JPH09115821A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
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- JPH09115821A JPH09115821A JP7292131A JP29213195A JPH09115821A JP H09115821 A JPH09115821 A JP H09115821A JP 7292131 A JP7292131 A JP 7292131A JP 29213195 A JP29213195 A JP 29213195A JP H09115821 A JPH09115821 A JP H09115821A
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- coating liquid
- coating
- liquid supply
- solvent
- wafer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/14—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for supplying a selected one of a plurality of liquids or other fluent materials or several in selected proportions to a spray apparatus, e.g. to a single spray outlet
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 別系統から供給される複数の塗布液供給ノズ
ルの位置合せの容易化及びスループットの向上、また、
塗布液供給ノズルの汚染防止を図ること。 【解決手段】 回転するウエハWの表面にレジスト液供
給ノズル23a〜23dからレジスト液を供給して、こ
のレジスト液をウエハW表面に塗布する塗布装置におい
て、それぞれ別系統のレジスト液供給源を接続する複数
のレジスト液供給ノズル23a〜23dを、ウエハWの
回転中心O上を通る直線L上に移動可能に配置し、所望
の各レジスト液供給ノズル23a〜23dをウエハW表
面の中心部位に移動して、ウエハW表面にレジスト液を
塗布する。
ルの位置合せの容易化及びスループットの向上、また、
塗布液供給ノズルの汚染防止を図ること。 【解決手段】 回転するウエハWの表面にレジスト液供
給ノズル23a〜23dからレジスト液を供給して、こ
のレジスト液をウエハW表面に塗布する塗布装置におい
て、それぞれ別系統のレジスト液供給源を接続する複数
のレジスト液供給ノズル23a〜23dを、ウエハWの
回転中心O上を通る直線L上に移動可能に配置し、所望
の各レジスト液供給ノズル23a〜23dをウエハW表
面の中心部位に移動して、ウエハW表面にレジスト液を
塗布する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、被処理体の表面
に塗布液を塗布する塗布装置に関するものである。
に塗布液を塗布する塗布装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)等の
被処理体の表面をエッチングしてパターンを形成する際
には、マスキング層としてウエハ表面に塗布液であるレ
ジスト液を塗布してレジスト膜を形成している。
いて、例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)等の
被処理体の表面をエッチングしてパターンを形成する際
には、マスキング層としてウエハ表面に塗布液であるレ
ジスト液を塗布してレジスト膜を形成している。
【0003】ウエハ表面に対するレジスト液の塗布は、
スピンチャック上で回転するウエハの中心部にレジスト
液を滴下させ、これを周縁部に向って拡散することによ
って行われる。このレジスト液の塗布は、ウエハ表面
に形成された下地により複数種類のレジスト液が使用さ
れ、また、精度の要求される塗布工程と精度が比較的
要求されない塗布工程の違いにより、例えばホール用
あるいはライン用のように塗布面が異なる場合、あるい
はエッチングの選択比や厚さ等に応じて複数種類のレ
ジスト液が使用されている。
スピンチャック上で回転するウエハの中心部にレジスト
液を滴下させ、これを周縁部に向って拡散することによ
って行われる。このレジスト液の塗布は、ウエハ表面
に形成された下地により複数種類のレジスト液が使用さ
れ、また、精度の要求される塗布工程と精度が比較的
要求されない塗布工程の違いにより、例えばホール用
あるいはライン用のように塗布面が異なる場合、あるい
はエッチングの選択比や厚さ等に応じて複数種類のレ
ジスト液が使用されている。
【0004】そこで、従来では、複数種類のレジスト液
供給ノズルをノズル待機部に待機させ、必要に応じて所
定のレジスト液供給ノズルをアームで把持してウエハ表
面上方に回転移動する回転移動式のものと、スキャンア
ームを直線移動する直線移動式のものが使用されてい
る。
供給ノズルをノズル待機部に待機させ、必要に応じて所
定のレジスト液供給ノズルをアームで把持してウエハ表
面上方に回転移動する回転移動式のものと、スキャンア
ームを直線移動する直線移動式のものが使用されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回転移動式及び直線移動式のいずれの方式のものにおい
ても、レジスト液供給ノズルを選択して把持した後、ウ
エハ表面上方に移動するため、多くの動作工程を要する
ばかりか位置合せに手間がかかり、スループットの低下
及び精度の低下を招くという問題があった。また、レジ
スト液供給ノズルの噴口に例えばパーティクル等が付着
して汚染される恐れもあった。
回転移動式及び直線移動式のいずれの方式のものにおい
ても、レジスト液供給ノズルを選択して把持した後、ウ
エハ表面上方に移動するため、多くの動作工程を要する
ばかりか位置合せに手間がかかり、スループットの低下
及び精度の低下を招くという問題があった。また、レジ
スト液供給ノズルの噴口に例えばパーティクル等が付着
して汚染される恐れもあった。
【0006】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、別系統から供給される複数の塗布液供給ノズルを同
一の移動手段で移動させて、スループットの向上及び位
置合せを容易かつ正確に行えるようにし、また、塗布液
供給ノズルへのパーティクル等の付着による汚染防止を
図れるようにした塗布装置を提供するものである。
で、別系統から供給される複数の塗布液供給ノズルを同
一の移動手段で移動させて、スループットの向上及び位
置合せを容易かつ正確に行えるようにし、また、塗布液
供給ノズルへのパーティクル等の付着による汚染防止を
図れるようにした塗布装置を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の塗布装置は、回転する被処理体の表
面に塗布液供給手段から塗布液を供給して、この塗布液
を上記被処理体表面に塗布する塗布装置を前提とし、上
記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心上を通る
直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供給ノズル
を具備し、上記各ノズルにそれぞれ別系統の塗布液供給
源を接続してなる、ことを特徴とする。
に、請求項1記載の塗布装置は、回転する被処理体の表
面に塗布液供給手段から塗布液を供給して、この塗布液
を上記被処理体表面に塗布する塗布装置を前提とし、上
記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心上を通る
