JPH07335804A - リードフレーム及びリードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びリードフレームの製造方法Info
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- JPH07335804A JPH07335804A JP6154323A JP15432394A JPH07335804A JP H07335804 A JPH07335804 A JP H07335804A JP 6154323 A JP6154323 A JP 6154323A JP 15432394 A JP15432394 A JP 15432394A JP H07335804 A JPH07335804 A JP H07335804A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の多ピン化、微細化に伴う、イン
ナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき、且
つ、後工程にも対応できる高精細なリードフレームを提
供する。 【構成】 樹脂封止型半導体装置等に用いられるリード
フレームをエッチングプロセスによって作製する方法で
あって、両面に所定形状のレジストパターンが形成され
たリードフレーム素材に対し、リードフレーム素材の両
面から腐蝕液による第一のエッチング加工を行い、一方
の面側をベタ状（平坦状）に所定量腐蝕してエッチング
加工を止め、ベタ状に腐蝕された部分に、耐エッチング
性のあるエッチング抵抗層を埋め込み、他方の面側から
第二のエッチング加工を行い、インナーリード先端部を
貫通させる。
ナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき、且
つ、後工程にも対応できる高精細なリードフレームを提
供する。 【構成】 樹脂封止型半導体装置等に用いられるリード
フレームをエッチングプロセスによって作製する方法で
あって、両面に所定形状のレジストパターンが形成され
たリードフレーム素材に対し、リードフレーム素材の両
面から腐蝕液による第一のエッチング加工を行い、一方
の面側をベタ状（平坦状）に所定量腐蝕してエッチング
加工を止め、ベタ状に腐蝕された部分に、耐エッチング
性のあるエッチング抵抗層を埋め込み、他方の面側から
第二のエッチング加工を行い、インナーリード先端部を
貫通させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，リードフレームとその
製造方法に関し、特に、エッチングプロセスによって作
製される高精細のリードフレームとその製造方法に関す
る。
製造方法に関し、特に、エッチングプロセスによって作
製される高精細のリードフレームとその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図４に示されるような構造であり、半導体装
置４０は、半導体素子を４２％ニッケル−鉄合金等から
なるリードフレームに搭載した後に、樹脂４５により封
止してパッケージとしたもので、半導体素子４１の電極
パッド４６に対応できる数のインナーリード４３を必要
とするものである。そして、半導体素子４１を搭載する
ダイパッド部４２や周囲の回路との電気的接続を行うた
めのアウターリード部４４、アウターリード部４４に一
体となったインナーリード部４３、該インナーリード部
４３の先端部と半導体素子４１の電極パッド４６とを電
気的に接続するためのワイヤ４７、半導体素子４１を封
止して外界からの応力、汚染から守る樹脂４５等からな
っている。このようなリードフレームを利用した樹脂封
止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッケ
ージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流と半導
体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端子の増
大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装置、特に
ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）及びＴ
ＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなってきた。上
記の半導体装置に用いられるリードフレームは、微細な
ものはフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング加
工方法により作製され、微細でないものはプレスによる
加工方法による作製されるのが一般的であったが、この
ような半導体装置の多ピン化に伴い、リードフレームに
おいても、インナーリード部先端の微細化が進み、微細
なものに対しは、プレスによる打ち抜き加工によらず、
リードフレーム部材の板厚が０．２５ｍｍ程度のものを
用い、エッチング加工で対応してきた。このエッチング
加工方法の工程について以下、図５に基づいて簡単に述
べておく。先ず、銅合金もしくは４２％ニッケル−鉄合
金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄板（リードフレー
ム素材５１）を十分洗浄（図５（ａ））した後、重クロ
ム酸カリウムを感光材とした水溶性カゼインレジスト等
のフオトレジスト５２を該薄板の両表面に均一に塗布す
る。（（図５（ｂ））次いで、所定のパターンが形成さ
れたマスクを介して高圧水銀灯でレジスト部を露光した
後、所定の現像液で該感光性レジストを現像して（図５
（ｃ））、レジストパターン５３を形成し、硬膜処理、
洗浄処理等を必要に応じて行い、塩化第二鉄水溶液を主
たる成分とするエッチング液にて、スプレイにて該薄板
（リードフレーム素材５１）に吹き付け所定の寸法形状
にエッチングし、貫通させる。（図５（ｄ））次いで、
レジスト膜を剥膜処理し（図５（ｅ））、洗浄後、所望
のリードフレームを得て、エッチング加工工程を終了す
る。このように、エッチング加工等によって作製された
リードフレームは、更に、所定のエリアに銀メッキ等が
施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経て、インナ
ーリード部を固定用の接着剤付きポリイミドテープにて
テーピング処理したり、必要に応じて所定の量タブ吊り
バーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセットする処
理を行う。しかし、エッチング加工方法においては、エ
ッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向の他に板幅
（面）方向にも進むため、その微細化加工にも限度があ
るのが一般的で、図５に示すように、リードフレーム素
材の両面からエッチングするため、ラインアンドスペー
ス形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、板厚の５０
〜１００％程度と言われている。又、リードフレームの
後工程等のアウターリードの強度を考えた場合、一般的
には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要とされてい
る。この為、図５に示すようなエッチング加工方法の場
