JPH09129800A

JPH09129800A - リードフレームのエッチング加工装置

Info

Publication number: JPH09129800A
Application number: JP7300428A
Authority: JP
Inventors: Junichi Yamada; 淳一山田; Masaru Sasaki; 賢佐々木
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-10-26
Filing date: 1995-10-26
Publication date: 1997-05-16

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】半導体素子用リードフレームの高精細化、多
ピン化に対応でき、且つ一貫してリードフレームの外形
加工できるエッチング加工装置を提供する。【解決手段】連続する板状金属板素材を連続的ないし
間欠的に移動させながら、リードフレームをエッチング
により外形加工する装置であって、順次、板状の金属板
の表裏へレジスト膜形成手段と、該レジスト膜に対し、
金属板の表裏でそれぞれ所望の領域に露光する露光手段
と、露光されたレジスト膜の現像手段と、現像されたレ
ジスト膜を耐エッチングマスクとして、金属板の表裏面
から金属板をエッチングし、金属板を貫通せずに所定量
だけエッチングした後にエッチングを止める第一のエッ
チング手段と、形成された表裏面のいずれか一方の加工
孔に対する、エッチング抵抗層塗布手段と、金属板のエ
ッチング抵抗層を埋め込んでない面より、金属板をエッ
チングする第２のエッチング手段とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置用のリード
フレームのエッチング加工装置に関し、特に連続する板
状の薄い金属板を素材として、これを連続的ないし間欠
的に移動させながら、高精細なリードフレームを製造で
きるエッチング加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、樹脂封止型の半導体装置（プ
ラスチックパッケージ半導体装置）は、一般に、図１３
（ａ）に示されるような構造であり、半導体装置１３０
０は、半導体素子１３１０をリードフレームに搭載し、
半導体素子１３１０の電極パッド１３１１とリードフレ
ームのインナーリード１３２２の先端部とをワイヤ（金
線）１３３０で接続し、樹脂１３４０により封止したも
のである。そして、上記樹脂封止型の半導体装置の組立
部材として用いられているリードフレーム（単層リード
フレームと言う）は、一般に図１３（ｂ）に示すよう
に、半導体素子を搭載するためのダイパッド１３２１
と、ダイパッド１３２１の周囲に設けられ、半導体素子
と結線を行うためのインナーリード１３２２と、該イン
ナーリード１３２２に連結して一体となった外部回路と
の結線を行うためのアウターリード１３２３と、樹脂を
封止する際のダムとなるダムバー１３２４、リードフレ
ーム１３２０を支えるフレーム（枠）部１３２５等を備
えていた。このような単層リードフレームは、通常、コ
バール、４２合金（５２％ニッケル−鉄合金）、銅系合
金等の導電性に優れ、且つ強度が大きい金属をフォトリ
ソグラフィ技術を用いたエッチング加工方法やスタンピ
ング加工方法等により、加工されていた。

【０００３】このような、リードフレームを用いた半導
体装置においても、電子機器の軽薄短小の時流に伴う半
導体素子の高集積化が進み、小型化、薄型化、電極端子
の増大化（多端子化）等の要求が著しくなり、これらの
要求に応えて樹脂封止型半導体装置、特にＱＦＰ、ＴＱ
ＦＰ等ではリードフレームの高精細化、多ピン化の要求
が大きくなってきている。特に、半導体素子の信号処理
の高速化、高機能化は、更に多くの端子数を必要とする
ようになってきた。