直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供給ノズル
を具備し、上記各ノズルにそれぞれ別系統の塗布液供給
源を接続してなる、ことを特徴とする。
【0008】請求項2記載の塗布装置は、回転する被処
理体の表面に塗布液供給手段から塗布液を供給して、こ
の塗布液を上記被処理体表面に塗布する塗布装置を前提
とし、上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心
上を通る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供
給ノズルと、上記塗布液の溶剤を吐出する溶剤供給ノズ
ルとを具備し、上記各ノズルにそれぞれ別系統の塗布液
供給源を接続してなる、ことを特徴とする。
理体の表面に塗布液供給手段から塗布液を供給して、こ
の塗布液を上記被処理体表面に塗布する塗布装置を前提
とし、上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心
上を通る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供
給ノズルと、上記塗布液の溶剤を吐出する溶剤供給ノズ
ルとを具備し、上記各ノズルにそれぞれ別系統の塗布液
供給源を接続してなる、ことを特徴とする。
【0009】請求項3記載の塗布装置は、回転する被処
理体の表面に塗布液供給手段から塗布液を供給して、こ
の塗布液を上記被処理体表面に塗布する塗布装置を前提
とし、上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心
上を通る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供
給ノズルと、上記塗布液供給ノズルを外部と区画すると
共に各ノズルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を設
けたカバー体とを具備し、上記各塗布液供給ノズルにそ
れぞれ別系統の塗布液供給源を接続し、上記カバー体内
に塗布液の溶剤を供給可能に形成してなる、ことを特徴
とする。
理体の表面に塗布液供給手段から塗布液を供給して、こ
の塗布液を上記被処理体表面に塗布する塗布装置を前提
とし、上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心
上を通る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供
給ノズルと、上記塗布液供給ノズルを外部と区画すると
共に各ノズルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を設
けたカバー体とを具備し、上記各塗布液供給ノズルにそ
れぞれ別系統の塗布液供給源を接続し、上記カバー体内
に塗布液の溶剤を供給可能に形成してなる、ことを特徴
とする。
【0010】請求項4記載の塗布装置は、回転する被処
理体の表面に塗布液供給手段から塗布液を供給して、こ
の塗布液を上記被処理体表面に塗布する塗布装置を前提
とし、上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心
上を通る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供
給ノズルと、上記塗布液の溶剤を吐出する溶剤供給ノズ
ルと、上記塗布液供給ノズルを外部と区画すると共に各
ノズルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を設けたカ
バー体とを具備し、上記各塗布液供給ノズルにそれぞれ
別系統の塗布液供給源を接続し、上記カバー体内に塗布
液の溶剤を供給可能に形成してなる、ことを特徴とす
る。
理体の表面に塗布液供給手段から塗布液を供給して、こ
の塗布液を上記被処理体表面に塗布する塗布装置を前提
とし、上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心
上を通る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供
給ノズルと、上記塗布液の溶剤を吐出する溶剤供給ノズ
ルと、上記塗布液供給ノズルを外部と区画すると共に各
ノズルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を設けたカ
バー体とを具備し、上記各塗布液供給ノズルにそれぞれ
別系統の塗布液供給源を接続し、上記カバー体内に塗布
液の溶剤を供給可能に形成してなる、ことを特徴とす
る。
【0011】この発明において、上記溶剤供給ノズル
は、塗布液供給ノズルに近接して配設されていれば、そ
の配設態様は任意でよいが、好ましくは溶剤供給ノズル
を、塗布液供給ノズルから被処理体表面に向って供給さ
れる塗布液の近傍部位に向って供給すべく傾斜状に設け
るか(請求項5)、あるいは、溶剤供給ノズルを、各塗
布液供給ノズルに沿って移動可能に形成する方がよい
(請求項6)。
は、塗布液供給ノズルに近接して配設されていれば、そ
の配設態様は任意でよいが、好ましくは溶剤供給ノズル
を、塗布液供給ノズルから被処理体表面に向って供給さ
れる塗布液の近傍部位に向って供給すべく傾斜状に設け
るか(請求項5)、あるいは、溶剤供給ノズルを、各塗
布液供給ノズルに沿って移動可能に形成する方がよい
(請求項6)。
【0012】上記のように構成されるこの発明の塗布装
置によれば、別系統の塗布液供給源に接続する複数の塗
布液供給ノズルを、被処理体の回転中心上を通る直線上
に移動可能に配置することにより、塗布液供給ノズルを
被処理体の回転中心上を移動させて所定の塗布液供給ノ
ズルを被処理体表面の中心部に位置合せした後、被処理
体表面に塗布液を供給することができる。したがって、
所定の塗布液供給ノズルを被処理体表面上に迅速かつ正
確に移動することができ、スループットの向上を図るこ
とができる。
置によれば、別系統の塗布液供給源に接続する複数の塗
布液供給ノズルを、被処理体の回転中心上を通る直線上
に移動可能に配置することにより、塗布液供給ノズルを
被処理体の回転中心上を移動させて所定の塗布液供給ノ
ズルを被処理体表面の中心部に位置合せした後、被処理
体表面に塗布液を供給することができる。したがって、
所定の塗布液供給ノズルを被処理体表面上に迅速かつ正
確に移動することができ、スループットの向上を図るこ
とができる。
【0013】また、塗布液供給ノズルを外部と区画する
と共に各ノズルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を
設け、カバー体内に塗布液の溶剤を供給可能に形成する
ことにより、塗布液供給ノズルの噴口を溶剤雰囲気下に
おくことができ、塗布液供給ノズルが汚染されるのを防
止することができる。
と共に各ノズルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を
設け、カバー体内に塗布液の溶剤を供給可能に形成する
ことにより、塗布液供給ノズルの噴口を溶剤雰囲気下に
おくことができ、塗布液供給ノズルが汚染されるのを防
止することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施の形態を図
面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明の塗
布装置を半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システム
に適用した場合について説明する。
面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明の塗
布装置を半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システム
