JPH09116082A - リードフレームおよび半導体パッケージ - Google Patents
リードフレームおよび半導体パッケージInfo
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- JPH09116082A JPH09116082A JP7266608A JP26660895A JPH09116082A JP H09116082 A JPH09116082 A JP H09116082A JP 7266608 A JP7266608 A JP 7266608A JP 26660895 A JP26660895 A JP 26660895A JP H09116082 A JPH09116082 A JP H09116082A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- lead frame
- adhesive
- mounting portion
- chip mounting
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体チップ搭載部の接着剤構造を改善するこ
とによって、取り扱いが簡単で、安価に構成でき、リー
ドフレームに反りがなく、完成後の半導体パッケージに
クラックが発生しないようにする。 【解決手段】リードフレーム１の半導体チップ搭載部４
に、予め熱可塑性接着剤６を塗布し、乾燥しておく。な
お、乾燥後の熱可塑性接着剤の厚さは３０μｍ以上とす
るとよい。このリードフレーム１を使って、熱可塑性接
着剤６を塗布、乾燥した半導体チップ搭載部４に半導体
チップ３を搭載し、樹脂７で封止して半導体パッケージ
を組み立てる。
とによって、取り扱いが簡単で、安価に構成でき、リー
ドフレームに反りがなく、完成後の半導体パッケージに
クラックが発生しないようにする。 【解決手段】リードフレーム１の半導体チップ搭載部４
に、予め熱可塑性接着剤６を塗布し、乾燥しておく。な
お、乾燥後の熱可塑性接着剤の厚さは３０μｍ以上とす
るとよい。このリードフレーム１を使って、熱可塑性接
着剤６を塗布、乾燥した半導体チップ搭載部４に半導体
チップ３を搭載し、樹脂７で封止して半導体パッケージ
を組み立てる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ搭載
部の接着構造を改善したリードフレームおよび半導体パ
ッケージに関するものである。
部の接着構造を改善したリードフレームおよび半導体パ
ッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体パッケージは、図３に示
すように、リードフレーム１の半導体チップ搭載部４に
銀ペースト５を塗布して半導体チップ３を搭載し、ボン
ディングワイヤ２で半導体チップ３とリードフレーム１
とを接続した後、樹脂７で封止した構造となっている。
すように、リードフレーム１の半導体チップ搭載部４に
銀ペースト５を塗布して半導体チップ３を搭載し、ボン
ディングワイヤ２で半導体チップ３とリードフレーム１
とを接続した後、樹脂７で封止した構造となっている。
【０００３】この場合、半導体チップ搭載工程は、図４
に示すように、(1) 半導体チップ搭載部４への銀ペース
ト５の塗布、(2) 半導体チップ３の搭載、(3) 銀ペース
ト５の一次キュア、(4) 銀ペースト５の２次キュア（バ
ッチ処理）からなる。
に示すように、(1) 半導体チップ搭載部４への銀ペース
ト５の塗布、(2) 半導体チップ３の搭載、(3) 銀ペース
ト５の一次キュア、(4) 銀ペースト５の２次キュア（バ
ッチ処理）からなる。
【０００４】しかし、銀ペーストは塗布するとき気泡を
抱き込む場合があり、気泡を抱き込んだままだと完成後
にパッケージクラックを起こす発生率が高い。また、銀
ペーストのキュアはプロセスが複雑であり組立に時間が
かかるという不具合があった。
抱き込む場合があり、気泡を抱き込んだままだと完成後
にパッケージクラックを起こす発生率が高い。また、銀
ペーストのキュアはプロセスが複雑であり組立に時間が
かかるという不具合があった。
【０００５】そこで、これらの不具合をなくすために、
厚さ３０μｍ程度の非常に薄い熱可塑性接着フィルムを
予め半導体チップ搭載部に貼り付けたリードフレームが
提案されている。これは、半導体チップ搭載部の形状に
