JPH09129945A - 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードエッジ部分での絶縁破壊を抑制し、信頼
性の向上した磁気抵抗効果素子を提供することを目的と
する。 【解決手段】図１（ｂ）に示す如く、磁気抵抗効果膜
（１）上にリード（２）と磁気ギャップ層（３）と磁気
シールド層（４）が積層形成されている。このとき絶縁
膜（５）をリード（２）のエッジ部分の主表面，すなわ
ちテーパ状に加工されていない表面，に形成すること
で、磁気ギャップ層（３）の膜質劣化領域（図中点線で
囲った領域Ａ）が、電界集中部分（図中点線で囲った領
域Ｂ）と異なっているため、絶縁破壊は極めて起こり難
くなる。すなわち、リードのエッジ部分に絶縁膜を設け
ることで、磁気ギャップ層にとって下層の角部分は絶縁
膜のエッジ部分となる。この部分での膜質劣化は避けら
れないものの、電界集中部分は依然としてリードのエッ
ジ部分であることから、膜質劣化部分と電界集中部分が
離れるので、絶縁破壊が生じ難くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
（ＨＤＤ）の再生ヘッドなどに用いられる磁気抵抗効果
素子及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＮｉＦｅ合金などの異方性磁気抵抗効果
（ＡＭＲ）、または、非磁性層を介して隣接する磁性層
間のスピン依存散乱を利用した巨大磁気抵抗効果（ＧＭ
Ｒ）による電気抵抗の磁場依存性を用いた磁気抵抗効果
素子は、その高感度性などのため、磁気ディスク装置の
再生ヘッドなどへの応用が検討されている。

【０００３】磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果膜には電
流を供給する一対のリードが形成される。このリードで
挟まれた部分が磁場感応部となる。磁場感応部の表面に
は絶縁体からなる磁気ギャップ層を介して磁気シールド
層が形成される。

【０００４】ＨＤＤなどに用いられる再生ヘッドとして
は高密度記録の観点から、磁気ギャップ層は薄くするこ
と、即ち狭ギャップ化が要求されている。しかしながら
リード及び磁気抵抗効果膜を被覆して形成される磁気ギ
ャップ層は、リードのエッジ部分で膜質が疎となり劣化
してしまう。また磁気シールド層とリード間で電界集中
するのはリードのエッジ部分である。従って絶縁体であ
る磁気ギャップ層の膜質劣化部分と電界集中部分が一致
しているため、この部分での絶縁破壊が生じやすい。そ
のため磁気ギャップ層を薄くすることは困難であった。

【０００５】またリードの加工の際にリフトオフなどの
エッチングプロセスを使用するとパターンエッジにバリ
が生じ易く、イオンミリングを用いることが望ましい。
しかしながらミリング後にレジストを剥離する工程でレ
ジストとミリング材料の混合物からなる再付着層による
バリの発生があり、絶縁破壊をまねく恐れがある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようにリードエッ
ジ部分での磁気ギャップ層の膜質劣化は絶縁破壊を発生
し易くし、結果として磁気抵抗効果素子の信頼性を低下
せしめてしまうという問題があった。本発明は以上の点
を考慮してなされたもので、リードエッジ部分での絶縁
破壊を抑制し、信頼性の向上した磁気抵抗効果素子を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗効果
膜と；前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対のリー
ドと；対向する前記リードのエッジ部分に形成された絶
縁膜と；前記リード間の磁気抵抗効果膜の表面と前記絶
縁膜とを被覆する磁気ギャップ層と；前記磁気ギャップ
層上に形成された磁気シールド層とを具備したことを特
徴とする磁気抵抗効果素子である。

【０００８】すなわち、リードのエッジ部分に絶縁膜を
設けることで、磁気ギャップ層にとって下層の角部分は
絶縁膜のエッジ部分となる。この部分での膜質劣化は避
けられないものの、電界集中部分は依然としてリードの
エッジ部分であることから、膜質劣化部分と電界集中部
分が離れるので、絶縁破壊が生じ難くなる。

