JPH09128833A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザビームの光軸を境に右方向に所定角度
分の旋光処理を施す右旋光板３Ｒ及び左方向に所定角度
分の旋光処理を施す左旋光板３Ｌからなる２分割旋光板
３を有する光ピックアップ装置において、部品点数の削
減及び構成の簡略化を通じて当該光ピックアップ装置の
ローコスト化を図る。 【解決手段】 上記２分割旋光板３の右旋光板３Ｒ及び
左旋光板３Ｌの分割線Ｐを、光磁気ディスク５の記録ト
ラックに対して４５度の角度となるように該２分割旋光
板３を配置する。これにより、プッシュプル成分を偏光
ビームスプリッタ２で反射することができ、１つの偏光
ビームスプリッタ２及び１つのフォトディテクタ６で、
ＭＯ信号，フォーカスエラー信号，プッシュプル信号
（トラッキングエラー信号）及びＲＦ信号を検出するこ
とができる。このため、部品点数の削減及び構成の簡略
化を通じて当該光ピックアップ装置のローコスト化を図
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクの
記録装置，再生装置或いは記録再生装置に用いて好適な
光ピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、図１１に示すような光磁気ディス
ク用の光ピックアップ装置が知られている。この光ピッ
クアップ装置は、例えばＰ偏光成分のレーザビームを出
射する半導体レーザ１０１と、該半導体レーザからのレ
ーザビームが照射される光磁気ディスク１０６との間
に、ビームスプリッタ１０２，偏光ビームスプリッタ１
０３，２分割旋光板１０４及び対物レンズ１０５が、各
光学軸とレーザビームの光軸とが一致するように設けら
れている。

【０００３】上記ビームスプリッタ１０２は、例えば入
射される光の５０％を透過し、残り５０％を反射する光
学特性を有しており、また、上記偏光ビームスプリッタ
１０３は、偏光ビームスプリッタ膜１０３ａによりＰ偏
光成分の光は透過し該Ｐ偏光成分と直交するＳ偏光成分
の光は反射する光学特性を有している。この偏光ビーム
スプリッタ１０３により反射された光は、第１のフォト
ディテクタ１０７で受光されるようになっており、ま
た、ビームスプリッタ１０２により反射された光は、第
２のフォトディテクタ１０８で受光されるようになって
いる。

【０００４】上記２分割旋光板１０４は、図１２に示す
ように右水晶をその結晶の光学軸に対して垂直にカット
することで形成された右旋光板１０４Ｒと、左水晶をそ
の結晶の光学軸に対して垂直にカットすることで形成さ
れた左旋光板１０４Ｌとで形成されている。上記右旋光
板１０４Ｒは、入射された光の旋光角を例えば２２．５
度だけ右方向に旋光して出射する光学特性を有してお
り、また、上記左旋光板１０４Ｌは、入射された光の旋
光角を例えば２２．５度だけ左方向に旋光して出射する
光学特性を有している。そして、上記右旋光板１０４Ｒ
及び左旋光板１０４Ｌは、互いの分割線Ｐが、図１３に
示すように光磁気ディスク１０６の記録トラック方向に
対して直交する方向（ディスク径方向）となるように設
けられている。

【０００５】このような構成を有する光ピックアップ装
置は、記録時或いは再生時となると半導体レーザ１０１
が発光駆動され、例えば図１４（ａ）に示すようなＰ偏
光成分のレーザビームが出射光としてビームスプリッタ
１０２に入射される。ビームスプリッタ１０２は、ビー
ムスプリッタ膜１０２ａにより上記半導体レーザ１０１
から入射される全出射光のうち、５０％を反射し残り５
０％を透過する。

【０００６】上述のように、上記出射光であるレーザビ
ームは、Ｐ偏光成分の光である。これに対して、上記偏
光ビームスプリッタ１０３の偏光ビームスプリッタ膜１
０３ａは、Ｐ偏光成分の光を透過し、Ｓ偏光成分の光を
反射する光学特性を有している。このため、上記ビーム
スプリッタ１０２を透過し偏光ビームスプリッタ１０３
に入射された出射光は、該偏光ビームスプリッタ１０３
を透過して２分割旋光板１０４に入射される。

【０００７】上記２分割旋光板１０４は、入射された出
射光のうち右半分の出射光を右旋光板１０４Ｒにより、
図１４（ｂ）に示すように２２．５度だけ右方向に旋光
して出射し、入射された出射光のうち左半分の出射光を
左旋光板１０４Ｌにより、図１４（ｃ）に示すように２
２．５度だけ左方向に旋光して出射する。これにより、
上記出射光は、光軸を境にして右半分及び左半分がそれ
ぞれ異なる旋光角を有する光とされ対物レンズ１０５に
入射されることとなる。上記対物レンズ１０５は、上記
２分割旋光板１０４からの出射光を所定の径のビームス
ポットとなるように集束して光磁気ディスク１０６の記
録面に照射する。

【０００８】一方、上記光磁気ディスク１０６に出射光
が照射されることにより該出射光が光磁気ディスク１０
６により反射され戻り光が生ずる。この戻り光は、いわ
ゆるカー効果により、上記光磁気ディスク１０６に記録
されている記録情報（ＭＯ信号）に応じて所定角度分
（θｋ）旋光され、上記対物レンズ１０５を介して２分
割旋光板１０４に入射される。この際、上記出射光と戻
り光とでは光路が反転するため、上記出射光の段階で右
旋光板１０４Ｒを透過した光は、戻り光の段階で左旋光
板１０４Ｌに入射され、上記出射光の段階で左旋光板１
０４Ｌを透過した光は、戻り光の段階で右旋光板１０４
Ｒに入射される。これにより、上記左旋光板１０４Ｌに
入射された戻り光は、図１４（ｄ）に示すようにさらに
右方向に２２．５度分旋光されて出射され、上記右旋光
板１０４Ｒに入射された戻り光は、図１４（ｅ）に示す
ようにさらに左方向に２２．５度分旋光されて出射され
る。これにより、上記戻り光は、光磁気ディスク１０６
に記録されているＭＯ信号に応じて所定角度分（θｋ）
旋光されているため、上記左旋光板１０４Ｌを透過した
戻り光は、４５度＋θｋ分右方向に旋光された光とな
り、右旋光板１０４Ｒを透過した戻り光は、−４５度＋
θｋ分左方向に旋光された光となる。従って、上記２分
割旋光板１０４を透過した戻り光のうち、左旋光板１０
４Ｌを透過した戻り光は、Ｐ偏光成分の他、図１４
（ｆ）に示すような右方向のＳ偏光成分を有し、右旋光
板１０４Ｒを透過した戻り光は、Ｐ偏光成分の他、図１
４（ｇ）に示すような左方向のＳ偏光成分を有すること
となる。