に適用した場合について説明する。
【0015】上記レジスト塗布現像処理システムは、図
1に示すように、被処理体としてのウエハWを搬入・搬
出するローダ部1と、第1処理ユニット2と、この第1
処理ユニット2との間に第1のインターフェイスユニッ
ト3を介して連設する第2処理ユニット4と、この第2
処理ユニット4との間に第2のインターフェイスユニッ
ト5を介して連設する露光装置6とで主に構成されてい
る。
1に示すように、被処理体としてのウエハWを搬入・搬
出するローダ部1と、第1処理ユニット2と、この第1
処理ユニット2との間に第1のインターフェイスユニッ
ト3を介して連設する第2処理ユニット4と、この第2
処理ユニット4との間に第2のインターフェイスユニッ
ト5を介して連設する露光装置6とで主に構成されてい
る。
【0016】上記第1処理ユニット2の中央部には、長
手方向に沿ってウエハ搬送路7が設けられ、このウエハ
搬送路7にはウエハWを水平(X,Y)方向、回転
(θ)方向及び垂直(Z)方向に移動するウエハ搬送ア
ーム8を有する搬送装置9が移動自在に配設されてい
る。また、ウエハ搬送路7の一方側にはウエハWをブラ
シ洗浄するブラシ洗浄装置10、ウエハWを高圧ジェッ
ト水で洗浄するジェット水洗浄装置11及びウエハWの
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置12とウ
エハWを所定温度に冷却する冷却処理装置13が配置さ
れており、反対側にはウエハWの表面にレジスト液を塗
布するこの発明に係る塗布装置であるレジスト塗布装置
20が2台並設されている。
手方向に沿ってウエハ搬送路7が設けられ、このウエハ
搬送路7にはウエハWを水平(X,Y)方向、回転
(θ)方向及び垂直(Z)方向に移動するウエハ搬送ア
ーム8を有する搬送装置9が移動自在に配設されてい
る。また、ウエハ搬送路7の一方側にはウエハWをブラ
シ洗浄するブラシ洗浄装置10、ウエハWを高圧ジェッ
ト水で洗浄するジェット水洗浄装置11及びウエハWの
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置12とウ
エハWを所定温度に冷却する冷却処理装置13が配置さ
れており、反対側にはウエハWの表面にレジスト液を塗
布するこの発明に係る塗布装置であるレジスト塗布装置
20が2台並設されている。
【0017】上記第2処理ユニット4の中央には、長手
方向に沿ってウエハ搬送路7Aが設けられ、このウエハ
搬送路7Aには、上記第1処理ユニット2と同様に、ウ
エハWを水平(X,Y)方向、回転(θ)方向及び垂直
(Z)方向に移動するウエハ搬送アーム8Aを有する搬
送装置9Aが移動自在に配設されている。そして、この
ウエハ搬送路7Aの一側にはレジスト塗布の前後でウエ
ハWを加熱してプリベーク並びにポストベークを行う加
熱処理装置14が3台並設されており、反対側には露光
装置6で露光されたウエハWを現像処理しかつ現像後の
レジストパターンをリンス処理する機能を備えた現像処
理装置15が2台並設されている。
方向に沿ってウエハ搬送路7Aが設けられ、このウエハ
搬送路7Aには、上記第1処理ユニット2と同様に、ウ
エハWを水平(X,Y)方向、回転(θ)方向及び垂直
(Z)方向に移動するウエハ搬送アーム8Aを有する搬
送装置9Aが移動自在に配設されている。そして、この
ウエハ搬送路7Aの一側にはレジスト塗布の前後でウエ
ハWを加熱してプリベーク並びにポストベークを行う加
熱処理装置14が3台並設されており、反対側には露光
装置6で露光されたウエハWを現像処理しかつ現像後の
レジストパターンをリンス処理する機能を備えた現像処
理装置15が2台並設されている。
【0018】上記のように構成されるレジスト塗布現像
処理ユニットは、例えば、ローダ部1の図示省略のウエ
ハカセット内に収納されている処理前のウエハWを1枚
取り出して搬送し、順に洗浄、アドヒージョン処理、冷
却し、レジスト塗布装置20によってレジスト液を塗布
すると共に、ウエハWの周辺部のレジスト膜を除去した
後、プリベーク、露光装置6による露光後に、現像処
理、ポストベークを行い、処理後のウエハWをローダ部
1の図示省略のウエハカセット内に搬送して収納するよ
うに構成されている。
処理ユニットは、例えば、ローダ部1の図示省略のウエ
ハカセット内に収納されている処理前のウエハWを1枚
取り出して搬送し、順に洗浄、アドヒージョン処理、冷
却し、レジスト塗布装置20によってレジスト液を塗布
すると共に、ウエハWの周辺部のレジスト膜を除去した
後、プリベーク、露光装置6による露光後に、現像処
理、ポストベークを行い、処理後のウエハWをローダ部
1の図示省略のウエハカセット内に搬送して収納するよ
うに構成されている。
【0019】次に、この発明の塗布装置について説明す
る。 ◎第一実施形態 図2はこの発明の塗布装置であるレジスト塗布装置の概
略断面図、図3は図2の要部平面図である。
る。 ◎第一実施形態 図2はこの発明の塗布装置であるレジスト塗布装置の概
略断面図、図3は図2の要部平面図である。
【0020】レジスト塗布装置20は、ウエハWを水平
状態に真空によって吸着保持すると共に水平回転するス
ピンチャック21と、スピンチャック21を包囲する有
底筒状に形成され、底部に排気口22aとドレン口22
bが設けられたカップ22と、スピンチャック21上に
保持されるウエハWの表面に塗布液であるレジスト液を
供給する複数(図面では4個の場合を示す)のレジスト
液供給ノズル23a〜23dと、これらレジスト液供給
ノズル23a〜23dとレジスト液の溶剤例えばシンナ
ーをウエハWの表面に供給する溶剤供給ノズル24とを
一体的に取り付けた噴頭25と、この噴頭25を待機位
置26とウエハ上方位置間で直線移動する移動手段であ
る駆動装置27とを具備してなる。
状態に真空によって吸着保持すると共に水平回転するス
ピンチャック21と、スピンチャック21を包囲する有
底筒状に形成され、底部に排気口22aとドレン口22
bが設けられたカップ22と、スピンチャック21上に
保持されるウエハWの表面に塗布液であるレジスト液を
供給する複数(図面では4個の場合を示す)のレジスト
液供給ノズル23a〜23dと、これらレジスト液供給
ノズル23a〜23dとレジスト液の溶剤例えばシンナ
ーをウエハWの表面に供給する溶剤供給ノズル24とを
一体的に取り付けた噴頭25と、この噴頭25を待機位
置26とウエハ上方位置間で直線移動する移動手段であ
る駆動装置27とを具備してなる。
【0021】この場合、噴頭25に取り付けられたレジ
スト液供給ノズル23a〜23dと溶剤供給ノズル24
は、ウエハWの回転中心O上を通る直線L上に配置さ
れ、駆動装置27のスキャンアーム28によって直線L
上を移動し得るように構成されている。また、各レジス
ト液供給ノズル23a〜23dにはそれぞれレジスト液
供給チューブ29a〜29dと開閉バルブ30a〜30
dを介して異なる種類の別系統のレジスト液タンク31
a〜31d(塗布液供給源)が接続されており、レジス
ト液タンク31a〜31d内に供給される不活性ガス例
えばN2ガスの加圧によってレジスト液タンク31a〜
31d内のレジスト液Ba〜BdがウエハW上に供給さ
れるようになっている。なお、溶剤供給ノズル24は溶
剤供給チューブ32と開閉弁30eを介して溶剤タンク
33(溶剤供給源)に接続されており、溶剤タンク33
内に供給される不活性ガス例えばN2ガスの加圧によっ
て溶剤タンク33内の溶剤例えばシンナーAがウエハW
上に供給されるようになっている。
スト液供給ノズル23a〜23dと溶剤供給ノズル24
は、ウエハWの回転中心O上を通る直線L上に配置さ
れ、駆動装置27のスキャンアーム28によって直線L
上を移動し得るように構成されている。また、各レジス
ト液供給ノズル23a〜23dにはそれぞれレジスト液
供給チューブ29a〜29dと開閉バルブ30a〜30
