JPH11340512A - 半導体検査装置及び端面発光型発光光半導体素子ウェハーの検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】この発明は、ウェハー上の端面発光型発光ダイ
オードを検査する半導体検査装置がないという課題を解
決しようとするものである。 【解決手段】 この発明はウェハー２０の電気的特性を
測定するためのカード状測定部４と、ウェハー２０の端
面発光型発光光半導体素子１０からの光の光量を測定す
るための受光装置９とを備え、受光装置９の受光面をカ
ード状測定部４に固定し、受光装置９の受光面を、ウェ
ハー２０上の端面発光型発光光半導体素子１０より発せ
られる光のうちウェハー２０の基板面に対して光出射方
向で５度から３５度までの角度範囲内の光束が入射する
位置に設置したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体検査装置及び
端面発光型発光光半導体素子ウェハーの検査方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ウェハー上に複数個整列して作製
されている発光光半導体素子を検査する半導体検査装置
としては、特開平７ー２０１９４５号公報に従来例とし
て記載されているようにウェハープローバ装置が知られ
ている。このウェハープローバ装置においては、図９に
示すように、面発光型発光光半導体素子としての面発光
型発光ダイオードが複数個整列して作製されているウェ
ハー１が載置されるウェハーステージ２と、プローブ３
の針がウェハー１上の任意の発光ダイオードの電極部に
接続されてその電気的特性を測定するためのカード状測
定部としてのプローブカード４と、このプローブカード
４を介してウェハー１上の発光ダイオードに電圧の印加
や電流注入を行い、その時の発光ダイオードの電流値や
電圧値などの電気的特性を測定して発光ダイオードの電
気的な良否を判断する電気特性テスター５と、ウェハー
１上の発光ダイオードからの光をプローブカード４の開
口部４ａを介して受光して光電変換する、ウェハー１上
の発光ダイオードの光学的特性を測定するための受光装
置６と、プローブカード４を介してウェハー１上の発光
ダイオードに所定の動作電流を注入し、受光装置６の出
力値からその時の発光ダイオードの発光量などの光学的
特性を測定して発光ダイオードの光学的特性の良否を判
断する光学特性テスター７とを有する。

【０００３】受光装置６はプローブカード４に対して移
動可能な構造になっており、発光ダイオードの特性測定
時以外には測定位置から退避しており、発光ダイオード
の特性測定時に移動して測定位置にくるようになってい
る。これは、マニュアルのウェハープローバ装置及びセ
ミオートのウェハープローバ装置、つまり、プローブカ
ード４とウェハー１上の発光ダイオードの位置合わせ
（アライメント）を手動で行うタイプのウェハープロー
バ装置では、図１０に示すように作業者がウェハー１の
基板面と垂直な方向の上方からプローブ３とウェハー１
上の発光ダイオードの電極パッドの位置を実体顕微鏡８
等を見ながら合わせるために、アライメント時には受光
装置６をウェハー１上の発光ダイオードの直上の測定位
置から退避させておかなければならないからである。

【０００４】そして、発光ダイオードの特性測定時に
は、図１１に示すように作業者が受光装置６をウェハー
１上の発光ダイオードの直上の測定位置に移動させて発
光ダイオードの特性を測定する。このため、発光ダイオ
ードの特性測定時には、ウェハー１上の発光ダイオード
をその直上から実体顕微鏡８等で観察することはできな
くなる。このことは、発光ダイオードの特性測定と同時
に発光ダイオードの発光状態をモニターし、画像処理等
を用いて発光ダイオードの発光形状の良否を判定するこ
とや、作業者が発光ダイオードの特性測定状況をチェッ
クすることを不可能にしている。

【０００５】図１２は上記ウェハープローバ装置におけ
るウェハー１上の発光ダイオード及びプローブ３周辺を
拡大して示す。プローブカード４の下面からウェハー１
の表面までの距離（プローブ３の高さ）は一般に１〜３
ｍｍ程度である。また、プローブカード４の厚さは一般
に２〜３ｍｍ程度である。このため、移動機構を設けた
受光装置６をプローブカード４の下側に設けることは困
難であり、一般に受光装置６はプローブカード４の上面
側に設けられることになる。その結果、ウェハー１上の
発光ダイオードと受光装置６の受光面との距離は、一般
に１０ｍｍ以上である。