【０００９】図１（ａ）（ｂ）は共に磁気抵抗効果素子
の要部概略図であ。図１（ａ）は絶縁膜のないものであ
り（参考例）、磁気抵抗効果膜（１）上にリード（２）
と磁気ギャップ層（３）と磁気シールド層（４）が積層
形成されている。この状態ではリードのエッジ部分（図
中点線で囲った部分）での磁気ギャップ層の膜質劣化領
域が、リード，即ち導体部分の角の電界集中部分と一致
しており、この領域で絶縁破壊が起き易い。

【００１０】これに対し図１（ｂ）に示す如く（本発
明）、絶縁膜（５）をリード（２）のエッジ部分の主表
面，すなわちテーパ状に加工されていない表面，に形成
することで、磁気ギャップ層（３）の膜質劣化領域（図
中点線で囲った領域Ａ）が、電界集中部分（図中点線で
囲った領域Ｂ）と異なっているため、絶縁破壊は極めて
起こり難くなる。

【００１１】また本発明はこの構造を実現する方法も提
供する。すなわち、磁気抵抗効果膜上に導体層を形成す
る工程と；前記導体層上に絶縁体層からなる所定パター
ンのマスク層を形成する第１の工程と；前記マスク層用
いてイオンミリングにより前記導体層をリード形状に加
工する第２の工程と；前記第２の工程により露出した磁
気抵抗効果膜及び残存したマスク層とを被覆するように
非磁性体からなる磁気ギャップ層を形成する第３の工程
と；前記磁気ギャップ層上に磁性体からなる磁気シール
ド層を形成する第４の工程とを具備したことを特徴とす
る磁気抵抗効果素子の製造方法である。

【００１２】このマスク層が磁気ギャップ層形成後も残
存することで、前述の如く磁気ギャップ層の膜質劣化部
分と電界集中部分を離すことができ、絶縁破壊が生じ難
くなる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明で用いる磁気抵抗効果膜は
ＡＭＲ，ＧＭＲどちらも適用できる。ＡＭＲとしてはパ
ーマロイ薄膜などがあげられ、ＧＭＲとしては強磁性層
／導電性非磁性層（Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇなど）の積層膜が
挙げられる。ＧＭＲタイプとしては隣接する強磁性層間
の反強磁性交換結合があるいわゆる金属人工格子タイ
プ、隣接する強磁性層間には実質的に交換結合が存在し
ないいわゆるスピンバルブタイプが挙げられる。

【００１４】なかでもＧＭＲタイプの磁気抵抗効果膜は
ＭＲ値が大きく有効である。前記サンドイッチ構造を構
成する磁性体層としては、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ及びそれら
の合金を用いることができる。更にＰｄ，Ａｌ，Ｃｕ，
Ｔａ，Ｉｎ，Ｂ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｇａ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ａｕ，Ａｇなどの非磁性元素
の添加も構わない。非磁性層としてはＣｕ，Ａｕ，Ａｇ
などを用いることができる。

【００１５】特にＣｏ100-x Ｆｅx （０＜ｘ≦４０原子
％）の磁性合金を用いた場合はＭＲ値が特異的に大きく
効果的である。スピンバルブタイプは、信号磁界で磁化
が回転し難いピン層と回転し易いフリー層とを有する
が、この場合はフリー層としてＣｏ100-x Ｆｅx （０＜
ｘ≦４０原子％）の磁性合金を用いた場合に特に有効で
ある。Ｃｏ合金を用いた場合は耐熱性も優れており、特
開平６−３２５９３４号にも開示されているように（１
１１）配向させることにより、感度を向上することがで
きる。