合、リードフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜０．１２５
ｍｍ程度まで薄くすることにより、ワイヤボンデイング
のための平坦幅が少なくとも７０〜８０μｍ必要である
ことより、０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナー
リード部先端のエッチングによる加工を達成してきた
が、これが限度とされていた。
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図４に示されるような構造であり、半導体装
置４０は、半導体素子を４２％ニッケル−鉄合金等から
なるリードフレームに搭載した後に、樹脂４５により封
止してパッケージとしたもので、半導体素子４１の電極
パッド４６に対応できる数のインナーリード４３を必要
とするものである。そして、半導体素子４１を搭載する
ダイパッド部４２や周囲の回路との電気的接続を行うた
めのアウターリード部４４、アウターリード部４４に一
体となったインナーリード部４３、該インナーリード部
４３の先端部と半導体素子４１の電極パッド４６とを電
気的に接続するためのワイヤ４７、半導体素子４１を封
止して外界からの応力、汚染から守る樹脂４５等からな
っている。このようなリードフレームを利用した樹脂封
止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッケ
ージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流と半導
体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端子の増
大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装置、特に
ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）及びＴ
ＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなってきた。上
記の半導体装置に用いられるリードフレームは、微細な
ものはフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング加
工方法により作製され、微細でないものはプレスによる
加工方法による作製されるのが一般的であったが、この
ような半導体装置の多ピン化に伴い、リードフレームに
おいても、インナーリード部先端の微細化が進み、微細
なものに対しは、プレスによる打ち抜き加工によらず、
リードフレーム部材の板厚が０．２５ｍｍ程度のものを
用い、エッチング加工で対応してきた。このエッチング
加工方法の工程について以下、図５に基づいて簡単に述
べておく。先ず、銅合金もしくは４２％ニッケル−鉄合
金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄板（リードフレー
ム素材５１）を十分洗浄（図５（ａ））した後、重クロ
ム酸カリウムを感光材とした水溶性カゼインレジスト等
のフオトレジスト５２を該薄板の両表面に均一に塗布す
る。（（図５（ｂ））次いで、所定のパターンが形成さ
れたマスクを介して高圧水銀灯でレジスト部を露光した
後、所定の現像液で該感光性レジストを現像して（図５
（ｃ））、レジストパターン５３を形成し、硬膜処理、
洗浄処理等を必要に応じて行い、塩化第二鉄水溶液を主
たる成分とするエッチング液にて、スプレイにて該薄板
（リードフレーム素材５１）に吹き付け所定の寸法形状
にエッチングし、貫通させる。（図５（ｄ））次いで、
レジスト膜を剥膜処理し（図５（ｅ））、洗浄後、所望
のリードフレームを得て、エッチング加工工程を終了す
る。このように、エッチング加工等によって作製された
リードフレームは、更に、所定のエリアに銀メッキ等が
施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経て、インナ
ーリード部を固定用の接着剤付きポリイミドテープにて
テーピング処理したり、必要に応じて所定の量タブ吊り
バーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセットする処
理を行う。しかし、エッチング加工方法においては、エ
ッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向の他に板幅
（面）方向にも進むため、その微細化加工にも限度があ
るのが一般的で、図５に示すように、リードフレーム素
材の両面からエッチングするため、ラインアンドスペー
ス形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、板厚の５０
〜１００％程度と言われている。又、リードフレームの
後工程等のアウターリードの強度を考えた場合、一般的
には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要とされてい
る。この為、図５に示すようなエッチング加工方法の場
合、リードフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜０．１２５
ｍｍ程度まで薄くすることにより、ワイヤボンデイング
のための平坦幅が少なくとも７０〜８０μｍ必要である
ことより、０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナー
リード部先端のエッチングによる加工を達成してきた
が、これが限度とされていた。
【０００３】しかしながら、近年、樹脂封止型半導体装
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄した場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後
工程におけるアウターリードの強度確保が難しいという
点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加
工を行う方法にも限界が出てきた。
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄した場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後
工程におけるアウターリードの強度確保が難しいという
点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加
工を行う方法にも限界が出てきた。
【０００４】これに対応する方法として、アウターリー
ドの強度を確保したまま微細化を行う方法で、インナー
リード部分をハーフエッチングもしくはプレスにより薄
くしてエッチング加工を行う方法が提案されている。し
かし、プレスにより薄くしてエッチング加工をおこなう
場合には、後工程においての精度が不足する（例えば、
めっきエリアの平滑性）、ボンデイング、モールデイン
グ時のクランプに必要なインナーリードの平坦性、寸法
精度が確保されない、製版を２度行なわなければならな
い等製造工程が複雑になる、等問題点が多くある。そし
て、インナーリード部分をハーフエッチングにより薄く
してエッチング加工を行う方法の場合にも、製版を２度
行なわなければならず、製造工程が複雑になるという問
題があり、いずれも実用化には、未だ至っていないのが
現状である。
ドの強度を確保したまま微細化を行う方法で、インナー
リード部分をハーフエッチングもしくはプレスにより薄
