JPH09118086A - Icカード - Google Patents

Icカード

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JPH09118086A
JPH09118086A JP7277483A JP27748395A JPH09118086A JP H09118086 A JPH09118086 A JP H09118086A JP 7277483 A JP7277483 A JP 7277483A JP 27748395 A JP27748395 A JP 27748395A JP H09118086 A JPH09118086 A JP H09118086A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ICカードの表裏面に電磁波シールド層の形成
によりICカードの通信機能を遮断し、かつ初期化時に
ICモジュール部分の電磁波シールド層を除去しICカ
ードの通信を可能にする初期化機能を有するICカード
を提供する。 【解決手段】少なくともマイクロプロセッサ及び/又は
メモリ、外部データ処理装置とデータ交換を行なう通信
手段を有するICモジュールをカード基材に内蔵もしく
は埋設してなるICカードの表裏面又は全周囲に熱によ
る溶融除去可能な電磁波シールド層を形成してなるIC
カードであり、使用前の状態ではICモジュールの通信
機能を遮断させで不要な電池の消耗、不要なICカード
の応答などの誤動作の発生、使用前のデータの漏洩を防
止することができる。使用時にはICモジュール部分の
電磁波シールド層を加熱による溶融除去が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、非接触状態で外部
データ処理装置とデータ通信が可能なICカードに関
し、とくにICカード発行時点で初めてデータの入出力
が可能となるICカードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピューターおよびコンピュー
ターを利用した電子機器の外部記憶装置として、フロッ
ピーディスク、カセットテープ等の磁気記録媒体の他に
取り扱い易さ、小型化等の特徴を有するRAM、ROM
等の半導体メモリを備えたカード状、或いはパッケージ
状の記録媒体が用いられており、一方、金融分野・セキ
ュリティ分野ではクレジットカード、キャッシュカー
ド、IDカード等の分野における磁気カードに代わる新
たなカードとして、マイクロプロセッサ及び/又はRA
M、FRAM、ROM等の半導体メモリ等をプリント基
板又はフィルム基板などに配設し電気的な接続してなる
ICモジュールをカード基材に内蔵もしくは埋設してな
る、いわゆるICカードが用いられるようになり、これ
らは情報記録容量が非常に大きいこと、高セキュリティ
性を有することから開発が進められており、とくに後者
の特徴を生かした金融分野・セキュリティ分野での利用
が有望視されている。
【0003】このようなICカードは、マイクロプロセ
ッサ又はメモリへの書き込み・読み取りを接触式で行う
接触式ICカードと非接触式で行う非接触式ICカード
に大別される。接触式ICカードは、カード表面に内部
のマイクロプロセッサ又はメモリと電気的に接続されて
いる、露出状態の外部端子に外部データ処理装置の外部
端子とを直に電気的に接続させ、この接続により電源供
給と情報通信を行うICカードであり、現在ICカード
のタイプとしては、ほとんどがこの範疇にはいる。この
タイプのICカードのデータの読み取り・書き込みは、
エラー率は極めて低い反面、外部端子の汚れ、摩耗によ
る損傷を受けると電気導通性が失われるため、読み取り
・書き込みができなくなるおそれがある。また、乾燥し
た環境下ではICカード表面に帯電した静電気により読
み取り・書き込みエラーの原因となる問題がある。
【0004】また非接触式ICカードには、近年、メモ
リ用ICチップのデータ通信を行う静電プレートと電磁
誘導による電力供給を受けるためのコイルから構成され
る非接触型ICモジュールが開発され、一部実用化され
ている。このタイプのICモジュールは、データ通信を
非接触で行うため、通信用端子をカード表面に露出する
必要がないため、前述したような外部端子の汚れや静電
気等による通信エラーによる障害が少ないことが特徴と
されている。
【0005】上記のような非接触型ICカードによるデ
ータ通信は、例えば人や自動車などの移動体に取り付け
られる応答器(ICカード)と固定される質問器(アン
テナおよびコントローラ)で構成されるシステムにおい
て、応答器と質問器の間で、非接触状態、すなわち電磁
波、磁界、音波などをキャリアとして用いて行なわれ
る。この伝送方式には、主に電磁誘導方式,電磁結合方