【０００６】このため、ウェハー１上の発光ダイオード
からの光を受光装置６で十分に受光するためには、受光
装置６の受光面の面積を大きくとることが必要になる。
ところが、大きな受光面を持つ受光装置（一般にはフォ
トダイオードや太陽電池が用いられている）６では、ウ
ェハー１上の発光ダイオード以外からの外乱光の影響や
受光装置６自体のダークカレント（暗電流）などのノイ
ズが大きくなり、これが測定精度を下げることになる。
また、受光装置６を移動させるための移動機構を設けて
いるが、この移動機構の精度が悪いと測定動作毎に受光
装置６の受光面とウェハー１上の発光ダイオードとの相
対位置が変わることになり、測定精度が低くなる。故
に、この移動機構は精度の高いものが必要となり、その
ため、受光装置６は寸法が大きくなって設置が難しくな
り、高価になる等の問題が発生する。

【０００７】また、特開平７ー２０１９４５号公報に
は、この問題を解決するため、上記ウェハープローバ装
置において、受光装置６の受光面をプローブカード４に
対して所定の位置に固定し、かつ受光装置６の受光面は
ウェハー１上の端面発光型発光ダイオードの発光部より
ウェハーに対して垂直に出る光束を遮断しない位置に設
置するようにしたものが記載されている。

【０００８】特開平８ー３２１１０号公報には、従来技
術として、端面発光型発光ダイオードアレイの発光特性
はウェハー状態では測定できず、端面発光型発光ダイオ
ードアレイを分離した後にその特性を測定を行うために
工程が複雑になると記載されている。また、特開平８ー
３２１１０号公報には、発光端面を斜面とした端面発光
型発光ダイオードが記載されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来は、ウェハー上の
端面発光型発光ダイオードを検査する半導体検査装置が
ない。また、上記特開平８ー３２１１０号公報記載の端
面発光型発光ダイオードでは、発光端面を斜面としたの
で、発光ダイオードアレイの各発光部（発光ダイオード
部分）の光出射部端面を斜面で形成することは可能であ
るが、同時に各発光部間の素子分離溝部も斜面で形成す
ることになり、高密度の発光ダイオードアレイ形成には
不利である。

【００１０】このため、この発光端面を斜面とした端面
発光型発光ダイオードは、各発光部間の素子分離溝を形
成する必要が無く、発光部を不純物拡散工程で形成する
発光ダイオードアレイに適応することになる。実際に特
開平８ー３２１１０号公報記載の実施例は、発光部を不
純物拡散工程で形成する発光ダイオードアレイである。
しかし、不純物拡散工程で形成するＰＮ接合からなる発
光部による発光は電流−光変換効率が低く、高出力の必
要な発光ダイオードアレイには不向きである。そこで、
ウェハー上の高出力発光ダイオードアレイの検査にはウ
ェハー上の高光出力に適したヘテロ接合等を構成する多
層構成の端面発光型発光光半導体素子を素子分離で分離
するためにウェハー基板にほぼ垂直な発光端面を持つ端
面発光型発光光半導体素子でも検査できる半導体検査装
置が必要である。

【００１１】請求項１に係る発明は、測定感度の大幅な
向上が可能になり、ウェハー上の基板面にほぼ垂直な発
光端面を持つ端面発光型発光光半導体素子でも検査する
ことができる半導体検査装置を提供することを目的とす
る。請求項２に係る発明は、測定精度が高い端面発光型
発光光半導体素子ウェハーの検査方法を提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、少なくとも発光層と、この
発光層を発光させるための電極とを含む積層構造を有
し、この積層構造の端面より光を出射する端面発光型発
光光半導体素子が複数個整列して作製されているウェハ
ーの電気的特性を測定するためのカード状測定部と、前
記ウェハーにおける前記端面発光型発光光半導体素子か
らの光の光量を測定するための受光装置とを備えた半導
体検査装置において、前記受光装置の受光面を前記カー
ド状測定部の所定の位置に固定し、かつ、前記受光装置
の受光面を、前記ウェハー上の検査すべき前記端面発光
型発光光半導体素子より発せられる光のうち前記ウェハ
ーの基板面に対して光出射方向で５度から３５度までの
角度範囲内の光束が入射する位置に設置したものであ
る。