くしてエッチング加工を行う方法が提案されている。し
かし、プレスにより薄くしてエッチング加工をおこなう
場合には、後工程においての精度が不足する（例えば、
めっきエリアの平滑性）、ボンデイング、モールデイン
グ時のクランプに必要なインナーリードの平坦性、寸法
精度が確保されない、製版を２度行なわなければならな
い等製造工程が複雑になる、等問題点が多くある。そし
て、インナーリード部分をハーフエッチングにより薄く
してエッチング加工を行う方法の場合にも、製版を２度
行なわなければならず、製造工程が複雑になるという問
題があり、いずれも実用化には、未だ至っていないのが
現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体素
子の多ピン化、微細化にともなう、リードフレームのイ
ンナーリードの小ピッチ化、微細化に対応できて、且
つ、アセンブリ工程や実装工程等の後工程におけるアウ
ターリード等の強度の確保ができる加工方法が求められ
ていた。本発明は、このような状況のもと、半導体素子
の多ピン化、微細化に伴う、インナーリード先端部の小
ピッチ化、微細化に対応でき、且つ、後工程にも対応で
きる高精細なリードフレームを提供しようとするもので
あり、又、そのような高精細なリードフレームの製造方
法を提供しようとするものである。
子の多ピン化、微細化にともなう、リードフレームのイ
ンナーリードの小ピッチ化、微細化に対応できて、且
つ、アセンブリ工程や実装工程等の後工程におけるアウ
ターリード等の強度の確保ができる加工方法が求められ
ていた。本発明は、このような状況のもと、半導体素子
の多ピン化、微細化に伴う、インナーリード先端部の小
ピッチ化、微細化に対応でき、且つ、後工程にも対応で
きる高精細なリードフレームを提供しようとするもので
あり、又、そのような高精細なリードフレームの製造方
法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
の製造方法は、樹脂封止型半導体装置等に用いられるリ
ードフレームをエッチングプロセスによって作製する方
法であって、少なくとも、（Ａ）リードフレーム素材の
両面に感光性レジストを塗布する工程、（Ｂ）前記リー
ドフレーム素材に対し、一方の面は、少なくともインナ
ーリード先端部を含む所定の領域において平坦状に腐蝕
するためのパターンが形成されたパターン版にて、他方
の面は、リードフレーム先端部形状を形成するためのパ
ターンが形成されたパターン版にて、それぞれ、感光性
レジストを露光して、所定形状の開口部を持つレジスト
パターンを形成する工程、（Ｃ）所定形状のレジストパ
ターンが形成されたリードフレーム素材の両面から腐蝕
液による第一のエッチング加工を行い、平坦状に腐蝕さ
れたインナーリード先端部を含む領域において、リード
フレーム部材の板厚方向の深さが所定量になった時点で
エッチング加工を止める工程、（Ｄ）上記平坦状に腐蝕
された部分に、耐エッチング性のあるエッチング抵抗層
を埋め込む工程、（Ｅ）リードフレーム先端部形状を形
成するためのパターンが形成されたリードフレーム素材
の面側から腐蝕液による第二のエッチング加工を行い、
インナーリード先端部を貫通させる工程、（Ｆ）上記エ
ッチング抵抗層、レジスト膜を剥離し、洗浄する工程、
を含むことを特徴とするものである。そして、上記にお
いて、リードフレーム素材として４２合金（４２％Ｎｉ
−鉄合金）を用い、第一のエッチング加工における腐蝕
液を、塩化第二鉄液水溶液であり、腐蝕液の温度を５５
°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以上としたことを特徴とす
るものである。又、本発明のリードフレームの製造方法
は、上記において、リードフレーム素材の板厚が０．１
５ｍｍ以下で、平坦状に腐蝕される部分の板厚方向の腐
食の深さがリードフレーム部材の板厚の４／５〜１／２
であることを特徴とするものである。尚、上記におい
て、平坦状に腐蝕するとは、一方の面から、腐食を行う
際に、腐食により底部を平坦状（ベタ状）とした凹部を
形成しながら腐食することで、該一方の面に略平行な、
平坦状面からなる底部を形成しながら薄肉化することを
意味する。
の製造方法は、樹脂封止型半導体装置等に用いられるリ
ードフレームをエッチングプロセスによって作製する方
法であって、少なくとも、（Ａ）リードフレーム素材の
両面に感光性レジストを塗布する工程、（Ｂ）前記リー
ドフレーム素材に対し、一方の面は、少なくともインナ
ーリード先端部を含む所定の領域において平坦状に腐蝕
するためのパターンが形成されたパターン版にて、他方
の面は、リードフレーム先端部形状を形成するためのパ
ターンが形成されたパターン版にて、それぞれ、感光性
レジストを露光して、所定形状の開口部を持つレジスト
パターンを形成する工程、（Ｃ）所定形状のレジストパ
ターンが形成されたリードフレーム素材の両面から腐蝕
液による第一のエッチング加工を行い、平坦状に腐蝕さ
れたインナーリード先端部を含む領域において、リード
フレーム部材の板厚方向の深さが所定量になった時点で
エッチング加工を止める工程、（Ｄ）上記平坦状に腐蝕
された部分に、耐エッチング性のあるエッチング抵抗層
を埋め込む工程、（Ｅ）リードフレーム先端部形状を形
成するためのパターンが形成されたリードフレーム素材
の面側から腐蝕液による第二のエッチング加工を行い、
インナーリード先端部を貫通させる工程、（Ｆ）上記エ
ッチング抵抗層、レジスト膜を剥離し、洗浄する工程、
を含むことを特徴とするものである。そして、上記にお
いて、リードフレーム素材として４２合金（４２％Ｎｉ
−鉄合金）を用い、第一のエッチング加工における腐蝕
液を、塩化第二鉄液水溶液であり、腐蝕液の温度を５５
°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以上としたことを特徴とす
るものである。又、本発明のリードフレームの製造方法
は、上記において、リードフレーム素材の板厚が０．１
５ｍｍ以下で、平坦状に腐蝕される部分の板厚方向の腐
食の深さがリードフレーム部材の板厚の４／５〜１／２
であることを特徴とするものである。尚、上記におい
て、平坦状に腐蝕するとは、一方の面から、腐食を行う
際に、腐食により底部を平坦状（ベタ状）とした凹部を
形成しながら腐食することで、該一方の面に略平行な、
平坦状面からなる底部を形成しながら薄肉化することを
意味する。
【０００７】又、本発明のリードフレームは、エッチン
グプロセスによって作製された、少なくともインナーリ
ード先端部の板厚をリードフレーム板厚より薄くした、
樹脂封止型半導体装置用リードフレームであって、イン
ナーリード先端部の両面は、リードフレーム面に平行
で、インナーリード先端部の一方の面はリードフレーム
の第一の面に沿った位置にあり、他方の面はリードフレ
ームの第二の面に対し、凹んで位置したエッチング面で
あり、且つ、該インナーリード先端部の両面は、インナ
ーリード先端部の板厚方向の中部より大きくなっている
ことを特徴とするものである。そして、本発明のリード
フレームは、上記において、リードフレーム素材が４２
合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）であり、リードフレームの
第二の面に対し、凹んで位置したエッチング面が、温度
を５５°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以上の塩化第二鉄液
水溶液により、腐蝕された面であることを特徴とするも