【００１６】また一般的に磁気抵抗効果膜はバルクハウ
ゼンノイズ低減，磁化の向きの制御などを目的として磁
気バイアス層を備えており、本発明においても磁気バイ
アス層の存在を許容する。従ってリードは磁気抵抗効果
を有する膜に直接形成されている必要はなく、この膜と
リードとの間には導電性膜、例えば導電性の磁気バイア
ス層，が介在しても良い。いずれにせよ磁気ギャップ層
の膜質劣化部分と電界集中部分を離すことができる効果
に変りはない。

【００１７】磁気バイアス層としては、ＦｅＭｎ，Ｉｒ
Ｍｎなどの反強磁性膜を用い、磁気的交換結合により磁
気バイアスを印加することができる。ＣｏＰｔのような
高保磁力の硬質磁性膜を用いる方法、硬質磁性層に接続
した磁性層、例えば非晶質磁性合金，パーマロイなどを
用い磁気バイアスを印加することもできる。

【００１８】例えばスピンバルブタイプの場合、ピン層
の磁化固定用の磁気バイアス層には反強磁性膜を用い、
フリー層の磁化の向きの制御のためには硬質磁性層に接
続した磁性層を用いる構成が考えられる。これによって
信号磁界のない状態でピン層の磁化の向きは信号磁界方
向とし、フリー層の磁化の向きをピン層の磁化の向きに
対し９０度の初期状態を設定することができる。

【００１９】本発明方法において用いるマスク層は、イ
オンミリング耐性に優れたものが好ましく、例えばアル
ミナなどを挙げることができる。しかしながらアルミナ
に限らず、Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｚｒ
酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化タンタル
など各種の材料を用いることができる。

【００２０】またリード加工後に成膜する膜のリードエ
ッジ部分での段切れ防止などの観点から、イオンミリン
グは膜面垂直から２０〜８０度程度斜めに行いリード側
面にテーパを形成することが好ましい。

【００２１】この場合、狭トラック化に対応してリード
間隔を狭くする必要があるが、リード間隔に比較してマ
スク層の厚みが大きいと、マスク層の影の影響でリード
間部分での導電層のエッチングレートがその外部領域に
比べ遅くなってしまう場合があり、リード間を切り離せ
ず、磁気抵抗効果素子の特性が発揮できないことがあ
る。従ってマスク層の膜厚はリード間隔に比べと十分薄
く設定する必要がある。

【００２２】３Ｇｂｐｉｓ以上の様な高密度記録の観点
からリード間隔は約１μｍ以下程度が要求されるため、
マスク層の厚みは約３００ｎｍ以下程度に設定すること
が望ましい。またミリング後の残存膜厚が磁気ギャップ
層の膜質劣化部分と電界集中部分の離間距離に対応する
ので、ミリング後の残存膜厚が約５ｎｍ以上となるよう
に設定することが好ましい。

【００２３】また前述マスク層は一層に限らず、積層体
を用いることもできる。例えばアルミナを上層にシリカ
を下層に用いた場合、アルミナに比べシリカの方がＣｕ
等のリード材料のミリングレートに近いので、ミリング
後の形状（マスク層とリードとの作る傾斜面）がなだら
かになるという効果を得ることもできる。この場合マス
クとしてパターンニングするのは上層のアルミナ層のみ
で構わない。

【００２４】リードとしてはＣｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｏ，
ＭｏＴａ合金，ＭｏＷ合金などの導体を用いれば良い。
ただし隣接する層との接着強度向上，拡散防止のバリア
などの目的でＣｒ，Ｔｉ，Ｔａなどの層を表面に有する
積層体で構成しても良い。

【００２５】磁気ギャップ層は非磁性かつ電気的絶縁性
が良好であればよく、例えばＳｉ酸化物，Ｚｒ酸化物，
Ｔｉ酸化物，アルミナ，窒化アルミニウム，などの無機
酸化物・窒化物などを用いることができる。狭ギャップ
化の観点から膜厚は約１００ｎｍ以下程度が好ましい。
しかしながら良好な絶縁性を保つためには少なくても約
１０ｎｍ以上の膜厚を持つことが望ましい。

