JPH09120510A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH09120510A JPH09120510A JP8275629A JP27562996A JPH09120510A JP H09120510 A JPH09120510 A JP H09120510A JP 8275629 A JP8275629 A JP 8275629A JP 27562996 A JP27562996 A JP 27562996A JP H09120510 A JPH09120510 A JP H09120510A
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- magnetic field
- magnetoresistive element
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バイアス磁界発生のための消費電力が抑制で
き、全消費電力の低減化という市場ニーズに答えられる
薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気シールド２と導電性磁性材料３とを
同じ大きさに形成した場合に比べて、磁気抵抗素子１に
対する磁場の漏れ込みを効果的に防止しつつ、磁気抵抗
素子１に対するバイアス磁界Ｍを発生させるため導電性
磁性材料３に電流を流した場合に導電性磁性材料３にか
かる電圧をより小さくする。
き、全消費電力の低減化という市場ニーズに答えられる
薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気シールド２と導電性磁性材料３とを
同じ大きさに形成した場合に比べて、磁気抵抗素子１に
対する磁場の漏れ込みを効果的に防止しつつ、磁気抵抗
素子１に対するバイアス磁界Ｍを発生させるため導電性
磁性材料３に電流を流した場合に導電性磁性材料３にか
かる電圧をより小さくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バイアス磁界を磁
気抵抗素子に付加して外部磁束に対応した信号を出力す
る薄膜磁気ヘッドに関するものである。
気抵抗素子に付加して外部磁束に対応した信号を出力す
る薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、磁気ヘッドは高記録密度化の要求
が強くなり、中でも磁束に対応して安定した出力が得ら
れる磁気抵抗素子を用いた薄膜磁気ヘッドが、高記録密
度再生という面で注目されている。そのためにこの磁気
抵抗素子を用いた薄膜磁気ヘッドのギャップ寸法も、高
記録密度化の要求に伴いより小さいものが望まれてい
る。
が強くなり、中でも磁束に対応して安定した出力が得ら
れる磁気抵抗素子を用いた薄膜磁気ヘッドが、高記録密
度再生という面で注目されている。そのためにこの磁気
抵抗素子を用いた薄膜磁気ヘッドのギャップ寸法も、高
記録密度化の要求に伴いより小さいものが望まれてい
る。
【０００３】従来、磁気抵抗素子を有する薄膜磁気ヘッ
ドでは、外部磁界に対応した出力を得るための磁気抵抗
素子に対するバイアス磁界の付加方法として、バイアス
磁界を発生する永久磁石を磁気抵抗素子後方に配置した
り、バイアス線に電流を流してバイアス磁界を得る方法
を用いている。この中で任意のバイアス磁界が容易に得
られるという理由から主流となっているバイアス線によ
る方法を図２に示すと、磁気抵抗素子１１に近接して、
磁気抵抗素子１１に対し矢印Ｎで示されるバイアス磁界
を発生するバイアス線１２が必要となり、さらに分解能
を向上させるために磁気抵抗素子１１の両側に磁気シー
ルド１３ａ，１３ｂを配置して必要以外の磁束の流入を
防ぐ構造をとって高周波域における分解能を上げてい
る。
ドでは、外部磁界に対応した出力を得るための磁気抵抗
素子に対するバイアス磁界の付加方法として、バイアス
磁界を発生する永久磁石を磁気抵抗素子後方に配置した
り、バイアス線に電流を流してバイアス磁界を得る方法
を用いている。この中で任意のバイアス磁界が容易に得
られるという理由から主流となっているバイアス線によ
る方法を図２に示すと、磁気抵抗素子１１に近接して、
磁気抵抗素子１１に対し矢印Ｎで示されるバイアス磁界
を発生するバイアス線１２が必要となり、さらに分解能
を向上させるために磁気抵抗素子１１の両側に磁気シー
ルド１３ａ，１３ｂを配置して必要以外の磁束の流入を
防ぐ構造をとって高周波域における分解能を上げてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構造においては、磁気シールド１３ａ，１３ｂ間
のギャップＢは磁気抵抗素子１１とバイアス線１２の幅
および絶縁層の厚み以下にはならず、ギャップＢの寸法
により線記録密度の限界値は制限され、それ以上の高い
線記録密度における再生はできないという問題点を有し
ている。
ような構造においては、磁気シールド１３ａ，１３ｂ間
のギャップＢは磁気抵抗素子１１とバイアス線１２の幅
および絶縁層の厚み以下にはならず、ギャップＢの寸法
により線記録密度の限界値は制限され、それ以上の高い
線記録密度における再生はできないという問題点を有し
ている。
【０００５】実際には、磁気抵抗素子１１の厚みは５０
０から１０００オングストロームであるのに対し、バイ
アス線１２は充分なバイアス磁界を発熱を抑えつつ発生
させるため抵抗値を押さえる意味で膜厚は１５００から
２０００オングストローム程度と、磁気抵抗素子１１と
比べ厚いものとなる。また、それぞれの膜の間の絶縁を
