生を防ぐことができる。
は、従来、絶縁物の成膜に用いられているので高周波放
電によりスパッタリングすれば、再付着物の固着に起因
するターゲット表面の抵抗のバラツキに関係なくターゲ
ット本体と再付着物を同時にスパッタリングすることが
できるので突起の発生を防ぐことができる。
【００２３】以上のことから、ＩＴＯ透明導電膜をスパ
ッタリングにより製造する場合、高周波放電を用いるこ
とによってターゲット表面の黒化および突起の発生を防
止し、林立黒化に起因する膜形成速度の変動や、膜比抵
抗の劣化を抑制することができる。
ッタリングにより製造する場合、高周波放電を用いるこ
とによってターゲット表面の黒化および突起の発生を防
止し、林立黒化に起因する膜形成速度の変動や、膜比抵
抗の劣化を抑制することができる。
【００２４】
【実施例】以下、実施例等に基づき本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００２５】実施例 図１に示した装置を用い、高周波放電により基板上にＩ
ＴＯ膜を成膜した。このとき使用したターゲットはＩｎ
2Ｏ3にＳｎＯ2を１０重量％の割合で混合したものをコ
ールドプレス法により製造した密度８７％、厚さ６ｍｍ
の焼結体である。ここで、基板には厚さに１ｍｍのクラ
ウンガラスを使用した。
ＴＯ膜を成膜した。このとき使用したターゲットはＩｎ
2Ｏ3にＳｎＯ2を１０重量％の割合で混合したものをコ
ールドプレス法により製造した密度８７％、厚さ６ｍｍ
の焼結体である。ここで、基板には厚さに１ｍｍのクラ
ウンガラスを使用した。
【００２６】この際のエロージョン掘れ深さと膜形成速
度変動率および膜比抵抗の変化について評価した。
度変動率および膜比抵抗の変化について評価した。
【００２７】先ず、まず高周波電力１ｗａｔｔ／ｃ
ｍ2、圧力３ｍｔｏｒｒ、基板温度２００℃にてアルゴ
ンガスと酸素ガスの混合比を変えて成膜し、膜比抵抗が
最も低くなる条件を探した。この後、エロージョン部が
１ｍｍになるまで２ｗａｔｔ／ｃｍ2でスパッタリング
し続け、１ｍｍ掘れたところで再び１ｗａｔｔ／ｃｍ2
で成膜するということを５ｍｍ掘れるまで続けた。
ｍ2、圧力３ｍｔｏｒｒ、基板温度２００℃にてアルゴ
ンガスと酸素ガスの混合比を変えて成膜し、膜比抵抗が
最も低くなる条件を探した。この後、エロージョン部が
１ｍｍになるまで２ｗａｔｔ／ｃｍ2でスパッタリング
し続け、１ｍｍ掘れたところで再び１ｗａｔｔ／ｃｍ2
で成膜するということを５ｍｍ掘れるまで続けた。
【００２８】この結果、高周波放電によりスパッタリン
グした場合、エロージョンが５ｍｍ掘れたときのターゲ
ット表面には突起は殆ど発生していなかった。
グした場合、エロージョンが５ｍｍ掘れたときのターゲ
ット表面には突起は殆ど発生していなかった。
【００２９】図３にエロージョン掘れ深さに対する膜形
成速度の変化を示す。この図３から、高周波放電による
スパッタリングでは５ｍｍ掘れたときの膜形成速度はタ
ーゲット使い始めと比較して約１０％減少していた。
成速度の変化を示す。この図３から、高周波放電による
スパッタリングでは５ｍｍ掘れたときの膜形成速度はタ
ーゲット使い始めと比較して約１０％減少していた。
【００３０】図４にエロージョン掘れ深さに対する膜比
抵抗の変化を示す。この図４から、高周波放電によるス
パッタリングの場合、ターゲット使い始めの膜比抵抗は
１．８×１０-4Ω・ｃｍ、５ｍｍ掘れた状態では２．４
×１０-4Ω・ｃｍと使い始めの約１．３倍となった。
抵抗の変化を示す。この図４から、高周波放電によるス
パッタリングの場合、ターゲット使い始めの膜比抵抗は
１．８×１０-4Ω・ｃｍ、５ｍｍ掘れた状態では２．４
×１０-4Ω・ｃｍと使い始めの約１．３倍となった。
【００３１】比較例 図２に示した装置を用い、直流放電により基板上にＩＴ
Ｏ膜を成膜した。このとき使用したターゲットおよび基
板は実施例と同様のものである。
Ｏ膜を成膜した。このとき使用したターゲットおよび基
板は実施例と同様のものである。
【００３２】この際のエロージョン掘れ深さと膜形成速
度変動率および膜比抵抗の変化について評価した。
度変動率および膜比抵抗の変化について評価した。
【００３３】先ず、高周波電力０．３ｗａｔｔ／ｃ
ｍ2、圧力３ｍｔｏｒｒ、基板温度２００℃にてアルゴ
ンガスと酸素ガスの混合比を変えて成膜、膜比抵抗が最
も低くなる条件を探した。この後、エロージョンが１ｍ
ｍになるまで２．３ｗａｔｔ／ｃｍ2でスパッタリング
し続け、１ｍｍ掘れたところで再び０．３ｗａｔｔ／ｃ
ｍ2で成膜するということを５ｍｍ掘れるまで続けた。
ｍ2、圧力３ｍｔｏｒｒ、基板温度２００℃にてアルゴ
ンガスと酸素ガスの混合比を変えて成膜、膜比抵抗が最
も低くなる条件を探した。この後、エロージョンが１ｍ
ｍになるまで２．３ｗａｔｔ／ｃｍ2でスパッタリング
し続け、１ｍｍ掘れたところで再び０．３ｗａｔｔ／ｃ
ｍ2で成膜するということを５ｍｍ掘れるまで続けた。
