JPH09122563A - 熱可塑性材料を液化するための装置と方法 - Google Patents

熱可塑性材料を液化するための装置と方法

Info

Publication number
JPH09122563A
JPH09122563A JP8263925A JP26392596A JPH09122563A JP H09122563 A JPH09122563 A JP H09122563A JP 8263925 A JP8263925 A JP 8263925A JP 26392596 A JP26392596 A JP 26392596A JP H09122563 A JPH09122563 A JP H09122563A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
space
heater
hopper
temperature
thermoplastic material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8263925A
Other languages
English (en)
Inventor
Benjamin J Bondeson
ジェー． ボンデソン ベンジャミン
Paul S Frates
エス． フレイツ ポール
Gregory J Gabryszewski
ジェー． ガブリスゾウスキ グレゴリィ
Peter J Petrecca
ジェー． ペトレッカ ピーター
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nordson Corp
Original Assignee
Nordson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nordson Corp filed Critical Nordson Corp
Publication of JPH09122563A publication Critical patent/JPH09122563A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/27—Structural arrangements therefor
    • H10P74/277—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e.g. circuits in tested chips or circuits in testing wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B13/00—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped
    • B29B13/02—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped by heating
    • B29B13/022—Melting the material to be shaped

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • General Preparation And Processing Of Foods (AREA)

Abstract

(57)【要約】 複数の別々に制御される加熱ゾーンを有する１つの溶融
ホッパーを包含している、熱可塑性材料を液化しそして
供給するための装置。そのホッパーは比較的熱伝導性の
低い薄い圧延板状の金属たとえば炭素鋼から形成されて
いる。複数のヒーターがホッパーの長さに沿って配置さ
れておりそしてそれらのヒーターはサーモスタットまた
は温度センサーによって別々に、溶融と分配の各種段階
の間その熱可塑性材料に不均一な態様で熱が加えられる
ように制御される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は一般に熱可塑性材料を溶融して分
配する技術に関し、さらに詳細にはいわゆるホットメル
ト接着剤を溶融し、分配するためのホッパー型溶融装置
に関する。
【０００２】基板に塗布する直前に溶融して液化される
接着材料は”ホットメルト”接着剤と呼ばれている。ホ
ットメルト接着剤はバルク状態で、たとえば、小塊、ペ
レット、スレート、ブリックの形状で入手可能である。
また、缶、バケツ、ドラムのような容器に入ったたスラ
ッグの形態で入手することもできる。ドラム一本のバラ
接着材料の量は大規模用途のための通常の５５ガロンド
ラムと同程度の量である。本発明はこのようなホットメ
ルト接着剤のごとき材料を溶融させる場合に遭遇する各
種の問題を解決することを目的とするものである。
【０００３】しばしば、ホッパー型分配器がホットメル
ト接着剤を液化する時に使用されている。容器入りスラ
ッグとして供給されるホットメルト接着剤の場合、容器
から取り出された接着剤のスラッグがホッパーの底に存
在する加熱された溶融グリッドに接触した時に効率よく
溶融されることが望ましい。溶融されたまたは液化され
たホットメルト接着剤は、その材料がグリッドを通過し
そしてまだ加熱液体状態にある時に、溶融グリッドの下
に配置された加熱された溜めに受け取られる。この溜め
の出口は通常マニホルドに通じており、それからさらに
ポンプに導かれる。そして液状ホットメルト接着剤は他
の装置、たとえば、基板に接着剤を塗布するための装置
へ給送される。
【０００４】従来のホッパー型分配器は通常ホッパーの
まわりに配置された１つまたはそれ以上のヒーターを有
する。この１つまたはそれ以上のヒーターはホッパー内
部に支持された容器を加熱するようにホッパーの側壁に
取りつけられている。容器から接着剤のスラッグが解放
されるためには、容器壁の内面に沿って存在している接
着剤がある程度まで軟化または溶融されなければならな
い。その程度は、接着剤スラッグに加わっている重力が
接着剤を容器の壁および底に結合させようとする接着力
または摩擦力に打ち克つことができる程度までである。
十分な加熱が起こると、接着剤のスラッグはドラムの壁
からゆるみ離れてドラムから滑り出る。そして溶融グリ
ッドと接触し、そこで接着剤スラッグは小さく分割され
て効率的に溶融される。
【０００５】従来の溶融ホッパーは多くの場合比較的厚
い板ゲージ金属または厚い鋳金属から作られてきた。金
属の種類はアルミのごとき一般に熱の良伝導体である金
属である。このような従来装置の厚いホッパー壁はホッ
パーの長手方向に均一な温度プロフィールを与える。ホ
ッパーの構造材料の熱伝導性ならびに従来のホッパ−の
質量の故に、ホッパー周囲に配置された複数のヒーター
間の温度のバラツキは比較的少ない。一般に壁の厚いホ
ッパーはホッパー内部の接着剤容器に与える熱が均一で
あるため有利であると考えられてきた。
【０００６】このような壁の厚いホッパーは状況によっ
ては十分に機能するけれども、種々の問題をもたらすも
のでもある。たとえば、比較的厚いホッパー壁は所望温
度に到達するのが遅い。同様に、ホッパーの壁が厚いと
熱がかなり良く保持され、そのため冷却に時間がかか
る。また、厚いホッパー壁は接着剤のスラッグをドラム