【０００９】上記偏光ビームスプリッタ１０３は、上記
２分割旋光板１０４から入射された戻り光のうちＳ偏光
成分の光を反射し、Ｐ偏光成分の光を透過する。これに
より、上記戻り光のうちＭＯ信号に応じた旋光角が重畳
された上記Ｓ偏光成分の光を反射し（分離し）、これを
シリンドリカルレンズ１０９を介して第１のフォトディ
テクタ１０７に照射することができる。

【００１０】上記第１のフォトディテクタ１０７は、図
１５に示すように受光領域Ａ〜Ｄを有するいわゆる４分
割フォトディテクタとなっており、該受光領域Ａ及び受
光領域Ｄに上記左旋光板１０４Ｌを介した戻り光が照射
され、受光領域Ｂ及び受光領域Ｃに上記右旋光板１０４
Ｒを介した戻り光が照射される。上記第１のフォトディ
テクタ１０７は、上記各受光領域Ａ〜Ｄで受光した戻り
光の光量に応じた光量検出信号を形成し、これを検出回
路に供給する。

【００１１】上記検出回路は、上記第１のフォトディテ
クタ１０７の各受光領域Ａ〜Ｄからの光量検出信号をそ
れぞれＡ〜Ｄとして、以下の式１に示す演算によりＭＯ
信号を検出する。

【００１２】 ＭＯ信号＝（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）・・・式１ 上記第１のフォトディテクタ１０７に照射される戻り光
のうち、受光領域Ａ及び受光領域Ｄに照射される戻り光
は、上記左旋光板１０４Ｌを介した戻り光であり、４５
度＋θｋ分旋光されており、受光領域Ｂ及び受光領域Ｃ
に照射される戻り光は、上記右旋光板１０４Ｒを介した
戻り光であり、−４５度＋θｋ分旋光されている。この
ため、上記左旋光板１０４Ｌを介した戻り光から上記右
旋光板１０４Ｒを介した戻り光を減算処理することで、
上記カー効果による旋光角θｋである、ＭＯ信号を検出
することができる。

【００１３】また、上記検出回路は、いわゆる非点収差
法に基づいて以下の式２に示す演算によりフォーカスエ
ラー信号を検出する。

【００１４】 フォーカスエラー信号＝（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）・・・式２ ここで、当該光ピックアップ装置は、いわゆるプッシュ
プル法によりトラッキングエラー信号を検出するのであ
るが、上記２分割旋光板１０４の分割線Ｐの方向を記録
トラックと直交する方向とすると、図１６に示すように
−１次の戻り光のうち、右方向に旋光された光が左旋光
板１０４Ｌ外に照射されて、いわば捨てられたようにな
り、該−１次の戻り光のうち、左方向に旋光された光が
上記左旋光板１０４Ｌに入射される。同じく、＋１次の
戻り光のうち、左方向に旋光された光が右旋光板１０４
Ｒ外に照射されて、いわば捨てられたようになり、該＋
１次の戻り光のうち、右方向に旋光された光が上記右旋
光板１０４Ｒに入射される。上記左旋光板１０４Ｌに入
射される左方向に旋光された−１次の戻り光は、本来、
右旋光板１０４Ｒに入射されることにより、さらに右方
向に旋光され、上記偏光ビームスプリッタ１０３で反射
されるべき光である。また、上記右旋光板１０４Ｒに入
射される右方向に旋光された＋１次の戻り光は、本来、
左旋光板１０４Ｌに入射されることにより、さらに左方
向に旋光され、上記偏光ビームスプリッタ１０３で反射
されるべき光である。

【００１５】このため、上記２分割旋光板１０４の分割
線Ｐの方向を記録トラックと直交する方向とすると、上
記左旋光板１０４Ｌに入射される左方向に旋光された−
１次光の戻り光が、該左旋光板１０４Ｌにより右方向に
旋光されることとなり、また、上記右旋光板１０４Ｒに
入射される右方向に旋光された−１次光の戻り光が、該
右旋光板１０４Ｒにより左方向に旋光されることとな
る。従って、プッシュプル成分となる上記各戻り光は、
それぞれＰ偏光成分の光に戻されることとなり、上記偏
光ビームスプリッタ１０３を透過してしまう。

【００１６】このようなことから、当該光ピックアップ
装置では、上記偏光ビームスプリッタ１０３を透過する
プッシュプル成分を、上記ビームスプリッタ１０２で反
射し、これを受光してトラッキングエラー信号を検出す
るようにしている。

【００１７】すなわち、上記偏光ビームスプリッタ１０
３を透過する、上記プッシュプル成分を含むＰ偏光成分
の戻り光は、上記ビームスプリッタ１０２により５０％
が反射され第２のフォトディテクタ１０８に照射され
る。

【００１８】上記第２のフォトディテクタ１０８は、図
１７に示すようにその受光領域が、記録トラックと直交
する方向に２分割された２分割フォトディテクタとなっ
ており、この各受光領域Ｅ，Ｆで上記プッシュプル成分
をそれぞれ受光するようになっている。そして、この各
受光領域Ｅ，Ｆで受光されたＰ偏光成分の光の光量に応
じた光量検出信号を形成し、これらを上記検出回路に供
給する。

【００１９】上記検出回路は、上記受光領域Ｅ及び受光
領域Ｆからの光量検出信号をそれぞれＥ，Ｆとして、い
わゆるプッシュプル法に基づいて、以下の式３に示す演
算によりトラッキングエラー信号を検出する。

【００２０】 トラッキングエラー信号＝Ｅ−Ｆ・・・式３ また、上記検出回路は、上記光磁気ディスク１０６にプ
リピットで所定の情報が記録されている場合、以下の式
４に示す演算により和信号（ＲＦ信号）を検出する。

【００２１】ＲＦ信号＝Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ・・・式４ 上記フォーカスエラー信号，トラッキングエラー信号
は、それぞれサーボ制御系に供給される。上記サーボ制
御系は、上記フォーカスエラー信号及びトラッキングエ
ラー信号に基づいて、フォーカスエラー及びトラッキン
グエラーが零となるように上記対物レンズ１０５を駆動
する。これにより、常に、ジャストフォーカス及びジャ
ストトラックの状態でＭＯ信号等の記録再生を行うこと
ができる。また、上記ＭＯ信号及びＲＦ信号は、それぞ
れ信号処理回路に供給され、該信号処理回路により所定
の信号処理が施され、適宣再生される。

【００２２】次に、上記２分割旋光板１０４は、右旋光
板１０４Ｒ及び左旋光板１０４Ｌの分割線Ｐが、図１８
に示すように光磁気ディスク１０６の記録トラックに沿
うように（光磁気ディスク１０６の径方向に対して直交
するように）設けることもできる。