【０００４】このような状況のもと、ＱＦＰ等では、イ
ンナーリードのピッチ、アウターリードピッチを狭める
ことにより、パッケージサイズを大きくすることなく多
端子化に対応してきた。従来、リードフレームの外形加
工は、比較的高精細なものはフォトリソグラフィー技術
を用いた図１２に示すエッチング加工により行われ、そ
うでないものはスタンピング法により行なわれていた
が、半導体装置の多端子化に伴う、インナーリードのピ
ッチの一層の狭ピッチ化加工に対応し、リードフレーム
素材の板厚を薄くして、エッチング加工することにより
微細化を達成する方法が採られようになってきた。ここ
で、簡単に図１２に示すエッチング加工方法を説明して
おく。先ず、銅合金、４２合金（４２％ニッケル−鉄合
金）等からなる薄板の、リードフレーム素材１２１０の
両表面を洗浄処理し（図１２（ａ））、重クロム酸カリ
ウムを感光剤とした水溶性カゼインレジスト等のフォト
レジスト１２２０をリードフレーム素材１２１０の表裏
の面に塗布する。（図１２（ｂ））次いで、所定形状のパターンが形成された露光マスク基
板を介して、高圧水銀灯でフォトレジスト１２２０を露
光した後、所定の現像液でフォトレジストを現像して所
定のリードフレーム形状と同じレジストパターン１２３
０を形成する。（図１２（ｃ））この後、レジストの硬膜処理、洗浄処理等を必要に応じ
て行った後、塩化第２鉄水溶液を主成分とするエッチン
グ液をスプレイにてリードフレーム素材１２１０の両面
に吹きつけ、レジストパターン１２３０にしたがった形
状にエッチングして貫通させる。（図１２（ｄ））このようにしてエッチングにより外形加工されていた
が、作製されたリードフレームは、この後、所定のエリ
アに銀めっきが施され、洗浄、乾燥等の処理を経て、イ
ンナーリード部を固定用接着剤付きポリイミドテープに
てテーピング処理したり、必要に応じて所定の両だけタ
ブ吊りバーを曲げ加工しダイパッド部をダウンセットし
ていた。しかしながら、上記エッチング加工方法の場
合、アウターリード部の板厚の薄肉化と狭ピッチ化を伴
い、アウターリード自体が薄く、幅が細くなり、強度が
低下するため、フォーミング等の後工程におけるアウタ
ーリードのスキュー対応やコープラナリイティー（平坦
性）維持が難しくなり、実装に際しては、パッケージ搭
載精度維持が難しくなるという実装面での問題を抱えて
いた。

【０００５】これに対応するため、インナーリード部の
みをプレスにより薄肉に形成する方法、またはリードフ
レームを外形加工した後にインナーリード先端をハーフ
エッチングによりリードフレーム素材より薄肉に形成す
る方法が提案されている。プレスによる方法において
は、インナーリード先端の平坦性、寸法精度に問題があ
り、上記ハーフエッチングによる方法の場合には、製版
工程が難しく、高精度が得られないという問題があっ
た。

【０００６】また、図１２に示す製造方法の場合、各工
程は、分離独立した装置にて行われ、各装置間では半製
品が搬送されたり、滞留したりしていた為、リードフレ
ームの外形加工までを一貫して行えるエッチング加工装
置が求められていた。尚、特開平６−５３３８４号公報
には、プレスによりアウターリード部の外形加工を行っ
た後に、ラミネーターでフォトレジストフィルムを貼付
け、レジストパターンを形成した後にインナーリードを
エッチングにより外形加工し、更に、めっき装置にてリ
ードフレームの必要箇所にめっきを施し、ダウンセット
等の後加工部を備えた「リードフレームの連続製造装
置」が開示されていが、この連続製造装置の場合には、
リードフレームの加工をプレスとエッチングの両方で行
うため、工程が複雑となり、各品種にも対応が難しいと
言う欠点がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、樹脂封
止型半導体装置、特にＱＦＰ、ＴＱＦＰにおいては、リ
ードフレームの高精細化、多ピン化の要求が著しく、近
年では、インナーリードピッチが０．１５〜０．１２ｍ
ｍまでの狭ピッチ化の要求がでてきており、その対応が
求められていた。本発明は、このような状況のもと、半
導体素子の多端子化、高集積度化に伴う、リードフレー
ムの高精細化、多ピン化に対応でき、且つ一貫してエッ
チング加工にて作製できるエッチング加工装置を提供し
ようとするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
のエッチング加工装置は、連続する板状の（薄い）金属
板を素材として、これを連続的ないし間欠的に移動させ
ながら、リードフレームをエッチングにより外形加工す
る装置であって、少なくとも、順に、板状の（薄い）金
属板の表裏にレジスト膜を形成するレジスト膜形成手段
と、金属板の表裏に形成されたレジスト膜に対し、金属
板の表裏でそれぞれ所望の領域に露光する露光手段と、
露光されたレジスト膜を現像する現像手段と、現像され
たレジスト膜を耐エッチングマスクとして、金属板の表
面およびまたは裏面から金属板をエッチングし、金属板
を貫通せずに所定量だけエッチング加工した後にエッチ
ングを止める第一のエッチング手段と、エッチング加工
により形成された表裏面のいずれか一方の加工孔に、エ
ッチング抵抗層を埋め込み塗布する、エッチング抵抗層
塗布（コーティング）手段と、金属板のエッチング抵抗
層を埋め込んだ側でない面より、金属板をエッチングす
る第２のエッチング手段と、を有することを特徴とする
ものである。そして、上記における金属板の表裏にレジ
スト膜を形成するレジスト膜形成手段が、フィルム上に
予めレジスト層が形成されたドライフィルムを用いて、
レジスト層のみを金属板面に転移させて形成するもので
あることを特徴とするものであり、エッチング抵抗層塗
布（コーティング）手段において、エッチング抵抗層塗
布する塗布ヘッドまたはエッチング抵抗層をエッチング
孔に押し込む押し込み部にほぼ向かい合う支持ローラ
（バックアップローラ）には、レジスト膜に粘着しにく
い材料を表面に形成したことを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、エッチング抵抗層を塗布し
た後に金属板を補強するための補強フィルムを貼着する
ラミネート手段を設けたことを特徴とするものである。