【００２６】なおリード主表面上では残存マスク層であ
る絶縁層と磁気ギャップ層の２層構成となるため、薄膜
形成時に避け切れないピンホールができたとしても２層
となっていることから磁気シールド層とリードがショー
トする可能性は極めて低くなる。

【００２７】磁気シールド層は透磁率，飽和磁束密度の
高い磁性体であれば良い。例えば非晶質磁性合金薄膜な
どを用いることができる。この磁気シールド上に薄膜工
程によりコイルなどを作成し記録ヘッドとすることで、
録再一体型ヘッドを形成することもできる。一例を図
９，１０に示す。図９は録再一体型ヘッドの概略図であ
り、上下シールドで挟まれた磁気抵抗効果素子上に上下
磁極間にコイルを備えた書き込み用ヘッドが形成され
（図９（ａ））、アルミナ等の保護膜を形成した後、ス
ライダ形状に加工される（図９（ｂ））。更にサスペン
ションに取り付けられたジンバルにヘッドをはりつけて
ヘッドジンバルアセンブリとなる（図１０）。その後、
磁気ディスクに組み込まれることになる。

【００２８】

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。 （実施例１）図２は本実施例を説明するための概略斜視
図であり、図３（ａ）〜（ｃ）は要部断面図である。

【００２９】アルミナ・炭化チタン混合セラミック（ア
ルチック）からなる基板(10)上に、下シールド層(11)と
して２μｍ厚のＣｏＺｒＮｂ非晶質磁性合金層を形成す
る。この下シールド層(11)上に、下ギャップ層(12)とし
て0.1 μｍ厚のアルミナ層を形成する。

【００３０】この下ギャップ層(12)上にはストライプ状
の磁気抵抗効果膜(13)を形成する。この磁気抵抗効果膜
(13)は、例えばパーマロイ単層膜，強磁性層／非磁性層
／強磁性層のサンドイッチ構造を有するスピンバルブタ
イプの磁気抵抗効果膜などである。

【００３１】この磁気抵抗効果膜(13)上に導体層(14)を
形成する。この導体層(14)は10ｎｍのＴａ層(141),80ｎ
ｍのＣｕ層(142),20ｎｍのＴａ層(143) がこの順序で積
層されている。導体層(14)の主体はＣｕ層(142) である
が、Ｔａ層(141) は導体層(14)の磁気抵抗効果膜(13)と
の接着強度を向上する効果を持つ。またＴａ層(142)は
後述するマスク層(15)と導体層(14)との接着強度を向上
する効果を持つ。

【００３２】次いで導体層(14)上にアルミナからなる10
0 ｎｍ厚のマスク層(15)を形成する。フッ化炭素系ガス
などを用いたリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）
により、間隔１μｍのリード形状にパターンニングする
（図２、図３（ａ））。ＲＩＥはＴａ層で止めてもＣｕ
層表面で止めても構わない。

【００３３】次にこのパターンニングされたアルミナ製
のマスク層(15)を用いてイオンミリングにより、導体層
(14)を加工し、リード(16)とする。イオン入射角を40度
に設定した。イオンミリング後、磁気抵抗効果膜(13)と
接している導体層(14)の間隔(t) は1.0 μｍとなった。
形成されたリード(16)の側面には約45度のテーパがで
き、イオンミリング後のマスク層(15)の残存膜厚は約20
ｎｍであった（図３（ｂ））。このように構成すること
で、少なくともリードの対向部分，リードのエッジ近傍
ではリード(16)の上面形状とマスク層(15)の形状はほぼ
同一となる。

【００３４】ミリング角度を選ぶことでマスク材料とリ
ード材料の選択比が制御でき、その結果、テーパ角度の
制御が可能となる。例えばアルミナマスクとＴａリード
の場合、４０度の入射角では両者とも同じミリングレー
ト（約500 Ｖにて）なので、約４５度のテーパ角が得ら
れる。またマスクをＳｉ酸化物、リードをＣｕ、ミリン
グ角６０度でも約４５度のテーパ角が得られ、Ｔｉスピ
ンバルブ保護膜とのミリング選択比が約３とれるので、
良好なテーパ角とミリング深さ分布の両立ができる。