式,マイクロ波方式,光通信方式の4種類がある。
【0006】電磁誘導方式は、ループコイルまたはコア
入りコイルを数十cmの間隔で対向して配置し、数百k
Hzの信号電流を通電することにより近傍に発生する誘
導電磁界を情報伝送媒体として使用するものである。電
磁結合方式は、コア入りコイルまたは空芯コイル同士
(一方がアンテナ側で他方がICカード側)を数mm〜
数十mmの間隔を隔て対向して配置し、相互誘導によっ
てアンテナとICカード間で情報の転送を行っている。
マイクロ波方式は波長が十数cmの準マイクロ波電流に
より発生する放射電磁界(いわゆる電波)を情報伝送媒
体として使用するもので、小型アンテナ素子を複数個組
み合わせることにより適度な指向性を実現している。光
通信方式は送信側の発光ダイオードが発する近赤外光を
情報伝送媒体ろして使用しており、受信側ではフォトト
ランジスタやフォトダイオードにより光ー電気信号変換
を行っている。また、アンテナ側からのICカードのア
クセス方式としてRO(Read Only)型,WO
RM(Write Once Read Many)型
およびRW(Read Write)の3種類がある。
RO型のICカードの情報はメーカー側から出荷される
時点で予め書き込まれており、アンテナ側からのアクセ
スは読み取りのみ可能なものである。WORM型はのI
Cカードへの情報の書き込みは最初の1回だけ可能で、
その後は書き込んだ情報の読み取りだけ可能であり、R
O型と同様に情報の識別用に使用されることが多い。R
W型のICカードへの情報の書き込みや読み取りは任意
に行うことができるため、ID情報以外に各種情報の書
き込み・読み取りや必要により記録情報の特定領域の情
報を読み取り、または書き替えを可能とするものであ
る。
【0007】これらの伝送方式やアクセス方法によりI
Cカードとのデータ通信が行われるが、上記ICカード
に記録されるデータ、とくにICカードを利用する際に
必要となる情報、例えばカード識別用コード、カードI
Dなどが記録されており、ICカードユーザーにICカ
ードを出荷する時点で、これらICカードは上述の情報
が記録されており、使用可能な状態であると言える。例
えば、ROM型では、出荷の時点でメーカー又は発行者
側でICカードに所定の情報が書き込まれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】そのため、ICカード
がメーカー又は発行者側からユーザー側へ渡る間に、第
三者にICカードが入手された場合に、非接触型ICカ
ードは電磁波などを受けると動作するため、悪用される
おそれがあり、特に電源を内蔵しないタイプは電源供給
用の電磁波などを受けると無条件に動作するものであ
る。また他の方法についても同様に情報の変造、改竄、
情報の盗難のおそれがある。さらに非接触型ICカード
は、特定の接続手段によって接続されず、所定の値、強
度の電磁波などが供給されると、無条件に反応しICカ
ード側から情報を発信し交信動作可能状態となるため、
未使用(未発行)の非接触型ICカードが保管された状
態で、所定の値、強度の電磁波などが供給された場合
は、一斉に動作状態となり、とくに電池を内蔵するタイ
プは電池の消耗を早める問題があった。そこで、本発明
は、ICカードの表裏面に電磁波シールド層を形成し、
これにより非接触型ICモジュールの通信機能を遮断さ
せ、初期化時(使用直前の発行段階)にICモジュール
部分の電磁波シールド層を除去することによりICモジ
ュールの通信を可能にするという初期化機能を有するI
Cカードを提供すること目的する。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべくな
された本発明は、請求項1に記載の発明は、少なくとも
マイクロプロセッサ及び/又はメモリ、外部データ処理
装置とデータ交換を行なう通信手段を有するICモジュ
ールをカード基材内に内蔵もしくは埋設してなるICカ
ードの表裏面又は全周囲に熱による溶融破壊可能な電磁
波シールド層を形成してなることを特徴とするICカー
ドである。
【0010】請求項2に記載の発明は、請求項1のIC
カードにおいて、電磁波シールド層上に少なくとも隠蔽
層、印刷層、耐熱保護層を形成してなることを特徴とす
る。
【0011】請求項3に記載の発明は、請求項1のIC
カードにおいて、電磁波シールド層は電磁波を遮蔽し、
前記ICモジュールの外部と通信することを遮断する機
能を有する低融点金属薄膜からなることを特徴とする。
【0012】請求項4に記載の発明は、請求項3のIC
カードにおいて、低融点金属薄膜層はBi、Sn、M
g、Zn、Pb、Al、Cuの単体又はBi、Sn、M
g、Zn、Pb、Al、Cu、Mn、In、Teの混合
