JPH09293646A - タンタル固体電解コンデンサ - Google Patents
タンタル固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH09293646A JPH09293646A JP12762496A JP12762496A JPH09293646A JP H09293646 A JPH09293646 A JP H09293646A JP 12762496 A JP12762496 A JP 12762496A JP 12762496 A JP12762496 A JP 12762496A JP H09293646 A JPH09293646 A JP H09293646A
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- tantalum
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 タンタル固体電解コンデンサの小形化を行う
ことにある。 【解決手段】 タンタル固体電解コンデンサの小形化を
行うため、誘電体である酸化膜を生成する化成液に０．
５％パラタングステン酸アンモニウム液を使用するとと
もに、化成電圧倍率を定格電圧の１．５〜２．８倍とす
ることにより、酸化膜の特性の向上をはかるとともに薄
い酸化膜を生成し、タンタル固体電解コンデンサの小形
化ができた。
ことにある。 【解決手段】 タンタル固体電解コンデンサの小形化を
行うため、誘電体である酸化膜を生成する化成液に０．
５％パラタングステン酸アンモニウム液を使用するとと
もに、化成電圧倍率を定格電圧の１．５〜２．８倍とす
ることにより、酸化膜の特性の向上をはかるとともに薄
い酸化膜を生成し、タンタル固体電解コンデンサの小形
化ができた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、タンタル固体電解
コンデンサに関する。
コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のタンタル固体電解コンデンサは、
図２に示す如く、タンタル金属微粉末に陽極導出線１を
埋植しプレスにてタンタル金属微粉末を圧縮成形しペレ
ットとし、このペレットを真空中で２０００℃前後の温
度にて焼結し多孔質ペレット２とする。次に、この多孔
質ペレット２を５％のふっ酸液中に約１０分間浸漬した
後、取り出し、純水で洗浄後、この多孔質ペレット２を
０．０５％のりん酸液に浸漬し、多孔質ペレット２の陽
極導出線１とりん酸液の間に化成電圧を印加して誘電体
である酸化膜３を生成する。
図２に示す如く、タンタル金属微粉末に陽極導出線１を
埋植しプレスにてタンタル金属微粉末を圧縮成形しペレ
ットとし、このペレットを真空中で２０００℃前後の温
度にて焼結し多孔質ペレット２とする。次に、この多孔
質ペレット２を５％のふっ酸液中に約１０分間浸漬した
後、取り出し、純水で洗浄後、この多孔質ペレット２を
０．０５％のりん酸液に浸漬し、多孔質ペレット２の陽
極導出線１とりん酸液の間に化成電圧を印加して誘電体
である酸化膜３を生成する。
【０００３】この誘電体である酸化膜３の生成をするた
めに多孔質ペレット２より導出している陽極導出線１と
化成液であるりん酸液との間に印加する化成電圧は、コ
ンデンサの定格電圧に対して４〜８倍（化成電圧倍率）
程度とされている。次いで、誘電体である酸化膜３の表
面に半導体層である二酸化マンガン層４を形成し、この
二酸化マンガン層４の表面に陰極層であるカーボン層
５、銀ペースト層８を順次形成して、タンタルコンデン
サ素子６とする。
めに多孔質ペレット２より導出している陽極導出線１と
化成液であるりん酸液との間に印加する化成電圧は、コ
ンデンサの定格電圧に対して４〜８倍（化成電圧倍率）
程度とされている。次いで、誘電体である酸化膜３の表
面に半導体層である二酸化マンガン層４を形成し、この
二酸化マンガン層４の表面に陰極層であるカーボン層
５、銀ペースト層８を順次形成して、タンタルコンデン
サ素子６とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のタンタル固体電
解コンデンサは、図２に示す如く、タンタル金属微粉末
に陽極導出線１を埋植し、プレスにてタンタル金属微粉
末を圧縮成形しペレットとし、このペレットを真空中で
焼結し多孔質ペレット２とする。次に、この多孔質ペレ
ット２の表面に誘電体である酸化膜３を生成するため、
この多孔質ペレット２をりん酸液に浸漬し、多孔質ペレ
ット２より導出している陽極導出線１とりん酸液との間
に化成電圧を印加し、酸化膜３を生成する。この誘電体
である酸化膜３は、化成電圧に比例し化成電圧が高くな
る程、酸化膜３の厚さは厚くなり、耐電圧が向上する。
解コンデンサは、図２に示す如く、タンタル金属微粉末
に陽極導出線１を埋植し、プレスにてタンタル金属微粉
