JPH09129512A - タンタル固体電解コンデンサ - Google Patents
タンタル固体電解コンデンサInfo
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- JPH09129512A JPH09129512A JP30043995A JP30043995A JPH09129512A JP H09129512 A JPH09129512 A JP H09129512A JP 30043995 A JP30043995 A JP 30043995A JP 30043995 A JP30043995 A JP 30043995A JP H09129512 A JPH09129512 A JP H09129512A
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- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 27
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 タンタル固体電解コンデンサの等価直列抵抗
値を低くし高周波特性の良いコンデンサを製造する。。 【解決手段】 タンタル固体電解コンデンサの陰極の構
成で、多孔質の上に二酸化マンガン層、次にカーボン
層、このカーボン層の上に金又は銀あるいはパラジウム
の微粉末又はこえらの混合物の微粉末から金属層を設け
ての金属層の上に銀ペースト層を形成したタンタル固体
電解コンデンサ。
値を低くし高周波特性の良いコンデンサを製造する。。 【解決手段】 タンタル固体電解コンデンサの陰極の構
成で、多孔質の上に二酸化マンガン層、次にカーボン
層、このカーボン層の上に金又は銀あるいはパラジウム
の微粉末又はこえらの混合物の微粉末から金属層を設け
ての金属層の上に銀ペースト層を形成したタンタル固体
電解コンデンサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、タンタル固体電解コン
デンサに関する。
デンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に示す如く、タンタル固体電解コン
デンサは、タンタル金属微粉末に陽極導出線１を埋植
し、プレスにてタンタル金属微粉末を圧縮しペレットと
し、これを焼結した多孔質ペレット２の表面に誘電体で
ある酸化皮膜を生成し、この誘電体である酸化皮膜を生
成した多孔質ペレット２を硝酸マンガン溶液に浸漬し、
次いで、硝酸マンガン溶液が付着した多孔質ペレット２
に熱を加え硝酸マンガン溶液を熱分解し、二酸化マンガ
ン層３を析出させる。その後多孔質ペレット２に硝酸マ
ンガン溶液を浸漬→硝酸マンガンの熱分解→二酸化マン
ガン層３の析出の作業を行い、これらの作業を数回繰り
返す。
デンサは、タンタル金属微粉末に陽極導出線１を埋植
し、プレスにてタンタル金属微粉末を圧縮しペレットと
し、これを焼結した多孔質ペレット２の表面に誘電体で
ある酸化皮膜を生成し、この誘電体である酸化皮膜を生
成した多孔質ペレット２を硝酸マンガン溶液に浸漬し、
次いで、硝酸マンガン溶液が付着した多孔質ペレット２
に熱を加え硝酸マンガン溶液を熱分解し、二酸化マンガ
ン層３を析出させる。その後多孔質ペレット２に硝酸マ
ンガン溶液を浸漬→硝酸マンガンの熱分解→二酸化マン
ガン層３の析出の作業を行い、これらの作業を数回繰り
返す。
【０００３】次いで多孔質ペレット２の表面に析出した
二酸化マンガン層３の表面にカーボンペーストを塗布し
た後、乾燥し、カーボン層４を形成する。次にカーボン
層４の表面に銀ペーストを塗布し銀ペースト層５を形成
しタンタルコンデンサ素子７とする。タンタルコンデン
サ素子７から導出している陽極導出線１の必要部分を残
して切断した後、洋白からなるリードフレームである外
部電極８を抵抗溶接９にてタンタルコンデンサ素子７の
陽極導出線１の先端部に取り付け陽極外部電極８Ａとす
る。次に外部電極８をはんだ付け１３にてタンタルコン
デンサ素子７に取り付け陰極外部電極８Ｂとする。次い
でトランスモールドにてエポキシ樹脂からなるモールド
樹脂で外装１０を行い、外部電極８として使用する以外
のリードフレームを切断し、次に外部電極８であるリー
ドフレームを外装１０に沿ってフォーミングし、タンタ
ル固体電解コンデンサを製造する。
二酸化マンガン層３の表面にカーボンペーストを塗布し
た後、乾燥し、カーボン層４を形成する。次にカーボン