のである。また、上記において、リードフレーム板厚が
０．１５ｍｍ以下で、且つ、インナーリード先端部の板
厚がリードフレーム板厚の１／５〜１／２であることを
特徴とするものである。
グプロセスによって作製された、少なくともインナーリ
ード先端部の板厚をリードフレーム板厚より薄くした、
樹脂封止型半導体装置用リードフレームであって、イン
ナーリード先端部の両面は、リードフレーム面に平行
で、インナーリード先端部の一方の面はリードフレーム
の第一の面に沿った位置にあり、他方の面はリードフレ
ームの第二の面に対し、凹んで位置したエッチング面で
あり、且つ、該インナーリード先端部の両面は、インナ
ーリード先端部の板厚方向の中部より大きくなっている
ことを特徴とするものである。そして、本発明のリード
フレームは、上記において、リードフレーム素材が４２
合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）であり、リードフレームの
第二の面に対し、凹んで位置したエッチング面が、温度
を５５°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以上の塩化第二鉄液
水溶液により、腐蝕された面であることを特徴とするも
のである。また、上記において、リードフレーム板厚が
０．１５ｍｍ以下で、且つ、インナーリード先端部の板
厚がリードフレーム板厚の１／５〜１／２であることを
特徴とするものである。
【０００８】本発明のリードフレームの製造方法は、イ
ンナーリード先端部の狭ピッチ化に対応した、リードフ
レーム素材の板厚さよりも薄くしたインナーリード先端
部を持つリードフレームのエッチングプロセスによる加
工方法であり、第一のエッチング加工により、インナー
リード先端部の板厚を薄くし、微細加工の可能な板厚と
している。そして、エッチング抵抗層を第一のエッチン
グ加工により形成された平坦状（ベタ状）凹部側に埋め
込むことにより、この薄くなったインナーリード先端部
が、引き続く第二のエッチングに対し、安定性良く、エ
ッチングスプレイ圧等にも充分耐えるようにしている。
また、第二のエッチングにおけるエッチング時間を少な
くするため、及び両面からのエッチングを行うことによ
りスプレイ圧等による影響を少なくする為、第一のエッ
チング時には両面よりエッチングを行う。更に、リード
フレーム素材として４２合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）を
用い、第一のエッチング加工における腐蝕液を、塩化第
二鉄液水溶液であり、腐蝕液の温度を５５°Ｃ以上、濃
度を４７Ｂｅ' 以上としたことにより、第一のエッチン
グ加工により形成される平坦状（ベタ状）部の面にアラ
ビのないものとしており、これにより、この面を半導体
素子とのワイヤ結線部とした場合には、安定性の良いも
のとできる。上記のように、本発明のリードフレームの
製造方法は、インナーリード先端部をエッチングプロセ
スにより、リードフレーム素材より薄くしているもので
ありが、この程度については、通常レジストを現像した
後にリードフレーム素材が露出するようにして、エッチ
ング時間によって調整するのが簡単であるが、適当なパ
ターン版を用いることにより、所定のエッチング時間で
もある程度は調整できる。又、本発明のリードフレーム
は樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームで
あって、インナーリード先端部の両面を平坦性の良いも
のとし、且つ、図３（イ）に示すように、幅Ｗ１、Ｗ２
をインナーリード先端部の厚さ方向の中程の幅Ｗよりも
大きくするもで、インナーリード先端部の両面のどちら
からでも半導体素子とのワイヤ結線をし易い形状として
いる。
ンナーリード先端部の狭ピッチ化に対応した、リードフ
レーム素材の板厚さよりも薄くしたインナーリード先端
部を持つリードフレームのエッチングプロセスによる加
工方法であり、第一のエッチング加工により、インナー
リード先端部の板厚を薄くし、微細加工の可能な板厚と
している。そして、エッチング抵抗層を第一のエッチン
グ加工により形成された平坦状（ベタ状）凹部側に埋め
込むことにより、この薄くなったインナーリード先端部
が、引き続く第二のエッチングに対し、安定性良く、エ
ッチングスプレイ圧等にも充分耐えるようにしている。
また、第二のエッチングにおけるエッチング時間を少な
くするため、及び両面からのエッチングを行うことによ
りスプレイ圧等による影響を少なくする為、第一のエッ
チング時には両面よりエッチングを行う。更に、リード
フレーム素材として４２合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）を
用い、第一のエッチング加工における腐蝕液を、塩化第
二鉄液水溶液であり、腐蝕液の温度を５５°Ｃ以上、濃
度を４７Ｂｅ' 以上としたことにより、第一のエッチン
グ加工により形成される平坦状（ベタ状）部の面にアラ
ビのないものとしており、これにより、この面を半導体
素子とのワイヤ結線部とした場合には、安定性の良いも
のとできる。上記のように、本発明のリードフレームの
製造方法は、インナーリード先端部をエッチングプロセ
スにより、リードフレーム素材より薄くしているもので
ありが、この程度については、通常レジストを現像した
後にリードフレーム素材が露出するようにして、エッチ
ング時間によって調整するのが簡単であるが、適当なパ
ターン版を用いることにより、所定のエッチング時間で
もある程度は調整できる。又、本発明のリードフレーム
は樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームで
あって、インナーリード先端部の両面を平坦性の良いも
のとし、且つ、図３（イ）に示すように、幅Ｗ１、Ｗ２
をインナーリード先端部の厚さ方向の中程の幅Ｗよりも
大きくするもで、インナーリード先端部の両面のどちら
からでも半導体素子とのワイヤ結線をし易い形状として
いる。
【０００９】
【作用】本発明のリードフレームの製造方法は、上記の
ような構成にすることにより、インナーリード先端部を
含む一部領域のみをリードフレーム部材の板厚より薄く
した、後工程にも耐える機械的強度をもち、且つ、イン
ナーリードの狭ピッチ化に対応できるリードフレームの
提供を可能とするものであり、エッチングプロセスによ
って、微細なインナーリード先端部を両面平坦性良く加
工することを可能とするものである。詳しくは、従来の
製造方法のように、板厚を全体的に薄くせず、インナー
リード先端部のみをリードフレーム部材の板厚より薄く
して加工する為、加工時には、板厚を全体的に薄くした
場合と比べリードフレーム全体を強固なものとしてお
る。そして、第一のエッチング加工により形成される平
坦状（ベタ状）部にエッチング抵抗層を埋め込むことに
より、インナーリード先端部の加工時における機械的安
定性を良いものとしており、加工精度的にも良いものの
加工を可能としている。又、エッチング抵抗層を埋め込
むことにより、インナーリード先端部が貫通された場合
においても第一のエッチング加工により形成される平坦
状（ベタ状）部側の面は直接液にふれることはなく図３
（イ）に示すようにその幅Ｗ１をＷ２より更に広くとれ
る。これは半導体素子とのワイヤ結線に際しては、イン
ナーリード先端面のいずれもがワイヤ結線に対し適性形
状を呈するものであることを意味する。又、本発明のリ
ードフレームの製造方法は、リードフレーム部材として