または他の容器からゆるめそして落下させる過程におい
てホッパー壁の温度を急速に変化させることを許容しな
い。あるいはまた、ホッパーに、したがって、容器に加
えられる温度を容易に変化または制御することが不可能
である。さらに、接着剤がドラムから溶融グリッド上に
移動を始めた後、壁と容器を全長にわたり加熱すること
はエネルギーの浪費である。なぜならば、ホッパーと容
器の領域が接着剤がほとんどあるいはまったく含んでい
ない時に加熱されることを意味するからである。
【０００７】従来のホッパーに関連するいま１つの問題
は新しい容器がホッパーに挿入されている時にホッパー
内に接着剤が残存していることである。詳細に説明する
と、容器挿入とスラッグ排出の過程でホッパーの長手方
向に熱が完全に保持されている時、その熱はグリッドか
らの熱または他のいずれかの加熱装置からの熱と合わさ
って前の容器からのホッパー内に残っている接着剤を過
熱しそして炭化または他の変質を生じさせる可能性があ
ることである。したがって、本発明の１つの目的は不均
一な態様で加熱しうるホッパーを提供することである。
【０００８】本発明のいま１つの目的はホッパーの異な
る領域が異なる温度に迅速に加熱されうるホッパーを提
供することである。
【０００９】本発明のいま１つの目的はホッパーの異な
る領域が異なる温度に迅速に加熱されうるホッパーを提
供することである。
【００１０】本発明のさらにいま１つの目的はホッパー
に新しいドラムまたは容器が装填されている間にホッパ
ー内部の接着剤が炭化または変質することを防止するこ
とである。
【００１１】本発明のさらにいま１つの目的は経済的に
製造できそしてゾーン制御の方式で熱を加えることがで
きる薄壁ホッパーを提供することである。しかして、本
発明は互いに独立的に制御される複数の明確な加熱ゾー
ンを有する熱制御ホッパーを含む、ホットメルト接着剤
のごとき熱可塑性材料を溶融するための装置を提供す
る。詳細に説明すると、ホッパーは溶融されるべき熱可
塑性材料を受容するための第１スペースとその熱可塑性
材料を溶融するための第２スペースとを有する。第１と
第２のスペースまたはホッパーの加熱ゾーンに熱を伝達
するため第１と第２のヒーターがそれぞれ接続されてい
る。そして第１と第２のヒーターには制御器が接続され
ており、制御器はそれぞれのヒーターを互いに独立的に
作動させかつ第１と第２のヒーターを異なる温度で作動
させ、それらの温度に保持することができる。熱可塑性
材の容器をホッパー内に、その容器の開放端が第２スペ
ースに面する状態で支持するため容器支持体が設けられ
ている。
【００１２】好ましい実施態様においては、ホッパーは
比較的低い熱伝導性を有する圧延板金属材料からつくら
れる。この板材料は好ましくは約０．０９”の厚さを有
する炭素鋼である。複数のバンドヒーターがホッパーの
長手方向に間隔をおいてホッパーの外側に配置されてい
る。熱は薄壁ホッパーを通じてバンドヒーターに直接的
に隣接する比較的局部化された領域を経て第１ゾーンの
内部に伝達される。ホッパー壁はアルミと比較した場合
に熱伝導性が比較的低い材料からつくられているので、
熱は薄い壁の厚さ方向に伝達され、ホッパーの長手方向
に他の領域まで効率的に伝達されることはない。したが
って、薄壁ホッパーによってコスト効果的な態様で容易
に複数の分離加熱ゾーンが与えられる。分離加熱ゾーン
の重要な利点は、たとえば、容器挿入動作の間および新
しい容器から迅速に熱可塑性材料のスラッグを解放させ
る目的で比較的強く加熱されている間、下方ゾーンを上
方ゾーンよりも低い温度に保持することができることで
ある。この期間に下方ゾーンを低い温度に保持すること
により、この領域での接着剤の炭化や変質が減少され
る。さらに、材料が下方ゾーンへ移動してしまうと、独
立的に制御される上方ゾーンの温度は低下させることが
できる。
【００１３】好ましくは、容器を受け入れる開口を取り
巻く領域にある第１スペースの頂部には第３ヒーターが
作動的に連結され、該制御器はこの第３ヒーターも第１
および第２ヒーターとは独立的に作動して第３加熱ゾー
ンをつくる。第２スペースまたは加熱ゾーン内には溶融
グリッドが配置される。これは、好ましくは、接着剤の
ごとき熱可塑性材料をその上に受け取るため、第１スペ
ースまたは加熱ゾーンに関してホーッパーの下側部分に
取りつけられる。第４ヒータがこの溶融グリッドに作動
的に接続そして制御器は、好ましくは、第２と第４のヒ
ーターを一緒に作動する。すなわち、この２つのヒータ
ーは同じ温度でかつ同じ加熱サイクルで第２加熱ゾーン
内で作動される。しかしながら、これらヒーターを互い
に独立的に作動できるようにしてもよい。
【００１４】溶融グリッドと溜めとの間にはホッパーの
延長部が存在する。この延長部はホッパーの上部分と同
じ薄い金属板材料からつくられている。この延長部は溶
融グリッドと溜めとの間に熱伝導バリヤーを提供してお
り、したがって溶融グリッドのヒーターと溜めのヒータ
ーとは良好に独立的に作動されうる。溜めの液体レベル
が予め定めたレベル以下に落下した時に第２と第４のヒ
ーターすなわち溶融グリッドヒーターと下部ホッパーヒ
ーターを作動するためのオン・デマンド溶融制御が与え
られる。
【００１５】本発明はさらに上記したホットメルト接着
剤溶融装置の作動方法も含む。本発明の方法は一般に熱
可塑性材料の液化ならびにその材料の容器の開放端から
第２スペースへの移動を促進するため第１スペースを第
１の温度に加熱する工程および該第１の温度よりも低い
第２の温度で第２スペースを加熱する工程を包含する。
一般的にいえば、第１の温度は熱可塑性材料の推奨使用
温度または分配温度よりも高い。より特定的にいえば、
ホットメルト接着剤の場合、第１の温度は第２の温度よ
りも約１００゜Ｆあるいはそれ以上高い。
【００１６】本発明のその他の特徴および利点は添付図
面を参照して説明する以下の好ましい実施例の記載を読
むことによって当技術分野に通常の知識を有する者に容
易に理解されるであろう。
【００１７】図１を見ると、本発明に従って構成された
溶融装置１０が示されており、この装置はハウジング１
３の中に収容されたホッパー１２を含む。ハウジング１
３には装置１０の他の構成部材、たとえば、電気および
流体制御部品が包含されているが、これらは図面の明瞭
化のために省略されている。ホッパーは薄い圧延鋼かつ
くられており、厚さは好ましくは約０．０９０インチで
ある。ホッパー１２は容器受容上方ホッパー部分１４と
接着剤受容下方ホッパー部分１６とを含む。ハウジング
１３とホッパー１２の上部開放端２２近傍のヒンジ２０
によってハウジング１３には蓋１８が取りつけられてい
る。容器２４の一端２５はホッパー１２に挿入される前
に開かれている。容器はこの時逆さまになっておりそし
てこの時に上になっている端部は除去されるかまたは容
器２４の内部へ通気を与えるため破られている。したが
って通常は、蓋１８に隣接している容器２４の端部２３
はホッパー１２の上方部分１４に挿入される前には容器
２４の底端部であったものである。
【００１８】容器２４は図１に示されているようにホッ
パー１２に挿入された時、好ましくは溶融グリッドから
離隔されている。これは容器２４の開放端２５を複数
の、たとえば、４本の細長いドラム支持部材２８の上に