dを介して異なる種類の別系統のレジスト液タンク31
a〜31d(塗布液供給源)が接続されており、レジス
ト液タンク31a〜31d内に供給される不活性ガス例
えばN2ガスの加圧によってレジスト液タンク31a〜
31d内のレジスト液Ba〜BdがウエハW上に供給さ
れるようになっている。なお、溶剤供給ノズル24は溶
剤供給チューブ32と開閉弁30eを介して溶剤タンク
33(溶剤供給源)に接続されており、溶剤タンク33
内に供給される不活性ガス例えばN2ガスの加圧によっ
て溶剤タンク33内の溶剤例えばシンナーAがウエハW
上に供給されるようになっている。
【0022】一方、上記噴頭25の各レジスト液供給ノ
ズル23a〜23dの噴口側には、レジスト液供給ノズ
ル23a〜23dの噴口を外部の雰囲気から区画するカ
バー体34が装着されている。このカバー体34には各
レジスト液供給ノズル23a〜23dの噴口と連通する
4つの開口35が設けられており、各開口35はカバー
体34の外側に配置された蓋36によって選択的に開閉
されるように構成されている。この場合、蓋36は図示
しないシリンダ等の往復駆動手段によってカバー体34
の外面を摺動する板体にて形成されており、この蓋36
にはカバー体34に設けられた各開口35の1つが連通
しているとき、その他は閉塞するような位置に4つの連
通孔37が穿設されている(図5参照)。なお、蓋36
は必ずしも4つの連通孔37を有する共通の一つの板体
である必要はなく、例えば各開口35を開閉する独立し
た蓋であってもよい。
ズル23a〜23dの噴口側には、レジスト液供給ノズ
ル23a〜23dの噴口を外部の雰囲気から区画するカ
バー体34が装着されている。このカバー体34には各
レジスト液供給ノズル23a〜23dの噴口と連通する
4つの開口35が設けられており、各開口35はカバー
体34の外側に配置された蓋36によって選択的に開閉
されるように構成されている。この場合、蓋36は図示
しないシリンダ等の往復駆動手段によってカバー体34
の外面を摺動する板体にて形成されており、この蓋36
にはカバー体34に設けられた各開口35の1つが連通
しているとき、その他は閉塞するような位置に4つの連
通孔37が穿設されている(図5参照)。なお、蓋36
は必ずしも4つの連通孔37を有する共通の一つの板体
である必要はなく、例えば各開口35を開閉する独立し
た蓋であってもよい。
【0023】また、カバー体34には、図4に示すよう
に、溶剤供給ノズル24から分岐された溶剤通路38が
接続されており、この溶剤通路38を介してカバー体3
4内に供給されるシンナーAが蒸発して、レジスト液供
給ノズル23a〜23dの噴口を溶剤雰囲気中におくこ
とができるように構成されている。したがって、レジス
ト液供給ノズル23a〜23dの噴口は外部の汚染源か
ら保護されると共に、噴口への変質固化したレジスト液
やパーティクルの付着を阻止することができる。
に、溶剤供給ノズル24から分岐された溶剤通路38が
接続されており、この溶剤通路38を介してカバー体3
4内に供給されるシンナーAが蒸発して、レジスト液供
給ノズル23a〜23dの噴口を溶剤雰囲気中におくこ
とができるように構成されている。したがって、レジス
ト液供給ノズル23a〜23dの噴口は外部の汚染源か
ら保護されると共に、噴口への変質固化したレジスト液
やパーティクルの付着を阻止することができる。
【0024】次に、上記のように構成されるこの発明の
塗布装置の動作態様の一例について説明する。まず、図
示しない搬送アームによってスピンチャック21上に移
動されたウエハWを真空吸着によってスピンチャック2
1が保持する。この静止状態において、駆動装置27が
作動してスキャンアーム28によって保持された噴頭2
5をウエハWの回転中心を通る直線L上を移動させて溶
剤供給ノズル24をウエハWの中心部上方に移動した
後、溶剤供給ノズル24からシンナーAを供給例えば滴
下する。次に、スピンチャック21の回転駆動によりウ
エハWを回転させて、シンナーAを中心部から周縁部ま
で拡散させる。このシンナーAの拡散を行った後、スピ
ンチャック21の回転を停止して、噴頭25を移動し所
定のレジスト液供給ノズル23a〜23dから選択され
た一つのノズルをウエハWの中心上に位置させて、開状
態とされた開口35を通してウエハ表面に所定のレジス
ト液Ba〜Bdを滴下する。そして、スピンチャック2
1を回転させてレジスト液を中心部から周縁部に拡散し
て、塗布工程を終了する。
塗布装置の動作態様の一例について説明する。まず、図
示しない搬送アームによってスピンチャック21上に移
動されたウエハWを真空吸着によってスピンチャック2
1が保持する。この静止状態において、駆動装置27が
作動してスキャンアーム28によって保持された噴頭2
5をウエハWの回転中心を通る直線L上を移動させて溶
剤供給ノズル24をウエハWの中心部上方に移動した
後、溶剤供給ノズル24からシンナーAを供給例えば滴
下する。次に、スピンチャック21の回転駆動によりウ
エハWを回転させて、シンナーAを中心部から周縁部ま
で拡散させる。このシンナーAの拡散を行った後、スピ
ンチャック21の回転を停止して、噴頭25を移動し所
定のレジスト液供給ノズル23a〜23dから選択され
た一つのノズルをウエハWの中心上に位置させて、開状
態とされた開口35を通してウエハ表面に所定のレジス
ト液Ba〜Bdを滴下する。そして、スピンチャック2
1を回転させてレジスト液を中心部から周縁部に拡散し
て、塗布工程を終了する。
【0025】なお、レジスト液Ba〜Bdの滴下タイミ
ングとしては、シンナーAがウエハWの中心からある程
度拡散した時に滴下して、シンナーAがレジスト液Ba
〜Bdよりも先にウエハWの周縁部に拡散して到達する
ような状態、言い換えれば、レジスト液がシンナー上を
追いかけながら拡散するような状態で、レジスト液Bを
回転塗布するようにしてもよい。
ングとしては、シンナーAがウエハWの中心からある程
度拡散した時に滴下して、シンナーAがレジスト液Ba
〜Bdよりも先にウエハWの周縁部に拡散して到達する
ような状態、言い換えれば、レジスト液がシンナー上を
追いかけながら拡散するような状態で、レジスト液Bを
回転塗布するようにしてもよい。
【0026】上記のように4つのレジスト液供給ノズル
23a〜23dをウエハWの回転中心上を移動する直線
L上に配置するように取り付けた噴頭25を直線L上に
移動することにより、所定のレジスト液供給ノズル23
a〜23dのセンタリングを容易かつ確実に行うことが
できる。また、複数のレジスト液供給ノズル23a〜2
3dを一体的に固定して、全体を移動するため、従来の
ように使用するレジスト液供給ノズルを選択して一個ず
つ把持する必要がなく、レジスト液の塗布動作を迅速に
行うことができる。
23a〜23dをウエハWの回転中心上を移動する直線
L上に配置するように取り付けた噴頭25を直線L上に
移動することにより、所定のレジスト液供給ノズル23
a〜23dのセンタリングを容易かつ確実に行うことが
できる。また、複数のレジスト液供給ノズル23a〜2
3dを一体的に固定して、全体を移動するため、従来の
ように使用するレジスト液供給ノズルを選択して一個ず
つ把持する必要がなく、レジスト液の塗布動作を迅速に
行うことができる。
【0027】◎第二実施形態 図6はこの発明の塗布装置の第二実施形態の要部断面図
及びその側断面図である。第二実施形態は、溶剤供給ノ
ズル24から供給されるシンナーAを、レジスト液供給
ノズル23a〜23dからウエハWの表面に供給される
レジスト液Ba〜Bdの近接部位に供給できるようにし
た場合である。すなわち、レジスト液供給ノズル23a
〜23dの側方に配設された溶剤供給ノズル24の噴口
24aをレジスト液供給ノズル23a〜23d側に向け
て傾斜状に形成して、溶剤供給ノズル24から供給され
るシンナーAをレジスト液供給ノズル23a〜23dか
らウエハW表面に供給されるレジスト液Ba〜Bdの近