【００１３】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体検査装置を用いてウェハー上の端面発光型発光光半
導体素子を検査する端面発光型発光光半導体素子ウェハ
ーの検査方法において、前記ウェハー上の所定の端面発
光型発光光半導体素子の発光部とその前方に隣接する端
面発光型発光光半導体素子の発光部との間の所定位置に
光を反射する反射装置を構成し、前記所定の端面発光型
発光光半導体素子の発光部からの光を前記反射装置で反
射させることにより前記ウェハーの上方に折り曲げて前
記受光装置の受光部に入射させ、前記端面発光型発光光
半導体素子の検査後における前記ウェハーの素子分離の
ための切断時に前記端面発光型発光光半導体素子の前方
に前記反射装置が無くなるように切断する。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態の一部
を示す。この実施形態では、前述した図９〜図１２に示
す半導体検査装置において、受光装置６の代りに受光装
置９が用いられ、ウェハー２０上の複数個整列して作製
されている端面発光型発光光半導体素子としての端面発
光型発光ダイオード１０を検査する。受光装置９の受光
面は、ウェハーステージ２上に載置されたウェハー２０
上の検査すべき端面発光型発光ダイオード１０より発せ
られる光のうちウェハー２０の基板面に対して光出射方
向で５度から３５度までの角度範囲内の光束が入射する
ようにカード状測定部としてのプローブカード４に固定
される。

【００１５】ウェハー２０上の任意の検査すべき端面発
光型発光ダイオード１０の電極パッドよりなる電極部に
はプローブ３の針が接触され、ウェハー２０上の各端面
発光型発光ダイオード１０はプローブカード４からプロ
ーブ３を介して電流が供給されることにより発光する。
受光装置９は、その端面発光型発光ダイオード１０から
出射された光を受光部９ａで受光して光電変換し処理し
て測定する。

【００１６】図５は端面発光型発光ダイオード１０を含
むウェハー２０の例の一部を示す。このウェハー２０
は、基板１１上に複数の端面発光型発光ダイオード１
０、１０・・・が一列に整列して設けられて形成された
端面発光型発光ダイオードアレイを複数個有し、端面発
光型発光ダイオード１０、１０・・・の個別電極２１、
２１・・・がそれぞれ配線により電極パットに接続され
ている。端面発光型発光ダイオード１０、１０・・・
は、それぞれ、ＧａＡｓからなる基板１１上にｎ型Ｇａ
Ａｓからなるバッファ層１２、ｎ型Ａｌ₀．₄Ｇａ₀．₆Ａ
ｓからなる下部クラッド層１３、Ａｌ₀．₂Ｇａ₀．₈Ａｓ
からなる活性層１４、ｐ型Ａｌ₀．₄Ｇａ₀．₆Ａｓからな
る上部クラッド層１５、ｐ型ＧａＡｓからなるキャップ
層１６が順次に形成され、その上に絶縁膜１７が堆積さ
れる。

【００１７】絶縁膜１７にはコンタクトホールが形成さ
れ、最終的に分割されるチップ間の境界領域として、基
板１１上に絶縁膜１７が形成されていない、ダイシング
ストリートが形成される。その後、電極２１、２１・・
・がコンタクトホールを介してキャップ層１６上に形成
され、絶縁膜１７上に配線及び電極パッドが形成されて
基板１１の裏面には裏面電極１８が形成される。この裏
面電極１８は接地される。ウェハー２０は本実施形態に
よる検査後にダイシング法によりダイシングストリート
を切断することでチップ状にカットして各々端面発光型
発光ダイオードアレイを分離する。

【００１８】図２は本実施形態の発光部付近を拡大して
示す。ウェハー２０上の端面発光型発光ダイオード１０
から出た光の一部はウェハー２０上の端面発光型発光ダ
イオード１０の前方で反射されて上方に折り曲げられ、
受光装置９の受光部９ａに入射する。これにより、端面
発光型発光ダイオード１０におけるウェハー２０の基板
面とほぼ垂直な端面から出た光でも有効に端面発光型発
光ダイオード１０の前方上方に設置されている受光装置
９の受光部９ａにより受光される。