物、或いは合金からなることを特徴とする。
【0013】請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4
のいずれかのICカードにおいて、通信手段は外部デー
タ処理装置と非接触状態でデータ通信及び/又はICカ
ードの電力供給を行なうことを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて詳細
に説明する。図1は本発明のICカードの平面図であ
り、図2は図1のICカードのX−X線における断面図
であり、図3は図2の部分拡大断面図であり、図4はI
Cモジュールを説明するための概略説明図であり、図5
は本発明のICカードの製造に用いられる表裏面ラベル
の断面図であり、図6は本発明のICカードの製造工程
を示す概略説明図であり、図7は他の実施例のICカー
ドの断面図であり、図8は図7のICカードの製造に用
いられるラベルの断面図であり、図9は他の実施例のI
Cカードの断面図である。
【0015】本発明のICカードは図1、図2、図7に
示すようにその表面と裏面、好ましくは、図9に示すよ
うにICカードの全周囲を電磁波シールド層4で被覆
し、ICカードに内蔵もしくは埋設してなるICモジュ
ール3へ到達する電磁波を遮蔽することにより、ICモ
ジュール3の外部と通信することを遮断する機能を保持
させるものであり、とくにICカードの使用開始時点、
すなわち発行時点で使用可能とするため、迅速な発行処
理が可能な材質であることが必要であり、本発明では熱
による溶融破壊が可能な低融点金属からなる薄膜が好ま
しい。発行処理には図示しないサーマルヘッドやレーザ
ー等の加熱手段の加熱により、少なくともICモジュー
ル部分のカード面の所定箇所の低融点金属薄膜の溶融除
去を行なうものであり、少なくとも通信可能な程度に除
去できればよい。その際に発行に伴い、カードの初期化
情報、例えば発行日、発行内容、カード所有者、カード
発行者等に関係する情報、利用可能度数・利用可能金額
等のカード利用情報などの金融関連情報や商品情報など
を可視情報として記録することができる。この可視情報
は除去部分と兼ねても、また別に形成してもよい。
【0016】具体例として低融点金属には、Sn、P
b、Al、Zn、Bi、Cu、Mg等の金属単体、ある
いはこれらの金属の合金、又は酸化物、硫化物等の化合
物、例えばSnO、ZnS等、或いはそれらの混合物を
真空蒸着、スパッタリングなどの物理的蒸着法やCVD
などの化学的蒸着法、メッキ法、または前述のような形
成手段によって薄膜を形成した転写シート等を用いて低
融点金属薄膜を転写形成する転写方式、或いは同様に低
融点金属薄膜を形成したシートをラミネート形成するラ
ミネート方式などの方法により形成することができる。
【0017】この低融点金属薄膜は電磁波シールド層と
して上述または後述の非接触型ICカードの主な情報伝
達方式、すなわち非接触状態における通信遮断機能を発
揮する。非接触状態における情報伝達方式には、主に電
磁結合方式,電磁誘導方式,マイクロ波方式,光通信方
式等があり、これらはいずれも金属や人などの導電体等
の障害物により、通信が遮断され易いことから、とくに
本発明における金属薄膜では、マイクロ波方式(とくに
2.4GHz前後が有効であり、それ以下でも可能であ
る)、光通信方式における通信遮断能力が大きい。そし
て初期化(発行)処理の際にサーマルヘッドやレーザー
等の加熱手段の加熱により、少なくともICモジュール
部分のカード面の所定箇所の溶融破壊、すなわち低融点
金属薄膜の溶融除去処理を容易に行なうことができるこ
とが必要であることから融点が低い方が有利である。好
ましい例を挙げると、Sn単体またはSnの合金(Sn
Bi合金、SnPb合金〔はんだ〕、SnZn合金など
があり、また例えばSn単体の場合での膜厚は、100
0〜50000nmの範囲で通信の遮断が可能、かつ熱
破壊が容易であるが、薄すぎると通信を遮断する能力が
低下し、厚すぎると熱破壊能力が低下するために、好ま
しくは10000nm前後である。この電磁波シールド
層4はICカードの表面を被覆するように形成すること
ができればよく、ICカードの製造工程において種々の
形成方法が考案されている。
【0018】まず、非接触型のICカードは図示しない
が、プラスチックからなる板状の支持体であるカード基
材にICモジュールを配置するための凹部をザグリ加工
により形成し、その凹部にICモジュールを嵌合する方
法による製造方法が知られており、近年では品質および
生産効率の面から射出成形機を用いた射出成形によるカ
ードの製造方法が行なわれてきている。このようなカー
ド基材に用いられる樹脂としては加工適性の熱可塑性樹
脂である塩化ビニル樹脂;ポリスチレン樹脂;ABS樹