傍位置に供給するようにした場合である。
及びその側断面図である。第二実施形態は、溶剤供給ノ
ズル24から供給されるシンナーAを、レジスト液供給
ノズル23a〜23dからウエハWの表面に供給される
レジスト液Ba〜Bdの近接部位に供給できるようにし
た場合である。すなわち、レジスト液供給ノズル23a
〜23dの側方に配設された溶剤供給ノズル24の噴口
24aをレジスト液供給ノズル23a〜23d側に向け
て傾斜状に形成して、溶剤供給ノズル24から供給され
るシンナーAをレジスト液供給ノズル23a〜23dか
らウエハW表面に供給されるレジスト液Ba〜Bdの近
傍位置に供給するようにした場合である。
【0028】このように溶剤供給ノズル24の噴口24
aをレジスト液供給ノズル23a〜23d側に向けて傾
斜状に設けることにより、レジスト液供給ノズル23a
〜23dの位置決め動作のみで溶剤供給ノズル24から
供給されるシンナーAを、レジスト液供給ノズル23a
〜23dからウエハWの表面に供給されるレジスト液B
a〜Bdの近接部位に供給することができ、レジスト液
を塗布する部分に予めシンナーAを供給(滴下)し拡散
してウエハWに対するレジスト液の「ぬれ」を良好にし
た後、レジスト液Ba〜Bdの拡散(塗布)を行うこと
ができる。なお、第二実施形態において、その他の部分
は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同
一符号を付して、その説明は省略する。
aをレジスト液供給ノズル23a〜23d側に向けて傾
斜状に設けることにより、レジスト液供給ノズル23a
〜23dの位置決め動作のみで溶剤供給ノズル24から
供給されるシンナーAを、レジスト液供給ノズル23a
〜23dからウエハWの表面に供給されるレジスト液B
a〜Bdの近接部位に供給することができ、レジスト液
を塗布する部分に予めシンナーAを供給(滴下)し拡散
してウエハWに対するレジスト液の「ぬれ」を良好にし
た後、レジスト液Ba〜Bdの拡散(塗布)を行うこと
ができる。なお、第二実施形態において、その他の部分
は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同
一符号を付して、その説明は省略する。
【0029】◎第三実施形態 図7はこの発明の塗布装置の第三実施形態の要部平面図
である。第三実施形態は、溶剤供給ノズル24から供給
されるシンナーAを、各レジスト液供給ノズル23a〜
23dからウエハWの表面に供給されるレジスト液Ba
〜Bdの近接部位に供給できるようにした場合である。
すなわち、ウエハWの回転中心O上を移動する直線L上
に配置されたレジスト液供給ノズル23a〜23dと平
行な線La上に配設されたガイド棒39に沿って溶剤供
給ノズル24を摺動可能に配設し、図示しない例えばボ
ールねじ機構等の駆動手段によって溶剤供給ノズル24
を、使用する各レジスト液供給ノズル23a〜23dの
近接位置に移動可能に形成した場合である。なお、ガイ
ド棒39は噴頭25から突出する一対のブラケット40
に回転可能に支承されている。
である。第三実施形態は、溶剤供給ノズル24から供給
されるシンナーAを、各レジスト液供給ノズル23a〜
23dからウエハWの表面に供給されるレジスト液Ba
〜Bdの近接部位に供給できるようにした場合である。
すなわち、ウエハWの回転中心O上を移動する直線L上
に配置されたレジスト液供給ノズル23a〜23dと平
行な線La上に配設されたガイド棒39に沿って溶剤供
給ノズル24を摺動可能に配設し、図示しない例えばボ
ールねじ機構等の駆動手段によって溶剤供給ノズル24
を、使用する各レジスト液供給ノズル23a〜23dの
近接位置に移動可能に形成した場合である。なお、ガイ
ド棒39は噴頭25から突出する一対のブラケット40
に回転可能に支承されている。
【0030】このように、溶剤供給ノズル24を各レジ
スト液供給ノズル23a〜23dに沿って移動可能に形
成することにより、上記第二実施形態の場合より更に溶
剤供給ノズル24から供給されるシンナーAを各レジス
ト液供給ノズル23a〜23dからウエハW表面に供給
されるレジスト液Ba〜Bdの近接位置に供給すること
ができ、更にレジスト液の塗布を良好にすることができ
る。
スト液供給ノズル23a〜23dに沿って移動可能に形
成することにより、上記第二実施形態の場合より更に溶
剤供給ノズル24から供給されるシンナーAを各レジス
ト液供給ノズル23a〜23dからウエハW表面に供給
されるレジスト液Ba〜Bdの近接位置に供給すること
ができ、更にレジスト液の塗布を良好にすることができ
る。
【0031】◎その他の実施形態 上記実施形態では、この発明の塗布装置を半導体ウエハ
の塗布現像処理システムに適用した場合について説明し
たが、単独の塗布装置にも適用でき、また半導体ウエハ
以外のLCD基板やCD等の被処理体の塗布装置にも適
用できることは勿論である。
の塗布現像処理システムに適用した場合について説明し
たが、単独の塗布装置にも適用でき、また半導体ウエハ
以外のLCD基板やCD等の被処理体の塗布装置にも適
用できることは勿論である。
【0032】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の塗布
装置は、上記のように構成されているので、以下のよう
な効果が得られる。
装置は、上記のように構成されているので、以下のよう
な効果が得られる。
【0033】1)請求項1又は2に記載の塗布装置によ
れば、別系統の塗布液供給源に接続する複数の塗布液供
給ノズルを、被処理体の回転中心上を通る直線上に移動
可能に配置するので、塗布液供給ノズルを被処理体の回
転中心上を移動させて所定の塗布液供給ノズルを被処理
体表面の中心部に位置合せした後、被処理体表面に塗布
液を供給することができ、所定の塗布液供給ノズルを被
処理体表面上に迅速かつ正確に移動することができ、塗
布処理のスループットの向上を図ることができる。
れば、別系統の塗布液供給源に接続する複数の塗布液供
給ノズルを、被処理体の回転中心上を通る直線上に移動
可能に配置するので、塗布液供給ノズルを被処理体の回
転中心上を移動させて所定の塗布液供給ノズルを被処理
体表面の中心部に位置合せした後、被処理体表面に塗布
液を供給することができ、所定の塗布液供給ノズルを被
処理体表面上に迅速かつ正確に移動することができ、塗
布処理のスループットの向上を図ることができる。
【0034】2)請求項3又は4に記載の塗布装置によ
れば、塗布液供給ノズルを外部と区画すると共に各ノズ
ルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を設け、カバー
体内に塗布液の溶剤を供給可能に形成するので、塗布液
供給ノズルの噴口を溶剤雰囲気下におくことができ、上
記1)に加えて塗布液供給ノズルが汚染されるのを防止
することができる。
れば、塗布液供給ノズルを外部と区画すると共に各ノズ
ルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を設け、カバー
体内に塗布液の溶剤を供給可能に形成するので、塗布液
供給ノズルの噴口を溶剤雰囲気下におくことができ、上
記1)に加えて塗布液供給ノズルが汚染されるのを防止
することができる。
【0035】3)請求項5記載の塗布装置によれば、溶
剤供給ノズルを、塗布液供給ノズルから被処理体表面に
向って供給される塗布液の近傍部位に向って供給すべく
傾斜状に設けるので、溶剤供給ノズルから供給される溶
剤をレジスト液供給ノズルから被処理体表面に供給され
る塗布液の近接位置に供給することができ、上記1),
2)に加えて塗布液の塗布を良好にすることができる。
剤供給ノズルを、塗布液供給ノズルから被処理体表面に
向って供給される塗布液の近傍部位に向って供給すべく
傾斜状に設けるので、溶剤供給ノズルから供給される溶
剤をレジスト液供給ノズルから被処理体表面に供給され