【００１９】ここに、本来ウェハー２０のテラスが無け
ればウェハー２０上の端面発光型発光ダイオード１０の
ファーフィールドパターンの主軸（光軸）は正面を向く
が、ウェハー２０上の端面発光型発光ダイオード１０の
ファーフィールドパターンを受光装置９を用いて測定す
ると、端面発光型発光ダイオード１０のファーフィール
ドパターンのピーク（主軸）が１５度〜２５度の範囲に
あることが分かった。その原因としては、端面発光型発
光ダイオード１０の端面から出た光がウェハー２０の表
面で反射されて上方に向かうことが考えられる。

【００２０】本実施形態においては、その光軸を含む±
１０度の範囲で端面発光型発光ダイオード１０からの光
を受光する受光装置を用いると、発光ダイオード１０か
らの光の光量を十分に測定できることが明らかになり、
発光ダイオード１０より発せられる光のうちウェハー２
０の基板面に対して光出射方向で５度から３５土までの
角度範囲内の光束を受光する受光装置９を用いている。
実際に本実施形態では、ウェハー２０の上面から出る光
（ウェハー２２０からその基板面に垂直に出る光）を８
０〜１００度の角度範囲で受光装置により受光する従来
装置に比べて、数十倍の光量を受光装置９で取れて有利
である。

【００２１】図６は本実施形態におけるプローブカード
４の要部を示す写真であり、受光装置９がプローブ３の
針の前方に設置されている。図７は受光装置９の受光部
９ａを拡大して示す。受光装置９の受光部９ａは、プロ
ーブ３の針の先端近傍に発光ダイオード１０の発光部を
臨むうに設置されている。図８は受光装置９の受光部９
ａとプローブ３の針の関係を側方から見た写真である。

【００２２】この実施形態は、請求項１に係る発明の一
実施形態であり、少なくとも発光層としての活性層１４
と、この発光層１４を発光させるための電極としての電
極パッドとを含む積層構造を有し、この積層構造の端面
より光を出射する端面発光型発光光半導体素子としての
端面発光型発光ダイオード１０が複数個整列して作製さ
れているウェハー２０の電気的特性を測定するためのカ
ード状測定部としてのプローブカード４と、前記ウェハ
ー２０における前記端面発光型発光光半導体素子１０か
らの光の光量を測定するための受光装置９とを備えた半
導体検査装置において、前記受光装置９の受光面を前記
カード状測定部４の所定の位置に固定し、かつ、前記受
光装置９の受光面を、前記ウェハー２０上の検査すべき
前記端面発光型発光光半導体素子１０より発せられる光
のうち前記ウェハー２０の基板面に対して光出射方向で
５度から３５度までの角度範囲内の光束が入射する位置
に設置したので、端面発光型発光光半導体素子からの光
の大部分を受光装置で受光することができ、測定感度の
大幅な向上が可能になり、ウェハー上の基板面にほぼ垂
直な発光端面を持つ端面発光型発光光半導体素子でも検
査することができる。

【００２３】本発明の他の実施形態は、上記実施形態の
半導体検査装置を用いてウェハー２０上の端面発光型発
光光半導体素子としての端面発光型発光ダイオード１０
を検査する端面発光型発光光半導体素子ウェハーの検査
方法の一実施形態であり、前述のように各端面発光型発
光ダイオード１０の電気的特性及び光学的特性を測定し
て各端面発光型発光ダイオード１０の電気的な良否及び
光学的な良否を判断する。

【００２４】この実施形態では、図３に示すようにウェ
ハー２０上の検査すべき任意の各端面発光型発光ダイオ
ード１０の発光部とその前方に隣接する各端面発光型発
光ダイオード１０の発光部との間の所定幅を有する所定
位置（例えばダイシング法により除去される部分の位
置）に光を反射する反射装置３０をそれぞれ構成し、上
記任意の各端面発光型発光ダイオード１０の発光部から
の光を反射装置３０で反射させることによりウェハー２
０の上方に折り曲げて受光装置９の受光部９ａに入射さ
せる。これにより、端面発光型発光ダイオード１０から
出射された光が効率良く受光装置９の受光部９ａで受光
される。