末を圧縮成形しペレットとし、このペレットを真空中で
焼結し多孔質ペレット２とする。次に、この多孔質ペレ
ット２の表面に誘電体である酸化膜３を生成するため、
この多孔質ペレット２をりん酸液に浸漬し、多孔質ペレ
ット２より導出している陽極導出線１とりん酸液との間
に化成電圧を印加し、酸化膜３を生成する。この誘電体
である酸化膜３は、化成電圧に比例し化成電圧が高くな
る程、酸化膜３の厚さは厚くなり、耐電圧が向上する。
【０００５】一方、静電容量は、酸化膜３の厚さが厚く
なるのに反比例して静電容量の値は小さくなる。従っ
て、機器の小形化のため軽薄短小が要求されている電子
部品であるタンタル固体電解コンデンサは、要求される
定格電圧および静電容量で外形寸法が出来るだけ小さく
なる様にできるだけ化成電圧を低くする様にしている。
しかし、この化成電圧を低くしすぎると静電容量は大き
く出来るが、誘電体である酸化膜３が薄くなりすぎ、漏
れ電流不良等の電気的特性の不良が増大する。また漏れ
電流不良等の電気的特性を改良するため、誘電体である
酸化膜３を厚くすると、静電容量が要求値を満足出来
ず、静電容量不良が増大する等の相、矛盾する条件を満
たすため、従来のタンタル固体電解コンデンサの化成電
圧は一般に定格電圧の４〜８倍（化成電圧倍率）とされ
ている。
なるのに反比例して静電容量の値は小さくなる。従っ
て、機器の小形化のため軽薄短小が要求されている電子
部品であるタンタル固体電解コンデンサは、要求される
定格電圧および静電容量で外形寸法が出来るだけ小さく
なる様にできるだけ化成電圧を低くする様にしている。
しかし、この化成電圧を低くしすぎると静電容量は大き
く出来るが、誘電体である酸化膜３が薄くなりすぎ、漏
れ電流不良等の電気的特性の不良が増大する。また漏れ
電流不良等の電気的特性を改良するため、誘電体である
酸化膜３を厚くすると、静電容量が要求値を満足出来
ず、静電容量不良が増大する等の相、矛盾する条件を満
たすため、従来のタンタル固体電解コンデンサの化成電
圧は一般に定格電圧の４〜８倍（化成電圧倍率）とされ
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の様な問題点を解決
するには、誘電体である酸化膜を薄くしても耐電圧およ
び漏れ電流特性の良い酸化膜が必要となって来る。この
酸化膜の特性の向上のため、図１に示す如く、タンタル
金属微粉末に陽極導出線１を埋植し、プレスにてタンタ
ル金属微粉末を圧縮成形してペレットとし、このペレッ
トを真空中で焼結し、多孔質ペレット２とする。次に、
この多孔質ペレット２の表面に誘電体である酸化膜７を
生成するため、この多孔質ペレット２を０．５％パラタ
ングステン酸アンモニウム液中に浸漬し、タンタルコン
デンサ素子６より導出している陽極導出線１をパラタン
グステン酸アンモニウム液の間にコンデンサの定格電圧
の１．５〜２．８倍（化成電圧倍率）の化成電圧を印加
し、誘電体である酸化膜７を生成する。
するには、誘電体である酸化膜を薄くしても耐電圧およ
び漏れ電流特性の良い酸化膜が必要となって来る。この
酸化膜の特性の向上のため、図１に示す如く、タンタル
金属微粉末に陽極導出線１を埋植し、プレスにてタンタ
ル金属微粉末を圧縮成形してペレットとし、このペレッ
トを真空中で焼結し、多孔質ペレット２とする。次に、
この多孔質ペレット２の表面に誘電体である酸化膜７を
生成するため、この多孔質ペレット２を０．５％パラタ
ングステン酸アンモニウム液中に浸漬し、タンタルコン
デンサ素子６より導出している陽極導出線１をパラタン
グステン酸アンモニウム液の間にコンデンサの定格電圧
の１．５〜２．８倍（化成電圧倍率）の化成電圧を印加
し、誘電体である酸化膜７を生成する。
【０００７】次いで、前記酸化膜７の表面に半導体層で
ある二酸化マンガン層４を形成し、この半導体層の表面
に陰極層であるカーボン層５、銀ペースト層８を順次形
成し、タンタルコンデンサ素子６とすることにより、誘
電体である酸化膜７の特性が向上し、酸化膜７の厚さを
薄くしても耐電圧および漏れ電流特性が改善され従来の
同定格のチップ形タンタル固体電解コンデンサに比較し
て１ランク下の小さな寸法の外形にすることが出来、体
積にして従来の５０％の小形化が出来た。
ある二酸化マンガン層４を形成し、この半導体層の表面
に陰極層であるカーボン層５、銀ペースト層８を順次形
成し、タンタルコンデンサ素子６とすることにより、誘
電体である酸化膜７の特性が向上し、酸化膜７の厚さを
薄くしても耐電圧および漏れ電流特性が改善され従来の
同定格のチップ形タンタル固体電解コンデンサに比較し
て１ランク下の小さな寸法の外形にすることが出来、体
積にして従来の５０％の小形化が出来た。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施例をチップ形タンタ
ル固体電解コンデンサの定格１０Ｖ．ＤＣ、２．２μＦ
を側に図１によって説明する。公称１８ＫＣＶ値のタン