充分に得るにはさらに各１０００オングストローム程度
の絶縁層が必要となり、全体としては０．５ミクロン程
度となってしまい、したがってギャップ寸法によって決
まる線記録密度の限界は、２ＫＦＲＰＭ程度となってし
まう。
０から１０００オングストロームであるのに対し、バイ
アス線１２は充分なバイアス磁界を発熱を抑えつつ発生
させるため抵抗値を押さえる意味で膜厚は１５００から
２０００オングストローム程度と、磁気抵抗素子１１と
比べ厚いものとなる。また、それぞれの膜の間の絶縁を
充分に得るにはさらに各１０００オングストローム程度
の絶縁層が必要となり、全体としては０．５ミクロン程
度となってしまい、したがってギャップ寸法によって決
まる線記録密度の限界は、２ＫＦＲＰＭ程度となってし
まう。
【０００６】また、市場のニーズとしては、その一つ
に、例えばアウトドアにおける使用などに対応するた
め、装置の全消費電力の低減化が挙げられる。このよう
に、全消費電力の低減化された装置を供給するために
は、バイアス磁界発生のために使用される消費電力を抑
制することが要求される。
に、例えばアウトドアにおける使用などに対応するた
め、装置の全消費電力の低減化が挙げられる。このよう
に、全消費電力の低減化された装置を供給するために
は、バイアス磁界発生のために使用される消費電力を抑
制することが要求される。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、磁気シールド間のギャップ内からバイアス磁界を
得るための手段を取り除くことで狭ギャップ化を可能に
して、高い線密度記録における再生を可能とするととも
に、バイアス磁界発生のために使用される消費電力を抑
制することができ、全消費電力の低減化という市場のニ
ーズに答えられる装置を供給することができる薄膜磁気
ヘッドを提供する。
ので、磁気シールド間のギャップ内からバイアス磁界を
得るための手段を取り除くことで狭ギャップ化を可能に
して、高い線密度記録における再生を可能とするととも
に、バイアス磁界発生のために使用される消費電力を抑
制することができ、全消費電力の低減化という市場のニ
ーズに答えられる装置を供給することができる薄膜磁気
ヘッドを提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の薄膜磁気ヘッドは、一方の磁気シールドに
代えて設けられた導電性磁性材料が、電流が流された場
合に、その電流によるバイアス磁界を発生することによ
り、従来のバイアス線と磁気シールドの両者の機能を発
揮することを特徴とする。
めに本発明の薄膜磁気ヘッドは、一方の磁気シールドに
代えて設けられた導電性磁性材料が、電流が流された場
合に、その電流によるバイアス磁界を発生することによ
り、従来のバイアス線と磁気シールドの両者の機能を発
揮することを特徴とする。
【０００９】また、磁気シールドと導電性磁性材料とを
同じ大きさに形成した場合に比べて、磁気抵抗素子に対
する磁場の漏れ込みを効果的に防止しつつ、磁気抵抗素
子に対するバイアス磁界を発生させるため導電性磁性材
料に電流を流した場合に導電性磁性材料にかかる電圧を
より小さくすることを特徴とする。
同じ大きさに形成した場合に比べて、磁気抵抗素子に対
する磁場の漏れ込みを効果的に防止しつつ、磁気抵抗素
子に対するバイアス磁界を発生させるため導電性磁性材
料に電流を流した場合に導電性磁性材料にかかる電圧を
より小さくすることを特徴とする。
【００１０】以上により、磁気シールド間のギャップ内
からバイアス磁界を得るための手段を取り除くことで狭
ギャップ化を可能にして、高い線密度記録における再生
を可能とするとともに、バイアス磁界発生のために使用
される消費電力を抑制することができ、全消費電力の低
減化という市場のニーズに答えられる装置を供給するこ
とができる。
からバイアス磁界を得るための手段を取り除くことで狭
ギャップ化を可能にして、高い線密度記録における再生
を可能とするとともに、バイアス磁界発生のために使用
される消費電力を抑制することができ、全消費電力の低
減化という市場のニーズに答えられる装置を供給するこ
とができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の薄膜磁
気ヘッドは、磁気抵抗素子の両側に配置される第１の磁
気シールドと第２の磁気シールドの少なくとも一方が、
電流を流してバイアス磁界を得ることができる導電性磁
性材料で形成されているとともに、前記第１の磁気シー
ルドと前記第２の磁気シールドの大きさが異なっている
構成とする。
気ヘッドは、磁気抵抗素子の両側に配置される第１の磁
気シールドと第２の磁気シールドの少なくとも一方が、
電流を流してバイアス磁界を得ることができる導電性磁
性材料で形成されているとともに、前記第１の磁気シー
ルドと前記第２の磁気シールドの大きさが異なっている
構成とする。
【００１２】請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドは、請求
項１に記載の導電性磁性材料で形成された第１の磁気シ
ールドがそれ以外の材料で形成された第２の磁気シール
ドに比べて小さく形成されている構成とする。
項１に記載の導電性磁性材料で形成された第１の磁気シ
ールドがそれ以外の材料で形成された第２の磁気シール
ドに比べて小さく形成されている構成とする。
【００１３】これらの構成によると、一方の磁気シール
ドに代えて設けられた導電性磁性材料は、電流が流され
た場合に、その電流によるバイアス磁界を発生すること
により、従来のバイアス線と磁気シールドの両者の機能
を発揮する。