【００２３】上記分割線Ｐの方向が記録トラック方向と
直交する方向となるように上記２分割旋光板１０４を設
けた場合は、上述のように左方向に旋光された−１次光
の戻り光が２分割旋光板１０４の左旋光板１０４Ｌを透
過し、右方向に旋光された＋１次光の戻り光が右旋光板
１０４Ｒを透過することにより、プッシュプル成分が偏
光ビームスプリッタ１０３を透過してしまうため上記第
１のフォトディテクタ１０７ではトラッキングエラー信
号を検出することができなかった。

【００２４】しかし、上記分割線Ｐを光磁気ディスク１
０６の記録トラックに沿うように２分割旋光板１０４を
設けることにより、図１９に示すように右方向及び左方
向に旋光された−１次光の戻り光は、それぞれ２分割旋
光板１０４の左旋光板１０４Ｌ及び右旋光板１０４Ｒを
透過し、右方向及び左方向に旋光された＋１次光の戻り
光は、それぞれ２分割旋光板１０４の左旋光板１０４Ｌ
及び右旋光板１０４Ｒを透過するようになる。このた
め、上記±１次光の戻り光は、それぞれ旋光角が戻され
ることなくさらに右方向及び左方向に旋光される。従っ
て、上記プッシュプル成分を上記偏光ビームスプリッタ
１０３により反射することができ、上記第１のフォトデ
ィテクタ１０７においてトラッキングエラー信号を検出
することができる。

【００２５】なお、この場合は、上記検出回路は、上記
第１のフォトディテクタ１０７からの光量検出信号に基
づいてＭＯ信号，フォーカスエラー信号及びトラッキン
グエラー信号を検出し、上記第２のフォトディテクタ１
０８からの光量検出信号に基づいてＲＦ信号の検出を行
う。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記２分割旋
光板１０４の分割線Ｐの方向を記録トラック方向と直交
する方向となるように上記２分割旋光板１０４を設けた
場合、偏光ビームスプリッタ１０３により反射された戻
り光に基づいて検出可能な信号は、ＭＴＦ（Modulation
Transfer Function）が良好な特性となる図２０（ａ）
に示すＭＯ信号と、同図（ｂ）に示すＲＦ信号であり、
同図（ｃ）に示すプッシュプル信号は、ＭＴＦが良好な
特性とならないため上述のように検出することはできな
い。これに対して、ビームスプリッタ１０２により反射
された戻り光に基づいて検出可能な信号は、ＭＴＦ（Mo
dulation Transfer Function）が良好な特性となる図２
０（ｅ）に示すＲＦ信号と、同図（ｆ）に示すプッシュ
プル信号であり、同図（ｄ）に示すＭＯ信号は、上述の
ように偏光ビームスプリッタ１０３で反射されてしまい
ＭＴＦが良好な特性とならないため検出することはでき
ない。

【００２７】一方、上記２分割旋光板１０４の分割線Ｐ
の方向を記録トラック方向に沿う方向となるように上記
２分割旋光板１０４を設けた場合、偏光ビームスプリッ
タ１０３により反射された戻り光に基づいて検出可能な
信号は、ＭＴＦ（ModulationTransfer Function）が良
好な特性となる図２１（ａ）に示すＭＯ信号と、同図
（ｄ）に示すプッシュプル信号であり、同図（ｂ）に示
すＲＦ信号は、ＭＴＦが良好な特性とならないため検出
することはできない。これに対して、ビームスプリッタ
１０２により反射された戻り光に基づいて検出可能な信
号は、ＭＴＦが良好な特性となる図２１（ｅ）に示すＲ
Ｆ信号と、同図（ｆ）に示すプッシュプル信号であり、
同図（ｄ）に示すＭＯ信号は、上述のように偏光ビーム
スプリッタ１０３で反射されてしまいＭＴＦが良好な特
性とならないため検出することはできない。

【００２８】このように、従来の光ピックアップ装置
は、上記分割線Ｐを記録トラック方向と直交する方向と
なるように上記２分割旋光板１０４を設けた場合、或い
は上記分割線Ｐを記録トラック方向に沿う方向となるよ
うに上記２分割旋光板１０４を設けた場合のいずれの場
合でも、上記偏光ビームスプリッタ１０３により反射さ
れた戻り光に基づいて検出不可能な信号が存在する。こ
のため、上記偏光ビームスプリッタ１０３の他にビーム
スプリッタ１０２を設け、該偏光ビームスプリッタ１０
３では検出することができない信号を上記ビームスプリ
ッタ１０２からの戻り光に基づいて検出する必要があ
り、該ビームスプリッタ１０２を設けなければならない
分、部品点数の増加及び構成が複雑化して当該光ピック
アップ装置がコスト高となる問題があった。

【００２９】一方、上記半導体レーザ１０１としては、
一般に、活性層内に横方向の屈折率分布を持たない機構
の半導体レーザ（利得導波型レーザ）が多く用いられ
る。この利得導波型レーザ内では、光エネルギーの伝搬
方向と波面が直交しないため、接合面に平行な方向と垂
直な方向とで光波面のビームウエストにずれを生ずる。
すなわち、図２２に示すように上記接合面に対して垂直
方向のビームウエストは、ＤＨ構造の屈折率差により共
振器端面と一致するのであるが、上記接合面に対して平
行方向のビームウエストは、共振器端面から所定分だけ
内部に位置する、いわゆる非点隔差を生ずる。このた
め、上記光ピックアップ装置は、例えば半導体レーザ１
０１とビームスプリッタ１０２との間に、非点隔差を補
正するためのプリズム（いわゆるプリズム法）或いは円
柱レンズ（いわゆる円柱レンズ法）を設ける必要があ
り、この面からも、部品点数が増加して構成が複雑化し
当該光ピックアップ装置がコスト高となる問題があっ
た。

【００３０】本発明は上述の問題点に鑑みてなされたも
のであり、部品点数を削減及び構成の簡略化を通じてロ
ーコスト化を図ることができ、半導体レーザの非点隔差
を是正することができるような光ピックアップ装置の提
供を目的とする。

【００３１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光ピックア
ップ装置は、光磁気ディスクに照射するためのレーザビ
ームを出射するレーザ光源と、第１の偏光成分の光はそ
のまま透過し、該第１の偏光成分と直交する第２の偏光
成分の光は反射する光学特性を有する偏光ビームスプリ
ッタとを有する。また、入射された光を右方向に所定角
度分旋光して出射する右旋光板及び入射された光を左方
向に所定角度分旋光して出射する左旋光板を備え、上記
偏光ビームスプリッタを介したレーザビームが、それぞ
れ上記右旋光板及び左旋光板の分割線を境にして右方向
或いは左方向に旋光されて出射されるように設けられた
旋光手段と、上記旋光手段を介したレーザビームを集光
して上記光磁気ディスクの記録面に照射する集光手段と
を有する。また、上記光磁気ディスクの記録面に照射さ
れたレーザビームが該記録面で反射されることにより生
ずる戻り光のうち、上記旋光手段及び偏光ビームスプリ
ッタを介して照射される戻り光を受光し、該受光した戻
り光の光量に応じた光量検出信号を出力する検出手段と
を有する。そして、上記右旋光板及び左旋光板の分割線
が、記録トラックに対して平行及び直交以外の所定の角
度（例えば４５度）を持つように上記旋光手段を設け
る。