タル金属微粉末に直径０．２５mmの陽極導出線１である
タンタル線を埋植し、プレスで圧縮成形し０．７×１．
０×１．１mmのペレットとする。次に、このペレットを
真空中で２０００℃前後の温度で焼結して多孔質ペレッ
ト２とする。次いで、この多孔質ペレット２を５％のふ
っ酸中に１０分間浸漬した後取り出し、純水で洗浄後
０．５％パラタングステン酸アンモニウム液に浸漬し、
多孔質ペレット２の陽極導出線１と０．５％パラタング
ステン酸アンモニウム液の間に、コンデンサの定格電圧
である１０Ｖ．ＤＣの２．８倍（化成電圧倍率）の２８
Ｖ．ＤＣの電圧を印加して、多孔質ペレット２の表面に
誘電体である酸化膜７を生成する。
ル固体電解コンデンサの定格１０Ｖ．ＤＣ、２．２μＦ
を側に図１によって説明する。公称１８ＫＣＶ値のタン
タル金属微粉末に直径０．２５mmの陽極導出線１である
タンタル線を埋植し、プレスで圧縮成形し０．７×１．
０×１．１mmのペレットとする。次に、このペレットを
真空中で２０００℃前後の温度で焼結して多孔質ペレッ
ト２とする。次いで、この多孔質ペレット２を５％のふ
っ酸中に１０分間浸漬した後取り出し、純水で洗浄後
０．５％パラタングステン酸アンモニウム液に浸漬し、
多孔質ペレット２の陽極導出線１と０．５％パラタング
ステン酸アンモニウム液の間に、コンデンサの定格電圧
である１０Ｖ．ＤＣの２．８倍（化成電圧倍率）の２８
Ｖ．ＤＣの電圧を印加して、多孔質ペレット２の表面に
誘電体である酸化膜７を生成する。
【０００９】次に、誘電体である酸化膜７を生成した多
孔質ペレット２を硝酸マンガン溶液に浸漬した後、２５
０℃の温度で硝酸マンガンを熱分解して半導体層である
二酸化マンガン層４を形成する。次いで、半導体層であ
る二酸化マンガン層４を形成した多孔質ペレット２を
０．００１％の酢酸液中に浸漬し、多孔質ペレット２か
ら導出している陽極導出線１と酢酸液の間に１４Ｖ．Ｄ
Ｃの電圧を印加し、半導体層である二酸化マンガン層４
の形成時の熱による酸化膜７の損傷を修復する。前記二
酸化マンガン層４から酸化膜７の修復迄の操作を９回繰
り返す。次に、二酸化マンガン層４の表面にカーボンペ
ーストを塗布した後、乾燥して、カーボン層５を形成
し、このカーボン層５の表面に銀ペーストを添加した
後、乾燥して銀ペースト層８を順次形成し陰極層とし、
タンタルコンデンサ素子６とする。
孔質ペレット２を硝酸マンガン溶液に浸漬した後、２５
０℃の温度で硝酸マンガンを熱分解して半導体層である
二酸化マンガン層４を形成する。次いで、半導体層であ
る二酸化マンガン層４を形成した多孔質ペレット２を
０．００１％の酢酸液中に浸漬し、多孔質ペレット２か
ら導出している陽極導出線１と酢酸液の間に１４Ｖ．Ｄ
Ｃの電圧を印加し、半導体層である二酸化マンガン層４
の形成時の熱による酸化膜７の損傷を修復する。前記二
酸化マンガン層４から酸化膜７の修復迄の操作を９回繰
り返す。次に、二酸化マンガン層４の表面にカーボンペ
ーストを塗布した後、乾燥して、カーボン層５を形成
し、このカーボン層５の表面に銀ペーストを添加した
後、乾燥して銀ペースト層８を順次形成し陰極層とし、
タンタルコンデンサ素子６とする。
【００１０】次いで、タンタルコンデンサ素子６より導
出している陽極導出線１の先端部に洋白からなるリード
フレームである外部電極９を抵抗溶接し、陽極外部電極
９Ａとする。次に、陽極外部電極９Ａを取り付けたタン
タルコンデンサ素子６の銀ペースト層８にリードフレー
ムである外部電極９を導電性接着剤１１にて取り付けた
後、タンタルコンデンサ素子６をエポキシ樹脂を用いて
トランスファーモールド法で外装１２を行った後、リー
ドフレームからなる外部電極９以外の箇所を切断除去し
た後、外装１１に沿って外部電極９をフォーミングを行
い、チップ形タンタル固体電解コンデンサとする。
出している陽極導出線１の先端部に洋白からなるリード
フレームである外部電極９を抵抗溶接し、陽極外部電極
９Ａとする。次に、陽極外部電極９Ａを取り付けたタン
タルコンデンサ素子６の銀ペースト層８にリードフレー
ムである外部電極９を導電性接着剤１１にて取り付けた
後、タンタルコンデンサ素子６をエポキシ樹脂を用いて
トランスファーモールド法で外装１２を行った後、リー
ドフレームからなる外部電極９以外の箇所を切断除去し
た後、外装１１に沿って外部電極９をフォーミングを行
い、チップ形タンタル固体電解コンデンサとする。
【００１１】
【発明の効果】本発明のタンタル固体電解コンデンサ
は、以上の様に構成されるので、以下に記載する様な特
有な効果を奏する。図３に示す如く、漏れ電流不良率を
０．７％以下とした場合、従来品は最低化成電圧を４．
０以上にしなければならないのに対して、本発明の場合
の最低化成電圧倍率は１．５以上で良い。即ち化成電圧
倍率が低いと云うことは定格を１ランク向上させること
につながる。例えば、１０Ｖ．ＤＣ ２．２μＦのチッ
プ形タンタル固体電解コンデンサで従来と本発明との外