合わせてフィルムを打ち抜き、それを半導体チップ搭載
部に貼り付けたものである。
厚さ３０μｍ程度の非常に薄い熱可塑性接着フィルムを
予め半導体チップ搭載部に貼り付けたリードフレームが
提案されている。これは、半導体チップ搭載部の形状に
合わせてフィルムを打ち抜き、それを半導体チップ搭載
部に貼り付けたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した熱可
塑性接着フィルムを予め半導体チップ搭載部に貼り付け
た従来のリードフレームには次のような種々の問題があ
った。
塑性接着フィルムを予め半導体チップ搭載部に貼り付け
た従来のリードフレームには次のような種々の問題があ
った。
【０００７】(1) 銀ペーストに比べて熱可塑性接着フィ
ルムは非常に高価である。
ルムは非常に高価である。
【０００８】(2) フィルムが３０μｍと非常に薄いた
め、その取り扱い、および打抜き性、貼付け性ともに高
度な技術を要する。
め、その取り扱い、および打抜き性、貼付け性ともに高
度な技術を要する。
【０００９】(3) フィルム打抜き、貼付けに関連して金
型、治具が必要となり、そのために技術的な問題が多
く、歩留まりが上がらず、高価なリードフレームになっ
ている。
型、治具が必要となり、そのために技術的な問題が多
く、歩留まりが上がらず、高価なリードフレームになっ
ている。
【００１０】(4) フィルム打抜き時にフィルムのスクラ
ップが出るためコストダウンが図れない。
ップが出るためコストダウンが図れない。
【００１１】(5) 熱可塑性接着フィルムを半導体チップ
搭載部に貼付すると、線膨張差によりリードフレームに
反りが生じ、完成後の半導体パッケージにクラックが発
生する。
搭載部に貼付すると、線膨張差によりリードフレームに
反りが生じ、完成後の半導体パッケージにクラックが発
生する。
【００１２】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消したリードフレームおよび半導体パッケージを
提供することにある。
点を解消したリードフレームおよび半導体パッケージを
提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、半導体チップ搭載部に熱可塑性接着剤または熱硬化
性接着剤を塗布、乾燥したものである。乾燥後の接着剤
の厚さは３０μｍ以上あることが好ましい。３０μｍ未
満であると接着剤を一定厚さに塗布することが困難とな
り、半導体チップ搭載の歩留りが低下するからである。
は、半導体チップ搭載部に熱可塑性接着剤または熱硬化
性接着剤を塗布、乾燥したものである。乾燥後の接着剤
の厚さは３０μｍ以上あることが好ましい。３０μｍ未
満であると接着剤を一定厚さに塗布することが困難とな
り、半導体チップ搭載の歩留りが低下するからである。
【００１４】本発明の半導体チップは、上記したリード
フレームの半導体チップ搭載部に、接着剤を介して半導
体チップを搭載し、樹脂封止したものである。
フレームの半導体チップ搭載部に、接着剤を介して半導
体チップを搭載し、樹脂封止したものである。
【００１５】半導体チップ搭載部に熱可塑性接着剤また
は熱硬化性接着剤を塗布、乾燥するため、接着フィルム
を貼付する場合のように、線膨張差によるリードフレー
ムの反りが発生しない。
は熱硬化性接着剤を塗布、乾燥するため、接着フィルム
を貼付する場合のように、線膨張差によるリードフレー
ムの反りが発生しない。
【００１６】また、必要な部分のみに接着剤を塗布する
ので、接着剤付きリードフレームの歩留まりをほぼ１０
０％とすることができ、大幅にコスト低減できる。
ので、接着剤付きリードフレームの歩留まりをほぼ１０
０％とすることができ、大幅にコスト低減できる。
【００１７】また、フィルムを打抜いたり、貼り付けた
りする治具、金型を使用しないため、短納期で且つ安価
に製造できる。
りする治具、金型を使用しないため、短納期で且つ安価
に製造できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。図１は本発明の一実施形態による半導体パッケー
ジの構造を示す。図３に示す従来の実施の形態のものと
異なる点は、半導体チップ搭載部４に予め熱可塑性接着
剤６を塗布、乾燥したリードフレーム１を使って半導体
チップ３を搭載した点である。半導体チップ搭載部４に