【００３２】これにより、上記右旋光板及び左旋光板の
分割線を、記録トラックに対して平行或いは垂直となる
ように旋光手段を設けていた場合に、偏光ビームスプリ
ッタを介して検出手段に照射することができなかった戻
り光を該検出手段に照射することができる。

【００３３】具体的には、上記分割線が例えば４５度の
角度となるように旋光手段を設けることにより、プッシ
ュプル成分である±１次光の戻り光のうち、略々半分を
上記旋光手段で正常に旋光し上記偏光ビームスプリッタ
を介して検出手段に照射することができる。

【００３４】このため、１つの偏光ビームスプリッタ及
び１つの検出手段のみで、光磁気信号，フォーカスエラ
ー信号、プッシュプル信号（トラッキングエラー信号）
及びＲＦ信号を全て検出することができる。従って、上
記偏光ビームスプリッタからの戻り光を検出するための
ビームスプリッタ及びフォトディテクタを省略すること
ができ、部品点数の削減及び構成の簡略化を通じて当該
光ピックアップ装置のローコスト化を図ることができ
る。

【００３５】また、上記レーザ光源として、活性層内に
横方向の屈折率分布を持たない機構の半導体レーザ（利
得導波型レーザ）を用いた場合、該利得導波型レーザ内
では、光エネルギーの伝搬方向と波面が直交しないた
め、接合面に平行な方向と垂直な方向とで光波面のビー
ムウエストにずれを生ずる。すなわち、上記接合面に対
して垂直方向のビームウエストは、ＤＨ構造の屈折率差
により共振器端面と一致するのであるが、上記接合面に
対して平行方向のビームウエストは、共振器端面から所
定分だけ内部に位置する、いわゆる非点隔差を生ずる。

【００３６】しかし、当該光ピックアップ装置のように
分割線が例えば４５度の角度となるように旋光手段を設
けることにより、上記接合面に平行な方向と、垂直な方
向の光波面のビームウエストのずれ状態を略々中間のず
れ状態とすることができる。このため、上記非点隔差を
減少させることができ、該非点隔差を補正するために必
要とされていたプリズムや円柱レンズ等を省略すること
ができる。従って、上記プリズムや円柱レンズ等の部品
点数の削減及び構成の簡略化を通じて当該光ピックアッ
プ装置を設けた光学系のローコスト化を図ることができ
る。

【００３７】次に、本発明に係る光ピックアップ装置
は、光磁気ディスクに照射するためのレーザビームを出
射するレーザ光源と、第１の偏光成分の光はそのまま透
過し、該第１の偏光成分と直交する第２の偏光成分の光
は反射する光学特性を有する偏光ビームスプリッタとを
有する。また、入射された光を右方向に所定角度分旋光
して出射する右旋光板及び入射された光を左方向に所定
角度分旋光して出射する左旋光板を備え、上記偏光ビー
ムスプリッタを介したレーザビームが、それぞれ上記右
旋光板及び左旋光板の分割線を境にして右方向或いは左
方向に旋光されて出射されるように設けられた旋光手段
と、上記旋光手段を介したレーザビームを集光して上記
光磁気ディスクの記録面に照射する集光手段とを有す
る。また、上記光磁気ディスクの記録面に照射されたレ
ーザビームが該記録面で反射されることにより生ずる戻
り光のうち、上記旋光手段及び偏光ビームスプリッタを
介して照射される戻り光を受光し、該受光した戻り光の
光量に応じた光量検出信号を出力する検出手段とを有す
る。そして、上記レーザ光源を、出射するレーザビーム
の偏光角が、記録トラックに対して平行及び直交以外の
所定の角度（例えば４５度を）を持つように設ける。

【００３８】これにより、プッシュプル成分である±１
次光の戻り光のうち、略々半分を上記旋光手段で正常に
旋光し上記偏光ビームスプリッタを介して検出手段に照
射することができる。

【００３９】このため、１つの偏光ビームスプリッタ及
び１つの検出手段のみで、光磁気信号，フォーカスエラ
ー信号、プッシュプル信号（トラッキングエラー信号）
及びＲＦ信号を全て検出することができる。従って、上
記偏光ビームスプリッタからの戻り光を検出するための
ビームスプリッタ及びフォトディテクタを省略すること
ができ、部品点数の削減及び構成の簡略化を通じて当該
光ピックアップ装置のローコスト化を図ることができ
る。

【００４０】また、レーザビームの偏光角を所定の偏光
角である、例えば４５度とすることにより、上記接合面
に平行な方向と、垂直な方向の光波面のビームウエスト
のずれ状態を略々中間のずれ状態とすることができる。
このため、上記非点隔差を減少させることができ、該非
点隔差を補正するために必要とされていたプリズムや円
柱レンズ等を省略することができる。従って、上記プリ
ズムや円柱レンズ等の部品点数の削減及び構成の簡略化
を通じて当該光ピックアップ装置を設けた光学系のロー
コスト化を図ることができる。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光ピックアッ
プ装置の好ましい実施の形態について図面を参照しなが
ら詳細に説明する。

【００４２】本発明に係る光ピックアップ装置は、図１
に示すように例えばＰ偏光成分のレーザビームを出射す
る半導体レーザ１と光磁気ディスク５との間に、偏光ビ
ームスプリッタ２，２分割旋光板３及び対物レンズ４を
各光軸が一致するように設けられている。上記偏光ビー
ムスプリッタ２の偏光ビームスプリッタ膜２ａは、Ｐ偏
光成分の光を透過し、該Ｐ偏光成分と直交する偏光成分
であるＳ偏光成分の光は反射する特性を有している。そ
して、上記偏光ビームスプリッタ２で反射される戻り光
を受光する位置にフォトディテクタ６が設けられてい
る。

【００４３】上記２分割旋光板３は、図２に示すように
右水晶の結晶の光学軸に対して３０度の角度を持ってカ
ットされた右旋光板３Ｒと、左水晶の結晶の光学軸に対
して３０度の角度を持ってカットされた左旋光板３Ｌと
で構成されており、光軸と直交する線を基準として光磁
気ディスク５側に３０度傾けたかたちで配置されてい
る。また、上記２分割旋光板３は、図３に示すように上
記３０度の傾きを保った状態で、上記右旋光板３Ｒ及び
左旋光板３Ｌの分割線Ｐが、光磁気ディスク５の記録ト
ラックに対して４５度の角度を持つように設けられてい
る。