【０００９】

【作用】本発明のリードフレームのエッチング加工装置
は、上記のような構成にすることにより、リードフレー
ムの高精細化、多ピン化に対応でき、且つ一貫してエッ
チング加工にて作製できるエッチング加工装置の提供を
可能としている。具体的には、金属板にレジスト膜を形
成するレジスト膜形成手段が、フィルム上に予めレジス
ト層が形成されたドライフィルムを用いて、レジスト層
のみを金属板面に転移させて形成するものであることに
より、工程を簡単化するとともに、エッチング抵抗層塗
布（コーティング）手段において、エッチング抵抗層を
塗布する塗布ヘッドまたはエッチング抵抗層をエッチン
グ孔に押し込む押し込み部にほぼ向かい合う支持ローラ
（バックアップローラ）には、レジスト膜に粘着しにく
い材料を表面に形成していることにより、レジスト層と
の付着を防止して、レジスト層の破損による品質低下を
防止している。また、エッチング抵抗層を塗布した後に
金属板を補強するための補強フィルムを貼着するラミネ
ート手段を設けていることにより、エッチング時におけ
るスプレー圧による金属板のたわみを防止し、均一なエ
ッチングが行われるようにしている。同時に、高価なエ
ッチング抵抗層を薄くして安価にできる利点もある。

【００１０】

【実施例】本発明のリードフレームのエッチング加工装
置の実施例を図にそって説明する。先ず、実施例１のリ
ードフレームのエッチング加工装置を挙げる。実施例１
は、カゼインレジストを用い、連続する金属板からなる
素材を移動させながら、リードフレームをエッチングに
より外形加工する装置である。図１は、実施例１のリー
ドフレームのエッチング加工装置の概略図である。図１
中、１１０は金属板、１１１は前処理手段、１１２はレ
ジストコーティング手段、１１３は乾燥手段、１１４は
露光手段、１１５は現像手段、１１６は硬膜、水洗、乾
燥手段、１１７は第１のエッチング手段、１１８は水洗
乾燥手段、１１９はエッチング抵抗層塗布手段、１２０
は第２のエッチング手段、１２１は水洗手段、１２２は
剥膜手段、１２３は水洗乾燥手段である。

【００１１】以下、図１に示す本実施例の製造装置を、
処理工程順に説明する。尚、説明を分かり易くするため
に、本実施例により作製されるリードフレームを図３に
挙げ、図３（ａ）のＡ１−Ａ２に相当する各工程の断面
図を図４に挙げておく。図３（ａ）本装置により作製さ
れるリードフレームの平面図で、図３（ｂ）は図３
（ａ）のＢ１−Ｂ２における断面図で、図３（ｃ）はイ
ンナリード先端部の断面を示したものである。先ず、図
１に示すように、連続する金属板１１０は、前処理手段
１１１にて、脱脂、洗浄、乾燥等の処理を行い、この後
レジストコーティング手段１１２にて、金属板１１１の
両面にカゼインレジストを塗布する。前処理手段１１１
は、とくにその態様を限定されない、従来の脱脂液、洗
浄液、水等金属板の両側から吹きかけるようなもので良
い。レジストコーティング手段１１２はカゼインレジス
トを貯めた液中を連続する金属板１１０を通し、金属板
の両側からローラー（スキージー）をあてて、所定の厚
さに制御して塗布するものであるが、これに限定されな
い。例えば、ミヤバー等にて金属板１１０の両側から塗
布するようにしても良い。次いで、乾燥手段１１３を通
し、金属板１１０に塗布されたレジストを乾燥する。乾
燥手段１１３としては、温風を送風しながら所定の温度
で乾燥を行うが、複数の乾燥室に分かれて各室を所定の
温度、湿度に設定できることが好ましい。次いで、露光
手段１１４にて、金属板１１０の両面から所定のパター
ン形状をもつパターン版を介して、レジストの所定の領
域にのみ露光する。露光手段１１４としては、金属板の
表裏にそれぞれ露光するためのパターン版を密着させ、
且つ、表裏のパターン版を正確に位置合わせできるもの
で、高圧水銀灯にて露光する。特に二重真空方式による
密着が高速で密着でき生産面では好ましい。次いで、現
像手段１１５にて、レジストを現像して所定形状のカゼ
インレジストパターンを得る。（図４（ａ））現像手段１１５は、チャンバー内で金属板１１０の両側
からノズルにより所定温度の現像液（湯水）を流しかけ
て行う。この後、硬膜、水洗、乾燥手段１１６にて、カ
ゼインレジストの硬膜処理を行った後、水洗、乾燥処理
を行う。次に、第１のエッチング手段１１７にて、金属
板の両側から第１のエッチングを行い、貫通孔があかな
い所定量のエッチングをした後、エッチングを停止す
る。（図４（ｂ））第１のエッチング手段１１７は、図６（ａ）に示すよう
に、チャンバー６２６内でエッチング液６２１を所定圧
でノズル（スプレー）６２２から金属板１１０へ吹きか
けるもので、金属板１１０を略水平にしながら金属板の
上下からエッチング液を所定の圧で吹きかける。ノズル
は、エッチングが均一にはいるように、所定の位置に、
複数設け、且つ、金属板１１０の進行方向に直交する方
向に所定の角度で所定の周期にて首を振るようにして吹
きつけるものが好ましい。次に、水洗、乾燥手段１１８
にて、エッチング液を除去し、乾燥する。水洗、乾燥手
段１１８における水洗は、ノズルにて水を吹きかけるも
ので、十分水を除去した後、熱風（ヒータ）にて乾燥す
るものである。