る塗布液の近接位置に供給することができ、上記1),
2)に加えて塗布液の塗布を良好にすることができる。
【0036】4)請求項6記載の塗布装置によれば、溶
剤供給ノズルを、各塗布液供給ノズルに沿って移動可能
に形成するので、溶剤供給ノズルから供給される溶剤を
各レジスト液供給ノズルから被処理体表面に供給される
塗布液の近接位置に供給することができ、上記1),
2)に加えて更に塗布液の塗布を良好にすることができ
る。
剤供給ノズルを、各塗布液供給ノズルに沿って移動可能
に形成するので、溶剤供給ノズルから供給される溶剤を
各レジスト液供給ノズルから被処理体表面に供給される
塗布液の近接位置に供給することができ、上記1),
2)に加えて更に塗布液の塗布を良好にすることができ
る。
【図1】この発明の塗布装置を適用するレジスト塗布現
像処理システムの概略斜視図である。
像処理システムの概略斜視図である。
【図2】この発明の第一実施形態の塗布装置の概略断面
図である。
図である。
【図3】図2の要部平面図である。
【図4】第一実施形態の塗布装置の要部断面図である。
【図5】図4の底面図である。
【図6】第二実施形態の塗布装置の要部断面図(a)及
びその側断面図(b)である。
びその側断面図(b)である。
【図7】第三実施形態の塗布装置の要部平面図である。
21 スピンチャック 23a〜23d レジスト液供給ノズル(塗布液供給ノ
ズル) 24 溶剤供給ノズル 27 駆動装置 31a〜31d レジスト液タンク(塗布液供給源) 33 溶剤タンク(溶剤供給源) 34 カバー体 35 開口 36 蓋 37 連通孔 38 溶剤通路 39 ガイド棒 W 半導体ウエハ(被処理体) A シンナー(溶剤) Ba〜Bd レジスト液(塗布液) O 回転中心 L 回転中心Oを通る直線
ズル) 24 溶剤供給ノズル 27 駆動装置 31a〜31d レジスト液タンク(塗布液供給源) 33 溶剤タンク(溶剤供給源) 34 カバー体 35 開口 36 蓋 37 連通孔 38 溶剤通路 39 ガイド棒 W 半導体ウエハ(被処理体) A シンナー(溶剤) Ba〜Bd レジスト液(塗布液) O 回転中心 L 回転中心Oを通る直線
Claims (6)
- 【請求項1】 回転する被処理体の表面に塗布液供給手
段から塗布液を供給して、この塗布液を上記被処理体表
面に塗布する塗布装置において、 上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心上を通
る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供給ノズ
ルを具備し、 上記各ノズルにそれぞれ別系統の塗布液供給源を接続し
てなる、ことを特徴とする塗布装置。 - 【請求項2】 回転する被処理体の表面に塗布液供給手
段から塗布液を供給して、この塗布液を上記被処理体表
面に塗布する塗布装置において、 上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心上を通
る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供給ノズ
ルと、上記塗布液の溶剤を吐出する溶剤供給ノズルとを
具備し、 上記各ノズルにそれぞれ別系統の塗布液供給源を接続し
てなる、ことを特徴とする塗布装置。 - 【請求項3】 回転する被処理体の表面に塗布液供給手
段から塗布液を供給して、この塗布液を上記被処理体表
面に塗布する塗布装置において、 上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心上を通
る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供給ノズ
ルと、上記塗布液供給ノズルを外部と区画すると共に各
ノズルの噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を設けたカ
バー体とを具備し、 上記各塗布液供給ノズルにそれぞれ別系統の塗布液供給
源を接続し、 上記カバー体内に塗布液の溶剤を供給可能に形成してな
る、ことを特徴とする塗布装置。 - 【請求項4】 回転する被処理体の表面に塗布液供給手
段から塗布液を供給して、この塗布液を上記被処理体表
面に塗布する塗布装置において、 上記塗布液供給手段は、上記被処理体の回転中心上を通
る直線上に移動可能に配置される複数の塗布液供給ノズ
ルと、上記塗布液の溶剤を吐出する溶剤供給ノズルと、
上記塗布液供給ノズルを外部と区画すると共に各ノズル
の噴口と連通する開口に開閉可能な蓋を設けたカバー体
とを具備し、 上記各塗布液供給ノズルにそれぞれ別系統の塗布液供給
源を接続し、 上記カバー体内に塗布液の溶剤を供給可能に形成してな
る、ことを特徴とする塗布装置。 - 【請求項5】 請求項2又は4記載の塗布装置におい
て、 上記溶剤供給ノズルを、塗布液供給ノズルから被処理体
表面に向って供給される塗布液の近傍部位に向って供給
すべく傾斜状に設けることを特徴とする塗布装置。 - 【請求項6】 請求項2又は4記載の塗布装置におい
て、 上記溶剤供給ノズルを、各塗布液供給ノズルに沿って移
動可能に形成してなることを特徴とする塗布装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29213195A JP3227642B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 塗布装置 |
| TW085112238A TW334358B (en) | 1995-10-13 | 1996-10-07 | Spray apparatus used for spray kinds of anti-erosion liquid onto the surface of substrate with high processing rate. |
| US08/729,028 US5772764A (en) | 1995-10-13 | 1996-10-09 | Coating apparatus |
| KR1019960045242A KR100357312B1 (ko) | 1995-10-13 | 1996-10-11 | 도포장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29213195A JP3227642B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115821A true JPH09115821A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3227642B2 JP3227642B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=17777944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29213195A Expired - Fee Related JP3227642B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 塗布装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5772764A (ja) |
| JP (1) | JP3227642B2 (ja) |
| KR (1) | KR100357312B1 (ja) |
| TW (1) | TW334358B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004322091A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 洗浄ユニット、これを有するコーティング装置及び方法 |
