JPH09116108A

JPH09116108A - 半導体記憶装置

Info

Publication number: JPH09116108A
Application number: JP7272195A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Tajima; 豊田島
Original assignee: Nissan Motor Co Ltd
Current assignee: Nissan Motor Co Ltd
Priority date: 1995-10-20
Filing date: 1995-10-20
Publication date: 1997-05-02

Abstract

(57)【要約】【課題】初期状態では抵抗値が高く其の値を低くするこ
とによって情報を記憶するアンチフューズ形記憶装置
の、使い易く、しかも信頼性の高いものを提供すること
を課題とする。【解決手段】アンチフューズ形記憶装置の端部に、内部
回路に接続される１対の読み出し用のコンタクト領域を
設けると共に、この記憶装置の端部に、読み出し用コン
タクト領域の少なくとも一方よりも内側に、新たなコン
タクト領域を設け、また、書き込み電極を、読み出し用
コンタクト領域または上記新たなコンタクト領域に接続
し、更に、新たなコンタクト領域から記憶装置の内部
に、アルミニウム溶出領域を生じさせる構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、初期状態では抵抗
値が高く、その値を低くすることによって情報を記憶す
る、所謂アンチフューズ方式の半導体記憶装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】いわゆるアンチフューズ方式の半導体記
憶装置としては、たとえば特開昭５７−３２９２号公報
に開示された図８に示すようなものがある。以下、図８
によってアンチフューズ形半導体記憶装置の従来例の構
造や動作について説明する。アンチフューズ形記憶装置
は、半導体基板１の主面上に絶縁膜２を介して形成され
たｎ形領域４とｐ形領域５よりなるダイオード９により
構成される。ダイオード９のカソードはｎ+形領域３に
接続され、ダイオード９のアノードはｐ+形領域６に接
続されている。そしてｎ+形領域３はコンタクト領域７
を介して第１の端子１０と内部回路（図示せず）に接続
され、ｐ+領域６はコンタクト領域８を介して、第２の
端子１１と内部回路に接続されている。このアンチフュ
ーズ形記憶装置では、初期状態においては、ダイオード
９の逆方向特性は高抵抗状態となっている。すなわち、
オフ状態になっている。次いでダイオード９に、端子１
０及び１１から、ダイオード９の降伏電圧より大きい逆
バイアス電圧を印加する。この逆バイアス電圧が充分大
きければ、ダイオード９は熱破壊される。そのためダイ
オード９の逆方向特性は低抵抗状態となる。すなわち、
オン状態になる。これで此のアンチフューズ形記憶装置
に情報が記憶されたことになる。すなわち、此のアンチ
フューズ形記憶装置のダイオード９の逆方向特性の変
化、いわゆるオフ抵抗（オフ状態の抵抗）とオン抵抗
（オン状態の抵抗）の差を内部回路に検知させることに
よって、情報を記憶させる。