脂(アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合
体);AS樹脂(アクリルニトリル−スチレン共重合
体);耐熱ABS樹脂;ABSとポリカーボネート、ポ
リブチレンテレフタレートなどとのポリマーアロイ;A
ES樹脂(アクリルニトリル−エチレンプロピレンラバ
ー−スチレン共重合体);アクリル樹脂、ポリスルホ
ン、ポリカーボネート、ポリエチレンおよびポリプロピ
レン等のポリオレフィン;ポリアミド樹脂;ポリアセタ
ール樹脂;フッ素樹脂;耐衝撃性ポリエステル樹脂(H
IPS)等が挙げられ、また熱硬化性樹脂としてフェノ
ール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、キシレン樹脂、
シリコーン樹脂等が挙げられる。なお、廃棄処理を考慮
した生分解性プラスチックを用いることもできる。例え
ば3−ヒドロキシ酪酸、3−ヒドロキシ吉草酸共重合体
P(3HB−3HV)等の微生物産生ポリエステル、ポ
リカプロラクタム(PCL)などの脂肪族ポリエステ
ル、ポリ乳酸などのポリグリコリド、ポリビニルアルコ
ール、デンプン複合体等を用いることができる。
【0019】上記の射出成形によるカード製造方法は、
例えば、特開昭61−222713号公報に開示される
ように、上下金型表面のそれぞれにICモジュール付P
CB基板を設置しておき、その間に樹脂を射出により一
体成形した後、印刷を施した化粧用ラミネートシートを
表裏にそれぞれ貼付するもの、またICモジュールの固
定方法を特徴とする、特開平3−24000号公報に
は、はじめにICモジュールを固定する土台を射出成形
により一次成形し、ICモジュールを土台に設置固定し
た後に再び射出成形するもの、さらには一回の成形によ
りカード製造と同時に絵付けも行う方法で、特願平7−
229467号に射出成形で一体成形するICカード
を、金型内カードの表面、若しくは裏面にあたる一方の
位置に、少なくとも一方の面に印刷層を形成し、かつ反
対面、又は同一面上にICモジュールを固定したラベル
を配置し、金型と他方の位置に、少なくとも一方の面に
印刷層を形成してなるラベルを配置した後、これらのラ
ベル間に樹脂を射出成形するものがある。
【0020】本発明のICカードの製造では、その構
成、必要な製造工程、生産効率などを考慮すると、射出
成形によるカードの製造が好ましいと言え、上述の第1
及び第3の方法は、ICモジュールの固定とカードの表
裏面の加工が分かれており、それぞれ別に加工が可能で
あり、とくに第3の方法は、1回の射出成形でカード製
造が可能であり、製造工程を少なくすることができる。
【0021】そこで、本発明の説明を射出成形を利用し
た構成のICカードを例として挙げて行なう。図2、図
3は射出成形により製造したICカードの断面図及び部
分拡大した断面図であり、カード基材2は成形樹脂5
と、上記の電磁波シールド層4がICカードの表裏面を
構成するラベル21、22上に形成され、さらにその上
には感熱増感層、隠蔽層が設けられ、最外層に絵柄・文
字等の印刷部8及びそれらを保護する保護層9が形成さ
れている。
【0022】ラベル21、22にはグラビア印刷法、ス
クリーン印刷法、オフセット印刷法、グラビアコーティ
ング法等による印刷適性を有する紙、合成紙、プラスチ
ックフィルム、若しくはそれらの材料を組み合わせた複
合材からなるシート等が用いられる。例えば上質紙、コ
ート紙、アート紙、カード紙等の印刷適性を有する紙、
合成紙、他にポリエチレンやポリプロピレン等のポリオ
レフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ABS樹脂等の材料を押し出
し成形法、カレンダーロール成形法等により得たプラス
チックフィルム、シート、さらにこれらの材料による複
合シート等が挙げられ、また厚さは印刷適性を考慮して
10μm〜200μm程度の範囲が好ましく、用途など
に応じて材料とともに適宜選択される。
【0023】ラベル上には、上記した電磁波シールド層
4が設けられるが、これらの低融点金属薄膜とラベル2
1、22との接着状態を向上させるために蒸着アンカー
として、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ
エステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ウレタン樹脂、アク
リル樹脂等の高分子化合物が単独もしくは混合系として
用いた樹脂を用いた蒸着アンカー層(図示しない)を設
けてもよい。この蒸着アンカー層(図示しない)は上述
の樹脂を主成分とするインキまたはコーティング剤をグ
ラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、