ドに代えて設けられた導電性磁性材料は、電流が流され
た場合に、その電流によるバイアス磁界を発生すること
により、従来のバイアス線と磁気シールドの両者の機能
を発揮する。
【００１４】また、磁気シールドと導電性磁性材料とを
同じ大きさに形成した場合に比べて、磁気抵抗素子に対
する磁場の漏れ込みを効果的に防止しつつ、磁気抵抗素
子に対するバイアス磁界を発生させるため導電性磁性材
料に電流を流した場合に導電性磁性材料にかかる電圧を
より小さくする。
同じ大きさに形成した場合に比べて、磁気抵抗素子に対
する磁場の漏れ込みを効果的に防止しつつ、磁気抵抗素
子に対するバイアス磁界を発生させるため導電性磁性材
料に電流を流した場合に導電性磁性材料にかかる電圧を
より小さくする。
【００１５】以下、本発明の一実施の形態を示す薄膜磁
気ヘッドについて、図面を参照しながら具体的に説明す
る。図１は本実施の形態の薄膜磁気ヘッドを示す要部の
概略断面図である。図１においては、片一方の磁気シー
ルド側のみバイアス磁界を得る手段として用いたもので
ある。すなわち、磁気抵抗素子１を両側から挟む形に、
第２の磁気シールドとしての磁気シールド２と第１の磁
気シールドとしての導電性磁性材料３を磁気抵抗素子１
の近傍に配置させている。
気ヘッドについて、図面を参照しながら具体的に説明す
る。図１は本実施の形態の薄膜磁気ヘッドを示す要部の
概略断面図である。図１においては、片一方の磁気シー
ルド側のみバイアス磁界を得る手段として用いたもので
ある。すなわち、磁気抵抗素子１を両側から挟む形に、
第２の磁気シールドとしての磁気シールド２と第１の磁
気シールドとしての導電性磁性材料３を磁気抵抗素子１
の近傍に配置させている。
【００１６】以上のように構成することにより、導電性
磁性材料３に電流を流すことで図中に矢印Ｍで示される
バイアス磁界を磁気抵抗素子１に対して付加するととも
に、磁気シールドとして外部磁界の遮断を行ない、磁気
抵抗素子１の外部磁界に対応した出力発生の機能を発揮
させ、しかも、必要以外の磁界の影響を遮断して高周波
における分解能を向上することができる。
磁性材料３に電流を流すことで図中に矢印Ｍで示される
バイアス磁界を磁気抵抗素子１に対して付加するととも
に、磁気シールドとして外部磁界の遮断を行ない、磁気
抵抗素子１の外部磁界に対応した出力発生の機能を発揮
させ、しかも、必要以外の磁界の影響を遮断して高周波
における分解能を向上することができる。
【００１７】さらに、外部磁界の遮断を行なう磁気シー
ルド２と導電性磁性材料３との間のギャップＡ内には磁
気抵抗素子１だけしか存在せず、したがってギャップＡ
を狭くすることができて、高い線密度記録における再生
が可能となる。
ルド２と導電性磁性材料３との間のギャップＡ内には磁
気抵抗素子１だけしか存在せず、したがってギャップＡ
を狭くすることができて、高い線密度記録における再生
が可能となる。
【００１８】また、図１より明らかなように、本実施の
形態の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気シールドとして
の働きを有する導電性磁性材料３の大きさは、磁気シー
ルド２の大きさに比べて小さく形成されている。
形態の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気シールドとして
の働きを有する導電性磁性材料３の大きさは、磁気シー
ルド２の大きさに比べて小さく形成されている。
【００１９】このように構成することにより、磁気シー
ルド２と導電性磁性材料３とを同じ大きさに形成した場
合に比べて、磁気抵抗素子１に対する磁場の漏れ込みを
効果的に防止しつつ、磁気抵抗素子１に対するバイアス
磁界を発生させるために導電性磁性材料３に電流を流し
た場合に導電性磁性材料３にかかる電圧をより小さくす
ることができる。
ルド２と導電性磁性材料３とを同じ大きさに形成した場
合に比べて、磁気抵抗素子１に対する磁場の漏れ込みを
効果的に防止しつつ、磁気抵抗素子１に対するバイアス
磁界を発生させるために導電性磁性材料３に電流を流し
た場合に導電性磁性材料３にかかる電圧をより小さくす
ることができる。
【００２０】従って、バイアス磁界発生のために使用さ
れる消費電力を抑制することができるので、市場のニー
ズである消費電力の小さな薄膜磁気ヘッドを実現するこ
とができる。
れる消費電力を抑制することができるので、市場のニー
ズである消費電力の小さな薄膜磁気ヘッドを実現するこ
とができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一方の磁
気シールドに代えて設けられた導電性磁性材料は、電流
が流された場合に、その電流によるバイアス磁界を発生
することにより、従来のバイアス線と磁気シールドの両
者の機能を発揮することができる。
気シールドに代えて設けられた導電性磁性材料は、電流
が流された場合に、その電流によるバイアス磁界を発生
することにより、従来のバイアス線と磁気シールドの両
者の機能を発揮することができる。
【００２２】また、磁気シールドと導電性磁性材料とを
同じ大きさに形成した場合に比べて、磁気抵抗素子に対
する磁場の漏れ込みを効果的に防止しつつ、磁気抵抗素
子に対するバイアス磁界を発生させるため導電性磁性材
料に電流を流した場合に導電性磁性材料にかかる電圧を
より小さくすることができる。
同じ大きさに形成した場合に比べて、磁気抵抗素子に対
する磁場の漏れ込みを効果的に防止しつつ、磁気抵抗素
子に対するバイアス磁界を発生させるため導電性磁性材
料に電流を流した場合に導電性磁性材料にかかる電圧を
より小さくすることができる。