層４の表面に銀ペーストを塗布し銀ペースト層５を形成
しタンタルコンデンサ素子７とする。タンタルコンデン
サ素子７から導出している陽極導出線１の必要部分を残
して切断した後、洋白からなるリードフレームである外
部電極８を抵抗溶接９にてタンタルコンデンサ素子７の
陽極導出線１の先端部に取り付け陽極外部電極８Ａとす
る。次に外部電極８をはんだ付け１３にてタンタルコン
デンサ素子７に取り付け陰極外部電極８Ｂとする。次い
でトランスモールドにてエポキシ樹脂からなるモールド
樹脂で外装１０を行い、外部電極８として使用する以外
のリードフレームを切断し、次に外部電極８であるリー
ドフレームを外装１０に沿ってフォーミングし、タンタ
ル固体電解コンデンサを製造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近機器の高性能化に
ともないタンタル固体電解コンデンサも特性の改善を迫
られており、特に高周波特性の優れたタンタル固体電解
コンデンサの要求が多くなってきている。このため等価
直列抵抗を小さくすることにより高周波特性の改善を図
る動きが強まっている。しかし、従来のタンタル固体電
解コンデンサは、図４に示す如く、陰極層を構成する二
酸化マンガン層３の表面に凹凸があるため、カーボン層
４の表面も凹凸になり、カーボン層４の上に形成される
銀ペースト層５は比較的粘度の高い銀ペーストを使用す
るためカーボン層４の凹部１１に銀ペーストが入り込め
ず、カーボン層４と銀ペースト層５の間に空隙１２が出
来やすいため実接続面積が小さくなり、等価直列抵抗が
大となり高周波特性が悪くなる問題があった。
ともないタンタル固体電解コンデンサも特性の改善を迫
られており、特に高周波特性の優れたタンタル固体電解
コンデンサの要求が多くなってきている。このため等価
直列抵抗を小さくすることにより高周波特性の改善を図
る動きが強まっている。しかし、従来のタンタル固体電
解コンデンサは、図４に示す如く、陰極層を構成する二
酸化マンガン層３の表面に凹凸があるため、カーボン層
４の表面も凹凸になり、カーボン層４の上に形成される
銀ペースト層５は比較的粘度の高い銀ペーストを使用す
るためカーボン層４の凹部１１に銀ペーストが入り込め
ず、カーボン層４と銀ペースト層５の間に空隙１２が出
来やすいため実接続面積が小さくなり、等価直列抵抗が
大となり高周波特性が悪くなる問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる問題点を
解決するため、図１に示す如く、タンタル金属微粉末に
陽極導出線１を埋設しプレス圧縮したペレットを焼結
し、多孔質ペレット２とし、この多孔質ペレット２に誘
電体である酸化皮膜を生成し、この誘電体である酸化皮
膜を生成した多孔質ペレット２を硝酸マンガン液に浸漬
し、次いで硝酸マンガン溶液が附着した多孔質ペレット
２に熱を加え硝酸マンガンを熱分解し、二酸化マンガン
層３を析出させる。多孔質ペレット２に硝酸マンガン溶
液を浸漬→硝酸マンガンの熱分解→二酸化マンガン層３
の析出の作業を行い、これらの作業を数回繰り返す。次
に、多孔質ペレット２の表面に析出した二酸化マンガン
層３の表面にカーボンペーストを塗布した後、乾燥し、
カーボン層４を形成する。
解決するため、図１に示す如く、タンタル金属微粉末に
陽極導出線１を埋設しプレス圧縮したペレットを焼結
し、多孔質ペレット２とし、この多孔質ペレット２に誘
電体である酸化皮膜を生成し、この誘電体である酸化皮
膜を生成した多孔質ペレット２を硝酸マンガン液に浸漬
し、次いで硝酸マンガン溶液が附着した多孔質ペレット
２に熱を加え硝酸マンガンを熱分解し、二酸化マンガン
層３を析出させる。多孔質ペレット２に硝酸マンガン溶
液を浸漬→硝酸マンガンの熱分解→二酸化マンガン層３
の析出の作業を行い、これらの作業を数回繰り返す。次
に、多孔質ペレット２の表面に析出した二酸化マンガン
層３の表面にカーボンペーストを塗布した後、乾燥し、
カーボン層４を形成する。
【０００６】次いで、カーボン層４の上に金又は銀ある
いはパラジウムの微粉末またはこれらの混合物の微粉末
を分子量が７４〜１５４で沸点が５８〜２２０℃の有機
液体中に分散させた液体を塗布し、乾燥して形成した金
属層６を形成することにより、図２に示す如く金属層６
は粘度が低いためカーボン層４の凹部１１入りやすく空
隙が出来ず等価直列抵抗が小となり高周波特性が改善さ
れる。
いはパラジウムの微粉末またはこれらの混合物の微粉末
を分子量が７４〜１５４で沸点が５８〜２２０℃の有機