【００４４】このような構成を有する当該光ピックアッ
プ装置は、記録時或いは再生時となると半導体レーザ１
が発光駆動され、例えば図１４（ａ）に示すようなＰ偏
光成分のレーザビームが出射光として偏光ビームスプリ
ッタ２に入射される。上述のように、上記出射光である
レーザビームは、Ｐ偏光成分の光である。これに対し
て、上記偏光ビームスプリッタ２の偏光ビームスプリッ
タ膜２ａは、Ｐ偏光成分の光を透過し、Ｓ偏光成分の光
を反射する光学特性を有している。このため、上記偏光
ビームスプリッタ２に入射された出射光は、該偏光ビー
ムスプリッタ２を透過して２分割旋光板３に入射され
る。

【００４５】上記２分割旋光板３は、入射された出射光
のうち右半分の出射光を右旋光板３Ｒにより、図１４
（ｂ）に示すように２２．５度だけ右方向に旋光して出
射し、入射された出射光のうち左半分の出射光を左旋光
板３Ｌにより、図１４（ｃ）に示すように２２．５度だ
け左方向に旋光して出射する。これにより、上記出射光
は、光軸を境にして右半分及び左半分がそれぞれ異なる
旋光角を有する光とされ対物レンズ４に入射されること
となる。上記対物レンズ４は、上記２分割旋光板３から
の出射光を所定の径のビームスポットとなるように集束
して光磁気ディスク５の記録面に照射する。

【００４６】一方、上記光磁気ディスク５に出射光が照
射されることにより該出射光が光磁気ディスク５により
反射され戻り光が生ずる。この戻り光は、いわゆるカー
効果により、上記光磁気ディスク５に記録されている記
録情報（ＭＯ信号）に応じて所定角度分（θｋ）旋光さ
れ、上記対物レンズ４を介して２分割旋光板３に入射さ
れる。この際、上記出射光と戻り光とでは光路が反転す
るため、上記出射光の段階で右旋光板３Ｒを透過した光
は、戻り光の段階で左旋光板３Ｌに入射され、この逆に
上記出射光の段階で左旋光板３Ｌを透過した光は、戻り
光の段階で右旋光板３Ｒに入射される。これにより、上
記左旋光板３Ｌに入射された戻り光は、図１４（ｄ）に
示すようにさらに右方向に２２．５度分旋光されて出射
され、上記右旋光板３Ｒに入射された戻り光は、図１４
（ｅ）に示すようにさらに左方向に２２．５度分旋光さ
れて出射される。

【００４７】これにより、上記戻り光は、光磁気ディス
ク５に記録されているＭＯ信号に応じて所定角度分（θ
ｋ）旋光されているため、上記左旋光板３Ｌを透過した
戻り光は、４５度＋θｋ分右方向に旋光された光とな
り、右旋光板３Ｒを透過した戻り光は、−４５度＋θｋ
分左方向に旋光された光となる。従って、上記２分割旋
光板３を透過した戻り光のうち、左旋光板３Ｌを透過し
た戻り光は、Ｐ偏光成分の他、図１４（ｆ）に示すよう
な右方向のＳ偏光成分を有し、右旋光板１０４Ｒを透過
した戻り光は、Ｐ偏光成分の他、図１４（ｇ）に示すよ
うな左方向のＳ偏光成分を有することとなる。

【００４８】上記偏光ビームスプリッタ２は、上記２分
割旋光板３から入射された戻り光のうちＳ偏光成分の光
を反射し、Ｐ偏光成分の光を透過する。これにより、上
記戻り光のうちＭＯ信号に応じた旋光角が重畳された上
記Ｓ偏光成分の光を反射し（分離し）、これをシリンド
リカルレンズを介してフォトディテクタ６に照射するこ
とができる。

【００４９】上記フォトディテクタ６は、図６に示すよ
うに照射される戻り光の光軸を中心として、該中心を通
る記録トラック方向の直線及び該記録トラック方向の直
線に直交し、かつ上記中心を通る直線により受光領域が
４等分割されたいわゆる４分割フォトディテクタとなっ
ている。この各受光領域をＡ〜Ｄとすると、上記２分割
旋光板３は、分割線Ｐが記録トラックに対して４５度の
角度を持つように設けられているため、対角線上に位置
する受光領域Ｂ及び受光領域Ｄをそれぞれ斜めに分割す
る直線上に上記分割線Ｐにより分割された戻り光の分割
線が位置するようなかたちで、零次の戻り光が照射され
る。このため、上記受光領域Ａ，受光領域Ｄの斜め上半
分及び受光領域Ｂの斜め上半分に上記右方向に旋光され
た戻り光が照射され、上記受光領域Ｃ，受光領域Ｄの斜
め下半分及び受光領域Ｂの斜め下半分に上記左方向に旋
光された戻り光が照射されることとなる。

【００５０】上記フォトディテクタ６は、上記各受光領
域Ａ〜Ｄで受光した戻り光の光量に応じた光量検出信号
を形成し、これを検出回路に供給する。

【００５１】上記検出回路は、上記フォトディテクタ６
の各受光領域Ａ〜Ｄからの光量検出信号をそれぞれＡ〜
Ｄとして、以下の式５に示す演算によりＭＯ信号を検出
する。

【００５２】 ＭＯ信号＝（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ）・・・式５ 上記フォトディテクタ６に照射される零次の戻り光のう
ち、上記２分割旋光板３の左旋光板３Ｌを介した戻り光
は４５度＋θｋ分旋光されており、上記右旋光板３Ｒを
介した戻り光は−４５度＋θｋ分旋光されている。この
ため、右方向に旋光された光と左方向に旋光された光の
各光量の面積的な差分を検出することにより、同相成分
を除去したかたちでＭＯ信号（θｋ）を検出することが
できる。当該光ピックアップ装置では、右旋光板３Ｒ及
び左旋光板３Ｌの分割線Ｐが、光磁気ディスク５の記録
トラックに対して４５度の角度を持つように２分割旋光
板３を設けているため、受光領域Ａ及び受光領域Ｂの各
光量検出信号を加算して右方向に旋光された戻り光の光
量を検出する際に、左方向に旋光された戻り光が多少含
まれ、受光領域Ｃ及び受光領域Ｄの各光量検出信号を加
算して左方向に旋光された戻り光の光量を検出する際
に、右方向に旋光された戻り光が多少含まれるが、これ
らの差分をとることにより上記同相成分を除去すること
ができるため、図７（ａ）に示すように良好なＭＴＦ
（Modulation Transfer Function）で、問題なく高品質
のＭＯ信号を検出することができる。