支持することによって達成される。これらドラム支持部
材は溶融グリッドから上方に、より特定的には周辺支持
部分３２から上方に延びている。ドラム支持部材２８は
またホッパー１２の下方部分１６から半径方向内側にも
延びている。支持部材２８は好ましくは炭素鋼のごとき
高強度材料からつくられる。この材料は重いドラムによ
っても容易には損傷されずかつまた熱伝導率も低い。ま
た別に、用途によっては、支持部材２８はアルミニウム
ようなより伝導性のよい材料からつくることもできる。
各支持部材２８の上表面２８ａはドラム２４の開放端の
周縁部分すなわちリム部分を受けとめる。図１と２から
明らかなように、支持部材２８はドラム２４のリムを越
えて半径方向内側に延びており、接着剤スラッグ２６の
ための支持を提供しており、スラッグ２６がドラム２４
から自由落下して溶融グリッドが損傷するのを防止して
いる。容器２４は、たとえば、バルク状のホットメルト
接着剤のスラッグ２６を含有する５５ガロンドラムであ
りうる。
【００１９】また、容器２４はClaassenに与えられた米
国特許第４７２４９８３号明細書に示されているように
リングまたはウエブによってホッパー１２内部の溶融グ
リッド３０の上方に支持することができる。あるいはま
た容器２５はMajkrzakに与えられた米国特許第４９１９
３０８号明細書に示されているようにクランプ部材で懸
垂しておくことができる。
【００２０】ホッパー１２の下方部分１６の壁には多数
の加熱フィン３４を取りつけることができる。加熱フィ
ン３４については同時出願の米国特許願（発明の名称
は"Thermoplastic Material Melting Apparatus"であ
る）明細書に詳細に記載されており、その開示の内容は
本願明細書に引用されている。
【００２１】さらに図１と２を参照すると、溶融グリッ
ド３０は多数の交差している加熱部材３６、３８から構
成することができ、それらの加熱部材の間に溶融または
液化されたホットメルト接着剤が通過できる開口が画定
されている。図１と２に示されているように、グリッド
の部材３６、３８はそれぞれ加熱エレメント４２を包含
することができる。図面には部材３６の加熱エレメント
４２のみが図示されている。溶融グリッド３０とその下
方の溜め４４との間には円筒形ホッパー延長部４３が延
びている。このホッパー延長部４３と溜め４４が溶融グ
リッドを通過した液状ホットメルト接着剤を受け取る。
このホットメルト接着剤を分配のために適当な液体の状
態に保持するため、溜め４４の中には通常の加熱エレメ
ント４５が配設されている。図１の破断部分から明らか
なように、ホッパー延長部４３はホッパー上方部分１４
および下方部分１６と同じ薄い金属板材料から構成され
ている。この延長部４３の内部にはレベルセンサー４７
が設けられている。後述するように、このレベルセンサ
ー４７は導線５１によってによって制御器に接続されて
おりそして溜め４４とホッパー延長部４３内の液体のレ
ベルに応じて溶融工程の作動および停止すべき時点を制
御器に指示する。好ましくは、レベルセンサー４７は製
品番号KS-25G-M32としてRechner Electronics Industri
es (NiagaraFalls, New York)から販売されている高温
センサーである。
【００２２】溜め４４の出口４６は一般に公知のマニホ
ルド−ポンプ組立体４８に連結されており、この組立体
を通じて液化ホットメルト接着剤は特定の用途に対応し
たタイプのホットメルト分配装置へ送られる。溜め４４
の下には図１と２に示したようにホッパーユニット１０
をハジング１３内に直立に支持するためのベース支持体
４９が設けられている。
【００２３】容器２４の端部２３を囲むようにして蓋１
８の内部にバンドヒーター５０が設けられおり、蓋１８
を加熱する。ホッパー１４の上方部外側には長手方向に
互いに離隔配置されてバンドヒーター５２、５４、５６
が設けられており、容器２４の両端２３と２５との間で
容器本体に近接するよう配置されている。別のバンドヒ
ーター５８が溶融グリッド３０に近接してホッパー１２
の下方部分１６のまわりに取りつけられている。このバ
ンドヒーターはホッパー下方部分１６ならびに加熱フィ
ン３４を加熱すると共に、ホッパー部分１６の熱伝導に
よって弱いながら鋼製の支持部材２８を加熱する。
【００２４】蓋１８の内部にはバンドヒーター５０と接
触する関係で温度センサー６０が設けられており、加熱
ゾーン６１内の温度を測定する。さらに、バンドヒータ
ー５４に取りつけられた伝導性ブロック６４の内部にも
第２の温度センサー６２が設けられている。この温度セ
ンサー６２はホッパー１２の容器収容部分１２内の加熱
ゾーン６３の温度を測定する。この加熱ゾーン６３はバ
ンドヒーター５２、５４、５６によって加熱される領域
であり、蓋１８と上記加熱ゾーン６１に下側に位置して
いる。さらにいま１つの温度センサー６６がホッパー下
方部分１６のバンドヒーター５８に取りつけられた伝導
性ブロック６８内部に設けられている。この温度センサ
ー６６はホッパー１２の接着剤収容下方部分１６と記載
したホッパー内の加熱ゾーン６７の温度を測定する。さ
らに４番目の温度センサー７０が溶融グリッド３０の中
に設けられており、ヒーター４２によって加熱される溶
融グリッド３０の温度を測定する。温度センサー６０、
６２、６６、７０は、好ましくは、１２０オームの抵抗
を有する標準型ニッケル抵抗温度デバイス（”ＲＴＤ”
＝resistance temperature device ）センサーである。
特定の用途の必要に応じて、さらに温度センサーを追加
することおよび／または図示した温度センサーの位置を
変更することができる。
【００２５】図３に示したように、温度センサー６２、
６６、７０、６０は出力７４、７６、７８、８０にそれ
ぞれ温度フィードバック信号を与える。それらの出力は
それぞれプログラマブルコントローラー８８内の温度セ
ンサーインターフェース８２，８４，８６，８７に接続
されている。好ましくは，これらのセンサーインターフ
ェースはＲＴＤインターフェースである。コントローラ
ー８８はマイクロプロセッサー９０を含み、これはメモ
リー９２に保存されているプログラムまたはルーチンを
実行する。メモリー９２内の動作プログラムによって決
定される適当な時点において、マイクロプロセッサー９
０はアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）コンバーター９４に
よってアナログ信号をサンプリングする。逐次的サンプ
ルに基づいて、Ａ／Ｄコンバーター９４はそれぞれのイ
ンターフェースによって処理されている温度センサー６
２、６６、７０、６０からのアナログ信号の値を順次読
み取る。温度を表すアナログ信号はＡ／Ｄコンバーター
によって対応する温度を表すデジタル信号に変換され、
バス９６を介してメモリー９２に保存される。このメモ
リー９２にはホッパー１２内部の加熱ゾーン６１、６
３、６７に対する各種温度設定値が含まれている。これ
らの設定値はコントローラー８８によって設定されるデ
フォルト設定値あるうか、あるいはユザによってオペレ
ーターI/O ８８を通じて入力される。マイクロプロセッ
サー９０はユーザーによる温度設定値をオペレーターI/