液体中に分散させた液体を塗布し、乾燥して形成した金
属層６を形成することにより、図２に示す如く金属層６
は粘度が低いためカーボン層４の凹部１１入りやすく空
隙が出来ず等価直列抵抗が小となり高周波特性が改善さ
れる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施例をチップ形タンタ
ル固体電解コンデンサを例に説明する。平均粒径３μ
ｍ、２次粒径約１００μｍのタンタル金属微粉末に陽極
導出線１であるタンタル線を埋植しプレスで圧縮成形し
てタンタルペレットとする。このタンタルペレットを１
５００〜１６００℃の真空中で焼結し、多孔質ペレット
２を形成する。次いで多孔質ペレット２を純水で洗浄し
た後、０．１％の硝酸液中に浸漬し、多孔質ペレット２
より導出している陽極導出線１と０．１％の硝酸液の間
に電圧を加えて化成を行い、誘電体である五酸化タンタ
ルの酸化皮膜を生成する。次に、酸化皮膜を生成した多
孔質ペレット２を硝酸マンガン溶液に浸漬し、次いで硝
酸マンガン溶液の附着した多孔質ペレット２に熱を加え
硝酸マンガン溶液を熱分解し、二酸化マンガン層３を析
出させる。
ル固体電解コンデンサを例に説明する。平均粒径３μ
ｍ、２次粒径約１００μｍのタンタル金属微粉末に陽極
導出線１であるタンタル線を埋植しプレスで圧縮成形し
てタンタルペレットとする。このタンタルペレットを１
５００〜１６００℃の真空中で焼結し、多孔質ペレット
２を形成する。次いで多孔質ペレット２を純水で洗浄し
た後、０．１％の硝酸液中に浸漬し、多孔質ペレット２
より導出している陽極導出線１と０．１％の硝酸液の間
に電圧を加えて化成を行い、誘電体である五酸化タンタ
ルの酸化皮膜を生成する。次に、酸化皮膜を生成した多
孔質ペレット２を硝酸マンガン溶液に浸漬し、次いで硝
酸マンガン溶液の附着した多孔質ペレット２に熱を加え
硝酸マンガン溶液を熱分解し、二酸化マンガン層３を析
出させる。
【０００８】多孔質ペレット２を硝酸マンガン溶液に浸
漬→硝酸マンガンの熱分解→二酸化マンガン層３の析出
の作業を行い、これらの作業を数回繰り返す。次いで多
孔質ペレット２の表面に析出した二酸化マンガン層３の
表面にカーボンペーストを塗布した後乾燥し、カーボン
層４を形成する。このカーボン層４の上に約３μｍ〜１
０μｍの金の微粉末をトルエンに分散させた溶液を塗布
し、約２５０℃で乾燥を行い金属層６を形成する。この
金属層６は、前記金の他に銀又はパラジウムあるいは
金、銀、パラジウムの混合物の微粉末をトルエンに分散
させた溶液を塗布してもよい。
漬→硝酸マンガンの熱分解→二酸化マンガン層３の析出
の作業を行い、これらの作業を数回繰り返す。次いで多
孔質ペレット２の表面に析出した二酸化マンガン層３の
表面にカーボンペーストを塗布した後乾燥し、カーボン
層４を形成する。このカーボン層４の上に約３μｍ〜１
０μｍの金の微粉末をトルエンに分散させた溶液を塗布
し、約２５０℃で乾燥を行い金属層６を形成する。この
金属層６は、前記金の他に銀又はパラジウムあるいは
金、銀、パラジウムの混合物の微粉末をトルエンに分散
させた溶液を塗布してもよい。
【０００９】次に金属層６の上に銀ペーストを塗布し銀
ペースト層５を形成しタンタルコンデンサ素子７とす
る。タンタルコンデンサ素子７から導出している陽極導
出線１の必要部分を残して切断した後、洋白からなるリ
ードフレームである外部電極８を抵抗溶接９にてタンタ
ルコンデンサ素子７の陽極導出線１の先端部に取り付け
陽極外部電極８Ａとする。次に外部電極８をはんだ付け
１３にてタンタルコンデンサ素子７に取付け陰極外部の
電極８Ｂとする。次にトランスファーモールドにてエポ
キシ樹脂からなるモールド樹脂で外装１０を行い、外部
電極８として使用する以外のリードフレームを切断し、
次に外部電極８であるリードフレームを外装１０に沿っ
てフォーミングし、タンタル固体電解コンデンサを製造
する。
ペースト層５を形成しタンタルコンデンサ素子７とす
る。タンタルコンデンサ素子７から導出している陽極導
出線１の必要部分を残して切断した後、洋白からなるリ
ードフレームである外部電極８を抵抗溶接９にてタンタ
ルコンデンサ素子７の陽極導出線１の先端部に取り付け
陽極外部電極８Ａとする。次に外部電極８をはんだ付け
１３にてタンタルコンデンサ素子７に取付け陰極外部の
電極８Ｂとする。次にトランスファーモールドにてエポ
キシ樹脂からなるモールド樹脂で外装１０を行い、外部
電極８として使用する以外のリードフレームを切断し、