各種コーティング法などにより形成することができる。
また蒸着アンカー層(図示しない)は転写方式やラミネ
ート方式により貼り合わせ形成することもできる。す
る。
【0024】隠蔽層6は、ラベルが透明、白などであ
り、かつこの金属調の色相(光沢調)を示す未溶融除去
部分を完全に隠蔽する場合に設けられる。隠蔽層6には
主成分としては顔料成分、例えば酸化チタン、硫酸バリ
ウム、カーボンブラック、非磁性酸化鉄など、または染
料成分、例えば有機染料、フタロシアニン化合物、シア
ン化合物などと塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂等の高分子化合物
の単独もしくはそれらの混合体が用いられる。隠蔽層6
はこれらをグラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリ
ーン印刷法、各種コーティング法などにより形成するこ
とができる。この隠蔽層を色濃度を高めようとして顔料
成分等を増大させると、熱溶融記録型の場合には隠蔽層
で熱吸収されやすくなるため、記録感度が低下すること
があり、またカーボンブラック等の導電材料を着色層に
用いると、金属薄膜の腐食をまねくおそれがあり安定し
た記録媒体と言えなくなる。このような欠点を改良する
ために、隠蔽層6と電磁波シールド層4(低融点金属薄
膜層)との間に、金属腐食防止機能の付与と熱溶融記録
時の記録感度を向上させるための熱可塑性樹脂からなる
感熱増感層7を設けることができる。感熱増感層7に使
用可能な樹脂は、電磁波シールド層4(低融点金属層)
や隠蔽層6との接着性を考慮して隠蔽層6と同様の熱可
塑性樹脂の単独もしくは混合体が好ましい。
【0025】ラベル上、最外層には任意に絵柄・文字等
の印刷部8をオフセット印刷法、グラビア印刷法、スク
リーン印刷法等の公知の印刷方法により設けることがで
きる。かかる文字・絵柄の印刷部8にはオフセット印刷
法の場合にポリエステルアクリレート系樹脂、ポリウレ
タンアクリレート系樹脂、エポキシアクリレート系樹
脂、アルキッド系樹脂等のインキを用いることができ
る。グラビア印刷法の場合、セルロース系樹脂、塩素化
ポリプロピレン、塩化ビニル酢酸ビニル共重合樹脂、飽
和ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂等のインキを用
いることができる。スクリーン印刷法の場合、ポリエス
テル系樹脂、塩化ビニル酢酸ビニル共重合樹脂、アクリ
ルポリオール系樹脂等のインキを用いることができる。
【0026】保護層9は、キズや汚れなどから本発明の
ICカードの表面を保護するもので、さらに破壊(溶融
除去)時のステッキング防止、表面破壊を防止するもの
であり、通常耐熱性の樹脂と滑剤、及び各種充填剤から
なる。使用可能な樹脂として熱可塑性アクリル樹脂、熱
硬化型アクリル樹脂、耐熱性アクリル系エマルジョン樹
脂、各種紫外線硬化型樹脂、オフセット印刷用OPニス
等の耐熱性をもつ硬い樹脂がある。また滑剤にはシリコ
ン系、ステアリン酸亜鉛等の金属石鹸、フッ素系等のも
のも使用できるが、耐摩擦性と加熱時の塗膜保護性や滑
り性能を考えるとワックス系の滑材を用いるのが好まし
く、融点としては30〜150℃の範囲のパラフィンワ
ックス、マイクロクリスタリンワックス、カルナバワッ
クス、ライスワックス、モンタンワックス、低分子ポリ
エチレンワックス、酸化ポリエチレンワックス、低分子
ポリプロピレンワックス、各種脂肪酸、モノアマイド
系、ビスアマイド系、牛脂系等の各種天然及び合成ワッ
クスを単独もしくは混合系で添加する。また、添加剤と
しては、炭酸カルシウム、タルク、シリカ、アルミナ等
のフィラー、各種界面活性剤、安定剤、硬化剤等が必要
に応じて用いられる。これらからなる塗料やインキは、
グラビアコーティングやリバースロールコーティング、
ナイフコーティング、ブレードコーティング等の各種コ
ーティング法、グラビア印刷、スクリーン印刷等の印刷
法によって1〜10μm程度の膜厚で設けられる。一般
に、水性の塗工材料は溶剤系塗工材料に比べて、取り扱
いの容易さ・安全性の点で有利であり、特にエマルジョ
ン系は塗料が低粘度となるため塗布・加工適性上で有利
であり、コーティング剤や接着剤として各種紙加工や各
種建装材料、産業資材等に様々な形で利用されている。
耐熱性の目安としては、最低造膜温度(MFT)が60
℃以上であるが、好ましくは100℃以上が必要であ
る。
【0027】なお、印字エネルギーの小さいサーマルヘ
ッド等の加熱手段による金属薄膜の溶融破壊を行うよう
な、耐熱効果をとくに上げる必要がない場合は、すなわ
ち文字・絵柄等の印刷部8のキズ・摩耗等の耐性を向上
させることを目的とする場合には、かかる保護層の素材
としてアクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロー
ス、ヒドロキシセルロース、カルボキシメチルセルロー
ス、ポリビニルアルコール、スチレン−マレイン酸共重
合体、ポリエステル樹脂、ABS樹脂等が使用でき、こ
れらをトルエン、キシレン等の溶剤に溶解または分散し
てグラビア法、ロールコート法等により塗布乾燥して保
護層を形成することができる。また熱硬化型樹脂、紫外
線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などの硬化型樹脂を使
用してもよい。
【0028】次に図4はICモジュール3は、プリント
基板15上にCPU、メモリ等のICチップ16、他に
電子回路部品20などが電気的に接続、実装されてお
り、さらに通信用アンテナとして絶縁被覆導線等からな
るループアンテナ17がプリント基板15上のアンテナ
端子18を介して接続されている。なお、ICモジュー
ル3は必要に応じて、例えばエポキシ樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、ポリアミド樹脂などの樹脂により樹脂封止さ
れている。また、電源として電池19を内蔵する方式と
外部データ処理装置がら発信される電磁波をループアン
テナ17で受け、その電磁波から電力を得る方式があ
り、前者はより能動的に動作が可能であり、後者は電池
寿命などの心配がないという特徴を有する。
【0029】他のアンテナとしてはプリント基板に印刷
配線されたマイクロストリップアンテナ、コイルアンテ
ナ、キャパシター等があり、とくに本発明ではマイクロ
波方式(2.4GHz)の周波数帯の通信方式、光通信
方式が適している。また適している。また電波など反射
を利用したものは有効であるが、磁気はシールド層の材
質、厚さなどが問題であり、溶融除去が困難な場合があ
る。さらに電磁誘導による電力供給および電磁誘導によ
る通信用アンテナの機能としての専用又は兼用コイルか
らなる電磁誘導方式と、上記のデータ通信用に静電プレ
ートを用いる静電容量方式があり、また電源を電池によ
り供給するものもあるが、電磁誘導方式磁界は、厚さの
ある鉄板のようなものでなければ遮蔽できない特性から
本発明の電磁波シールド層として用いられる低融点金属
薄膜では遮蔽が困難である。
【0030】さらに他方式として光通信方式では、通信
手段を光の発光源のLEDと受光器のPDから構成し、
データを光のON/OFFにより送受信するものであ
る。これらのICモジュールは取り扱いにおける利便性
の点からエポキシ樹脂、ポリプロピレン樹脂等により封
止されている。
【0031】次に本発明のICカードの製造方法は、図
5に示すように低融点金属薄膜からなる電磁波シールド
層4、隠蔽層6、感熱増感層7、印刷部8、保護層9を
形成し、少なくとも一方にICモジュール3を接着層9
により接着したラベル21、22がカード基材の両側面
となるようにして、図6に示す本発明のICカードの製
造工程における金型23、24にそれぞれ印刷部8を外
面に向け、平行に対向配置される。上記接着方法として
は、接着剤の使用の他に熱融着方法、溶剤接着方法、高
周波溶接方法、超音波溶接方法等がある。接着剤には、
例えばエポキシ系、ウレタン系、シリコーンゴム系、ア
クリル系、ポリアミド系樹脂等による1液硬化型接着
剤、もしくは2液硬化型接着剤、ホットメルト系ワック
ス等がある。また熱融着方法としてはヒートシーラー、
熱ラミネート等が挙げられる。溶剤接着法はラベルとI
Cモジュールを封止している樹脂の両者に共通して高い
溶解性を示す溶剤により接着面を溶解させ、乾燥後接着
するものである。またラベル21、22を配置する際に
は吸着などの固定手段により行ない、以後の射出成型時
も吸着などの固定手段によりラベル21、22を固定す
るものである。金型23、24を閉じ、このラベル2
1、22の間に樹脂が充填されるキャビティ25が形成
され、このキャビティ25に射出口26から所定量の溶
融樹脂を射出充填し、冷却固化する。このとき樹脂の充
填性を向上させるために、射出圧縮成形法を用いてもよ
い。この後、金型23、24を開き、図2に示すICカ
ードを作製することができる。
【0032】なお、成形用樹脂としては、例えば一般用
ポリスチレン樹脂、耐衝撃用ポリスチレン樹脂、アクリ
ロニトリルスチレン樹脂、ABS樹脂、アクリル樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化
ビニル樹脂、変性PPO樹脂、ポリブチレンテレフタレ
ート樹脂、ポリフェニレンサルファルド樹脂等の熱可塑
性樹脂、もしくはそれらの材料の複合によるアロイ系樹
脂、さらにはガラス繊維の添加による強化樹脂等が挙げ