【００５３】また、上記検出回路は、いわゆる非点収差
法に基づいて以下の式６に示す演算によりフォーカスエ
ラー信号を検出する。

【００５４】 フォーカスエラー信号＝（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）・・・式６ また、上記検出回路は、上記光磁気ディスク１０６にプ
リピットで所定の情報が記録されている場合、以下の式
７に示す演算により和信号（ＲＦ信号）を検出する。

【００５５】ＲＦ信号＝Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ・・・式７ ここで、当該光ピックアップ装置は、上述のように右旋
光板３Ｒ及び左旋光板３Ｌの分割線Ｐが、光磁気ディス
ク５の記録トラックに対して４５度の角度を持つように
２分割旋光板３を設けているため、図５に斜線で示すよ
うにプッシュプル成分である±１次の戻り光及び零次の
戻り光に、それぞれ同じ方向に旋光された戻り光が重複
する部分が生ずる。

【００５６】すなわち、右方向に旋光された零次の戻り
光は、右方向に旋光された±１次の戻り光と一部重複
し、左方向に旋光された零次の戻り光は、左方向に旋光
された±１次の戻り光と一部重複する。この各零次の戻
り光と重複する±１次の一部の戻り光は、上記左旋光板
３Ｌ及び右旋光板３Ｒにより、さらに右方向或いは左方
向に旋光されるためＳ偏光成分を有するものとなる。こ
のため、上記±１次の戻り光の一部（プッシュプル成分
の一部）が上記偏光ビームスプリッタ２により反射され
フォトディテクタ６に照射され、プッシュプル法による
トラッキングエラー検出が可能となる。

【００５７】具体的には、上記プッシュプル成分は、上
記零次の戻り光と共にフォトディテクタ６に照射される
ため、該プッシュプル成分の部分の光量が増加し、図６
に斜線で示すように、いわば「明線」のかたちでフォト
ディテクタ６上にあらわれることとなる。

【００５８】上記検出回路は、上記各受光領域Ａ〜Ｄか
らの各光量検出信号に基づいて、以下の式８に示すプッ
シュプル法の演算によりトラッキングエラー信号を検出
する。

【００５９】 トラッキングエラー信号＝（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）・・・式８ 上記フォーカスエラー信号，トラッキングエラー信号
は、それぞれサーボ制御系に供給される。上記サーボ制
御系は、上記フォーカスエラー信号及びトラッキングエ
ラー信号に基づいて、フォーカスエラー及びトラッキン
グエラーが零となるように上記対物レンズ４を駆動す
る。これにより、常に、ジャストフォーカス及びジャス
トトラックの状態でＭＯ信号等の記録再生を行うことが
できる。また、上記ＭＯ信号及びＲＦ信号は、それぞれ
信号処理回路に供給され、該信号処理回路により所定の
信号処理が施され、適宣再生される。

【００６０】このように、右旋光板３Ｒ及び左旋光板３
Ｌの分割線Ｐが、光磁気ディスク５の記録トラックに対
して４５度の角度を持つように２分割旋光板３を設ける
ことにより、上記偏光ビームスプリッタ２によりプッシ
ュプル成分を反射してフォトディテクタ６に照射するこ
とができる。このため、１つの偏光ビームスプリッタ２
及びフォトディテクタ６で図７（ａ）に示すような良好
な特性を有するＭＯ信号，同図（ｂ）に示すような良好
な特性を有するＲＦ信号及び同図（ｃ）に示すような良
好な特性を有するプッシュプル信号（トラッキングエラ
ー信号）を検出することができる。従って、上記偏光ビ
ームスプリッタ２を透過した戻り光を検出するためのビ
ームスプリッタ及びフォトディテクタを省略することが
でき、部品点数の削減及び構成の簡略化を通じて当該光
ピックアップ装置のローコスト化を図ることができる。

【００６１】ここで、上記レーザ光源として、活性層内
に横方向の屈折率分布を持たない機構の半導体レーザ
（利得導波型レーザ）を用いた場合、該利得導波型レー
ザ内では、光エネルギーの伝搬方向と波面が直交しない
ため、接合面に平行な方向と垂直な方向とで光波面のビ
ームウエストにずれを生ずる。すなわち、上記接合面に
対して垂直方向のビームウエストは、ＤＨ構造の屈折率
差により共振器端面と一致するのであるが、上記接合面
に対して平行方向のビームウエストは、共振器端面から
所定分だけ内部に位置する、いわゆる非点隔差を生ず
る。

【００６２】しかし、当該光ピックアップ装置のように
分割線Ｐが例えば４５度の角度となるように２分割旋光
板３を設けることにより、上記接合面に平行な方向と、
垂直な方向の光波面のビームウエストのずれ状態を略々
中間のずれ状態とすることができる。このため、上記非
点隔差を減少させることができ、該非点隔差を補正する
ために必要とされていたプリズムや円柱レンズ等を省略
することができる。従って、上記プリズムや円柱レンズ
等の部品点数の削減及び構成の簡略化を通じて当該光ピ
ックアップ装置を設けた光学系のローコスト化を図るこ
とができる。

【００６３】次に、以上の実施の形態の説明では、上記
右旋光板３Ｒ及び左旋光板３Ｌの分割線Ｐが、光磁気デ
ィスク５の記録トラックに対して４５度の角度を持つよ
うに２分割旋光板３を設けることとしたが、これは、上
記右旋光板３Ｒ及び左旋光板３Ｌの分割線Ｐの方向を、
記録トラック方向或いは記録トラック方向と直交する方
向（ディスク径方向）となるように上記２分割旋光板３
を配置し、図８に示すように半導体レーザ１から出射さ
れるレーザビームの旋光方向が記録トラック方向に対し
て４５度の角度を持つように該半導体レーザ１を設けて
もよい。

【００６４】このように半導体レーザ１を設けることに
より、上述の実施の形態の説明と同様に偏光ビームスプ
リッタ２でプッシュプル成分を反射することができ、良
好な特性のＭＯ信号，プッシュプル信号、ＲＦ信号等を
得ることができ、部品点数の削減及び構成の簡略化を通
じて当該光ピックアップ装置のローコスト化を図ること
ができる。

【００６５】また、レーザビームの旋光方向が記録トラ
ック方向に対して４５度の角度を持つように半導体レー
ザ１を設けることにより、半導体レーザ１の接合面に平
行な方向と、垂直な方向の光波面のビームウエストのず
れ状態を略々中間のずれ状態とすることができる。この
ため、上記非点隔差を減少させることができ、該非点隔
差を補正するために必要とされていたプリズムや円柱レ
ンズ等を省略することができる。従って、この点からも
上記プリズムや円柱レンズ等の部品点数の削減及び構成
の簡略化を通じて当該光ピックアップ装置を設けた光学
系のローコスト化を図ることができる。