形寸法を比較して見ると外形寸法は従来の寸法３．４×
２．６×１．９mm（１６．８mm3）に対して本発明の外
形寸法は３．２×１．６×１．６（８．２mm3）と４９
％の小形化が達成出来た。
は、以上の様に構成されるので、以下に記載する様な特
有な効果を奏する。図３に示す如く、漏れ電流不良率を
０．７％以下とした場合、従来品は最低化成電圧を４．
０以上にしなければならないのに対して、本発明の場合
の最低化成電圧倍率は１．５以上で良い。即ち化成電圧
倍率が低いと云うことは定格を１ランク向上させること
につながる。例えば、１０Ｖ．ＤＣ ２．２μＦのチッ
プ形タンタル固体電解コンデンサで従来と本発明との外
形寸法を比較して見ると外形寸法は従来の寸法３．４×
２．６×１．９mm（１６．８mm3）に対して本発明の外
形寸法は３．２×１．６×１．６（８．２mm3）と４９
％の小形化が達成出来た。
【図１】本発明の断面図である。
【図２】従来のタンタルコンデンサ素子の断面図であ
る。
る。
【図３】本発明を従来品の化成電圧倍率と漏れ電流不良
率との関係図である。
率との関係図である。
１…陽極導出線 ２…多孔質ペレット ３…酸化膜 ４…二酸化マンガン層 ５…カーボン層 ６…タンタルコンデンサ素子 ７…酸化膜 ８…銀ペースト層 ９…外部電極 ９Ａ…陽極外部電極 ９Ｂ…陰極外部電極 １０…抵抗溶接 １１…導電性接着剤 １２…外装
【手続補正書】
【提出日】平成８年９月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】追加
【補正内容】
【発明の名称】 タンタル固体電解コンデン
サ
サ
Claims (2)
- 【請求項１】 タンタル金属微粉末内に陽極導出線を埋
植し、このタンタル金属微粉末をプレス圧縮成形したペ
レットを用い、このペレットを焼結した多孔質ペレット
に酸化膜を生成しこの表面に二酸化マンガン層、カーボ
ン層、銀ペースト層を順次形成してなるタンタル固体電
解コンデンサにおいて、酸化膜を生成させる化成液にパ
ラタングステン酸アンモニウムを使用することを特徴と
するタンタル固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 請求項１において、酸化膜化成時の化成
電圧が、コンデンサの定格電圧の１．５〜２．８倍（化
成電圧倍率）であることを特徴とするタンタル固体電解
コンデ ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12762496A JPH09293646A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | タンタル固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12762496A JPH09293646A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | タンタル固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293646A true JPH09293646A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14964698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12762496A Pending JPH09293646A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | タンタル固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293646A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189241A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| CN105118674A (zh) * | 2015-09-24 | 2015-12-02 | 株洲宏达电子有限公司 | 一种耐反压片式钽电容器及其制作方法 |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP12762496A patent/JPH09293646A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189241A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| CN105118674A (zh) * | 2015-09-24 | 2015-12-02 | 株洲宏达电子有限公司 | 一种耐反压片式钽电容器及其制作方法 |
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