【００１２】次に、エッチング抵抗層塗布手段１１９に
て、金属板１１０の一方のエッチング孔に耐エッチング
性のあるエッチング抵抗層を埋め込む。（図４（ｃ））エッチング抵抗層塗布手段１１９は、図７（ａ）に示す
ように、コーティングヘッド７１０を用い、耐エッチン
グ性のあるホットメルト型ワックス（ザ・インクテック
社製の酸ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ６）等をエッチング
孔に埋め込み、後述する２回目のエッチングに対するエ
ッチング抵抗層とするものである。尚、エッチング抵抗
層は、埋め込まれた金属板の面全面を覆うようできるも
のが好ましい。エッチング抵抗層塗布手段１１９として
は、図７（ｂ）に示すように、第１のコーティングヘッ
ド７２０Ａ、第２のコーティングヘッド７２０Ｂを持
ち、初めに第１のコーティングヘッド７２０Ａにより、
エッチング孔７２４にエッチング抵抗層７２２を埋め込
み、これを押し込み部材７２５で確実に押し込み、且
つ、平坦状にした後、第２のコーティングヘッド７２０
Ｂにて全面に塗布する方式のものでも良い。この方式の
ものは図７（ａ）に示すものに比べ、エッチング抵抗層
７２２の孔部への充填を確実にするとともに、全体の被
膜も確実なものとできる。尚、図７（ａ）、図７（ｂ）
において、コーティングヘッドと対向する金属板１１０
の反対側の位置、押し込み部材７２５と対向する金属板
１１０（リードフレーム素材）の反対側の位置には、こ
れらからの圧に対向できるように支持ローラ（７１３、
７２３Ａ、７２３Ｂ、７２３Ｃ）が設けられている。ま
た、エッチング抵抗層塗布手段１１９としては、図８に
示すような構成にしても良い。図８は、金属板１１０
（リードフレーム素材）が支持ローラ（バックアップロ
ーラ）に巻きつけて搬送される場合の装置例である。第
１のコーティングヘッド７３０Ａで下から塗布し、支持
ローラと同じ方向に回転するローラ等からなる押し込み
部材７３５により孔部に確実に埋め込み、且つ、平坦状
した後、第２のコーティンクヘッド７３０Ｂで上から塗
布するものである。７３７、７３７Ａは、金属板１１０
（リードフレーム素材）をガイドするガイドローラであ
る。尚、前記ローラからなる押し込み部材７３５を支持
ローラと逆の方向に回転させると不要なエッチング抵抗
層をかき落としながらリードフレームの孔部に抵抗層を
埋め込める効果が増す。