O ９８インターフェースを通じて受け取りそしてメモー
リ−９２の中にそのユーザー設定温度値を保存する。あ
るいはまた、温度設定値はその時に実在するプロセス条
件にしたがってマイクロプロセッサー９０が計算するこ
とも可能である。
【００２６】コントローラー８８はメモリー９２に保存
されている温度設定値および温度センサー６０，６２，
６６，７０によって検出された温度フィードバック信号
を用いて公知の比例積分微分（”ＰＩＤ”＝proportion
al,integral, derivative ）制御を実行することにより
好ましい加熱ゾーン６１、６３、６７（図１）の温度の
閉ループ制御を与える。このプログラマブルコントロー
ラー８８は加熱ゾーン６１、６３、６７（図１）の温度
を所望の設定温度値に等しい温度に保持するため出力信
号を発生しバスインターフェース１０２とデジタルI/O
１０４を介しそしてそれぞれの出力線１０６、１０８、
１１０、１１２を通じてそれぞれのヒーター５０、５
２、５４、５６、５８および４２をＯＮまたはＯＦＦに
スイッチする。溜め４４（図１）内部のヒーター４５も
プログラマブルコントローラー８８によって制御するこ
とができそして通常の仕方で出力線１１４を通じてI/O
１０４によって作動させることができる。
【００２７】デジタルI/O １０４もまた増幅器制御ユニ
ット８９からデジタル入力信号を受信する。この増幅器
制御ユニットは好ましくは商品番号KSA-70-250-S-88 と
してRechner Electronics Industriesから入手可能なも
のである。溜めレベルセンサー４７は液体と接触または
接触しないでホッパー延長部（図１）内の液体レベルを
示すアナログ信号を増幅器制御ユニット８９に送る。レ
ベルセンサー４７からの受信信号はオペレーターI/O ９
８にＯＮ／ＯＦＦデジタル信号として伝達されてヒータ
ー４２と５８を作動させるために使用される。すなわ
ち、液体レベルがセンサー４７よりも低くなった場合に
は、ＯＮ信号がI/O １０４に送られてヒーター４２と５
８スイッチＯＮされる。液体レベルがセンサー４７に到
達した時には、ＯＦＦ信号がI/O １０４に送られてヒー
ター４２と５８スイッチＯＦＦにされる。
【００２８】図４は本発明を実施するために使用できる
ホッパーヒーター制御プログラムまたはルーチンを示
す。このプログラムはメモリー９２に保存されておりそ
してプログラマブルコントローラー８８の動作サイクル
の適当な時間にマイクロプロセッサーによって実行され
る。
【００２９】図４と関連して図１と３を参照すると、溶
融装置１０がＯＮの時にはいつでもホッパー１２は新し
い容器２４を受け入れる準備ができている。この状態
で、蓋１８が開かれそして新しい容器がホッパー１２の
中に装填される。装填は開放端２５を下に向けそして他
端を、好ましくは、開いてあるいは少なくとも１つの通
気孔を切開いて行う。新規容器２４を装填し、蓋１８を
閉めた後、オペレーターは押しボタンを押すかまたは他
の方法でプログラマブルコントローラーにオペレーター
I/O ９８を介して入力してオペレーターI/O インターフ
ェース１００に新規容器信号を送る。この信号は図４の
１５２の段でマイクロプロセッサー９０によって検知さ
れる。
【００３０】プログラマブルコントローラー８８が新規
容器が装填されたことを検知した後マイクロプロセッサ
ー９０は、１５４の段で、加熱ゾーン６１の蓋ヒーター
５０および加熱ゾーン６３のホッパー上方部ヒーター５
２、５４、５６ノタメノ温度設定点をそれぞれスラッグ
落下温度設定値に合わせそしてスラッグ落下タイマーを
スタートさせる。ゾーン６１とゾーン６３のためのスラ
ッグ落下温度設定値は通常施温度設定値よりも高く、容
器２４内の接着剤スラッグ２６の外側層を迅速に溶融
し、これによってスラッグ２６をゆるめて容器から徐々
にすべり出させるまたは落下させる（図２）ように選択
される。この場合も、スラッグ落下温度設定値は容器の
中の接着剤の種類により変わる。ただし、接着剤の施用
温度よりは高く、引火点よりも低い温度である。一般的
には、スラッグ落下設定温度はその接着剤の推奨施用温
度よりも約５６℃（１００゜Ｆ）高いのが好ましい。蓋
ヒーター５０とホッパー上部ヒーター５２、５４、５６
のスラッグ落下設定温度は同じ温度であり得る。通常、
ＰＵＲ材料の場合は約３５０゜Ｆに設定されそしてＰＳ
Ａ材料の場合は４００乃至４５０゜Ｆに設定されてい
る。
【００３１】ホッパー１２は非常に薄い金属材料の壁を
有しているので、ホッパー上部ヒーター５２、５４、５
６からの熱はホッパー１２を通じて迅速に容器２４に伝
達される。この熱によりスラッグの外周部は軟化、溶融
してスラッグは容易に容器からすべり出し、溶融グリッ
ド３０のところで効率よく溶融されうる。
【００３２】スラッグ２６が容器２４から落下してしま
って、容器が除去が可能であることをオペレーターに知
らせる方法は多数ある。１つの方法が図４のステップ１
５６に組み込まれている。前記したように、この方法は
タイマーを利用する方法である。このタイマーが、分配
サイクルのスタートから十分な時間が経過し、材料のス
ラッグは溶融グリッド３０とすでに接触しているはずで
あることを知らせる。なお、タイマーを利用する場合、
スラッグ２６が容器２４からすべり出して溶融グリッド
３０と接触するまでに要する時間は分配される接着剤の
種類、容器の構造（スチール、繊維など）、容器が通気
されているか否か、さらには異なる加熱ゾーンの種々の
設定温度などによって変わることを理解されたい。この
時間の長さは、しかしながら、実験と与えられた種類の
材料に関する経験ならびに上記した各種のパラメーター
によって決定することができる。
【００３３】別の方法として、容器が除去可能であるこ
とを判定するために自動検知システムを使用することが
できる。このような自動検知システムの１つの例が同時
に譲渡された米国特許願（発明の名称は" Melting Appa
ratus with Material Release Sensing System" であ
る）の明細書に記載されており、その開示の内容は本願
明細書に引用されている。このシステムはいくつかの手
段、たとえば、プログラマブルコントローラー８８を通
じて、オペレーターに容器２４をホッパー１２から除去
してもよいことを通知できる。
【００３４】図４のステップ１５６でスラッグ落下時間
が満了したことが検知されると、あるいは、上記のごと
きスラッグ落下検知システムからのスラッグ落下出力信
号が検出されると、ステップ１５８においてマイクロプ
ロセッサー９０が蓋ヒーター５０をＯＦＦに切り替えそ
してホッパー上部ヒーター５２、５４、５６をそれらの
スタンバイ設定温度にもどす。スタンバイ設定温度の数
値は正常な分配動作の間に接着剤がホッパーの壁にくっ
つかないように選択するのが好ましい。しかしまた、ス
タンバイ設定温度はホッパー上部ヒーター５２、５４、
５６による接着剤の顕著な溶融が起こらないような十分
に低い温度であるべきである。この場合も、正常動作の
間、ホッパー１２の下方部分１６のバンドヒーター５８
はグリッドヒーター４２の設定温度と等しい設定温度を
有することができる。工程のステップ１５８において、
ホッパー１２内部の３つの加熱ゾーン６１、６３、６７