【０００３】しかし、上記のような従来のアンチフュー
ズ形記憶装置には下記のような問題点があった。まず、
ダイオード９のｐｎ接合を単純に熱破壊するだけなら
ば、ｐｎ接合部分の局所的な欠陥が生じた部分だけが破
壊する。よってオン抵抗は充分に小さくならない。この
場合はディジタル的な使用はできても、高精度トリミン
グのようなアナログ的な使用には不適である。次いで、
ダイオード９に、電圧とエネルギーともに充分に高い逆
バイアス電圧を印加してｐｎ接合が溶融するまで破壊す
ると以下の現象が起きる。ダイオード９に印加した逆バ
イアス電圧の印加時間を１ｍｓとしても、シリコンの熱
伝導率により熱の拡散長は約２００μｍになる。よって
ダイオード９のｐｎ接合とコンタクト領域７または８と
の間隔が通常の大きさ（１μｍ程度〜数十μｍ）なら
ば、ｐｎ接合で生じた熱はコンタクト領域７と８に達す
る。この結果、コンタクト領域７と８の温度が上昇し
て、約４５０℃になると、アルミニウム配線とシリコン
の間で共晶反応が生じて、図９に示すように、アルミニ
ウムの溶出領域１３がダイオード９のｐｎ接合を股ぐよ
うにして形成される。このアルミニウムの溶出領域１３
の存在によって、オン抵抗は充分に小さくなり、ディジ
タル的のみならず、アナログ的な使用もできるようにな
るが、一方、以下に述べる新たな問題点が生じる。即
ち、アルミニウムの溶出領域１３が形成される際に、コ
ンタクト７とｎ+形領域３の界面およびコンタクト８と
ｐ+形領域６の界面にボイドや欠陥の発生またはシリコ
ンの析出が生じることがある。このため、たとえ書き込
み直後のオン抵抗は小さくても、通常の使用環境での熱
ストレスなどによる経時劣化によってオン抵抗が増加し
てしまう可能性がある。つまり信頼性が高くない。さら
に、上記のボイドや欠陥の発生またはシリコンの析出が
顕著であるならば、ダイオード９の破壊直後において
も、オン抵抗が充分に小さくならない可能性がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のアン
チフューズ形記憶装置の上記のような種々の問題点を解
消した、ディジタル的にもアナログ的にも使用でき、使
い易く、信頼性が高く、寿命も長い、アンチフューズ形
記憶装置を提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明においては、半導体基板の主面に、または絶縁
物領域を介して半導体基板の主面に、初期状態では抵抗
値が高く、その値を低くすることによって情報を記憶す
る、所謂アンチフューズ形記憶装置を形成し、このアン
チフューズ形記憶装置の一端の側の端部主面に、第１の
配線が接続される第１のコンタクト領域を形成し、ま
た、アンチフューズ形記憶装置の他端の側の端部主面
に、第２の配線が接続される第２のコンタクト領域を形
成し、且つ、上記アンチフューズ形記憶装置の一端の側
の端部主面に上記第１のコンタクト領域よりも内側に第
３の配線が接続される第３のコンタクト領域を形成し、
また、アンチフューズ形記憶装置の他端の側の端部主面
に、上記第２のコンタクト領域よりも内側に第４の配線
が接続される第４のコンタクト領域を形成することにし
た。第１と第２のコンタクト領域を内部回路に接続し、
第３と第４のコンタクト領域を書き込み電極に接続する
か、または、第１と第２のコンタクト領域を内部回路と
書き込み電極に接続し、第３と第４の電極を電気的に開
放にする。

【０００６】

【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態を図
１によって説明する。図１（ａ）は第１の実施の形態の
断面構造を示す図で、図１（ｂ）は第１の実施の形態の
平面構造を示す図である。半導体基板１００主面上に、
絶縁物領域１０１を介して、ｎ形領域１０３とｐ形領域
１０４を形成してダイオード１２０を構成する。ｎ形領
域１０３の端部に接してｎ+領域１０２を形成するとと
もに、ｐ形領域１０４の端部に接してｐ+形領域１０５
を形成する。そしてｎ+形領域１０２主面に、コンタク
ト領域１０６を形成して第１のアルミニウム配線１１０
を接続する。一方、ｐ+形領域１０５主面に、コンタク
ト領域１０９を形成して第２のアルミニウム配線１１１
を接続する。また、ｎ+形領域１０２の主面に、コンタ
クト領域１０６よりもダイオード１２０のｐｎ接合に近
い個所に、コンタクト領域１０７を形成して、第３のア
ルミニウム配線１１３を接続する。さらに、ｐ+形領域
１０５の主面に、コンタクト領域１０９よりもダイオー
ド１２０のｐｎ接合に近い個所に、コンタクト領域１０
８を形成して、第４のアルミニウム配線１１４を接続す
る。第１のアルミニウム配線１１０を第１の書き込み電
極（図示せず）に接続するとともに、第２のアルミニウ
ム配線１１１を第２の書き込み電極（図示せず）に接続
する。さらに、第１のアルミニウム配線１１０と第２の
アルミニウム配線１１１を共に内部回路（図示せず）に
も接続する。

【０００７】次に、この実施の形態の作用を図２によっ
て説明する。初期状態では、ダイオード１２０の逆方向
特性により、オフ抵抗は高い。ついで、第２の書き込み
電極を基準にして、第１の書き込み電極にダイオード１
２０の降伏電圧以上の正電圧を印加して、書き込みを行
うと、ダイオード１２０が降伏して発熱する。ここで正
電圧の印加時間を１ｍｓとしても、シリコンの熱伝導率
により熱の拡散長は約２００μｍになる。コンタクト領
域１０７と１０８は、ダイオード１２０の近傍（１μｍ
程度〜数十μｍ）に形成されているので、ダイオード１
２０の発熱により、コンタクト１０７と１０８の温度は
速やかに、そして充分に上昇する。やがてコンタクト１
０７と１０８の温度が約４５０℃を超えると、アルミニ
ウムとシリコンの共晶反応が生じ、ダイオード１２０の
ｐｎ接合部分に、アルミニウムの溶出領域１５０が形成
される。こうして、此の第１の実施の形態では、第１
に、アルミニウムの溶出領域１５０のために、オン抵抗
が充分に小さくなる。