４２合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）を用い、第一のエッチ
ング加工における腐蝕液を、塩化第二鉄液水溶液であ
り、腐蝕液の温度を５５°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以
上とすることにより、図６（ａ）に示すように、平坦状
（ベタ状）の腐蝕部の表面にアラビのないものが作製で
きる。この場合は、インナーリード先端部の両面の表面
状態が半導体素子との結線（ボンデイング）適性が良い
ものとなる。結局、本発明のリードフレームの製造方法
は、微細なインナーリード先端部の加工を可能にし、且
つ、インナーリード先端部は平坦性良く、アラビのない
状態で加工することを可能とするものである。又、本発
明のリードフレームは、このような構成にすることによ
り、後工程に対し、機械的に耐える強度を有し、且つ、
インナーリードの狭ピッチ化に対応できるものとしてい
る。そして、半導体素子との結線（ボンデイング）に際
しては、インナーリード表裏のどちら側も適性形状を有
しており、結線の自由度を上げるものである。また、本
発明のリードフレームは、リードフレーム素材を４２合
金（４２％Ｎｉ−鉄合金）とし、リードフレームの第二
の面に対し、凹んで位置したエッチング面が、温度を５
５°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以上の塩化第二鉄液水溶
液により、腐蝕された面とすることにより、結線（ボン
デイング）適性の良いものとしている。
ような構成にすることにより、インナーリード先端部を
含む一部領域のみをリードフレーム部材の板厚より薄く
した、後工程にも耐える機械的強度をもち、且つ、イン
ナーリードの狭ピッチ化に対応できるリードフレームの
提供を可能とするものであり、エッチングプロセスによ
って、微細なインナーリード先端部を両面平坦性良く加
工することを可能とするものである。詳しくは、従来の
製造方法のように、板厚を全体的に薄くせず、インナー
リード先端部のみをリードフレーム部材の板厚より薄く
して加工する為、加工時には、板厚を全体的に薄くした
場合と比べリードフレーム全体を強固なものとしてお
る。そして、第一のエッチング加工により形成される平
坦状（ベタ状）部にエッチング抵抗層を埋め込むことに
より、インナーリード先端部の加工時における機械的安
定性を良いものとしており、加工精度的にも良いものの
加工を可能としている。又、エッチング抵抗層を埋め込
むことにより、インナーリード先端部が貫通された場合
においても第一のエッチング加工により形成される平坦
状（ベタ状）部側の面は直接液にふれることはなく図３
（イ）に示すようにその幅Ｗ１をＷ２より更に広くとれ
る。これは半導体素子とのワイヤ結線に際しては、イン
ナーリード先端面のいずれもがワイヤ結線に対し適性形
状を呈するものであることを意味する。又、本発明のリ
ードフレームの製造方法は、リードフレーム部材として
４２合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）を用い、第一のエッチ
ング加工における腐蝕液を、塩化第二鉄液水溶液であ
り、腐蝕液の温度を５５°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以
上とすることにより、図６（ａ）に示すように、平坦状
（ベタ状）の腐蝕部の表面にアラビのないものが作製で
きる。この場合は、インナーリード先端部の両面の表面
状態が半導体素子との結線（ボンデイング）適性が良い
ものとなる。結局、本発明のリードフレームの製造方法
は、微細なインナーリード先端部の加工を可能にし、且
つ、インナーリード先端部は平坦性良く、アラビのない
状態で加工することを可能とするものである。又、本発
明のリードフレームは、このような構成にすることによ
り、後工程に対し、機械的に耐える強度を有し、且つ、
インナーリードの狭ピッチ化に対応できるものとしてい
る。そして、半導体素子との結線（ボンデイング）に際
しては、インナーリード表裏のどちら側も適性形状を有
しており、結線の自由度を上げるものである。また、本
発明のリードフレームは、リードフレーム素材を４２合
金（４２％Ｎｉ−鉄合金）とし、リードフレームの第二
の面に対し、凹んで位置したエッチング面が、温度を５
５°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以上の塩化第二鉄液水溶
液により、腐蝕された面とすることにより、結線（ボン
デイング）適性の良いものとしている。
【００１０】
【実施例】本発明のリードフレームの製造方法の実施例
を以下、図にそって説明する。図１は本発明の実施例製
造方法を示すためのインナーリード先端部領域を含む要
部における各工程断面図であり、ここで作製されるリー
ドフレームを示す平面図である図２（イ）の（ａ）のＡ
１−Ａ２部の断面図を表す。図１中、１はリードフレー
ム素材、２はレジストパターン、３は開口部、４は開口
部、５は凹部、６は平坦状面、７はエッチング抵抗層、
８はインナーリードを示す。先ず、４２％ニッケル−鉄
合金からなり、厚みが０．１５ｍｍのリードフレーム素
材１の両面に、重クロム酸カリウムを感光剤とした水溶
性カゼインレジストを塗布した後、所定のパターン版を
用いて、所定形状の開口部１、開口部２をもつレジスト
パターン２を形成した。（ａ） 開口部３は、後のエッチング加工においてリードフレー
ム素材をこの開口部からベタ状に腐蝕するためのもの
で、レジストの開口部４は、リードフレーム先端部形状
を形成するためのものである。開口部３は、少なくとも
インナーリード先端部領域を含むが、後工程において、
テーピングの工程や、ボンデイング時のリードフレーム
を固定するクランプ工程で、ベタ状に腐蝕され部分的に
薄くなった部分との段差が邪魔になる場合があるので、
エッチングを行うエリアはインナーリード先端の微細加
工部分だけにせず大きめにとる必要がある。リードフレ
ーム素材１の両面に形成されたレジストパターンを作製
する為のフオトマスクはそれぞれ図２（ロ）に示すもの
を使用した。開口部３側は図２（ロ）の（ａ）のパター
ンを、、開口部４側は図２（ロ）（ｂ）のパターンを使
用した。次いで、液温５７°Ｃ、濃度４８Ｂｅ' の塩化
第二鉄溶液を用いて、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ2 に
て、レジストパターンが形成されたリードフレーム素材
１の両面をエッチングし、ベタ状（平坦状）に腐蝕され
た凹部５の深さｈがリードフレーム部材の１／３に達し
た時点でエッチングを止めた。（ｂ） エッチング後のベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部５の
平坦状面６の表面状態は、図６（ａ）（写真）に示すよ
うに、図６（ｂ）（写真）のエッチングされていない面
に比べ、アラビのない、平滑な面となった。尚、塩化第
二鉄溶液を用いてエッチングした場合、液温度５５°Ｃ
以上、液濃度４７Ｂｅ' 以上、スプレー圧２．０ｋｇ／
ｃｍ2 以上、で、図６（ａ）に示すような腐蝕された表
面はアラビのないものとなる。次いで、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された凹部５側面にエッチング抵抗層７とし
ての耐エッチング性のあるホットメルト型ワックス（ザ
・インクテエック社製の酸ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ
６）を、ダイコータを用いて、塗布し、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された凹部５に埋め込んだ。レジストパター
ン２上も該エッチング抵抗層７に塗布された状態となっ
た。（ｃ） 本実施例で使用したエッチング抵抗層７は、上記のレジ
ストパターン２上で膜厚さ１００μｍ程度で、アルカリ
溶解型のワックスであるが、基本的にエッチング液に耐
性があり、エッチング時にある程度の柔軟性のあるもの
が、好ましく、特に、上記ワックスに限定されず、ＵＶ
効果型のものでも良い。このようにエッチング抵抗層７
をベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部５に埋め込むこと
により、後工程でのエッチング時にベタ状（平坦状）に
腐蝕された凹部５の平坦状面６側面が腐蝕されないよう
にしているとともに、エッチング加工に対しての機械的
な強度補強をしており、スプレー圧を高く（２．５ｋｇ
／ｃｍ2 ）とすることができ、これによりエッチングが
深さ方向に進行し易すくなり、その断面形状も垂直に近
づき良好になる。勿論ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹
部５の平坦状面６以外の部分の腐蝕も防ぐものである。
この後、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部５形成面側
と反対面側からリードフレーム部材をエッチングし、イ
ンナーリード先端部８を貫通させた。（ｄ） 次いで、洗浄、エッチング抵抗層７の除去、レジスト膜
（レジストパターン２）の除去を行い、インナーリード
先端部が微細加工された図２（イ）に示すリードフレー
ムを得た。（ｅ） エッチング抵抗層７とレジスト膜（レジストパターン
２）の除去は水酸化ナトリウム水溶液により溶解除去し
た。
を以下、図にそって説明する。図１は本発明の実施例製
造方法を示すためのインナーリード先端部領域を含む要
部における各工程断面図であり、ここで作製されるリー
ドフレームを示す平面図である図２（イ）の（ａ）のＡ
１−Ａ２部の断面図を表す。図１中、１はリードフレー
ム素材、２はレジストパターン、３は開口部、４は開口
部、５は凹部、６は平坦状面、７はエッチング抵抗層、
８はインナーリードを示す。先ず、４２％ニッケル−鉄
合金からなり、厚みが０．１５ｍｍのリードフレーム素
材１の両面に、重クロム酸カリウムを感光剤とした水溶
性カゼインレジストを塗布した後、所定のパターン版を
用いて、所定形状の開口部１、開口部２をもつレジスト
パターン２を形成した。（ａ） 開口部３は、後のエッチング加工においてリードフレー
ム素材をこの開口部からベタ状に腐蝕するためのもの
で、レジストの開口部４は、リードフレーム先端部形状
を形成するためのものである。開口部３は、少なくとも
インナーリード先端部領域を含むが、後工程において、
テーピングの工程や、ボンデイング時のリードフレーム
を固定するクランプ工程で、ベタ状に腐蝕され部分的に
薄くなった部分との段差が邪魔になる場合があるので、
エッチングを行うエリアはインナーリード先端の微細加
工部分だけにせず大きめにとる必要がある。リードフレ
ーム素材１の両面に形成されたレジストパターンを作製
する為のフオトマスクはそれぞれ図２（ロ）に示すもの
を使用した。開口部３側は図２（ロ）の（ａ）のパター
ンを、、開口部４側は図２（ロ）（ｂ）のパターンを使
用した。次いで、液温５７°Ｃ、濃度４８Ｂｅ' の塩化
第二鉄溶液を用いて、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ2 に
て、レジストパターンが形成されたリードフレーム素材
１の両面をエッチングし、ベタ状（平坦状）に腐蝕され
た凹部５の深さｈがリードフレーム部材の１／３に達し
た時点でエッチングを止めた。（ｂ） エッチング後のベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部５の
平坦状面６の表面状態は、図６（ａ）（写真）に示すよ
うに、図６（ｂ）（写真）のエッチングされていない面
に比べ、アラビのない、平滑な面となった。尚、塩化第
二鉄溶液を用いてエッチングした場合、液温度５５°Ｃ
以上、液濃度４７Ｂｅ' 以上、スプレー圧２．０ｋｇ／
ｃｍ2 以上、で、図６（ａ）に示すような腐蝕された表
面はアラビのないものとなる。次いで、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された凹部５側面にエッチング抵抗層７とし
ての耐エッチング性のあるホットメルト型ワックス（ザ
・インクテエック社製の酸ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ
６）を、ダイコータを用いて、塗布し、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された凹部５に埋め込んだ。レジストパター
ン２上も該エッチング抵抗層７に塗布された状態となっ
た。（ｃ） 本実施例で使用したエッチング抵抗層７は、上記のレジ
ストパターン２上で膜厚さ１００μｍ程度で、アルカリ
溶解型のワックスであるが、基本的にエッチング液に耐
性があり、エッチング時にある程度の柔軟性のあるもの
が、好ましく、特に、上記ワックスに限定されず、ＵＶ
効果型のものでも良い。このようにエッチング抵抗層７
をベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部５に埋め込むこと
により、後工程でのエッチング時にベタ状（平坦状）に
腐蝕された凹部５の平坦状面６側面が腐蝕されないよう
にしているとともに、エッチング加工に対しての機械的
な強度補強をしており、スプレー圧を高く（２．５ｋｇ
／ｃｍ2 ）とすることができ、これによりエッチングが
深さ方向に進行し易すくなり、その断面形状も垂直に近
づき良好になる。勿論ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹
部５の平坦状面６以外の部分の腐蝕も防ぐものである。
この後、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部５形成面側
と反対面側からリードフレーム部材をエッチングし、イ
ンナーリード先端部８を貫通させた。（ｄ） 次いで、洗浄、エッチング抵抗層７の除去、レジスト膜
（レジストパターン２）の除去を行い、インナーリード
先端部が微細加工された図２（イ）に示すリードフレー
ムを得た。（ｅ） エッチング抵抗層７とレジスト膜（レジストパターン
２）の除去は水酸化ナトリウム水溶液により溶解除去し
た。
【００１１】尚、本方法によるインナーリード先端部の
微細化加工はベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部５の深
さｈ、言い換えればその部分の板厚ｔに左右されるよる
もので、例えば、板厚ｔを５０μｍまで薄くすると、図
３（イ）に示す平坦幅Ｗ２を１００μｍとして、ピッチ
ｐが０．１５ｍｍまで微細加工可能となり、板厚ｔを３
０μｍ程度まで薄くし、平坦幅Ｗ２を７０μｍ程度とす
るとピッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工ができる
が、板厚ｔ、平坦幅Ｗ２のとり方次第ではピッチｐは更
に狭いピッチまで作製が可能となる。