| JP2017103368A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布液供給装置、塗布方法及び記憶媒体 |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849084A (en) | 1996-06-21 | 1998-12-15 | Micron Technology, Inc. | Spin coating dispense arm assembly |
| DE19718983B4 (de) * | 1997-05-05 | 2004-09-30 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtungen, Verwendung und Verfahren zum Aufbringen einer Substanz auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers |
| TW402737B (en) * | 1997-05-27 | 2000-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning/drying device and method |
| US6159291A (en) * | 1997-08-11 | 2000-12-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| US6183810B1 (en) * | 1998-01-21 | 2001-02-06 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and coating apparatus |
| US6635113B2 (en) * | 1998-05-19 | 2003-10-21 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus and coating method |
| US6642155B1 (en) * | 1998-06-05 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Method for applying a fluid to a rotating silicon wafer surface |
| JP3364155B2 (ja) * | 1998-06-05 | 2003-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置及びその方法 |
| KR100282137B1 (ko) * | 1998-06-11 | 2001-03-02 | 윤종용 | 노즐 및 스핀척이 구비되는 반도체소자 제조장치 |
| US6689215B2 (en) | 1998-09-17 | 2004-02-10 | Asml Holdings, N.V. | Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface |
| US6248171B1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-06-19 | Silicon Valley Group, Inc. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
| US6705545B1 (en) | 1998-11-13 | 2004-03-16 | Steelcase Development Corporation | Quick color change powder paint system |
| US6548115B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-04-15 | Fastar, Ltd. | System and method for providing coating of substrates |
| JP2002535122A (ja) * | 1999-01-20 | 2002-10-22 | マイクロリス・コーポレーション | 流れコントローラ |
| TW504776B (en) * | 1999-09-09 | 2002-10-01 | Mimasu Semiconductor Ind Co | Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism |
| US6692572B1 (en) * | 1999-09-13 | 2004-02-17 | Precision Valve & Automation, Inc. | Active compensation metering system |
| US6322009B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Common nozzle for resist development |
| EP1124252A2 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for processing substrates |
| US6796517B1 (en) * | 2000-03-09 | 2004-09-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer |
| US6746826B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-06-08 | Asml Holding N.V. | Method for an improved developing process in wafer photolithography |
| JP3958539B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR100450068B1 (ko) * | 2001-11-23 | 2004-09-24 | 주성엔지니어링(주) | Cvd 장치의 멀티섹터 평판형 샤워헤드 |
| TWI236944B (en) * | 2001-12-17 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Film removal method and apparatus, and substrate processing system |
| JP2004081988A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Seiko Epson Corp | 製膜方法と製膜装置及びデバイス製造方法並びにデバイス製造装置 |
| JP4262004B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2009-05-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR100493849B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 건조 장치 |
| US6736896B2 (en) * | 2002-10-10 | 2004-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Gas spray arm for spin coating apparatus |
| JP2004321946A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 処理装置、及びそれを用いた被処理体の処理方法 |