【０００８】第２に、コンタクト領域１０７と１０８
は、情報の読み出しに関係しない。このため、コンタク
ト領域１０７とｎ+形領域１０２の界面、およびコンタ
クト領域１０８とｐ+形領域１０５の界面に、ボイドや
欠陥、またはシリコンの析出が生じても、オン抵抗が増
加することはなく、また経時劣化で変化することもな
い。

【０００９】第３に、上記第２で述べた効果により、コ
ンタクト領域１０７と１０８をｐｎ接合の直近に形成す
ることが可能なため、アルミニウムの溶出領域１５０が
ｐｎ接合内部に広がる。このため、オン抵抗がより一層
小さくなる。第４に、ダイオード１２０で生じた熱は、
コンタクト領域１０７または１０８を経て、アルミニウ
ム配線１１３または１１４に吸収されてから、周囲に放
熱される。このためコンタクト領域１０６と１０９部分
の温度上昇は抑えられる。よって、コンタクト領域１０
６と１０９部分にはボイドや欠陥などが生じることはな
い。よってオン抵抗の増加や経時劣化はない。

【００１０】つぎに此の発明の第２の実施の形態を図３
によって説明する。図３は第２の実施の形態の平面構造
を示す図で、（第１の実施の形態の場合と同様な）コン
タクト領域１０７に第５のアルミニウム配線２００を接
続するとともに、（第１の実施の形態の場合と同様な）
コンタクト領域１０８に第６のアルミニウム配線２０１
を接続する。そして第５のアルミニウム配線２００を第
１の書き込み電極（図示せず）に接続し、第６のアルミ
ニウム配線２０１を第２の書き込み電極（図示せず）に
接続する。さらに、第１のアルミニウム配線１１０と第
２のアルミニウム配線１１１を、それぞれ、内部回路の
みに接続する。その他の構成は第１の実施の形態の場合
と同様である。

【００１１】次に第２の実施の形態の作用を説明する。
第１の実施の形態の場合と同様にオフ抵抗は高い。書き
込み動作も第１の実施の形態の場合と同様である。この
第２の実施の形態には、第１の実施の形態について述べ
た４つの効果に加えて、下記のような効果がある。

【００１２】第１の効果を図４によって説明する。抵抗
２０２は、第１の書き込み電極からダイオード１２０の
ｐｎ接合までの抵抗である。抵抗２０３は、第２の書き
込み電極からダイオード１２０のｐｎ接合までの抵抗で
ある。この第２の実施の形態では、ｐｎ接合の近傍のア
ルミニウム配線２００と２０１に、書き込み用の電圧を
印加するので、抵抗２０２と２０３の値は、第１の実施
の形態の場合よりも小さい。したがって、抵抗２０２と
２０３で消費されるエネルギー、すなわちダイオード１
２０以外の個所で消費されるエネルギーが小さくなる。
このため、書き込みに要する電圧および電流が小さくな
り、より一層容易に書き込める。

【００１３】第２の効果として、一般に、アルミニウム
の溶出領域は電流流路に生じ易く、かつ、電流が流れて
いると、さらに生じ易くなることが知られている。此の
実施の形態では、コンタクト領域１０７、１０８ともに
電流が流れているので、ダイオード１２０のｐｎ接合部
分に、より効果的にアルミニウムの溶出領域が生じる。
このため、この第２の実施の形態では、オン抵抗がさら
に小さくなる。

【００１４】つぎに此の発明の第３の実施の形態を図５
によって説明する。この図５は平面構造を示す図であ
る。第２の実施の形態の場合のｐ形領域１０４の端部に
図示の如くｐ+形領域３０１を設ける。ｐ+形領域３０１
のｐ形領域１０４側の一端主面にコンタクト領域１０８
を介してアルミニウム配線２０１を接続する。一方で、
ｐ+形領域３０１の他端側の幅を広くする。そして、こ
の部分に、複数のコンタクトで構成されるコンタクト領
域３０３を介して、アルミニウム配線１１１を接続す
る。またｎ形領域１０３端部に、ｎ+形領域３００を設
ける。ｎ+形領域３００のｎ形領域１０３側の一端主面
に、コンタクト領域１０７を介してアルミニウム配線２
００を接続する。一方、ｎ+形領域３００の他端側の幅
を広くする。そして、この部分に、複数のコンタクトで
構成されるコンタクト領域３０２を介して、アルミニウ
ム配線１１０を接続する、この点が第２の実施の形態と
異なる。その他の構成は第２の実施の形態の場合と同様
である。