られる。
【0033】次に図7は本発明のICカードの他の実施
例であり、図8に示すようにラベル21上に印刷部8、
隠蔽層6、感熱増感層7、電磁波シールド層4を設けた
ものと、ラベル22の一方の面に電磁波シールド層4、
感熱増感層7、隠蔽層6を、他方の面に印刷部8、保護
層9をそれぞれ設けたものであり、それらを組み合わせ
て、或いはそれらから一種類を選択(図示しない)し、
少なくとも一方のラベルにICモジュール3を配置し、
上記と同様にしてICカードを上記した射出成形方法に
よりICカードを作製することができる。
【0034】さらに他の実施例を挙げると、図9に示す
ように電磁波シールド層4をカード基材2の周囲に設け
てなるICカードがある。
【0035】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。
【0036】(実施例1)厚さ50μmの白色塩化ビニ
ルシートの一方の面に電磁波シールド層として、真空蒸
着法によってSn(単体)を、その表面上の抵抗率が
1. 5Ω/□になるように膜厚約12000nmの低融
点金属薄膜層を形成した。これらの間に蒸着アンカー層
として、以下の組成物をグラビア法により、乾燥温度1
10℃、塗布厚3μmで塗布した後、60℃、48時間
でエージングを行った。 ○蒸着アンカー層組成物 ポリエステル樹脂 バイロン20SS:東洋紡社製 100部
【0037】また低融点金属薄膜層上に感熱増感層とし
て、以下の組成物をグラビア法によって、乾燥温度11
0℃、塗布厚2μmで塗布したした後、60℃、48時
間エージングを行った。 ○感熱増感層組成物 アクリル−セルロース系樹脂 VM−AL:大日精化社製 100部 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂(20%ラッカー) エスレックA:積水化学社製 30部 イソシアネート系硬化剤 コロネートHL:日本ポリウレタン社製 5部 希釈溶剤 トルエン/MEK/ブタノール 70部
【0038】さらに隠蔽層として、以下の組成物をグラ
ビア法により、乾燥温度110℃、塗布厚3μmで塗布
した後、60℃、48時間でエージングを行った。 ○隠蔽層組成物 ウレタン樹脂系白色インキ ラミスターR 白:東洋インキ製造社製 100部 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂(20%ラッカー) VAGH:ユニオンカーバイト社製 30部 微粒子シリカ粉末 アエロジル300:日本アエロジル社製 2部 イソシアネート系硬化剤 コロネートHL:ポリウレタン社製 5部 希釈溶剤 トルエン/MEK/ブタノール 30部
【0039】次にオフセット印刷法により印刷部を膜厚
1μmとなるように絵柄等を設け、その上面に印刷部を
保護する保護層をオフセット印刷法により膜厚2μmで
ラベル全面に設けた。さらにラベルの他方の面にウレタ
ン系接着層を介してエポキシ樹脂封止されたICモジュ
ールを接着し、固定によりラベルを作製した。上記方法
により得られた少なくとも一方のラベルにICモジュー
ルが配置されてなるラベルを、所望のカード形状に作製
した金型にそれぞれ印刷部側が金型と接触するよう配置
し、吸着させた後、アクリロニトリル−ブタジエン−ス
チレン樹脂からなる成形樹脂を射出し、冷却固化しをカ
ードを作製した。
【0040】ラベルには予め印刷による文字・画像等が
施されており、さらにラベルにICモジュール固定用支
持体としての機能とSnからなる低融点金属薄膜層によ
る発行機能を有するカードを一回の射出成形工程により
得ることができる。実施例1のICモジュールの通信方
式をマイクロ波方式としたところ、低融点金属薄膜層の
熱溶融破壊前は完全に信号を遮断し通信不可能とし、I
Cモジュールに相当する部分をカード両面からのサーマ
ルヘッドにより熱破壊溶融後には通信可能となった。
【0041】(実施例2)厚さ50μmの透明ポリ塩化
ビニルベースシート上に文字・画像等をオフセット印刷
法により印刷部を膜厚1μmで設け、印刷部上にスクリ
ーン印刷法により隠蔽層として白色インキを膜厚5μm
に設ける。さらに実施例1と同様に感熱増感層を、また
低融点金属薄膜層を真空蒸着法によりSnの表面上の抵
抗率が1.5Ω/□になるような管理方法で膜厚約12
000nmに形成した。その上にウレタン系接着層を介
してICモジュールを接着し、固定によりラベルを作製
した。
【0042】次に厚さ50μmの白色塩化ビニルシート
上に同様に蒸着アンカー、低融点金属薄膜層、感熱増感
層、隠蔽層と文字・画像等の印刷部を設け、その上に保
護層をオフセット印刷法により膜厚2μmでラベル全面
に設けた。上記方法により得られた2枚のラベルを、所
望のカード形状に作製した金型にそれぞれ印刷部側が金