【００２３】そのため、磁気シールド間のギャップ内か
らバイアス磁界を得るための手段を取り除くことで狭ギ
ャップ化を可能にして、高い線密度記録における再生を
可能とするとともに、バイアス磁界発生のために使用さ
れる消費電力を抑制することができ、全消費電力の低減
化という市場のニーズに答えられる装置を供給すること
ができる。
らバイアス磁界を得るための手段を取り除くことで狭ギ
ャップ化を可能にして、高い線密度記録における再生を
可能とするとともに、バイアス磁界発生のために使用さ
れる消費電力を抑制することができ、全消費電力の低減
化という市場のニーズに答えられる装置を供給すること
ができる。
【図１】本発明の一実施の形態の薄膜磁気ヘッドを示す
要部の概略断面図
要部の概略断面図
【図２】従来の薄膜磁気ヘッドの要部の概略断面図
１ 磁気抵抗素子 ２ 磁気シールド ３ 導電性磁性材料
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗素子の両側に配置される第１の
磁気シールドと第２の磁気シールドの少なくとも一方
が、電流を流してバイアス磁界を得ることができる導電
性磁性材料で形成されているとともに、前記第１の磁気
シールドと前記第２の磁気シールドの大きさが異なって
いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 導電性磁性材料で形成された第１の磁気
シールドがそれ以外の材料で形成された第２の磁気シー
ルドに比べて小さく形成されていることを特徴とする請
求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8275629A JPH09120510A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8275629A JPH09120510A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158382A Division JP2853856B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120510A true JPH09120510A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17558127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8275629A Pending JPH09120510A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09120510A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6418001B1 (en) | 1998-12-21 | 2002-07-09 | Hitachi, Ltd. | Tunneling magnetoresistive element using a bias magnetic field |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143223A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | ソフトバイアス型磁気抵抗効果素子 |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP8275629A patent/JPH09120510A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143223A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | ソフトバイアス型磁気抵抗効果素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6418001B1 (en) | 1998-12-21 | 2002-07-09 | Hitachi, Ltd. | Tunneling magnetoresistive element using a bias magnetic field |
| US6483676B2 (en) | 1998-12-21 | 2002-11-19 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head with tunneling magnetoresistive element biased by current controller |
| US6556393B2 (en) | 1998-12-21 | 2003-04-29 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording apparatus with tunneling magnetoresistive element biased by current controller |
| US6771474B2 (en) | 1998-12-21 | 2004-08-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head with tunneling multi-layer magnetoresistive element biased by current controller |
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