【００１５】次いで第３の実施の形態の作用を説明す
る。この実施の形態では第２の実施の形態の場合と同様
な作用が行われるが、第２の実施の形態の場合について
述べた効果に加えて、以下のような効果がある。すなわ
ち、コンタクト領域３０２が複数のコンタクトで構成さ
れ、かつコンタクト領域３０２部分のｎ+形領域３００
の幅が広いことによって、アルミニウム配線１１０から
ダイオード１２０までの抵抗が小さくなる。同様にし
て、アルミニウム配線１１１からダイオード１２０まで
の抵抗も小さくなる。つまり、書き込みの容易さを損な
うことなく、読み出し時のオン抵抗をさらに小さくでき
る。さらに、書き込み時のコンタクト領域１０７、１０
８の電流密度は高いままなので、アルミニウム溶出領域
の形成が損なわれることはない。さらに、コンタクト領
域３０２、３０３上の配線の面積を、コンタクト領域１
０７、１０８上の配線の面積より大きくすれば、コンタ
クト領域１０７、１０８が充分に熱くなっても、コンタ
クト領域３０２、３０３の温度上昇は抑えられる。例え
ば、前者の面積を後者の面積の１０倍とすれば、前者の
温度上昇は後者の温度上昇の１／１０となる。よって、
後者部分の温度がアルミニウムの溶出領域が形成される
４５０℃になっても、前者の温度は数十度程度であり、
コンタクト領域３０２、３０３の信頼性を損なうことは
ない。アルミニウムの単位体積当たりの熱容量（２．４
Ｊ／℃・ｃｍ³）はシリコンの単位体積当たりの熱容量
（１．７Ｊ／℃・ｃｍ³）より大きいので、アルミニウ
ム配線を加熱することにより、シリコン内部に温度勾配
が生じるためである。

【００１６】なお、第１の実施の形態の場合でも、第３
の実施の形態の同様な構成にすれば、第１の実施の形態
について述べた効果に加えて、上記第３の実施の形態に
ついて述べた効果も生じる。

【００１７】つぎに第４の実施の形態について、図６に
よって説明する。図６は、その平面構造を示す図で、構
成は既に説明した第２の実施の形態の場合に似ている
が、コンタクト領域１０７とコンタクト領域１０８と
が、図６に描かれていいるように、１本の横線（水平方
向線）上に配置されていない点で、第２の実施の形態の
場合と異なっている。これ以外の点では、第２の実施の
形態の場合と同様である。

【００１８】図７は第４の実施の形態を採った場合の作
用を説明するための図である。前述したように、コンタ
クト領域１０７と１０８は、１本の横線上に配置されて
いないために、アルミニウム溶出領域４０１が、図７に
示すように、ダイオード１２０のｐｎ接合を斜めに横切
ることになる。よってコンタクト領域１０６からコンタ
クト領域１０９に至るアルミニウム溶出領域４０１がｐ
ｎ接合部分に存在する割合が、第２の実施の形態の場合
よりも多くなり、オン抵抗がより一層小さくなる。

【００１９】第１の実施の形態の場合においても上記第
４の実施の形態の場合と同様な構成にすれば、第１の実
施の形態の場合の効果に加えて、上記の第４の実施の形
態の場合と同様な効果が生ずる。

【００２０】なお、（１）：第１〜第４の実施の形態においては、半導体基
板１００の主面上に、絶縁物領域１０１を介してアンチ
フューズ形記憶装置を形成した場合について説明した。
しかし、半導体基板１００の主面上に、絶縁物領域を介
さずに、アンチフューズ形記憶装置を形成した場合に
も、同様な効果が得られる。

【００２１】（２）：第１〜第４の実施の形態および上
記（１）において、第１のコンタクト領域１０６および
第２のコンタクト領域１０９を、チタンシリサイドやタ
ングステンシリサイドなどのシリサイドで形成すれば、
第１のコンタクト領域１０６や第２のコンタクト領域１
０９にアルミニウム溶出領域が生じることによって、信
頼性の低下やオン抵抗が経時的に高くなるなどの問題が
生じる可能性はますます少なくなる。

