JPH09113411A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
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- JPH09113411A JPH09113411A JP29326595A JP29326595A JPH09113411A JP H09113411 A JPH09113411 A JP H09113411A JP 29326595 A JP29326595 A JP 29326595A JP 29326595 A JP29326595 A JP 29326595A JP H09113411 A JPH09113411 A JP H09113411A
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- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光スペクトル解析のための光スペクトラム
アナライザーの光ファイバ入力部を、発光ダイオード用
半導体ウエハ２の発光部３に近づけられない欠点を解消
し、確実に光量とスペクトルが同時に測定することがで
きる改良された受光装置を提供する。 【解決手段】 光電変換装置１１の受光面の中央に光ス
ペクトラムアナライザーの光ファイバ入力部１２を垂直
に設けた光電変換装置で受光させ、発光ダイオード用半
導体ウエハの発光光量と発光スペクトルを同時に測定す
るようにしたことを特徴とする受光装置である。
アナライザーの光ファイバ入力部を、発光ダイオード用
半導体ウエハ２の発光部３に近づけられない欠点を解消
し、確実に光量とスペクトルが同時に測定することがで
きる改良された受光装置を提供する。 【解決手段】 光電変換装置１１の受光面の中央に光ス
ペクトラムアナライザーの光ファイバ入力部１２を垂直
に設けた光電変換装置で受光させ、発光ダイオード用半
導体ウエハの発光光量と発光スペクトルを同時に測定す
るようにしたことを特徴とする受光装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、発光ダイオード
用半導体ウエハの発光光量と発光スペクトルを同一装置
で測定するための受光装置に関するものである。
用半導体ウエハの発光光量と発光スペクトルを同一装置
で測定するための受光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の発光作用を利用した発光ダイオ
ードは、安価で長寿命の特徴があり、近年、いろいろな
光源装置やディスプレイなどに使用されている。この発
光ダイオードはｐｎ接合を形成した板状の半導体結晶
（ウエハ）より作られる。発光ダイオードを形成する前
には、ウエハ状態での発光特性を把握する必要がある。
ここで発光特性とは、主に発光する光量と発光スペクト
ルを指す。ウエハ状での測定は通常次のようにして行わ
れている。まず、超音波等を利用した機械加工により、
ウエハにリング状の溝を設け、発光させるための電流制
限領域を形成する。そして、その領域に電極針を触れさ
せて通電し、光量と発光スペクトルを測定するのであ
る。
ードは、安価で長寿命の特徴があり、近年、いろいろな
光源装置やディスプレイなどに使用されている。この発
光ダイオードはｐｎ接合を形成した板状の半導体結晶
（ウエハ）より作られる。発光ダイオードを形成する前
には、ウエハ状態での発光特性を把握する必要がある。
ここで発光特性とは、主に発光する光量と発光スペクト
ルを指す。ウエハ状での測定は通常次のようにして行わ
れている。まず、超音波等を利用した機械加工により、
ウエハにリング状の溝を設け、発光させるための電流制
限領域を形成する。そして、その領域に電極針を触れさ
せて通電し、光量と発光スペクトルを測定するのであ
る。
【０００３】以下、具体的な測定例を図３を参照して説
明する。図３は従来技術での測定装置の配置例を示すシ
ステム全体の説明図である。即ち、ウエハステージ１上
に発光ダイオード用半導体ウエハ２が載置される。この
発光ダイオード用半導体ウエハ２には発光部３が形成さ
れている。電源装置５から上記ウエハステージ１と、一
方は発光ダイオード用半導体ウエハ２にプローブ４を接
触させ、電流を流すことにより発光ダイオード用半導体
ウエハ２の発光部３を発光させる。そして、発光部３か
らの光を上側に設置した光量を測定するための光電変換
装置（太陽電池セル）６により測定する。また、斜め上
方には発光スペクトルを測定するための光ファイバ入力
部７が配置され、これは光スペクトラムアナライザ９に
接続されている。
明する。図３は従来技術での測定装置の配置例を示すシ
ステム全体の説明図である。即ち、ウエハステージ１上
に発光ダイオード用半導体ウエハ２が載置される。この
発光ダイオード用半導体ウエハ２には発光部３が形成さ
れている。電源装置５から上記ウエハステージ１と、一
方は発光ダイオード用半導体ウエハ２にプローブ４を接
触させ、電流を流すことにより発光ダイオード用半導体
ウエハ２の発光部３を発光させる。そして、発光部３か
らの光を上側に設置した光量を測定するための光電変換
装置（太陽電池セル）６により測定する。また、斜め上
方には発光スペクトルを測定するための光ファイバ入力
部７が配置され、これは光スペクトラムアナライザ９に
接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】発光ダイオード用半導
体ウエハ２の光量と発光スペクトルを測定する場合、図