【００６６】次に、上記２分割旋光板３の厚さをｔ，屈
折率をｎ，該２分割旋光板３を設ける傾斜角をθとする
と、非点隔差（δｙ）は、以下の式９に示す演算式で算
出することができる。

【００６７】 δｙ＝［（ｎ²−１）ｓｉｎ²θ・ｔ］／［（ｎ²−ｓｉｎ²θ)^3/2］・・・式９ 上述の各実施の形態の光ピックアップ装置に設けられて
いる２分割旋光板３は、この式９に基づいてその厚み及
び傾斜角が設定されている。

【００６８】すなわち、上記２分割旋光板３の厚みは
０．２５ｍｍで、傾斜角が３０度となっている。これに
より、図４に示すように２分割旋光板３の右旋光板３Ｒ
を透過するレーザビームの光路長Ａと、左旋光板３Ｌを
透過するレーザビームの光路長Ｂとの関係をＡ＞Ｂとす
ることができる。従って、図４中点線で示すように半導
体レーザ１の非点隔差を補正することができ、検出する
各信号を高品質のものとすることができる。

【００６９】また、このように２分割旋光板３を所定の
傾斜角を持って設けることにより、同じ厚さの２分割旋
光板を傾斜角をつけることなく設けた場合と比較して、
１／ｃｏｓθだけ光路長を長くすることができるため旋
光角を大きくすることができる。従って、非点隔差を考
慮しない場合には、平行光束中に斜めに配置することも
できる。

【００７０】なお、上記２分割旋光板３の旋光角は、該
２分割旋光板３の厚みで決まるため、このように２分割
旋光板３を傾斜角を持って設けると右旋光板３Ｒ及び左
旋光板３Ｌで旋光角が異なるようになる。しかし、上記
各旋光板３Ｒ，３Ｌで旋光角が異なっても、出射光の段
階で右旋光板３Ｒを透過した光は、戻り光の段階で左旋
光板３Ｌを透過し、出射光の段階で左旋光板３Ｌを透過
した光は、戻り光の段階で右旋光板３Ｒを透過すること
となるため、結局は、上記戻り光の段階で各旋光板３
Ｒ，３Ｌを透過する戻り光が、それぞれ同じ旋光角とな
り問題は生じないようになっている。

【００７１】次に、上記フォトディテクタ６を図１０
（ａ）〜（ｃ）に示すように受光領域が６分割されたフ
ォトディテクタ３０とすることにより、光磁気ディスク
５の径方向の傾き（スキュー）に対して対応可能とな
る。

【００７２】すなわち、図９に実線，点線及び一点鎖線
で示すように光磁気ディスク５の径方向の傾きが生ずる
と、２分割旋光板３の左旋光板３Ｌに入射されるはずの
右方向に旋光された戻り光の一部が右旋光板３Ｒに入射
され、また、右旋光板３Ｒに入射されるはずの左方向に
旋光された戻り光の一部が左旋光板３Ｌに入射されるよ
うになる。これにより、上記一部の光に対して、出射光
の段階で付けられた旋光角が戻り光の段階で戻される現
象が生じてＰ偏光成分となり、上記偏光ビームスプリッ
タ２を透過するようになる。

【００７３】上記フォトディテクタ３０は、図１０
（ａ）に示すように４５度の角度を持って設けられた２
分割旋光板２の分割線Ｐに沿ってさらに２分割された受
光領域Ｅ，Ｆ及び受光領域Ｂ，Ｃを有しており、受光領
域がＡ〜Ｆを有する６分割フォトディテクタとなってい
る。このようなフォトディテクタ３０に対して、上記光
磁気ディスク５に径方向の傾きが生ずると、上記戻り光
の一部が偏光ビームスプリッタ２を透過することから、
図１０（ｂ），（ｃ）に示すようにディスクの傾き方向
に応じて、上記分割線Ｐを境に上方向或いは下方向に光
量不足を示す暗線を生ずる。

【００７４】上記検出回路は、以下の式１０に示す演算
を行うことにより、ディスクの傾きを検出する。

【００７５】 ディスクの傾き＝（Ｂ＋Ｆ）−（Ｃ＋Ｅ）・・・式１０ このディスクの傾きを示すスキュー検出信号は、上記サ
ーボ制御系に供給される。上記サーボ制御系は、上記ス
キュー検出信号に応じてディスクの傾きが零となるよう
にターンテーブル或いは光ピックアップ全体を傾き制御
する。これにより、ディスクの傾きに追従して正確にＭ
Ｏ信号等を再生することができる。

【００７６】なお、上述の各実施の形態の説明では、上
記偏光ビームスプリッタ２の偏光ビームスプリッタ膜２
ａは、Ｐ偏光成分を透過しＳ偏光成分を反射する特性で
あることとしたが、これは、Ｐ偏光成分を反射しＳ偏光
成分を透過する特性として、半導体レーザ１からのレー
ザビームを該偏光ビームスプリッタにより反射して光磁
気ディスク５に照射し、該偏光ビームスプリッタを透過
した戻り光をフォトディテクタで受光する構成としても
よい。この場合でも、上述と同じ効果を得ることができ
る。

【００７７】また、上記所定の傾斜角を持って設けられ
る２分割旋光板３は、フォーカスエラーを検出するため
の非点収差用の平行板として用いてもよい。

【００７８】また、上記分割線Ｐが４５度の角度を持つ
ように２分割旋光板３を設けることとしたが、これは、
プッシュプル信号とＲＦ信号を同等の光量で検出したい
場合である。このため、プッシュプル信号の光量よりも
ＲＦ信号の光量を多く検出したい場合には、上記分割線
Ｐが３０度の角度を持つように２分割旋光板３を設ける
ようにすればよい。また、ＲＦ信号の光量よりもプッシ
ュプル信号の光量を多く検出したい場合には、上記分割
線Ｐが６０度の角度を持つように２分割旋光板３を設け
るようにすればよい。いずれの場合でも、この角度はあ
くまでも例示であり、設計等に応じて適宣変更可能であ
る。

【００７９】最後に、上記２分割旋光板３は、厚みが
０．２５ｍｍで、傾斜角が３０度であることとしたが、
これらは、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲で
あれば種々の変更が可能であることは勿論である。

【００８０】

【発明の効果】本発明に係る光ピックアップ装置は、部
品点数の削減及び構成の簡略化を通じてローコスト化を
図ることができる。

【００８１】また、レーザ光源として利得導波型レーザ
を用いた場合に発生する非点隔差を是正することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る光ピックアップ装置
の構成を示す図である。