【００２５】反射装置３０は、例えば図１３に示すよう
に反射鏡からなり、端面発光型発光ダイオード１０の発
光端面１０ａから出た光３１を反射するウェハー２０の
表面に設けられて受光装置９の入射光量を増加させる。
この反射鏡３０は、光を反射する金属などからなる部分
であり、ウェハー２０上の検査すべき端面発光型発光ダ
イオード１０の発光端面１０ａより前方で、この検査す
べき端面発光型発光ダイオード１０とその前方で隣接す
る端面発光型発光ダイオード１０の発光部より後方であ
り、かつ、上記検査すべき端面発光型発光ダイオード１
０の発光端面１０ａと反射鏡３０との間に上記検査すべ
き端面発光型発光ダイオード１０とその前方に隣接する
端面発光型発光ダイオード１０との分離部（ダイシング
ストリート２２）が来るように設置する。

【００２６】ウェハー２０上の端面発光型発光ダイオー
ド１０の上記電気的良否及び光学的良否の検査後におけ
るダイシング法によるウェハー２０の素子分離のための
切断時には、図４に示すように上記任意の各端面発光型
発光ダイオード１０の発光部とその前方に隣接する各端
面発光型発光ダイオード１０の発光部との間の分離部
（ダイシングストリート２２）を切断して各端面発光型
発光ダイオードアレイを分離する。この分離後の端面発
光型発光ダイオードアレイの端面発光型発光ダイオード
は、その前方の反射装置３０がその前方から除去される
ので、反射装置３０による光の不要な反射が起こること
を防止でき、端面からの出射光が前方に何らの阻害もな
く出射されることになる。

【００２７】本発明の別の実施形態は、上記実施形態の
半導体検査装置を用いてウェハー２０上の端面発光型発
光光半導体素子としての端面発光型発光ダイオード１０
を検査する端面発光型発光光半導体素子ウェハーの検査
方法の別の実施形態であり、上記端面発光型発光光半導
体素子ウェハーの検査方法の一実施形態において、図１
４に示すように上記配線及び電極パッドと反射装置３０
とを兼ねた金属３２を設ける。

【００２８】端面発光型発光ダイオード１０は、発光部
に電流を供給するために、発光部につながる電極２１
と、配線及び電極パッド（通常金属が使われ、一般的に
金やアルミニウムが使われる）を設けるが、この配線及
び電極パッドは金属からなっていて光の反射率が高いの
で、配線及び電極パッドと反射装置３０とを金属３２で
兼ねた構造とする。この金属３２は、検査すべき端面発
光型発光ダイオード１０の発光端面１０ａと金属３２と
の間に上記検査すべき端面発光型発光ダイオード１０と
その前方に隣接する端面発光型発光ダイオード１０との
分離部（ダイシングストリート２２）が来るように設け
る。

【００２９】これらの実施形態は、請求項２に係る発明
の一実施形態であり、請求項１記載の半導体検査装置を
用いてウェハー２０上の端面発光型発光光半導体素子と
しての端面発光型発光ダイオード１０を検査する端面発
光型発光光半導体素子ウェハーの検査方法において、前
記ウェハー２０上の所定の端面発光型発光光半導体素子
１０の発光部とその前方に隣接する端面発光型発光光半
導体素子１０の発光部との間の所定位置に光を反射する
反射装置３０、３２を構成し、前記所定の端面発光型発
光光半導体素子１０の発光部からの光を前記反射装置３
０、３２で反射させることにより前記ウェハー２０の上
方に折り曲げて前記受光装置９の受光部９ａに入射さ
せ、前記端面発光型発光光半導体素子１０の検査後にお
ける前記ウェハー２０の素子分離のための切断時に前記
端面発光型発光光半導体素子１０の前方に前記反射装置
３０、３２が無くなるように切断するので、端面発光型
発光光半導体素子からの出射光が反射装置でウェハー上
方に屈曲されて受光装置の受光面に入り易くなり、受光
装置の受光量が多くなって測定精度が高くなる。また、
ウェハー上の素子分離後に端面発光型発光光半導体素子
の前方に反射装置が無くなることにより、分離後の端面
発光型発光光半導体素子からの出射光の反射装置による
屈曲がなくなり、素子正面に光を照射することができ
る。