【００３５】次いで上ギャップ層(17)［磁気ギャップ
層］として約60ｎｍ厚のアルミナ層を形成することでギ
ャップ長（フリー層から上シールド層までの距離）0.1
μｍを実現できた。このとき残存マスク層(15)は剥離せ
ず利用するので、剥離に伴うバリの発生がない。

【００３６】その上に上シールド層(18)［磁気シールド
層］として約2.0 μｍ厚のＣｏＺｒＮｂ非晶質磁性合金
層を形成する（図３（ｃ））。以上の工程でシールド型
ＭＲヘッドを得る。この構成によれば、磁気ギャップ層
の膜質劣化部分は残存アルミナマスク層(15)のエッジ部
分であり、電界集中領域はリード(16)のエッジ部分であ
るので、一致することはない。

【００３７】この再生ヘッドを用いて特性を評価したと
ころ、磁気抵抗効果膜上の磁気ギャップ層(17)が60ｎｍ
と薄いにもかかわらず、上ギャップ層(17)と磁気抵抗効
果膜(13)及びリード(16)間の電気的絶縁性は良好に保た
れていることが確認され、非常に信頼性の高いものであ
った。また再生トラック幅も１μｍを確保することが確
認できた。

【００３８】イオン入射角を20度〜80度としても、ギャ
ップ長0.1 μｍを実現することができた。また条件を変
え再生トラック幅も0.7 μｍを実現することもできた。 （実施例２）図４は要部断面図である。

【００３９】実施例１と同様に基板（図示せず）上に、
下シールド層(21)を形成する。この下シールド層(21)上
に、下ギャップ層(22)として75ｎｍ厚のアルミナ層を形
成する。

【００４０】この下ギャップ層(22)上にはストライプ状
の磁気抵抗効果膜(23)を形成する。この磁気抵抗効果膜
(23)は、ピン層（ＣｏＦｅ合金２ｎｍ）(231) ／非磁性
層（Ｃｕ３ｎｍ）(232) ／フリー層（ＣｏＦｅ合金３ｎ
ｍ）(233) のサンドイッチ構造(230) がこの順で形成さ
れ、更にピン層(231) 用の磁気バイアス層として15ｎｍ
厚の酸化Ｎｉからなる反強磁性膜(234) がピン層(231)
に接して形成され、フリー層(233) 用の磁気バイアス層
として10ｎｍ厚のＣｏＺｒＮｂ非晶質磁性合金からなる
磁性層(235) がフリー層(233) に接して形成されてい
る。

【００４１】この磁気抵抗効果膜(23)上に導体層(24)を
形成する。この導体層(24)は、前記磁性層(235) にバイ
アス磁界を供給する硬質磁性層(241) としての20ｎｍ厚
のＣｏＰｔ層，80ｎｍのＣｕ層(242),20ｎｍのＴａ層(2
43) がこの順序で積層されている。

【００４２】次いで実施例１と同様にアルミナからなる
100 ｎｍ厚のマスク層(25)を形成し、パターンニングさ
れたアルミナ製のマスク層(25)を用いてイオンミリング
により、導体層(24)を加工し、リード(26)とする。イオ
ン入射角を40度に設定し、磁気抵抗効果膜(23)と接して
いる導体層(24)の間隔を1.0 μｍとした。形成されたリ
ード(26)の側面には約45度のテーパができ、イオンミリ
ング後のマスク層(25)の残存膜厚は約20ｎｍであった。

【００４３】次いで上ギャップ層(27)［磁気ギャップ
層］として約0.1 μｍ厚のアルミナ層を形成する。その
上に上シールド層(28)［磁気シールド層］として約２μ
ｍ厚のＣｏＺｒＮｂ非晶質磁性合金層を形成する。