【００１３】次いで、第２エッチング手段１２０によ
り、金属板１１０のエッチング抵抗層が埋め込まれてい
ない面側から金属板１１０をエッチングする２回目のエ
ッチングを行い、金属板１１０を貫通させる。（図４
（ｄ））第２エッチング手段１２０は、第１エッチング手段と同
様で、チャンバー内で、ノズルからエッチング液を吹き
かけるものであるが、図６（ｂ）に示すように、補強フ
ィルム６３０をエッチング抵抗層６１１に沿わせて貼付
け、エッチング液６２１の圧による金属板１１０のたわ
みを抑えるとさらに良い。これにより、金属板１１０の
たわみに起因するエッチングの不均一を防いでいる。次
いで、水洗手段１２１にて、エッチング液を除去した
後、剥膜手段１２２にて、カゼインレジスト、エッチン
グ抵抗層を除去し、水洗乾燥手段１２３にて洗浄し、乾
燥して、図３に示すリードフレームを得る。（図４
（ｅ））水洗手段１２１はノズルにより水を吹きかけるもので、
剥膜手段１２２は槽内にアルカリ溶液を貯めて、この中
に金属板１１０を通すもので、アルカリ可溶のエッチン
グ抵抗層とカゼインレジストの剥膜を行うものである。
水洗乾燥装置１２３は、ノズルにより水を吹きかけて洗
浄し、熱風（ヒータ）にて乾燥するものである。

【００１４】上記実施例の装置においては、図４に示す
エッチング方法に代え、図５に示すエッチング方法を用
いても良い。尚、図５も図４に相当する位置でのエッチ
ング工程を示すものである。図５に示すエッチング加工
方法は、第１回目のエッチング工程までは、図４に示す
方法と同じであるが、エッチング抵抗層４８０を第二の
凹部４６０側に埋め込んだ後、第一の凹部４５０側から
第２回目のエッチングを行い、貫通させる点で異なって
いる。但し、第１回目のエッチングにて第二開口部４４
０からのエッチングを十分行っておく。図４や図５に示
す方法のようにエッチングを２段階にわけて行う方法
を、一般には２段エッチング加工方法と言っており、特
に、微細加工に有利な加工方法である。図４や図５に示
す方法の場合は、２段エッチング加工方法と、パターン
形状を工夫することにより部分的にリードフレーム素材
を薄くしながら外形加工する方法とが共に用いられてい
る。図４、図５に示すエッチング加工方法によるインナ
ーリード先端薄肉部３１０Ａの微細加工は、第二の凹部
４６０の形状と、最終的に用いられるインナーリード先
端薄肉部の厚さｔに左右されるもので、例えば、板厚ｔ
を５０μｍまで薄くすると、図４（ｅ）に示す平坦幅Ｗ
１を１００μｍとして、インナーリード先端薄肉部３１
０Ａのピッチｐが０．１５ｍｍまで微細加工可能とな
る。板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平坦幅Ｗ１を７
０μｍ程度とすると、インナーリード薄肉部３１０Ａの
ピッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工できるが、板
厚、平坦幅Ｗ１のとり方次第ではインナーリード先端薄
肉部３１０Ａのピッチｐは更に狭いピッチまで作製可能
となる。

【００１５】次いで、実施例２のリードフレームのエッ
チング加工装置を挙げる。実施例２は、フィルム上に予
めレジスト層が形成されたドライフィルムを用いて、レ
ジスト層のみを金属板面に転移させてレジストの製版を
行う装置である。図２は、実施例２のリードフレームの
エッチング加工装置の概略図である。図２中、２１１は
前処理手段、２１２はラミネータ、２１３は露光手段、
２１４は支持フィルム巻き取り手段、２１５は現像手
段、２１６は硬膜、水洗、乾燥手段、２１７は第１のエ
ッチング手段、２１８は水洗乾燥手段、２１９はエッチ
ング抵抗層塗布手段、２２０は第２のエッチング手段、
２２１は水洗手段、２２２は第１の剥膜手段、２２３は
第２の剥膜手段、２２４は水洗乾燥手段である。本実施
例は、実施例１におけるカゼインレジストの塗布に代
え、ラミネータ２１２を用い、フィルム上に予めレジス
ト層が形成されたドライフィルムを金属板面に転移させ
て、耐エッチング性のレジスト層を設けて金属板を処理
する装置である。図２に示すように、各手段を設けてい
るが、ドライフィルムのレジストを支持するフィルムを
巻きとるための支持フィルム巻き取り手段２１４は露光
手段２１３の前に設けても良い。