【００３０】なお、本発明は、端面発光型発光ダイオー
ド以外の端面発光型発光光半導体素子にも同様に適用す
ることができ、また、上記実施形態においてウェハー２
０上の各端面発光型発光ダイオード１０をダイシング法
でなくスクライブ法により切断してもよい。

【００３１】

【発明の効果】以上のように請求項１に係る発明によれ
ば、上記構成により、端面発光型発光光半導体素子から
の光の大部分を受光装置で受光することができ、測定感
度の大幅な向上が可能になり、ウェハー上の基板面にほ
ぼ垂直な発光端面を持つ端面発光型発光光半導体素子で
も検査することができる。

【００３２】請求項２に係る発明によれば、上記構成に
より、端面発光型発光光半導体素子からの出射光が反射
装置でウェハー上方に屈曲されて受光装置の受光面に入
り易くなり、受光装置の受光量が多くなって測定精度が
高くなる。また、ウェハーの素子分離後に端面発光型発
光光半導体素子の前方に反射装置が無くなることによ
り、分離後の端面発光型発光光半導体素子からの出射光
の反射装置による屈曲がなくなり、素子正面に光を照射
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の一部を示す正面図であ
る。

【図２】同実施形態の発光部付近を拡大して示す正面図
である。

【図３】本発明の他の実施形態を説明するための正面図
である。

【図４】同実施形態による素子分離後の発光ダイオード
を示す正面図である。

【図５】端面発光型発光ダイオードを含むウェハーの例
の一部を示す断面図である。

【図６】上記実施形態におけるプローブカードの要部を
示す図である。

【図７】上記実施形態における受光装置の受光部を拡大
して示す図である。

【図８】上記実施形態における受光装置の受光部とプロ
ーブの針の関係を側方から見た図である。

【図９】従来の半導体検査装置を示す正面図である。

【図１０】同半導体検査装置のアライメント時を示す正
面図である。

【図１１】同半導体検査装置の特性測定時を示す正面図
である。

【図１２】同半導体検査装置におけるウェハー上の発光
ダイオード及びプローブ周辺を拡大して示す正面図であ
る。

【図１３】上記実施形態で検査するウェハーを示す断面
図及び平面図である。

【図１４】本発明の別の実施形態で検査するウェハーを
示す断面図及び平面図である。

【符号の説明】

４ プローブカード ９ 受光装置 １０ 端面発光型発光ダイオード １４ 活性層 ２０ ウェハー ２２ ダイシングストリート ３０ 反射装置 ３２ 配線、電極パッド及び反射装置を兼ねた金属

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも発光層と、この発光層を発光さ
   せるための電極とを含む積層構造を有し、この積層構造
   の端面より光を出射する端面発光型発光光半導体素子が
   複数個整列して作製されているウェハーの電気的特性を
   測定するためのカード状測定部と、前記ウェハーにおけ
   る前記端面発光型発光光半導体素子からの光の光量を測
   定するための受光装置とを備えた半導体検査装置におい
   て、前記受光装置の受光面を前記カード状測定部の所定
   の位置に固定し、かつ、前記受光装置の受光面を、前記
   ウェハー上の検査すべき前記端面発光型発光光半導体素
   子より発せられる光のうち前記ウェハーの基板面に対し
   て光出射方向で５度から３５度までの角度範囲内の光束
   が入射する位置に設置したことを特徴とする半導体検査
   装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の半導体検査装置を用いてウ
   ェハー上の端面発光型発光光半導体素子を検査する端面
   発光型発光光半導体素子ウェハーの検査方法において、
   前記ウェハー上の所定の端面発光型発光光半導体素子の
   発光部とその前方に隣接する端面発光型発光光半導体素
   子の発光部との間の所定位置に光を反射する反射装置を
   構成し、前記所定の端面発光型発光光半導体素子の発光
   部からの光を前記反射装置で反射させることにより前記
   ウェハーの上方に折り曲げて前記受光装置の受光部に入
   射させ、前記端面発光型発光光半導体素子の検査後にお
   ける前記ウェハーの素子分離のための切断時に前記端面
   発光型発光光半導体素子の前方に前記反射装置が無くな
   るように切断することを特徴とする端面発光型発光光半
   導体素子ウェハーの検査方法。