【００４４】以上の工程でシールド型ＭＲヘッドを得る
（図４）。この再生ヘッドを用いて特性を評価したとこ
ろ、磁気ギャップ層が０．１μｍと薄いにもかかわら
ず、上ギャップ層(27)と磁気抵抗効果膜(23)及びリード
(26)間の電気的絶縁性は良好に保たれていることが確認
され、非常に信頼性の高いものであった。また再生トラ
ック幅も１μｍを確保することが確認できた。更にリー
ドと硬質磁性膜とがセルフアラインメントでパターンニ
ングできるため位置関係が厳密に設定でき、オフトラッ
ク特性も良好であった。

【００４５】（実施例３）実施例２は磁気抵抗効果膜(2
3)の上部に硬質磁性層(24)を形成した例であったが、下
部に形成することもできる。

【００４６】図５，６は要部断面図である。実施例１と
同様に基板（図示せず）上に、下シールド層(31)を形成
する。この下シールド層(31)上に、下ギャップ層(32)と
して約0.1 μｍ厚のアルミナ層を形成する。この下ギャ
ップ層(32)上には硬質磁性層(39)として間隔(d) ３μｍ
で約20ｎｍ厚のＣｏＰｔ層を形成する（図５（ａ））。

【００４７】この硬質磁性層(39)上に実施例２と同様の
磁気抵抗効果膜(33)を形成する。個々の層構成は図示し
ない。ただしフリー層用の磁気バイアス層として磁性層
がこの硬質磁性層と接して形成される（図５（ｂ））。

【００４８】この磁気抵抗効果膜(33)上に導体層(34)を
形成する。この導体層(34)は実施例１と同様のＴａ／Ｃ
ｕ／Ｔａの積層膜である。次いで実施例１と同様にアル
ミナからなる100 ｎｍ厚のマスク層(35)を形成し（図５
（ｃ））、パターンニングされたアルミナ製のマスク層
(35)を用いてイオンミリングにより、導体層(34)を加工
し、リード(36)とする。イオン入射角を40度に設定し、
磁気抵抗効果膜(33)と接している導体層(34)の間隔(t)
は1.0 μｍとであり、形成されたリード(36)の側面には
約45度のテーパができ、イオンミリング後のマスク層(3
5)の残存膜厚は約20ｎｍであった（図５（ｄ））。なお
ミリング角度を変えることでテーパ角を変えることがで
きる。

【００４９】次いで上ギャップ層(37)［磁気ギャップ
層］として約60ｎｍ厚のアルミナ層を形成する。その上
に上シールド層(38)［磁気シールド層］として約２μｍ
厚のＣｏＺｒＮｂ非晶質磁性合金層を形成する。

【００５０】以上の工程でシールド型ＭＲヘッドを得る
（図６）。この再生ヘッドを用いて特性を評価したとこ
ろ、磁気ギャップ層が60ｎｍと薄いにもかかわらず、上
ギャップ層(37)と磁気抵抗効果膜(33)及びリード(36)間
の電気的絶縁性は良好に保たれていることが確認され、
非常に信頼性の高いものであった。また再生トラック幅
も１μｍを確保することが確認できた。また条件を変え
0.7 μｍの再生トラックも実現できた。

【００５１】（実施例４）実施例３と同様にＣｏＺｒＮ
ｂ下シールド膜上にアルミナ下ギャップ0.1 μｍを形成
する。その上にＣｏＰｔ膜20ｎｍを形成し、間隔２μｍ
にイオンミリング加工する（図７（ａ））。次にスピン
バルブ膜として下からＣｏＺｒＮｂ10ｎｍ，ＣｏＦｅ２
ｎｍ，Ｃｕ３ｎｍ，ＣｏＦｅ２ｎｍ，ＦｅＭｎ15ｎｍ，
スピンバルブ保護膜Ｔｉ20ｎｍを形成する。更にリード
として下からＴａ20ｎｍ，Ｃｕ80ｎｍ，Ｔａ20ｎｍを形
成の後、アルミナ製マスク100 ｎｍを連続して成膜する
（図７（ｂ））。なお同一装置内で連続してリードとス
ピンバルブ膜が形成できる場合は、Ｔｉと接触するＴａ
は省略可能である。