塗布する熱可塑性接着剤６は、絶縁性または導電性のい
ずれでもよい。
する。図１は本発明の一実施形態による半導体パッケー
ジの構造を示す。図３に示す従来の実施の形態のものと
異なる点は、半導体チップ搭載部４に予め熱可塑性接着
剤６を塗布、乾燥したリードフレーム１を使って半導体
チップ３を搭載した点である。半導体チップ搭載部４に
塗布する熱可塑性接着剤６は、絶縁性または導電性のい
ずれでもよい。
【００１９】半導体チップの搭載工程は、図２に示すよ
うに、(1) 予めリードフレームの半導体チップ搭載部４
に熱可塑性接着剤６を塗布、乾燥（キュア）しておき、
(2)その熱可塑性接着剤６を介して半導体チップ３を搭
載する工程からなる。
うに、(1) 予めリードフレームの半導体チップ搭載部４
に熱可塑性接着剤６を塗布、乾燥（キュア）しておき、
(2)その熱可塑性接着剤６を介して半導体チップ３を搭
載する工程からなる。
【００２０】半導体チップ３を搭載する半導体チップ搭
載部４に熱可塑性接着剤６を一定厚さに塗布することが
好ましく、そのためには、ワニス状にした熱可塑性接着
剤を図示しないディスペンサを使って一定量供給すると
よい。熱可塑性接着剤としては例えばポリエーテルアミ
ドイミド、ワニス状にする溶媒はＮ−メチル−２−ピロ
リドンなどがある。
載部４に熱可塑性接着剤６を一定厚さに塗布することが
好ましく、そのためには、ワニス状にした熱可塑性接着
剤を図示しないディスペンサを使って一定量供給すると
よい。熱可塑性接着剤としては例えばポリエーテルアミ
ドイミド、ワニス状にする溶媒はＮ−メチル−２−ピロ
リドンなどがある。
【００２１】熱可塑性接着剤は、銀ペーストに比して気
泡が混入しにくく、また仮に気泡が混入した場合でも、
ワニスが透視可能な透明度であるため、パッケージ完成
後にパッケージクラックの発生率を大幅に低減できる。
泡が混入しにくく、また仮に気泡が混入した場合でも、
ワニスが透視可能な透明度であるため、パッケージ完成
後にパッケージクラックの発生率を大幅に低減できる。
【００２２】発明者らは熱可塑性接着剤として日立化成
製のＨＭ−１を用いて実験を行った結果、キュア後の塗
布厚さは３０μｍ以上であれば半導体チップの搭載は可
能であることを確認した。
製のＨＭ−１を用いて実験を行った結果、キュア後の塗
布厚さは３０μｍ以上であれば半導体チップの搭載は可
能であることを確認した。
【００２３】本実施例のように、ワニス状にした熱可塑
性接着剤を必要な部分のみに塗布するようにすると、熱
可塑性接着フィルムを打抜いて貼り付ける場合に比し
て、安価になる。また、熱可塑性接着剤を直接半導体チ
ップ搭載部に塗布するだけでよく、打抜きや貼付け用の
特別な金型、治具も、それに関連した高度な技術も必要
とせず、接着剤の取り扱いが容易となる。また、スクラ
ップも出ず、ディスペンサを使って定量供給すれば材料
に無駄がなく、大幅なコストダウンが図れる。
性接着剤を必要な部分のみに塗布するようにすると、熱
可塑性接着フィルムを打抜いて貼り付ける場合に比し
て、安価になる。また、熱可塑性接着剤を直接半導体チ
ップ搭載部に塗布するだけでよく、打抜きや貼付け用の
特別な金型、治具も、それに関連した高度な技術も必要
とせず、接着剤の取り扱いが容易となる。また、スクラ
ップも出ず、ディスペンサを使って定量供給すれば材料
に無駄がなく、大幅なコストダウンが図れる。
【００２４】なお、上記実施例では、アウタガスの発生
量、清浄性、耐湿信頼性、ワイヤボンディング性、量産
性等の点で優れた熱可塑性接着剤を用いた場合について
説明したが、スタック防止のための保護フィルムを接着
剤の上に貼るようにすれば、熱硬化性接着剤を用いても
同様の効果が得られる。熱硬化性接着剤としては、例え
ばＮＢＲ／フェノールを主成分とする巴川製紙製のＲＸ
Ｆなどがよい。
量、清浄性、耐湿信頼性、ワイヤボンディング性、量産
性等の点で優れた熱可塑性接着剤を用いた場合について
説明したが、スタック防止のための保護フィルムを接着
剤の上に貼るようにすれば、熱硬化性接着剤を用いても
同様の効果が得られる。熱硬化性接着剤としては、例え
ばＮＢＲ／フェノールを主成分とする巴川製紙製のＲＸ
Ｆなどがよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップ搭載部に
熱可塑性接着剤または熱硬化性接着剤を塗布、乾燥する