に異なるそして選択可能な制御温度が与えられ、接着剤
スラッグの適正な溶融が行われる。
【００３５】ステップ１５６におけるスラッグ落下時間
の満了またはスラッグ落下検知制御器からのスラッグ落
下出力信号の検出は同時にスラッグ２６がドラム２４か
ら落下してしまったことそして現在垂直支持部材２８
（図２）とグリッド３０との組み合わせによって支持さ
れていることを意味する。前記したように、この時には
ドラム２４をホッパー１２から除去することができ。そ
してステップ１６０においてマイクロプロセッサー９０
がドラム２４が除去可能である旨の出力信号をオペレー
ターI/O ９８に与える。
【００３６】再び図１を参照すると、この時点におい
て、ホッパーの内容物はホッパー１２の長手方向に変わ
る３つの異なる、選択可能な温度に保持されうる。ほと
んどの運転条件においては、ホッパー１２の下方部分１
６の加熱ゾーンのための設定温度はグリッド３０の所望
温度設定値と等しい値に設定される。しかし、加熱ゾー
ン６７のための設定温度は、所望によりあるいは特定の
用途の必要により、グリッド３０とは関係のない任意の
設定温度値に独立的に制御されうる。
【００３７】要約すると、図４に示したホッパー加熱ル
ーチンはメインルーチン（これはメモリー９２内に保存
されている通常の動作ルーチンでありうる）の間の適当
な時間にマイクロプロセッサー９０が働く１つのサブル
ーチンである。このサブルーチンの実行のたびごとに、
マイクロプロセッサーはステップ１６２に示したように
メインルーチンに戻ることになる。
【００３８】新規ドラムの装填ということにおいては必
ずしも装置の運転のために必要ではないが、一般的には
装置構成要素のためのウオーミングアップサイクルを含
ませるのが望ましくまた公知となっている。ただし、こ
のサイクルは図面の明瞭化のために図４のフローチャー
トには示されていない。最初のパワーＯＮで冷間始動さ
せることができる。この状態においては全分配装置１０
（図１）は環境温度であり、分配を開始する前に所望の
温度まで到達させなければならない。その他の状態にお
いては、分配工程中に中断があり、その間に溜めの中の
溶融接着剤が所望温度以下まで冷えることがりうる。こ
のような状態の時には、装置１０は施用工程を続ける前
にウオーミングアップサイクルを経由して進行する。
【００３９】本発明で使用されたウオーミングアップサ
イクルはホッパーをスタンドバイ温度にそしてグリッ
ド、溜めおよび他の下流側構成要素を設定温度に制御す
る工程を包含する。詳細に説明すると、加熱ゾーン６１
のヒーター５０はＯＦＦにされる。加熱ゾーン６３は接
着剤の軟化点よりちょっと上の範囲のスタンドバイ温度
にセットすることができ、たとえば、ＰＳＡ材料の場合
は約２６０゜Ｆにセットされ、ＰＵＲ接着剤の場合には
ヒーターを完全にＯＦＦにしてしまうことができる。加
熱ゾーン６７は溜め４４および他の下流側構成要素と同
じく設定温度に制御される。ヒーター５８、グリッド３
０、溜め４４および他の下流側構成要素のための設定温
度はＰＵＲ接着剤の場合は約２５０゜ＦそしてＰＳＡ材
料の場合は約３５０゜Ｆでありうる。
【００４０】スタートアップまたはウオーミングアップ
サイクルが完了すると、装置は分配のために準備された
状態になりそして装置のすべての構成要素は予定された
条件下におかれる。たとえば、蓋ヒーター５０はＯＦＦ
となっており、したがって、加熱ゾーン６１の温度は蓋
ヒーター５０によって支配されずに、加熱ゾーン６３か
らの伝導と対流によって加熱ゾーン６１または蓋１８に
伝達された熱の関数となる。準備完了状態すなわち分配
条件下においては、ヒーター５２、５４、５６のための
温度設定値は接着剤施用温度設定値（これは分配される
べき材料の種類により異なる）すなわち溜めの中に入っ
ている液体接着剤の温度よりも低い。たとえば、ＰＳＡ
材料がホッパー１２に存在する場合には、スタンバイ温
度設定値は約２３０乃至３００゜Ｆの範囲である。他
方、通常低い施用温度を有しているＰＵＲ材料が容器２
４に収容されいる場合には、ヒーター５２、５４、５６
はスイッチ・オフにすることができる。なぜならば、こ
の場合には、グリッドおよび／または溜めによって発生
される熱が加熱ゾーン６３を所望温度に到達させるため
に十分であるからである。この温度はその接着剤スラッ
グ２６がホッパーの内壁に付着してしまうのを防止する
温度である。
【００４１】壁の薄いホッパー１２は従来技術の壁の厚
いものよりも次の点で有利である。すなわち、バンドヒ
ーター５２、５４、５６によって発生される熱が、厚ぼ
ったい従来技術のホッパーに収容された場合とは対照的
に、きわめて効率よくホッパー内部の容器２４およびそ
の容器の中のスラッグ２６に伝達される。エネルギ−必
要量は、ホッパーの上方部分１４が迅速にスラッグ落下
設定温度まで加熱できることそしてそのあと温度を準備
完了または分配温度まで下げることが可能であることに
より、低減することができる。また、接着剤の過熱ある
いは溶融過剰を起こすことがなくなる。
【００４２】以上、本発明を図示した実施例について詳
細に説明したが、これら詳細な説明は本発明の範囲を限
定するものではない。本発明のその他の利点ならびに上
記実施例の各種の変更は当技術分野に通常の知識を有す
る者にとって自明であろう。たとえば、本マルチゾーン
ホッパーヒーター制御を使用すれば、容器２４の端部２
３は開かれていても閉じていてもよい。また、種々の状
況に対応してゾーンの数は実施例に記載した数よりも増
減して有利に使用することができるであろう。温度セン
サーとＰＩＤ温度制御ループの代わりにサーモスタット
を使用することもできる。そして、サーモスタット式に
制御されるヒーター等を制御するため、プログラマブル
コントローラーに代えて他の論理制御器たとえばリレー
ロジックを使用することができよう。
【００４３】したがって、本発明の範囲は図示した特定
の実施例および上記詳細な説明によって制限されるもの
ではない。本発明の精神と範囲から逸脱することなく上
記実施例の各種の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ホッパー型分配装置の軸方向断面図であり、本
発明の原理によるホッパーヒーターを概略的に示す。
【図２】図１と同様なホッパー型分配装置の軸方向断面
図であるが、図面の明瞭化のために各種のヒーター制御
器は省略されておりそして溶融グリッドと接触する前の
容器を出ていくホットメルト接着剤のスラッグを示す。
【図３】本発明の原理によるヒーター制御の図式的ブロ
ックダイアグラムである。
【図４】本発明の原理によるホッパー加熱サイクルを示
すフローチャートである。
【符号の説明】
１０ 溶融分配装置 １２ ホッパー １３ ハウジング １４ 容器受容上方ホッパー部分 １６ 接着剤スラッグ受容下方ホッパー部分 １８ ハウジング ２２ 上部開放端 ２４ 接着剤容器 ２６ 接着剤スラッグ ３０ 溶融グリッド ３４ 加熱フィン ３６、３８ グリッド加熱部材 ４２、４５ 加熱エレメント（ヒーター） ４３ 円筒形ホッパー延長部 ４４ 溜め ４７ 溜めのレベルセンサー ４８ マニホルド−ポンプ組立体 ４９ ベース支持体 ５０、５２、５４、５６、５８ バンドヒーター ６０、６２、６６、７０ 温度センサー ６１、６３、６７ 加熱ゾーン ８２、８４、８６、８７ 温度センサーインターフェー