【００３４】この結果、直流放電によりスパッタリング
した場合、エロージョンが５ｍｍ掘れるまで使うと、タ
ーゲット表面は黒色突起が多数発生していた。
した場合、エロージョンが５ｍｍ掘れるまで使うと、タ
ーゲット表面は黒色突起が多数発生していた。
【００３５】図３にエロージョン掘れ深さに対する膜形
成速度の変化を示す。この図３から直流放電によるスパ
ッタリングでは５ｍｍ掘れたときの膜形成速度は、ター
ゲット使い始めと比較して約６５％減少していた。
成速度の変化を示す。この図３から直流放電によるスパ
ッタリングでは５ｍｍ掘れたときの膜形成速度は、ター
ゲット使い始めと比較して約６５％減少していた。
【００３６】図４にエロージョン掘れ深さに対する膜比
抵抗の変化を示す。この図４から、直流放電によるスパ
ッタリングの場合、ターゲット使い始めの膜比抵抗は２
×１０-4Ω・ｃｍ、５ｍｍ掘れた状態では５×１０-4Ω
・ｃｍと使い始めの約２．５倍となった。
抵抗の変化を示す。この図４から、直流放電によるスパ
ッタリングの場合、ターゲット使い始めの膜比抵抗は２
×１０-4Ω・ｃｍ、５ｍｍ掘れた状態では５×１０-4Ω
・ｃｍと使い始めの約２．５倍となった。
【００３７】
【発明の効果】以上から明らかなように、本願発明の製
造方法によって、スパッタリングによりＩＴＯ膜を形成
する際、ターゲット表面の黒化および突起発生に起因す
る膜形成速度の変動や膜比抵抗の劣化を抑制し、高品質
のＩＴＯ透明導電膜をターゲット表面のクリーニングな
しに安定して連続的に製造できる。
造方法によって、スパッタリングによりＩＴＯ膜を形成
する際、ターゲット表面の黒化および突起発生に起因す
る膜形成速度の変動や膜比抵抗の劣化を抑制し、高品質
のＩＴＯ透明導電膜をターゲット表面のクリーニングな
しに安定して連続的に製造できる。
【図１】 実施例に用いた高周波マグネトロン・スパッ
タリング装置の構成図。
タリング装置の構成図。
【図２】 比較例に用いた直流マグネトロン・スパッタ
リング装置の構成図。
リング装置の構成図。
【図３】 エロージョン掘れ深さと膜形成速度変動率の
関係を示すグラフ。
関係を示すグラフ。
【図４】 エロージョン掘れ深さと膜比抵抗の関係を示
すグラフ。
すグラフ。
１：真空チャンバー、２：高周波電源、３：マグネッ
ト、４：バッキングプレート、５：ＩＴＯターゲット、
６：基板、７：マスフロー、８：ガスボンベ、９：真空
ポンプ、１０：真空計、１１：マッチングボックス、１
２：直流電源。
ト、４：バッキングプレート、５：ＩＴＯターゲット、
６：基板、７：マスフロー、８：ガスボンベ、９：真空
ポンプ、１０：真空計、１１：マッチングボックス、１
２：直流電源。
Claims (1)
- 【請求項１】 インジウム−錫酸化物ターゲットを用い
たスパッタリング法による透明導電膜の製造方法におい
て、該スパッタリングに高周波放電を用いることを特徴
とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17883292A JPH062134A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17883292A JPH062134A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062134A true JPH062134A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=16055450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17883292A Pending JPH062134A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1074363C (zh) * | 1996-08-21 | 2001-11-07 | 株式会社电装 | 使用发热元件的车用加热装置 |
| CN1094437C (zh) * | 1996-07-22 | 2002-11-20 | 株式会社电装 | 用于车辆的供暖设备 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP17883292A patent/JPH062134A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1094437C (zh) * | 1996-07-22 | 2002-11-20 | 株式会社电装 | 用于车辆的供暖设备 |
| CN1074363C (zh) * | 1996-08-21 | 2001-11-07 | 株式会社电装 | 使用发热元件的车用加热装置 |
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