微細化加工はベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部５の深
さｈ、言い換えればその部分の板厚ｔに左右されるよる
もので、例えば、板厚ｔを５０μｍまで薄くすると、図
３（イ）に示す平坦幅Ｗ２を１００μｍとして、ピッチ
ｐが０．１５ｍｍまで微細加工可能となり、板厚ｔを３
０μｍ程度まで薄くし、平坦幅Ｗ２を７０μｍ程度とす
るとピッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工ができる
が、板厚ｔ、平坦幅Ｗ２のとり方次第ではピッチｐは更
に狭いピッチまで作製が可能となる。
【００１２】次いで、本発明リードフレームの実施例を
挙げる。図２（イ）の（ａ）は実施例のリードフレーム
を示す概略図であり、図２（イ）の（ｂ）はそのＢ１−
Ｂ２における断面図で、図３（イ）は本実施例ードフレ
ームのインナーリード先端部２１Ａの拡大断面図であ
る。図２中２０はリードフレーム、２１はインナーリー
ド、２１Ａはインナーリード先端部薄板部、２１Ｂはエ
ッチング平坦面で、２２はダイパッド部、２３はアウタ
ーリ ード、２４はダムバーである。本実施例のリード
フレーム２０は、前述のリードフレームの製造方法実施
例により製造されたものであり、４２％ニッケル−鉄合
金からなり、図２に示す板厚ｔ0 を０．１５ｍｍ、板厚
ｔ1 を５０μｍ、図３に示す平坦幅Ｗ２を１００μｍと
したリードフレームである。エッチング平坦面２１Ｂは
塩化第二鉄水溶液腐食液により、液温５７°Ｃ、濃度４
８Ｂｅ' の塩化第二鉄溶液を用いて、エッチング加工さ
れた面であり、図６に示すように、アラビのない面状態
を呈しており、結線（ボンデイング）に対し良い面状態
である。本発明のリードフレーム２０は、インナーリー
ド先端部薄板部２１Ａのみが板厚ｔ1 が５０μｍで、他
のアウターリード部等の板厚さは０．１５ｍｍと厚い
為、エッチング加工後の後工程に対しても、機械的強度
的に充分対応できるものとなっている。
挙げる。図２（イ）の（ａ）は実施例のリードフレーム
を示す概略図であり、図２（イ）の（ｂ）はそのＢ１−
Ｂ２における断面図で、図３（イ）は本実施例ードフレ
ームのインナーリード先端部２１Ａの拡大断面図であ
る。図２中２０はリードフレーム、２１はインナーリー
ド、２１Ａはインナーリード先端部薄板部、２１Ｂはエ
ッチング平坦面で、２２はダイパッド部、２３はアウタ
ーリ ード、２４はダムバーである。本実施例のリード
フレーム２０は、前述のリードフレームの製造方法実施
例により製造されたものであり、４２％ニッケル−鉄合
金からなり、図２に示す板厚ｔ0 を０．１５ｍｍ、板厚
ｔ1 を５０μｍ、図３に示す平坦幅Ｗ２を１００μｍと
したリードフレームである。エッチング平坦面２１Ｂは
塩化第二鉄水溶液腐食液により、液温５７°Ｃ、濃度４
８Ｂｅ' の塩化第二鉄溶液を用いて、エッチング加工さ
れた面であり、図６に示すように、アラビのない面状態
を呈しており、結線（ボンデイング）に対し良い面状態
である。本発明のリードフレーム２０は、インナーリー
ド先端部薄板部２１Ａのみが板厚ｔ1 が５０μｍで、他
のアウターリード部等の板厚さは０．１５ｍｍと厚い
為、エッチング加工後の後工程に対しても、機械的強度
的に充分対応できるものとなっている。
【００１３】本実施例リードフレームのインナーリード
先端部薄板部２１Ａの断面形状は、図３（イ）に示すよ
うになっており、エッチング平坦面２１Ｂ側の幅Ｗ１は
反対側の面の幅Ｗ２より大きくくなっており、Ｗ１、Ｗ
２（約１００μｍ）ともこの部分の板厚さ方向中部の幅
Ｗよりも大きくなっている。このようにインリーリード
先端薄板部の両面は広くなった断面形状であるため、図
３（ロ）に示すように、どちらの面を用いても半導体素
子（図示せず）とインナーリード先端部３０Ａ、３０Ｂ
と、それぞれ金線等のワイヤ３５Ａ、３５Ｂによる結線
（ボンデイング）がし易すものとなっている。図中３１
Ａ、３１Ｂはエッチング加工による平坦面、３２Ａ、３
２Ｂはリードフレーム素材面、３６Ａ、３６Ｂは金メッ
キ部である。エッチング平坦状面がアラビの無い面であ
るため、図３（ロ）の（ａ）の場合は、特に結線（ボン
デイング）適性が優れる。図３（ハ）は図５に示す加工
方法にて作製されたリードフレームのインナーリード先
端部３７と半導体素子（図示せず）との結線（ボンデイ
ング）を示すものであるが、この場合もインナーリード
先端部３７の両面は平坦ではあるが、この部分の板厚方
向の幅に比べ大きくとれない。また両面ともリードフレ
ーム素材面である為、結線（ボンデイング）適性は本実
施例のエッチング平坦面より劣る。図３（ニ）はプレス
によりインナーリード先端部を薄肉化した後にエッチン
グ加工によりインナーリード先端部３８Ａ、３８Ｂを加
工したものの、半導体素子（図示せず）との結線（ボン
デイング）を示したものであるが、この場合はプレス面
側が図に示すように平坦になっていないため、どちらの
面を用いて結線（ボンデイング）しても、図３（ニ）の
（ａ）、（ｂ）に示すように結線（ボンデイング）の際
に安定性が悪く品質的にも問題となる場合が多い。
先端部薄板部２１Ａの断面形状は、図３（イ）に示すよ
うになっており、エッチング平坦面２１Ｂ側の幅Ｗ１は
反対側の面の幅Ｗ２より大きくくなっており、Ｗ１、Ｗ
２（約１００μｍ）ともこの部分の板厚さ方向中部の幅
Ｗよりも大きくなっている。このようにインリーリード
先端薄板部の両面は広くなった断面形状であるため、図
３（ロ）に示すように、どちらの面を用いても半導体素
子（図示せず）とインナーリード先端部３０Ａ、３０Ｂ
と、それぞれ金線等のワイヤ３５Ａ、３５Ｂによる結線
（ボンデイング）がし易すものとなっている。図中３１
Ａ、３１Ｂはエッチング加工による平坦面、３２Ａ、３
２Ｂはリードフレーム素材面、３６Ａ、３６Ｂは金メッ
キ部である。エッチング平坦状面がアラビの無い面であ
るため、図３（ロ）の（ａ）の場合は、特に結線（ボン
デイング）適性が優れる。図３（ハ）は図５に示す加工
方法にて作製されたリードフレームのインナーリード先
端部３７と半導体素子（図示せず）との結線（ボンデイ
ング）を示すものであるが、この場合もインナーリード
先端部３７の両面は平坦ではあるが、この部分の板厚方
向の幅に比べ大きくとれない。また両面ともリードフレ
ーム素材面である為、結線（ボンデイング）適性は本実
施例のエッチング平坦面より劣る。図３（ニ）はプレス
によりインナーリード先端部を薄肉化した後にエッチン
グ加工によりインナーリード先端部３８Ａ、３８Ｂを加
工したものの、半導体素子（図示せず）との結線（ボン
デイング）を示したものであるが、この場合はプレス面
側が図に示すように平坦になっていないため、どちらの
面を用いて結線（ボンデイング）しても、図３（ニ）の
（ａ）、（ｂ）に示すように結線（ボンデイング）の際
に安定性が悪く品質的にも問題となる場合が多い。
【００１４】尚、図６（ａ）に示すように、エッチング
加工されたされた面の状態は、図６（ｂ）に示すエッチ
ング加工されないリードフレーム素材面に比べ、アラビ
のない状態となっている。この為、エッチング加工され
た面側にて結線（ボンデイング）を行った場合には、特
に結線（ボンデイング）性の良いものが得られる。
加工されたされた面の状態は、図６（ｂ）に示すエッチ
ング加工されないリードフレーム素材面に比べ、アラビ
のない状態となっている。この為、エッチング加工され
た面側にて結線（ボンデイング）を行った場合には、特
に結線（ボンデイング）性の良いものが得られる。
【００１５】
【発明の効果】本発明のリードフレームの製造方法は、