| JP2004335923A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Sony Corp | エッチング方法およびエッチング装置 |
| US8153281B2 (en) * | 2003-06-23 | 2012-04-10 | Superpower, Inc. | Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process and apparatus to produce multi-layer high-temperature superconducting (HTS) coated tape |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
| US7228645B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-06-12 | Xuyen Ngoc Pham | Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate |
| JP4606234B2 (ja) | 2005-04-15 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
| US7644512B1 (en) * | 2006-01-18 | 2010-01-12 | Akrion, Inc. | Systems and methods for drying a rotating substrate |
| KR100941075B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-02-09 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 |
| US8561627B1 (en) * | 2008-09-26 | 2013-10-22 | Intermolecular, Inc. | Calibration of a chemical dispense system |
| JP5693439B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
| CN102623323A (zh) * | 2012-04-01 | 2012-08-01 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 半导体圆片喷液蚀刻系统及方法 |
| JP5783971B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | 塗布装置および塗布方法 |
| RU2641123C2 (ru) * | 2013-10-11 | 2018-01-16 | Трэнсиженс Оптикал, Инк. | Устройство для нанесения многослойного покрытия на оптическую подложку способом центрифугирования |
| CN104808446B (zh) * | 2015-05-07 | 2021-02-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种涂布机 |
| EP3562655B1 (en) * | 2016-12-28 | 2024-11-20 | Transitions Optical, Ltd. | Method for imparting an optical element with a light influencing property in a gradient pattern |
| KR102677969B1 (ko) * | 2020-12-30 | 2024-06-26 | 세메스 주식회사 | 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법 |
| JP7628434B2 (ja) * | 2021-02-15 | 2025-02-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法 |
| KR102629496B1 (ko) * | 2021-12-24 | 2024-01-29 | 세메스 주식회사 | 홈 포트 및 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4564280A (en) * | 1982-10-28 | 1986-01-14 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm |
| US5002008A (en) * | 1988-05-27 | 1991-03-26 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state |
| JP2815064B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1998-10-27 | 東京エレクトロン 株式会社 | 半導体ウエハに液を塗布する塗布装置及び塗布方法 |
| JP2868634B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1999-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液供給装置 |
| KR100230753B1 (ko) * | 1991-01-23 | 1999-11-15 | 도꾜 일렉트론 큐슈리미티드 | 액도포 시스템 |
| JP3016211B2 (ja) * | 1991-02-13 | 2000-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト処理装置 |
| JPH0734890B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1995-04-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | スピン・コーティング方法 |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP29213195A patent/JP3227642B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-07 TW TW085112238A patent/TW334358B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-10-09 US US08/729,028 patent/US5772764A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-11 KR KR1019960045242A patent/KR100357312B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004322091A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 洗浄ユニット、これを有するコーティング装置及び方法 |
| JP2017103368A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布液供給装置、塗布方法及び記憶媒体 |
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| TW334358B (en) | 1998-06-21 |
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