ス ８８ プログラマブルコントローラー ８９ 増幅器 ９０ マイクロプロセッサー ９２ メモリー ９４ マルチプレックスＡ／Ｄコンバーター ９８ オペレーターI/O １０２ バスインターフェース １０４ デジタルＩ／Ｏ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール エス． フレイツ アメリカ合衆国．30245 ジョージア，ロ ーレンスヴィル，サンダーリンガム レー ン 455 (72)発明者 グレゴリィ ジェー． ガブリスゾウスキ アメリカ合衆国．30058 ジョージア，リ ソニア，マウンテン コーヴ ロード 3780 (72)発明者 ピーター ジェー． ペトレッカ アメリカ合衆国．30338 ジョージア，ダ ンウッディ，ワインタークリーク ロード 1312

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記の構成要素を包含する熱可塑性材料
    を液化しそしてその液化熱可塑性材料を供給するための
    装置：熱可塑性材料を受容し、該材料を不完全に溶融す
    るための第１スペースと該熱可塑性材料をさらに完全に
    溶融するための第２スペースとを有するホッパー；該第
    １スペースに作動的に接続された第１ヒーター；該第２
    スペースに作動的に接続された第２ヒーター；および該
    第１と第２のヒーターに接続されており、該第１スペー
    スと第２スペースとが該第１ヒーターと第２ヒーターに
    よって異なる温度に加熱されるように該第１ヒーターを
    第２ヒーターとは独立的に作動させる制御器。
  2. 【請求項２】 さらに該第１スペースに作動的に接続さ
    れた第３ヒーターを包含し、該制御器は該第３ヒーター
    を該第１および第２のヒーターとは独立に作動させる請
    求項１記載の装置。
  3. 【請求項３】 ホッパー内に熱可塑性材料の容器を、該
    容器の開放端が前記第２スペースに面するような状態で
    保持するための容器支持体をさらに含む請求項１記載の
    装置。
  4. 【請求項４】 該ホッパーが圧延金属板から形成されて
    いる請求項１記載の装置。
  5. 【請求項５】 該圧延金属板の厚さが約０．０９インチ
    である請求項４記載の装置。
  6. 【請求項６】 該圧延板形状の金属が鋼である請求項４
    記載の装置。
  7. 【請求項７】 該第１スペースはホッパーの上の部分の
    中にあり、該第２スペースはホッパーの下の部分の中に
    あり、熱可塑性材料を受け取るために該第２スペースの
    下部分の内部に取りつけられた溶融グリッドと、該溶融
    グリッドに作動的に接続された第４のヒーターとをさら
    に含有する請求項１記載の装置。
  8. 【請求項８】 制御器が第２ヒーターと第４ヒーターを
    一緒に作動させる請求項７記載の装置。
  9. 【請求項９】 制御器が第１スペースを第２スペースよ
    りも高い温度に加熱するよう該第１ヒーターを作動させ
    る請求項１記載の装置。
  10. 【請求項１０】 該高い温度は、液体熱可塑性材料が最
    終的にその装置から供給される使用温度よりも高い温度
    である請求項９記載の装置。
  11. 【請求項１１】 制御器が該第１スペースを第２スペー
    スよりも低い温度に加熱するよう該第１ヒーターを作動
    させる請求項１記載の装置。
  12. 【請求項１２】 下記の構成要素を包含する熱可塑性材
    料を液化しそしてその液化熱可塑性材料をあらかじめ定
    められた分配温度で供給するための装置：熱可塑性材料
    を受容しそして該材料を不完全に溶融するための第１ス
    ペースと該熱可塑性材料をさらに完全に溶融するための
    第２スペースとを有するホッパー；該第１スペースに作
    動的に接続された第１ヒーター；該第２スペースに作動
    的に接続された第２ヒーター；および該第１ヒーターを
    第２ヒーターとは独立的に作動させるためかつ該第１ヒ
    ターを該あらかじめ定められた温度よりも高い温度で選
    択的に作動するための該第１ヒーターと第２ヒーターに
    接続された制御器。
  13. 【請求項１３】 溶融されるべき熱可塑性材料を受容す
    るための第１スペースと、該熱可塑性材料を溶融するた
    めの第２スペースとを有するホッパーを含む溶融装置を
    作動する方法において、 該第１スペース内に熱可塑性材料を置き；該熱可塑性材
    料の第１スペースから第２スペースへの移動を促進する
    ために該熱可塑性材料を軟化しかつ一部を溶融するため
    該第１スペースを第１の温度に加熱し；そして該第２ス
    ペースを上記第１の温度よりも低く、該熱可塑性材料を
    さらに完全に溶融する第２の温度に加熱する各工程を包
    含することを特徴とする方法。
  14. 【請求項１４】 第１スペース内に該熱可塑性材料を置
    く工程がさらに該第１スペース内にその開放端が第２ス
    ペースに面する状態で可塑性材料の容器を置き、そして
    支持する工程をさらに包含する請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 該ホッパーが圧延金属板材料から形成
    されており、該加熱工程がさらに該ホッパーに取り付け
    られたヒーターで該第１スペースを加熱する工程を包含
    する請求項１４記載の方法。
  16. 【請求項１６】 該第２の温度が第１の温度よりも約１
    ００゜Ｆ低い請求項１３記載の方法。
  17. 【請求項１７】 該ホッパーが圧延金属板材料から形成
    されており、該加熱工程がさらに該ホッパーに取り付け
    られたヒーターで該第１スペースを加熱する工程を包含
    する請求項１３記載の方法。
  18. 【請求項１８】 該熱可塑性材料が第１スペースから第
    ２スペースへ移動してしまった時に第１の温度を低下さ
    せる工程をさらに包含する請求項１３記載の方法。
  19. 【請求項１９】 第１スペースの他の部分を加熱するヒ
    ーターとは独立的に制御されるヒーターで該第１スペー
    スの一部分を加熱する工程をさらに包含する請求項１３
    記載の方法。
  20. 【請求項２０】 さらに下記の工程を包含する請求項１
    ３記載の方法：該熱可塑性材料の第１スペースから第２
    スペースへの移動を検知する工程；および該熱可塑性材
    料の第１スペースから第２スペースへの移動を検知した
    後、該第１スペースの温度を低下させる工程。
JP8263925A 1995-10-04 1996-10-04 熱可塑性材料を液化するための装置と方法 Pending JPH09122563A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/539295 1995-10-04