３のように測定装置を配置して測定する場合、発光部３
の光量を正確に測定するために、光スペクトル入力用の
受光部を近づけることができないことが問題としてでて
くる。即ち、発光ダイオード用半導体ウエハ２にリング
状に溝を形成して作られた発光部３の発光量は、溝形成
の機械的荒れのため方向性にある程度のばらつきがある
ためである。このばらつきを考慮して発光量を正確に測
定するためには、発光部３の周囲の全方位で受光する必
要がある。
体ウエハ２の光量と発光スペクトルを測定する場合、図
３のように測定装置を配置して測定する場合、発光部３
の光量を正確に測定するために、光スペクトル入力用の
受光部を近づけることができないことが問題としてでて
くる。即ち、発光ダイオード用半導体ウエハ２にリング
状に溝を形成して作られた発光部３の発光量は、溝形成
の機械的荒れのため方向性にある程度のばらつきがある
ためである。このばらつきを考慮して発光量を正確に測
定するためには、発光部３の周囲の全方位で受光する必
要がある。
【０００５】また、発光スペクトル測定用の光ファイバ
入力部７を発光部３に近付けすぎると、光電変換部に影
ができてしまう。これを避けるためには、光ファイバ入
力部７をある程度発光部３から距離を置かなければなら
ない。ウエハ状態での発光は、通常発光量が小さいこと
と光ファイバ入力部７を発光ダイオード用半導体ウエハ
２の発光部３から離れると、光ファイバ入力部７に入力
させることのできる光強度が弱まることから、発光スペ
クトルを解析する分光器（通常、光スペクトラムアナラ
イザー）に到達する光量は非常に小さくなってしまう。
そのため、解析が十分に行うことができなくなる。
入力部７を発光部３に近付けすぎると、光電変換部に影
ができてしまう。これを避けるためには、光ファイバ入
力部７をある程度発光部３から距離を置かなければなら
ない。ウエハ状態での発光は、通常発光量が小さいこと
と光ファイバ入力部７を発光ダイオード用半導体ウエハ
２の発光部３から離れると、光ファイバ入力部７に入力
させることのできる光強度が弱まることから、発光スペ
クトルを解析する分光器（通常、光スペクトラムアナラ
イザー）に到達する光量は非常に小さくなってしまう。
そのため、解析が十分に行うことができなくなる。
【０００６】この発明はこのような点に鑑みてなされた
もので、発光スペクトル解析のための光スペクトラムア
ナライザーの光ファイバ入力部を、発光ダイオード用半
導体ウエハ２の発光部３に近づけられない欠点を解消
し、確実に光量とスペクトルが同時に測定することがで
きる改良された受光装置を提供することを目的とする。
もので、発光スペクトル解析のための光スペクトラムア
ナライザーの光ファイバ入力部を、発光ダイオード用半
導体ウエハ２の発光部３に近づけられない欠点を解消
し、確実に光量とスペクトルが同時に測定することがで
きる改良された受光装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、光電変換装
置の受光面の中央に光スペクトラムアナライザーの光フ
ァイバ入力部を垂直に設けた光電変換装置で受光させ、
発光ダイオード用半導体ウエハの発光光量と発光スペク
トルを同時に測定するようにしたことを特徴とする受光
装置である。
置の受光面の中央に光スペクトラムアナライザーの光フ
ァイバ入力部を垂直に設けた光電変換装置で受光させ、
発光ダイオード用半導体ウエハの発光光量と発光スペク
トルを同時に測定するようにしたことを特徴とする受光
装置である。
【０００８】このように光電変換装置の受光面の中央に
光スペクトラムアナライザーの光ファイバ入力部を垂直
に設けた光電変換装置で受光させることにより、光量を
全方位で測定するとともに、光スペクトラムアナライザ
ーへの光量を大幅に向上させることが可能になる。
光スペクトラムアナライザーの光ファイバ入力部を垂直
に設けた光電変換装置で受光させることにより、光量を
全方位で測定するとともに、光スペクトラムアナライザ
ーへの光量を大幅に向上させることが可能になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいてこの発明の
実施例を説明する。図１は実施例の受光装置の構成を示
すシステム全体の説明図である。即ち、先に説明した図
３に示す従来例と同様に、ウエハステージ１上に発光ダ
イオード用半導体ウエハ１０が載置される。この発光ダ
イオード用半導体ウエハ１０には発光部３が形成されて
いる。電源装置５から上記ウエハステージ１と一方はプ
ローブ４を接続し電流を通電して発光部３を発光させ
る。そして、発光ダイオード用半導体ウエハ１０の発光
部３からの光を上方に設置した、中央に垂直にスペクト
ラムアナライザー９に接続された光ファイバ入力部１２
が設けられた光電変換装置１１により測定するように配
置される。上記光ファイバ入力部１２はスペクトラムア
ナライザ９に接続されるとともに光電変換装置１１は光
量計測装置８に接続され、それぞれ発光ダイオード用半
導体ウエハ１０の発光部３からの発光した光のスペクト
ルと全方位での光量を同時に測定するように構成されて
いる。
実施例を説明する。図１は実施例の受光装置の構成を示
すシステム全体の説明図である。即ち、先に説明した図
３に示す従来例と同様に、ウエハステージ１上に発光ダ
イオード用半導体ウエハ１０が載置される。この発光ダ
イオード用半導体ウエハ１０には発光部３が形成されて
いる。電源装置５から上記ウエハステージ１と一方はプ
ローブ４を接続し電流を通電して発光部３を発光させ
る。そして、発光ダイオード用半導体ウエハ１０の発光