上記のように、アウターリードの強度を確保しつつ、イ
ンナーリード先端部の微細加工を可能とするもので、結
局、半導体素子の多ピン化、微細化に伴う、インナーリ
ード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき、且つ、後
工程にも対応できる高精細なリードフレームを提供する
ことを可能としている。又、本発明のリードフレーム
は、上記のように、半導体素子の多ピン化、微細化に伴
う、インナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応
でき、且つ、後工程にも対応できるものであるが、特
に、上記エッチング加工プロセスによって作製される
為、インナーリード先端部の片面に、平坦幅の広い、平
坦性、平滑性に優れた面を設けたもので、ワイヤボンデ
イング適性において優れたものである。
上記のように、アウターリードの強度を確保しつつ、イ
ンナーリード先端部の微細加工を可能とするもので、結
局、半導体素子の多ピン化、微細化に伴う、インナーリ
ード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき、且つ、後
工程にも対応できる高精細なリードフレームを提供する
ことを可能としている。又、本発明のリードフレーム
は、上記のように、半導体素子の多ピン化、微細化に伴
う、インナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応
でき、且つ、後工程にも対応できるものであるが、特
に、上記エッチング加工プロセスによって作製される
為、インナーリード先端部の片面に、平坦幅の広い、平
坦性、平滑性に優れた面を設けたもので、ワイヤボンデ
イング適性において優れたものである。
【図１】本発明実施例のリードフレームの製造方法
【図２】本発明実施例のリードフレーム概略図及びその
作製に用いるパターン版
作製に用いるパターン版
【図３】インナーリード端部でのワイヤ結線状態を説明
するための図
するための図
【図４】半導体装置図
【図５】従来のリードフレームの製造方法
【図６】エッチング面状態図
１ リードフレーム素材 ２ フオトレジストパターン ３ 開口部１ ４ 開口部２ ５ 凹部 ６ 平坦状面 ７ エッチング抵抗層 ８ インナーリード ２０ リードフレーム ２１ インナーリード ２１Ａ インナーリード先端部 ２１Ｂ ２１Ｂは薄板部 ２２ ダイパッド ２３ アウターリード ２４ ダムバー ３０Ａ、３０Ｂ インナーリード先端部 ３１Ａ、３１Ｂ エッチング加工による平坦面 ３２Ａ、３２Ｂ リードフレーム素材面 ３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃ、３５Ｄ、３５Ｅ ワイヤ ３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ、３６Ｄ、３６Ｅ 金メッ
キ部 ３７ ３７ インナーリード部先端部 ３８ ３８Ａ インナーリード部先端部 ４０ 樹脂封止型半導体装置 ４１ 半導体素子 ４２ ダンパッド ４３ インナーリード ４４ アウターリード ４５ 樹脂 ４６ 半導体素子電極部 ４７ ワイヤ ５１ リードフレーム素材 ５２ フオトレジスト ５３ フオトレジストパターン ５４ インナーリード
キ部 ３７ ３７ インナーリード部先端部 ３８ ３８Ａ インナーリード部先端部 ４０ 樹脂封止型半導体装置 ４１ 半導体素子 ４２ ダンパッド ４３ インナーリード ４４ アウターリード ４５ 樹脂 ４６ 半導体素子電極部 ４７ ワイヤ ５１ リードフレーム素材 ５２ フオトレジスト ５３ フオトレジストパターン ５４ インナーリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ 23/28 Ａ 0405−4Ｍ
Claims (6)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置等に用いられるリ
ードフレームをエッチングプロセスによって作製する方
法であって、少なくとも、 （Ａ）リードフレーム素材の両面に感光性レジストを塗
布する工程、 （Ｂ）前記リードフレーム素材に対し、一方の面は、少
なくともインナーリード先端部を含む所定の領域におい
て平坦状に腐蝕するためのパターンが形成されたパター
ン版にて、他方の面は、リードフレーム先端部形状を形
成するためのパターンが形成されたパターン版にて、そ
れぞれ、感光性レジストを露光して、所定形状の開口部
を持つレジストパターンを形成する工程、 （Ｃ）所定形状のレジストパターンが形成されたリード
フレーム素材の両面から腐蝕液による第一のエッチング
加工を行い、平坦状に腐蝕されたインナーリード先端部
を含む領域において、リードフレーム部材の板厚方向の
深さが所定量になった時点でエッチング加工を止める工
程、 （Ｄ）上記平坦状に腐蝕された部分に、耐エッチング性
のあるエッチング抵抗層を埋め込む工程、 （Ｅ）リードフレーム先端部形状を形成するためのパタ
ーンが形成されたリードフレーム素材の面側から腐蝕液
による第二のエッチング加工を行い、インナーリード先
端部を貫通させる工程、 （Ｆ）上記エッチング抵抗層、レジスト膜を剥離し、洗
浄する工程、を含むことを特徴とするリードフレームの
製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、リードフレーム素材
として４２合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）を用い、第一の
エッチング加工における腐蝕液を、塩化第二鉄液水溶液
であり、腐蝕液の温度を５５°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ
' 以上としたことを特徴とするリードフレームの製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１における、リードフレーム素材
の板厚が０．１５ｍｍt 以下で、平坦状に腐蝕される部
分の板厚方向の腐食の深さがリードフレーム素材の板厚
の４／５〜１／２であることを特徴とするリードフレー
ムの製造方法。 - 【請求項４】 エッチングプロセスによって作製され
た、少なくともインナーリード先端部の板厚をリードフ
レーム板厚より薄くした、樹脂封止型半導体装置用リー
ドフレームであって、インナーリード先端部の両面は、
リードフレーム面に平行で、インナーリード先端部の一
方の面はリードフレームの第一の面に沿った位置にあ
り、他方の面はリードフレームの第二の面に対し、凹ん
で位置したエッチング面であり、且つ、該インナーリー
ド先端部の両面は、インナーリード先端部の板厚方向の
中部より大きくなっていることを特徴とするリードフレ
ーム。 - 【請求項５】 請求項４において、リードフレーム素材
が４２合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）であり、リードフレ
ームの第二の面に対し、凹んで位置したエッチング面
が、温度を５５°Ｃ以上、濃度を４７Ｂｅ' 以上の塩化
第二鉄液水溶液により、腐蝕された面であることを特徴
とするリードフレーム。 - 【請求項６】 請求項５において、リードフレーム板厚
が０．１５ｍｍt以下で、且つ、インナーリード先端部
の板厚がリードフレーム板厚の１／５〜１／２であるこ
とを特徴とするリードフレーム。
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