【図２】上記光ピックアップ装置に設けられている２分
割旋光板の特徴を説明するための図である。

【図３】上記２分割旋光板の右旋光板及び左旋光板の分
割線の方向を説明するための図である。

【図４】上記２分割旋光板を所定の傾きを持って設ける
ことにより、非点隔差が補正される様子を示す図であ
る。

【図５】上記２分割旋光板の分割線の方向を４５度の方
向とすることにより、プッシュプル成分が検出される様
子を示す図である。

【図６】上記プッシュプル成分と共にフォトディテクタ
に照射される戻り光をせつめいするための図である。

【図７】上記分割線が４５度の角度となるように２分割
旋光板を設けることにより、良好な特性で検出されるＭ
Ｏ信号，ＲＦ信号及びプッシュプル信号のＭＴＦを示す
図である。

【図８】４５度の旋光角となるように設けられる半導体
レーザを示す図である。

【図９】ディスクの径方向の傾き（スキュー）に応じて
２分割旋光板を透過する戻り光の光路が変わる様子を示
す図である。

【図１０】ディスクの径方向の傾き補正を可能とするた
めに設けられた６分割フォトディテクタ及びディスクの
径方向の傾きに応じて該６分割フォトディテクタに照射
される戻り光を示す図である。

【図１１】従来の光ピックアップ装置の構成を示す図で
ある。

【図１２】従来の光ピックアップ装置に設けられている
２分割旋光板の特徴を説明するための図である。

【図１３】分割線の方向が、光磁気ディスクの記録トラ
ック方向に対して直交する方向（ディスク径方向）とな
るように従来の光ピックアップ装置に設けられている２
分割旋光板を説明するための図である。

【図１４】上記２分割旋光板により旋光される出射光及
び戻り光を説明するための図である。

【図１５】分割線の方向が、光磁気ディスクの記録トラ
ック方向に対して直交する方向となるように２分割旋光
板を設けた場合に、偏光ビームスプリッタを介して第１
のフォトディテクタに照射される戻り光を示す図であ
る。

【図１６】分割線の方向が、光磁気ディスクの記録トラ
ック方向に対して直交する方向となるように２分割旋光
板を設けた場合に、プッシュプル成分が偏光ビームスプ
リッタを透過してしまう理由を説明するための図であ
る。

【図１７】分割線の方向が、光磁気ディスクの記録トラ
ック方向に対して直交する方向となるように２分割旋光
板を設けた場合に、プッシュプル成分がビームスプリッ
タで反射され第２のフォトディテクタに照射される様子
を示す図である。

【図１８】分割線の方向が、光磁気ディスクの記録トラ
ック方向に沿う方向となるように従来の光ピックアップ
装置に設けられている２分割旋光板を説明するための図
である。

【図１９】分割線の方向が、光磁気ディスクの記録トラ
ック方向に沿う方向となるように２分割旋光板を設けた
場合に、プッシュプル成分が偏光ビームスプリッタで反
射される理由を説明するための図である。

【図２０】分割線の方向が、光磁気ディスクの記録トラ
ック方向に対して直交する方向となるように２分割旋光
板を設けた場合に、偏光ビームスプリッタで反射される
戻り光及びビームスプリッタで反射される戻り光でそれ
ぞれ検出可能な信号を説明するための図である。

【図２１】分割線の方向が、光磁気ディスクの記録トラ
ック方向に沿う方向となるように２分割旋光板を設けた
場合に、偏光ビームスプリッタで反射される戻り光及び
ビームスプリッタで反射される戻り光でそれぞれ検出可
能な信号を説明するための図である。

【図２２】半導体レーザの非点隔差を説明するための図
である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザ ２ 偏光ビームスプリッタ ２ａ 偏光ビームスプリッタ膜 ３ ２分割旋光板 ３Ｒ ２分割旋光板の右旋光板 ３Ｌ ２分割旋光板の左旋光板 ４ 対物レンズ ５ 光磁気ディスク ６ フォトディテクタ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光磁気ディスクに照射するためのレーザ
   ビームを出射するレーザ光源と、 第１の偏光成分の光はそのまま透過し、該第１の偏光成
   分と直交する第２の偏光成分の光は反射する光学特性を
   有する偏光ビームスプリッタと、 入射された光を右方向に所定角度分旋光して出射する右
   旋光板及び入射された光を左方向に所定角度分旋光して
   出射する左旋光板を備え、上記偏光ビームスプリッタを
   介したレーザビームが、それぞれ上記右旋光板及び左旋
   光板の分割線を境にして右方向或いは左方向に旋光され
   て出射されるように設けられた旋光手段と、 上記旋光手段を介したレーザビームを集光して上記光磁
   気ディスクの記録面に照射する集光手段と、 上記光磁気ディスクの記録面に照射されたレーザビーム
   が該記録面で反射されることにより生ずる戻り光のう
   ち、上記旋光手段及び偏光ビームスプリッタを介して照
   射される戻り光を受光し、該受光した戻り光の光量に応
   じた光量検出信号を出力する検出手段とを有し、 上記旋光手段は、上記右旋光板及び左旋光板の分割線
   が、記録トラックに対して平行及び直交以外の所定の角
   度を持つように設けられていることを特徴とする光ピッ
   クアップ装置。
2. 【請求項２】 上記旋光手段は、上記分割線が光磁気デ
   ィスクの記録トラックに対して略４５度の角度を持つよ
   うに設けられていることを特徴とする請求項１記載の光
   ピックアップ装置。
3. 【請求項３】 光磁気ディスクに照射するためのレーザ
   ビームを出射するレーザ光源と、 第１の偏光成分の光はそのまま透過し、該第１の偏光成
   分と直交する第２の偏光成分の光は反射する光学特性を
   有する偏光ビームスプリッタと、 入射された光を右方向に所定角度分旋光して出射する右
   旋光板及び入射された光を左方向に所定角度分旋光して
   出射する左旋光板を備え、上記偏光ビームスプリッタを
   介したレーザビームが、それぞれ上記右旋光板及び左旋
   光板の分割線を境にして右方向或いは左方向に旋光され
   て出射されるように設けられた旋光手段と、 上記旋光手段を介したレーザビームを集光して上記光磁
   気ディスクの記録面に照射する集光手段と、 上記光磁気ディスクの記録面に照射されたレーザビーム
   が該記録面で反射されることにより生ずる戻り光のう
   ち、上記旋光手段及び偏光ビームスプリッタを介して照
   射される戻り光を受光し、該受光した戻り光の光量に応
   じた光量検出信号を出力する検出手段とを有し、 上記レーザ光源は、出射するレーザビームの偏光角が、
   記録トラックに対して平行及び直交以外の所定の角度を
   持つように設けられていることを特徴とする光ピックア
   ップ装置。
4. 【請求項４】 上記レーザ光源は、出射するレーザビー
   ムの偏光角が、記録トラックに対して略４５度の角度を
   持つように設けられていることを特徴とする請求項３記
   載の光ピックアップ装置。