型と接触するよう配置し、吸着させた後、アクリロニト
リル−ブタジエン−スチレン樹脂を射出し、冷却固化し
カードを作製した。
【0043】ラベルには予め印刷による文字・画像等が
施されており、さらにラベルにICモジュール固定用支
持体としての機能とSnの低融点金属薄膜層による発行
機能を有するカードを一回の射出成形工程により得るこ
とができる。実施例1のICモジュールの通信方式をマ
イクロ波方式としたところ、低融点金属薄膜層の熱溶融
破壊前は完全に信号を遮断し、ICモジュールに相当す
る部分をカード両面からのサーマルヘッドにより熱破壊
溶融後には通信可能となった。
【0044】
【発明の効果】以上述べたように、ICカードの表裏面
に電磁波シールド層を形成し、これにより使用前の状態
では非接触型ICモジュールの通信機能を遮断させるこ
とで、不要な電池の消耗、不要なICカードの応答など
の誤動作の発生、使用前のデータの漏洩を防止すること
ができる。そして初期化時(使用直前の発行段階)にI
Cモジュール部分の電磁波シールド層を加熱による溶融
破壊から除去することにより、ICモジュールの通信が
可能となる初期化機能を備えたICカードを提供するこ
とができる。
【0045】また、本発明のICカードはICモジュー
ル、電磁波シールド層等をラベル上に配置又は形成する
ことにより、射出成形方法により1回の射出成形行程
で、ICモジュールの内蔵と、文字・画像等の同時形成
と、初期化機能を有する電磁波シールド層を備えたIC
カードを得ることができた。
【0046】本発明のICカードは、通信方式をマイク
ロ波方式としたところ、低融点金属薄膜からなる電磁波
シールド層の熱溶融破壊前は完全にマイクロ波の信号を
遮断しており、ICモジュールに相当する部分のカード
両面からのサーマルヘッドにより熱破壊溶融後にはマイ
クロ波の信号通信可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のICカードの平面図である。
【図2】図1のICカードのX−X線における断面図で
ありる。
【図3】図2の部分拡大断面図である。
【図4】ICモジュールを説明するための概略説明図で
ある。
【図5】本発明のICカードの製造に用いられる表裏面
ラベルの断面図である。
【図6】本発明のICカードの製造工程を示す概略説明
図である。
【図7】本発明の他の実施例のICカードの断面図であ
る。
【図8】本発明の他の実施例のICカードの製造に用い
られる表裏面ラベルの断面図である。
【図9】本発明の他の実施例のICカードの断面図であ
る。
【符合の説明】
1、11、12 ICカード 2 カード基材 21、22 ラベル 3 ICモジュール 4 電磁波シールド層 5 成形樹脂 6 隠蔽層 7 感熱増感層 8 印刷部 9 保護層 10 接着層 15 プリント基板 16 ICチップ 17 ループアンテナ 18 アンテナ端子 19 電池 20 電子回路部品 23、24 金型 25 キャビティ 26 射出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒岩 政夫 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくともマイクロプロセッサ及び/又は
    メモリ、外部データ処理装置とデータ交換を行なう通信
    手段を有するICモジュールをカード基材に内蔵もしく
    は埋設してなるICカードの表裏面又は全周囲に熱によ
    る溶融除去可能な電磁波シールド層を形成してなること
    を特徴とするICカード。
  2. 【請求項2】前記電磁波シールド層上に少なくとも隠蔽
    層、印刷層、耐熱保護層を形成してなることを特徴とす
    る請求項1に記載のICカード。
  3. 【請求項3】前記電磁波シールド層は電磁波を遮蔽し、
    前記ICモジュールの外部と通信することを遮断する機
    能を有する低融点金属薄膜からなることを特徴とする請
    求項1に記載のICカード。
  4. 【請求項4】前記低融点金属薄膜層はBi、Sn、M
    g、Zn、Pb、Al、Cuの単体又はBi、Sn、M
    g、Zn、Pb、Al、Cu、Mn、In、Teの混合
    物、或いは合金からなることを特徴とする請求項3に記
    載のICカード。
  5. 【請求項5】前記通信手段は外部データ処理装置と非接
    触状態でデータ通信及び/又はICカードの電力供給を
    行なうことを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載
    のICカード。
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