【００１６】ラミネータ２１２としては、図１０に示す
ようにして、レジストを金属板１１０に貼付ける方式の
ものであるが、ここでは、簡便のため金属板１１０の片
側のみに貼付ける図を示しているが、実際には両側から
貼る。以下、図１０を用いてレジストを金属板１１０に
貼付ける方式を簡単に説明する。尚、図１０は、説明を
簡単にするため、金属板１１０の片側のみにレジストを
貼付ける場合のものを示してあり、図１０（ｂ）、図１
０（ｃ）、図１０（ｄ）は、それぞれ、図１０（ａ）の
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３における状態を拡大して示したもので
ある。先ず、図１０（ｂ）に示す層構成のドライフィル
ム１０２０は供給部１０３０から供給されると、ガイド
ローラ１０７０を経て保護フィルム１０２３のみがロー
ル１０４０に巻き取られる。そして、ドライフィルム１
０２０は保護フィルム１０２３が剥離された状態で、ロ
ーラ１０５０により金属板１１０と熱圧着される。熱圧
着後の層構成は図１０（ｃ）に示すように、金属板１１
０側にレジスト層１０２２が貼付けられた状態となる。
この後、ガイドローラ１０７１を経てベースフィルム１
０２１のみがロール１０６０に巻きとられる。このよう
にして、金属板１１０側からベースフィルム１０２１が
剥離されて、金属板１１０にレジスト層１０２２のみが
貼付けられた状態となり、レジスト１０２２の貼着が終
了する。ここで用いられるドライフィルム１０２０によ
り貼着されるレジスト層１０２２は一般に軟化温度が低
い。８０〜１８０°Ｃに加熱されたエッチング抵抗層を
コーティングする際に、コーティングする側と反対の側
にあるレジスト層１０２２と支持ローラー（パックアッ
プ）との付着が問題となってくる。尚、実施例１の装置
で使用するカゼインレジストでは問題がない。このた
め、図９（ａ）に示すように、シリコンゴム材を使用し
たり、図９（ｂ）に示すように金属ロールの表面にシ
リコン層をコーティングしたり、図９（ｃ）に示すよう
に、金属ローラに接着材を介してシリコンテープを貼付
して、レジストと支持ローラとの粘着を防止している。
ここではシリコンテープを貼付したローラを用いる場合
はシリコンテープが汚れてもすぐに貼り替えることがで
きるメリットがある。また、実施例１の剥膜手段１２２
に代え、エッチング抵抗層を剥離する第１の剥膜手段２
２３とレジスト層を剥離する第２の剥離手段２２４を設
けたものである。エッチング抵抗層及びドライフィルム
のレジストはアルカリ可溶でアルカリ溶液で剥離する。

【００１７】次に、上記実施例によって作製されるリー
ドフレームについて、図３に基づいて説明する。図３に
示すように、インナーリード３１０の先端は、リードフ
レームの素材の厚さより薄肉に形成され、それ以外の部
分はリードフレームの素材に形成されている。インナー
リード先端薄肉部３１０Ａは、既に述べたように、図４
（ｂ）に示すように１回目のエッチングにより、薄肉と
して、図４（ｄ）に示すようにエッチング抵抗層を埋め
た状態で、２回目のエッチングにより貫通させるため、
高精細な加工が可能であり、これにより、図３に示すリ
ードフレーム３００は、インナーリードの狭ピッチ化に
対応でき、半導体素子の多端子化に対応できるものであ
る。具体的には、リードフレーム素材の厚さを０．１５
ｍｍとした場合に、インナーリード先端薄肉部３１０Ａ
の厚さｔは４０μｍとすることができ、インナーリード
ピッチを０．１２ｍｍとすることができた。また、図３
（ｃ）に示すように、インナーリード先端薄肉部３１０
Ａの断面は、エッチングによる平坦面３１０Ａｂとリー
ドフレームの素材の面をもち、しかも、エッチング面３
１０Ａｃ、３１０Ａｂがリード側に凹んだ形状であるた
め、ボンディングの平坦幅を大きくとれる構造となって
いる。また、インナーリード先端薄肉部３１０Ａを除
き、アウターリード３３０他がリードフレーム素材と同
じ厚さに形成されているため、半導体装置に用いられ回
路基板に実装される際には、インナーリード３１０の狭
ピッチ化を達成するとともに、リードフレーム３００全
体を強固なものとしている。

【００１８】更に、図３に示す、インナーリード３１０
の先端をリードフレーム素材よりも薄肉としたリードフ
レーム３００を用い、１例として、図１１に示すＬＯＣ
タイプの半導体装置を作製した場合について、簡単に説
明する。図１１に示す半導体装置は、半導体素子１１１
０の１面側をダイパッド１１２１からインナーリード１
１２２にかけて搭載したもので、半導体素子１１１０の
リードフレーム側面の、ダイパッド１１２１とインナー
リード１１２２との間に電極パッド１１１１を設けてお
り、電極パッド１１１１とインナーリード先端薄肉部３
１０Ａとをワイヤ１１３０にてボンディングして電気的
に結線したものである。図１１に示すような、ＬＯＣタ
イプの半導体装置は、電極パッド１１１１の数を、図１
３に示す半導体装置１１００の場合のように、半導体素
子１１１０周辺のインナーリード１１２２側が限定され
ることないため多くとれるが、図３に示すリードフレー
ムの場合は狭ピッチ化が可能であるため、このような構
造にも対応できる。