部３からの光を上方に設置した、中央に垂直にスペクト
ラムアナライザー９に接続された光ファイバ入力部１２
が設けられた光電変換装置１１により測定するように配
置される。上記光ファイバ入力部１２はスペクトラムア
ナライザ９に接続されるとともに光電変換装置１１は光
量計測装置８に接続され、それぞれ発光ダイオード用半
導体ウエハ１０の発光部３からの発光した光のスペクト
ルと全方位での光量を同時に測定するように構成されて
いる。
【００１０】発光ダイオード用半導体ウエハ１０とし
て、赤色発光するシングルヘテロ構造のＡｌＧａＡｓ結
晶ウエハを用い、従来の測定方法での配置をとった場合
と、上記実施例の受光装置で測定した結果を説明する。
て、赤色発光するシングルヘテロ構造のＡｌＧａＡｓ結
晶ウエハを用い、従来の測定方法での配置をとった場合
と、上記実施例の受光装置で測定した結果を説明する。
【００１１】まず、従来での測定方法を説明する。図２
において、発光ダイオード用半導体ウエハ１０の発光部
３からの光量を測定するために、φ２０ｍｍのＳｉ製太
陽電池６を用いた。斜め上方に設置する発光スペクトル
測定用の光ファイバ入力部７としてφ１ｍｍのセルフォ
ックレンズを設けた光ファイバを使用した。発光ダイオ
ード用半導体ウエハ１０の発光部３とＳｉ製太陽電池６
の距離は１６ｍｍである。また、発光部３から光ファイ
バ入力部７までの距離は１２ｍｍである。
において、発光ダイオード用半導体ウエハ１０の発光部
３からの光量を測定するために、φ２０ｍｍのＳｉ製太
陽電池６を用いた。斜め上方に設置する発光スペクトル
測定用の光ファイバ入力部７としてφ１ｍｍのセルフォ
ックレンズを設けた光ファイバを使用した。発光ダイオ
ード用半導体ウエハ１０の発光部３とＳｉ製太陽電池６
の距離は１６ｍｍである。また、発光部３から光ファイ
バ入力部７までの距離は１２ｍｍである。
【００１２】この受光装置の配置で、２０ｍＡの電流を
電源装置５から通電して発光ダイオード用半導体ウエハ
１０の発光部３を発光させて、光スペクトルアナライザ
ー９で得られた入力強度は、約−６５ｄＢｍであった。
この程度の入力強度ではノイズが多くなってしまい、解
析するためにデータの積算等のデータ処理を施さなけれ
ばならなかった。
電源装置５から通電して発光ダイオード用半導体ウエハ
１０の発光部３を発光させて、光スペクトルアナライザ
ー９で得られた入力強度は、約−６５ｄＢｍであった。
この程度の入力強度ではノイズが多くなってしまい、解
析するためにデータの積算等のデータ処理を施さなけれ
ばならなかった。
【００１３】一方、この発明による受光装置で図１に示
すように測定した結果、光スペクトルアナライザー９の
光ファイバ入力部１２がＳｉ製太陽電池１１の受光面の
中央に設けてあるため、光電変換装置６の受光面と発光
ダイオード用半導体ウエハ１０の発光面３との間隔を５
ｍｍと近づけることが可能である。この配置で先程と同
様に発光ダイオード用半導体ウエハ１０に電源装置５か
ら２０ｍＡの電流を通電して発光部３を発光させ、光ス
ペクトルアナライザー９での入力強度を調べたところ、
−５３ｄＢｍが得られた。この程度の強度であればノイ
ズも殆どなく、容易にスペクトルの解析が行うことがで
きる。
すように測定した結果、光スペクトルアナライザー９の
光ファイバ入力部１２がＳｉ製太陽電池１１の受光面の
中央に設けてあるため、光電変換装置６の受光面と発光
ダイオード用半導体ウエハ１０の発光面３との間隔を５
ｍｍと近づけることが可能である。この配置で先程と同
様に発光ダイオード用半導体ウエハ１０に電源装置５か
ら２０ｍＡの電流を通電して発光部３を発光させ、光ス
ペクトルアナライザー９での入力強度を調べたところ、
−５３ｄＢｍが得られた。この程度の強度であればノイ
ズも殆どなく、容易にスペクトルの解析が行うことがで
きる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の受光装
置によれば、発光ダイオード用半導体ウエハの発光特性
（発光光量，光スペクトル）を計測する上で、従来光量
測定の都合上、光スペクトル測定用の光ファイバ入力部
が発光部に近づけられなかったのに対し、この発明の受
光装置では、光量を全方位に基づいて測定することがで
きるとともに、光量測定に支障を与えることなく入力部
を近づけることができる。その結果、光スペクトルアナ
ライザーに入力させる光量を大幅に向上させることが可
能となり、ノイズが少なく容易にスペクトルの解析が行
うことができる。
置によれば、発光ダイオード用半導体ウエハの発光特性
（発光光量，光スペクトル）を計測する上で、従来光量
測定の都合上、光スペクトル測定用の光ファイバ入力部
が発光部に近づけられなかったのに対し、この発明の受
光装置では、光量を全方位に基づいて測定することがで
きるとともに、光量測定に支障を与えることなく入力部
を近づけることができる。その結果、光スペクトルアナ
ライザーに入力させる光量を大幅に向上させることが可
能となり、ノイズが少なく容易にスペクトルの解析が行
うことができる。
【図１】本発明の実施例の受光装置の構成を示すシステ
ム全体の構成図、
ム全体の構成図、
【図２】従来の受光装置で実施例と比較するために配置
したシステム全体の構成図、
したシステム全体の構成図、
【図３】従来の受光装置の構成を示すシステム全体の構
成図である。
成図である。
１ ウエハステージ ２ 発光ダイオード用半導体ウエハ ３ 発光部 ４ プローブ ５ 電源装置 ６ 光電変換装置（太陽電池） ７ 光ファイバ入力部 ８ 光量計測装置 ９ 光スペクトルアナライザー １０ シングルヘテロＡｌＧａＡｓエピタキシャルウエ