【００２２】（３）：第１〜第４の実施の形態および上
記（１）、（２）において、ｎ形領域１０３の不純物濃
度が、オーミックコンタクトを実現できるほど高けれ
ば、コンタクト領域１０６、１０７を直接ｎ形領域１０
３に設けても効果は同じである。また、ｐ形領域１０４
の不純物濃度がオーミックコンタクトを実現できるほど
高ければ、コンタクト領域１０８、１０９を直接ｐ形領
域１０４に設けても効果は同じである。

【００２３】（４）：第１〜第４の実施の形態および上
記（１）〜（３）の各場合においては、アンチフューズ
形記憶装置を、ダイオードを用いて形成した場合につい
て説明した。しかし、第１〜第４の実施の形態および上
記（１）〜（３）の各場合において、ダイオードのｐｎ
接合ではなく、低濃度不純物層による抵抗領域をアンチ
フューズ形記憶装置として用いた場合にも、第１〜第４
の実施の形態および上記（１）〜（３）の各場合につい
て述べた効果が同様に生じる。すなわち、初期状態では
高抵抗であるが、抵抗領域内部に、ダイオードのｐｎ接
合部分と同様にアルミニウムの溶出領域が生じるので、
信頼性を損なうことなく、抵抗値が充分小さくなる。

【００２４】（５）：第２〜第４の実施の形態および上
記（１）〜（４）の各場合において、書き込み電極に接
続されるコンタクト領域１０７、１０８、又は４００
を、ｎ+形領域またはｐ+形領域主面上に設けるのではな
く、低濃度不純物領域主面上に形成することによって、
これらのコンタクト領域と低濃度不純物領域をショット
キーコンタクトとすれば、次の効果が生じる。すなわ
ち、書き込みの際に、ショットキーコンタクトの降伏電
圧以上の逆バイアス電圧を、このショットキーコンタク
トに印加すれば、このショットキーコンタクト部分の温
度がより一層速やかに上昇して、アルミニウムの溶出領
域が形成され易くなる。このため、書き込みがさらに容
易になるとともに、オン抵抗が減少する。

【００２５】さらに上記の各実施の形態では、すべて配
線１１０、１１１、１１３、１１４、２００、２０１に
アルミニウムを用いた場合について説明した。しかし、
これらの配線を、シリコンや銅などを含有するアルミニ
ウム配線またはチタンやタングステンなどのシリサイド
で形成しても、効果は同様である。

【００２６】またコンタクト領域１０７と１０８を、そ
れぞれ、複数のコンタクト領域で形成すれば、ｐｎ接合
内部に複数の金属配線とシリコンによる導電領域が形成
され、さらにオン抵抗が小さくなる。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ダ
イオードまたは高抵抗領域からなるアンチフューズ形半
導体記憶装置において、アンチフューズ形記憶装置の端
部に、内部回路に接続される、１対の読み出し用のコン
タクト領域を設けるとともに、このアンチフューズ形記
憶装置の端部に、読み出し用コンタクト領域の少なくと
も一方のコンタクト領域よりも内側に、新たなコンタク
ト領域を設け、また、書き込み電極を、読み出し用のコ
ンタクト領域または新たなコンタクト領域に接続し、更
に、新たなコンタクト領域からアンチフューズ形記憶装
置の内部に、アルミニウム溶出領域を生じさせる構成と
したため、オフ抵抗を低下させることなく、オン抵抗を
充分に小さくすることができるようになり、ディジタル
的な使用のみならず、高精度トリミングのようなアナロ
グ的な使用にも適するようになり、経時劣化等によりオ
ン抵抗が変動することがなくなり、信頼性が高くなり、
一層低い電圧、電流で書き込みできるようになる効果が
得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図で、図
（ａ）は断面図、図（ｂ）は上面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の作用を説明するた
めの図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態の平面構造を示す図
である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の第１の効果を説明
するための図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態の平面構造を示す図
である。

【図６】本発明の第４の実施の形態の平面構造を示す図
である

【図７】本発明の第４の実施の形態を採った場合の作用
を説明するための図である。

【図８】所謂アンチフューズ形半導体記憶装置の従来例
として、特開昭５７−３２９２号公報に開示されたもの
の構造、動作について説明する図である。

【図９】アンチフューズ形記憶装置の従来例のダイオー
ドに、電圧、エネルギーとも充分大きい逆バイアス電圧
を印加してｐｎ接合が溶融するまで破壊した際に、ｐｎ
接合を股ぐようにして形成されたアルミニウムの溶出領
域を示す図である。