【００１９】

【発明の効果】本発明のリードフレームの製造装置は、
上記のように、リードフレームの高精細化、多ピン化に
対応でき、且つ、実装にも耐えるリードフレームの外形
加工を一貫して行えるエッチング加工装置の提供を可能
としている。結果として、樹脂封止型半導体装置、特に
ＱＦＰ、ＴＱＦＰの多端子化、高集積度化に対応できる
ものとしている。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のリードフレームの製造装置の概略構
成図

【図２】実施例２のリードフレームの製造装置の概略構
成図

【図３】実施例装置により作製されるリードフレームの
図

【図４】実施例装置におけるリードフレーム製造工程を
説明するための断面図

【図５】実施例装置におけるリードフレーム製造工程を
説明するための断面図

【図６】エッチング装置の概略図

【図７】エッチング抵抗層コーティング装置の概略図

【図８】エッチング抵抗層コーティング装置の概略図

【図９】支持ローラの構造を説明するための図

【図１０】ラミネータを説明するための図

【図１１】本実施例装置にて作製された半導体装置の断
面図

【図１１】従来のエッチング方法を説明するための図

【図１２】半導体装置とリードフレームを説明するため
の図

【符号の説明】

１１０、２１０金属板１１１、２１１前処理手段１１２レジストコーティング手
段１１３乾燥手段１１４、露光手段１１５、２１５現像手段１１６、２１６硬膜、水洗、乾燥手段１１７、２１７第１のエッチング手段１１８、２１８水洗乾燥手段１１９、２１９エッチング抵抗層塗布手
段１２０、２２０第２のエッチング手段１２１、２２１水洗手段１２２剥膜手段１２３水洗乾燥手段２１２ラミネータ２１３露光手段２１４支持フィルム巻き取り手
段２２２第１の剥膜手段２２３第２の剥膜手段２２４水洗乾燥洗手段３００リードフレーム３１０インナーリード３１０Ａインナーリード先端薄肉
部３２０ダイパッド３３０アウターリード３４０ダムバー３５０フレーム（枠部）４１０リードフレーム素材４２０Ａ、４２０Ｂレジストパターン４３０第１の開口部４４０第２の開口部４５０第一の凹部４６０第二の凹部４７０平坦部４８０エッチング抵抗層６１１エッチング抵抗層６１２Ａ、６１２Ｂエッチング孔部６２１エッチング液６２２ノズル（スプレー）６２３フィルター６２４タンク６２５ボンプ６２６エッチングチャンバー６３０補強フィルム６３１ガイドロール６３２フィルム供給部６３３フィルム巻取り部（排出
部）７１０塗布ヘッド７２０Ａ、７３０Ａ第１の塗布ヘッド７２０Ｂ、７３０Ｂ第２の塗布ヘッド７１１、７２１、７３１レジスト層７１２、７２２、７３２エッチング抵抗層７１３、７２３Ａ、７２３Ｂ、７２３Ｃ、７３３支持
ローラ７１４、７２４孔部７２５、７３５押し込み部材（へら）９１０、９２０、９３０支持ローラ（バックアッ
プローラ）９１１ローラ芯９１２シリコンゴム９２１、９３１金属ローラ９２２シリコンコーティング層９３２接着層９３３シリコンテープ１０２０トライフィルム１０２１ベースフィルム１０２２レジスト層１０２３保護フィルム１０３０供給部１０４０、１０６０ローラ１０５０熱圧着ローラ１０７０、１０７１ガイドローラ１１００半導体装置１１１０半導体素子１１１１電極（パッド）１１２１ダイパッド１１２２インナーリード１１２３アウターリード１１３０ワイヤ１１４０樹脂１２１０リードフレーム１２２０フォトレジスト１２３０レシストパターン１２４０インナーリード１３００半導体装置１３１０半導体素子１３１１電極（パッド）１３２０単層リードフレーム１３２１ダイパッド部１３２２インナーリード１３２３アウターリード１３２４ダムバー１３２５フレーム（枠）部１３３０ワイヤ１３４０樹脂

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年２月２８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図３】実施例装置により作製されるリードフレームの
図