ようにしたので、接着フィルムを貼付する場合のような
線膨張差によるリードフレームの反りがなく、完成後の
半導体パッケージにクラックが発生しない。また、必要
な部分のみに接着剤を塗布するだけでよいため取り扱い
が簡単であり、特別な金型や治具、高度な技術を必要し
ないため、歩留まりが向上し、スクラップも出ないた
め、安価に製造できる。
熱可塑性接着剤または熱硬化性接着剤を塗布、乾燥する
ようにしたので、接着フィルムを貼付する場合のような
線膨張差によるリードフレームの反りがなく、完成後の
半導体パッケージにクラックが発生しない。また、必要
な部分のみに接着剤を塗布するだけでよいため取り扱い
が簡単であり、特別な金型や治具、高度な技術を必要し
ないため、歩留まりが向上し、スクラップも出ないた
め、安価に製造できる。
【００２６】本発明によれば、接着剤の乾燥後の厚さを
３０μｍ以上としたので、厚さに均一性を確保でき、半
導体チップの搭載がより確実に行える。
３０μｍ以上としたので、厚さに均一性を確保でき、半
導体チップの搭載がより確実に行える。
【００２７】本発明によれば、半導体チップ搭載部に接
着剤を介して半導体チップを搭載するようにしたので、
信頼性に優れた半導体パッケージを構成することができ
る。
着剤を介して半導体チップを搭載するようにしたので、
信頼性に優れた半導体パッケージを構成することができ
る。
【図１】本発明の実施例による半導体パッケージの構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】本実施例による半導体チップ搭載の工程図。
【図３】従来例による半導体パッケージの構造を示す断
面図。
面図。
【図４】従来例による半導体チップ搭載の工程図。
１ リードフレーム ２ ボンディングワイヤ ３ 半導体チップ ４ 半導体チップ搭載部 ６ 熱可塑性接着剤 ７ 樹脂
フロントページの続き (72)発明者 今井 昇 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 川野辺 直 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (3)
- 【請求項１】半導体チップ搭載部に熱可塑性接着剤また
は熱硬化性接着剤を塗布、乾燥したリードフレーム。 - 【請求項２】乾燥後の接着剤の厚さが３０μｍ以上ある
請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のリードフレーム
の半導体チップ搭載部に、上記接着剤を介して半導体チ
ップを搭載し、樹脂封止した半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7266608A JPH09116082A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | リードフレームおよび半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7266608A JPH09116082A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | リードフレームおよび半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116082A true JPH09116082A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17433187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7266608A Pending JPH09116082A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | リードフレームおよび半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116082A (ja) |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP7266608A patent/JPH09116082A/ja active Pending
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