次に外部電極８であるリードフレームを外装１０に沿っ
てフォーミングし、タンタル固体電解コンデンサを製造
する。
【００１０】
【発明の効果】本発明のタンタル固体電解コンデンサは
以上の様に製造させるので以下に記載する様な特有な効
果を奏する。従来品と本発明品との等価直列抵抗を測定
周波数１００ＫＨｚで比較したのが図５である。図５に
示す如く、従来品の等価直列抵抗の平均値が０．１３Ω
であるのに対して本発明品の等価直列接続の平均値が
０．０５５Ωであり、従来品に比較して等価直列抵抗は
１／２以下となり高周波特性が大幅に改善される。
以上の様に製造させるので以下に記載する様な特有な効
果を奏する。従来品と本発明品との等価直列抵抗を測定
周波数１００ＫＨｚで比較したのが図５である。図５に
示す如く、従来品の等価直列抵抗の平均値が０．１３Ω
であるのに対して本発明品の等価直列接続の平均値が
０．０５５Ωであり、従来品に比較して等価直列抵抗は
１／２以下となり高周波特性が大幅に改善される。
【図１】本発明の断面図を示す。
【図２】本発明の陰極の詳細な断面図を示す。
【図３】従来の断面図を示す。
【図４】従来の陰極の詳細な断面図を示す。
【図５】本発明と従来の等価直列抵抗値の比較を示す。
１…陽極導出線 ２…多孔質ペレット ３…二酸化マンガン層 ４…カーボン層 ５…銀ペースト層 ６…金属層 ７…コンデンサ素子 ８…外部電極 ８Ａ…陽極外部電極 ８Ｂ…陰極外部電極 ９…抵抗溶接 １０…外装 １１…凹部 １２…空隙 １３…はんだ付け
Claims (2)
- 【請求項１】 タンタル金属微粉末内に陽極線を埋設し
プレス圧縮したペレット用い、このペレットを焼結し、
多孔質ペレットとしたものの表面に、誘電体である酸化
皮膜を生成し、この酸化皮膜上に二酸化マンガン層、カ
ーボン層、銀ペースト層の陰極層を順次形成してなるタ
ンタル固体電解コンデンサにおいて、前記カーボン層と
銀ペースト層の間に金又は銀あるいはパラジウムの微粉
末またはこれらの混合物の微粉末からなる金属層を設け
たことを特徴とするタンタル固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 請求項１において、微粉末の分子量が７
４〜１５４で沸点が５８〜２２０℃の有機液体中に分散
させた液体を用いて金属層を形成することを特徴とする
タンタル固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30043995A JPH09129512A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | タンタル固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30043995A JPH09129512A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | タンタル固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129512A true JPH09129512A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17884819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30043995A Pending JPH09129512A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | タンタル固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129512A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661644B2 (en) | 2001-10-05 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP30043995A patent/JPH09129512A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661644B2 (en) | 2001-10-05 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor |
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