【図６】エッチング装置の概略図

【図７】エッチング抵抗層コーティング装置の概略図

【図８】エッチング抵抗層コーティング装置の概略図

【図９】支持ローラの構造を説明するための図

【図１０】ラミネータを説明するための図

【図１２】従来のエッチング方法を説明するための図

【図１３】半導体装置とリードフレームを説明するため
の図

【符号の説明】１１０、２１０金属板１１１、２１１前処理手段１１２レジストコーティング手
段１１３乾燥手段１１４、露光手段１１５、２１５現像手段１１６、２１６硬膜、水洗、乾燥手段１１７、２１７第１のエッチング手段１１８、２１８水洗乾燥手段１１９、２１９エッチング抵抗層塗布手
段１２０、２２０第２のエッチング手段１２１、２２１水洗手段１２２剥膜手段１２３水洗乾燥手段２１２ラミネータ２１３露光手段２１４支持フィルム巻き取り手
段２２２第１の剥膜手段２２３第２の剥膜手段２２４水洗乾燥洗手段３００リードフレーム３１０インナーリード３１０Ａインナーリード先端薄肉
部３２０ダイパッド３３０アウターリード３４０ダムバー３５０フレーム（枠部）４１０リードフレーム素材４２０Ａ、４２０Ｂレジストパターン４３０第１の開口部４４０第２の開口部４５０第一の凹部４６０第二の凹部４７０平坦部４８０エッチング抵抗層６１１エッチング抵抗層６１２Ａ、６１２Ｂエッチング孔部６２１エッチング液６２２ノズル（スプレー）６２３フィルター６２４タンク６２５ボンプ６２６エッチングチャンバー６３０補強フィルム６３１ガイドロール６３２フィルム供給部６３３フィルム巻取り部（排出
部）７１０塗布ヘッド７２０Ａ、７３０Ａ第１の塗布ヘッド７２０Ｂ、７３０Ｂ第２の塗布ヘッド７１１、７２１、７３１レジスト層７１２、７２２、７３２エッチング抵抗層７１３、７２３Ａ、７２３Ｂ、７２３Ｃ、７３３支持
ローラ７１４、７２４孔部７２５、７３５押し込み部材（へら）９１０、９２０、９３０支持ローラ（バックアッ
プローラ）９１１ローラ芯９１２シリコンゴム９２１、９３１金属ローラ９２２シリコンコーティング層９３２接着層９３３シリコンテープ１０２０トライフィルム１０２１ベースフィルム１０２２レジスト層１０２３保護フィルム１０３０供給部１０４０、１０６０ローラ１０５０熱圧着ローラ１０７０、１０７１ガイドローラ１１００半導体装置１１１０半導体素子１１１１電極（パッド）１１２１ダイパッド１１２２インナーリード１１２３アウターリード１１３０ワイヤ１１４０樹脂１２１０リードフレーム１２２０フォトレジスト１２３０レシストパターン１２４０インナーリード１３００半導体装置１３１０半導体素子１３１１電極（パッド）１３２０単層リードフレーム１３２１ダイパツド部１３２２インナーリード１３２３アウターリード１３２４ダムバー１３２５フレーム（枠）部１３３０ワイヤ１３４０樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｒ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】連続する板状の金属板を素材として、こ
れを連続的ないし間欠的に移動させながら、リードフレ
ームをエッチングにより外形加工する装置であって、少
なくとも、順に、板状の金属板の表裏にレジスト膜を形
成するレジスト膜形成手段と、金属板の表裏に形成され
たレジスト膜に対し、金属板の表裏でそれぞれ所望の領
域に露光する露光手段と、露光されたレジスト膜を現像
する現像手段と、現像されたレジスト膜を耐エッチング
マスクとして、金属板の表面およびまたは裏面から金属
板をエッチングし、金属板を貫通せずに所定量だけエッ
チング加工した後にエッチングを止める第一のエッチン
グ手段と、エッチング加工により形成された表裏面のい
ずれか一方の加工孔に、エッチング抵抗層を埋め込み塗
布する、エッチング抵抗層塗布手段と、金属板のエッチ
ング抵抗層を埋め込んだ側でない面より、金属板をエッ
チングする第２のエッチング手段と、を有することを特
徴とするリードフレームのエッチング加工装置。
【請求項２】請求項１における金属板の表裏にレジス
ト膜を形成するレジスト膜形成手段が、フィルム上に予
めレジスト層が形成されたドライフィルムを用いて、レ
ジスト層のみを金属板面に転移させて形成するものであ
ることを特徴とするリードフレームのエッチング加工装
置。
【請求項３】請求項２におけるエッチング抵抗層塗布
手段において、エッチング抵抗層塗布する塗布ヘッドま
たはエッチング抵抗層をエッチング孔に押し込む押し込
み部にほぼ向かい合う支持ローラには、レジスト膜に粘
着しにくい材料を表面に形成したことを特徴とするリー
ドフレームのエッチング加工装置。
【請求項４】請求項１ないし３において、エッチング
抵抗層を塗布した後に金属板を補強するための補強フィ
ルムを貼着するラミネート手段を設けたことを特徴とす
るリードフレームのエッチング加工装置。