ハ １１ 光ファイバ入力部付光電変換装置 １２ 光ファイバ入力部
ハ １１ 光ファイバ入力部付光電変換装置 １２ 光ファイバ入力部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｘ 33/00 33/00 Ｋ
Claims (1)
- 【請求項１】 光電変換装置の受光面の中央に光スペク
トラムアナライザーの光ファイバ入力部を垂直に設けた
光電変換装置で受光させ、発光ダイオード用半導体ウエ
ハの発光光量と発光スペクトルを同時に測定するように
したことを特徴とする受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29326595A JPH09113411A (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29326595A JPH09113411A (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09113411A true JPH09113411A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17792590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29326595A Pending JPH09113411A (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09113411A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4892118B1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-03-07 | パイオニア株式会社 | 発光素子用受光モジュール及び発光素子用検査装置 |
| WO2012073346A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用受光モジュール及び半導体発光素子用検査装置 |
| WO2013145132A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用の測定装置 |
| CN103370802A (zh) * | 2010-12-01 | 2013-10-23 | 日本先锋公司 | 一种半导体发光元件用光接收模块以及半导体发光元件用检测装置 |
| WO2015107656A1 (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-23 | パイオニア株式会社 | 光学測定装置 |
-
1995
- 1995-10-17 JP JP29326595A patent/JPH09113411A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4892118B1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-03-07 | パイオニア株式会社 | 発光素子用受光モジュール及び発光素子用検査装置 |
| WO2012073346A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用受光モジュール及び半導体発光素子用検査装置 |
| WO2012073345A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | パイオニア株式会社 | 発光素子用受光モジュール及び発光素子用検査装置 |
| CN102686990A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-09-19 | 日本先锋公司 | 发光元件用光接收模块及发光元件用检查装置 |
| JPWO2012073346A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-05-19 | パイオニア株式会社 | 発光ダイオード素子用受光モジュール及び発光ダイオード素子用検査装置 |
| CN103370802A (zh) * | 2010-12-01 | 2013-10-23 | 日本先锋公司 | 一种半导体发光元件用光接收模块以及半导体发光元件用检测装置 |
| WO2013145132A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用の測定装置 |
| JPWO2013145132A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2015-08-03 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用の測定装置および半導体発光素子用の測定方法 |
| WO2015107656A1 (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-23 | パイオニア株式会社 | 光学測定装置 |
| JPWO2015107656A1 (ja) * | 2014-01-16 | 2017-03-23 | パイオニア株式会社 | 光学測定装置 |
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