【符号の説明】

１…半導体基板２…絶縁膜３…ｎ+形領域４…ｎ形領域５…ｐ形領域６…ｐ+形領
域７、８…コンタクト領域９…ダイオー
ド１０…第１の端子１１…第２の
端子１２…層間絶縁膜１３…アルミ
ニウム溶出領域１００…半導体基板１０１…絶縁
物領域１０２…ｎ+形領域１０３…ｎ形
領域１０４…ｐ形領域１０５…ｐ+
形領域１０６、１０７、１０８、１０９…コンタクト領域１１０…第１のアルミニウム配線１１１…第２
のアルミニウム配線１１２…層間絶縁膜１１３…第３
のアルミニウム配線１１４…第４のアルミニウム配線１２０…ダイ
オード１５０…アルミニウム溶出領域２００…第５
のアルミニウム配線２０１…第６のアルミニウム配線２０２、２０
３…抵抗３００…ｎ+形領域３０１…ｐ+
形領域３０２、３０３…コンタクト領域４０１…アル
ミニウム溶出領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の主面に、または絶縁物領域を
介して半導体基板の主面に、初期状態では抵抗値が高
く、その値を低くすることによって情報を記憶する、所
謂アンチフューズ形記憶装置を形成し、このアンチフュ
ーズ形記憶装置の一端の側の端部主面に、第１の配線が
接続される第１のコンタクト領域を形成し、また、アン
チフューズ形記憶装置の他端の側の端部主面に、第２の
配線が接続される第２のコンタクト領域を形成し、且
つ、上記アンチフューズ形記憶装置の一端の側の端部主
面に上記第１のコンタクト領域よりも内側に第３の配線
が接続される第３のコンタクト領域を形成し、また、ア
ンチフューズ形記憶装置の他端の側の端部主面に、上記
第２のコンタクト領域よりも内側に第４の配線が接続さ
れる第４のコンタクト領域を形成することを特徴とする
半導体記憶装置。
【請求項２】アンチフューズ形記憶装置を、第１導電形
半導体領域と第２導電形半導体領域よりなるｐｎ接合に
よるダイオードで形成するか、または、第１導電形半導
体領域による抵抗領域で形成することを特徴とする請求
項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】第１の配線を第１の書き込み電極に接続
し、第２の配線を第２の書き込み電極に接続するととも
に、上記第１の配線と第２の配線を、それぞれ、内部回
路に接続することを特徴とする請求項１または２記載の
半導体記憶装置。
【請求項４】第１の配線と第２の配線をそれぞれ内部回
路に接続するとともに、第３の配線を第１の電極に、第
４の配線を第２の電極に、接続することを特徴とする請
求項１または２記載の半導体記憶装置。
【請求項５】第１のコンタクト領域と第２のコンタクト
領域の内の少なくとも一方を、シリサイドで形成するこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体記憶装置。
【請求項６】第１のコンタクト領域部分のアンチフュー
ズ形記憶装置の幅を、第３のコンタクト領域部分、また
は第３のコンタクト領域と第４のコンタクト領域の間の
アンチフューズ形記憶装置の幅より広くし、且つ、第２
のコンタクト領域部分のアンチフューズ形記憶装置の幅
を、第４のコンタクト領域部分、または第３のコンタク
ト領域と第４のコンタクト領域の間のアンチフューズ形
記憶装置の幅より広くし、且つ、第１のコンタクト領域
と第２のコンタクト領域を、それぞれ複数個のコンタク
トで構成したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】第３のコンタクト領域の個々のコンタクト
と、第４のコンタクト領域の個々のコンタクトが、それ
ぞれ、横方向の同一直線上に存在しないように配置する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の
半導体記憶装置。
【請求項８】第１、第２、第３および第４のコンタクト
領域のうち、少なくとも１つのコンタクト領域を、アン
チフューズ形記憶装置にオーミック接続する手段とし
て、高濃度不純物領域を介して接続することを特徴とす
る請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体記憶装
置。
【請求項９】第３のコンタクト領域と第４のコンタクト
領域のうち少なくとも一方を、アンチフューズ形記憶装
置にショットキー接続することを特徴とする請求項１〜
８のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】第１、第２、第３および第４の配線を、
アルミニウム配線、またはシリコンや銅などを含有する
アルミニウム配線、またはチタンやタングステンなどに
よるシリサイドで形成することを特徴とする請求項１〜
９のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。