US539295P 1995-10-13 1995-10-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09122563A true JPH09122563A (ja) 1997-05-13

Family

ID=21715616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8263925A Pending JPH09122563A (ja) 1995-10-04 1996-10-04 熱可塑性材料を液化するための装置と方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6016062A (ja)
JP (1) JPH09122563A (ja)
DE (1) DE19640542A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004276018A (ja) * 2003-02-15 2004-10-07 Robatech Ag 調製された流動可能材料を制御してディスペンスするための方法、装置およびシステム

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6466131B1 (en) 1996-07-30 2002-10-15 Micron Technology, Inc. Radio frequency data communications device with adjustable receiver sensitivity and method
US6117745A (en) * 1997-09-05 2000-09-12 Texas Instruments Incorporated Bistable fuse by amorphization of polysilicon
US6396075B1 (en) * 1998-05-27 2002-05-28 Texas Instruments Incorporated Transient fuse for change-induced damage detection
US6297644B1 (en) 1999-03-04 2001-10-02 Advanced Micro Devices, Inc. Multipurpose defect test structure with switchable voltage contrast capability and method of use
US6268717B1 (en) * 1999-03-04 2001-07-31 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor test structure with intentional partial defects and method of use
US6452412B1 (en) 1999-03-04 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Drop-in test structure and methodology for characterizing an integrated circuit process flow and topography
US6806812B1 (en) * 2000-04-26 2004-10-19 Micron Technology, Inc. Automated antenna trim for transmitting and receiving semiconductor devices
US7494596B2 (en) * 2003-03-21 2009-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Measurement of etching
US7067886B2 (en) * 2003-11-04 2006-06-27 International Business Machines Corporation Method of assessing potential for charging damage in SOI designs and structures for eliminating potential for damage
US7501837B2 (en) * 2006-04-10 2009-03-10 Macronix International Co. Ltd. Test structure and method for detecting charge effects during semiconductor processing using a delayed inversion point technique
CN101261324B (zh) * 2007-03-06 2010-12-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 等离子浓度检测装置
CN101577266B (zh) * 2008-05-08 2012-01-25 台湾积体电路制造股份有限公司 等离子体损伤的检测测试结构及评估方法
CN101752345B (zh) * 2008-12-17 2012-02-15 上海华虹Nec电子有限公司 半导体器件p2id和sm的测试结构
CN102044458B (zh) * 2009-10-09 2012-12-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 等离子体损伤程度的检测方法
CN104103538B (zh) * 2013-04-10 2017-02-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 等离子体损伤检测结构及其检测方法
DE102016107953B4 (de) 2016-04-28 2024-10-31 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Testen einer Gate-Isolierung einer Transistorstruktur

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4542340A (en) * 1982-12-30 1985-09-17 Ibm Corporation Testing method and structure for leakage current characterization in the manufacture of dynamic RAM cells
FR2554622B1 (fr) * 1983-11-03 1988-01-15 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une matrice de composants electroniques
US4638341A (en) * 1984-09-06 1987-01-20 Honeywell Inc. Gated transmission line model structure for characterization of field-effect transistors
US4672314A (en) * 1985-04-12 1987-06-09 Rca Corporation Comprehensive semiconductor test structure
US4789825A (en) * 1986-05-14 1988-12-06 American Telephone And Telegraph Co., At&T Bell Laboratories Integrated circuit with channel length indicator
US4767496A (en) * 1986-12-11 1988-08-30 Siemens Aktiengesellschaft Method for controlling and supervising etching processes
US5100829A (en) * 1989-08-22 1992-03-31 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor structure with closely coupled substrate temperature sense element
US4994736A (en) * 1989-11-06 1991-02-19 Motorola, Inc. Method and structure for extracting lateral PNP transistor basewidth data at wafer probe
JPH0541437A (ja) * 1990-11-28 1993-02-19 Seiko Epson Corp 半導体装置
JP3044418B2 (ja) * 1991-10-30 2000-05-22 キヤノン株式会社 電極基板の製造方法
US5239270A (en) * 1992-02-24 1993-08-24 National Semiconductor Corporation Wafer level reliability contact test structure and method
US5598009A (en) * 1994-11-15 1997-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. Hot carrier injection test structure and testing technique for statistical evaluation
US5548224A (en) * 1995-01-20 1996-08-20 Vlsi Technology, Inc Method and apparatus for wafer level prediction of thin oxide reliability
US5661330A (en) * 1995-03-14 1997-08-26 International Business Machines Corporation Fabrication, testing and repair of multichip semiconductor structures having connect assemblies with fuses

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004276018A (ja) * 2003-02-15 2004-10-07 Robatech Ag 調製された流動可能材料を制御してディスペンスするための方法、装置およびシステム

Also Published As

Publication number Publication date
US6016062A (en) 2000-01-18
DE19640542A1 (de) 1997-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5814790A (en) Apparatus and method for liquifying thermoplastic material
JPH09122563A (ja) 熱可塑性材料を液化するための装置と方法
US4919308A (en) Hot melt dispenser
US4505669A (en) Liquefying hot melt adhesive
EP0395715B1 (en) Hot melt dispenser
US5662243A (en) Melting apparatus with material release sensing system
US5657904A (en) High flow melting grid and melter unit
EP0333765B1 (en) Hot melt dispensing apparatus having offset hopper
EP0074839B1 (en) Apparatus for melting and dispensing thermoplastic material
SE444790B (sv) Smeltningsapparat med rasterformad botten och vermeisolering
JPS5919884B2 (ja) セラミツク製ガラス融解炉からホウケイ酸ガラス融液を断続的に排出する方法および装置
JPH0667503B2 (ja) 熱可塑性粘着剤の溶融装置
JPS6173945A (ja) 固化ゲル塊、特に写真乳剤の固化ゲル塊を溶融する方法および装置
CN103371433A (zh) 热熔胶熔化设备
CA2185198A1 (en) Thermoplastic material melting apparatus
NO144312B (no) Fremgangsmaate ved fremstilling av et toert, stivelsesholdig, agglomerert, homogent blandet produkt for anvendelse i naeringsmidler
WO2010043159A1 (zh) 一种用于烹调设备的液体物料投放装置及方法
US4138238A (en) Method and apparatus for producing molten glass
US3277276A (en) Electrically heated glue melting device
US3323510A (en) Method of and apparatus for dispensing hot-melt materials
US4383821A (en) Automatic shutoff for sulfur melter apparatus
DE102018132193A1 (de) Gerät zur Erwärmung, Dosierung und Aufbewahrung Von Enthaarungswachs
JPH09164476A (ja) マグネシウムまたはマグネシウム合金の分配装置
JPS6236057Y2 (ja)
US2967702A (en) Heating device for granulated materials