【００５２】次いで実施例１と同様にＲＩＥでアルミナ
マスクを加工した後、イオンミリングでリード間隔を１
μｍとなるように加工する（図７（ｃ））。次にトラッ
クとリードを接続した形状のレジストマスクを掛けてイ
オンミリングを行な（図８（ａ）（ｂ））。この場合通
常の有機レジストでも、アルミナのような無機絶縁膜で
も構わない。

【００５３】次いで実施例１と同様に上ギャップ、上シ
ールドを形成する（図示せず）。この時ギャップ層の接
着性の向上のための接着層を介在させても良い。例えば
スピンバルブ側に100 オングストローム(A) 程度（好ま
しくは50-150A 程度）のアモルファスＳｉ層を、ギャッ
プ層側に50A 程度（好ましくは20-100A 程度）のＳｉＯ
₂ 層を配した接着層を介在せしめることができる。この
場合は接着層とギャップ層（例えばアルミナ層）の合計
膜厚が実質的なギャップ層膜厚となるので、接着層の厚
み分アルミナギャップ層を薄くする必要がある。下ギャ
ップも同様に接着層を介在させることができる。

【００５４】なお図７（ｃ）以降ではＣｏＰｔ膜を含め
一括してスピンバルブとして図示した。上述の実施例で
示した効果に加え、本実施例ではスピンバルブをリード
の後から加工することになるので、プロセス中に発生す
るスピンバルブ断面やＣｏＰｔ段差部分からの腐食を低
減することが可能になり、またスピンバルブとリード間
のコンタクト抵抗を下げることが可能になり、歩留の向
上の効果を得ることができる。

【００５５】以上説明した実施例ではイオンミリングを
用いたが、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング），
ＣＤ（ケミカルドライエッチング）などの他の方法を採
用することもできる。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、絶
縁破壊耐性の高い信頼性の良好な磁気抵抗効果素子を得
ることができる。よって磁気ディスクとこの磁気抵抗効
果素子を再生ヘッドとして備えた磁気記録装置（ＨＤ
Ｄ）では狭ギャップ，狭トラックを実現でき非常に有効
であり、産業上寄与するところ大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明を説明するための概略図。

【図２】 本発明を説明するための概略図。

【図３】 本発明を説明するための工程概略図。

【図４】 本発明を説明するための概略断面図。

【図５】 本発明を説明するための工程概略図。

【図６】 本発明を説明するための概略断面図。

【図７】 本発明を説明するための工程概略図。

【図８】 本発明を説明するための工程概略図。

【図９】 本発明を説明するための概略図。

【図１０】 本発明を説明するための概略図。

【符号の説明】

磁気抵抗効果膜・・・１，１３，２３，３３ リード・・・・・・・２，１６，２６，３６ 絶縁膜・・・・・・・５，１５，２５，３５ 磁気ギャップ層・・・３，１７，２７，３７ 磁気シールド層・・・４，１８，２８，３８

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気抵抗効果膜と；前記磁気抵抗効果膜に
   電流を供給する一対のリードと；対向する前記リードの
   エッジ部分に形成された絶縁膜と；前記リード間の磁気
   抵抗効果膜の表面と前記絶縁膜とを被覆する磁気ギャッ
   プ層と；前記磁気ギャップ層上に形成された磁気シール
   ド層とを具備したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
2. 【請求項２】前記磁気抵抗効果膜は磁気バイアス層を具
   備したことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素
   子。
3. 【請求項３】磁気抵抗効果膜上に導体層を形成する工程
   と；前記導体層上に絶縁体層からなる所定パターンのマ
   スク層を形成する第１の工程と；前記マスク層を用いて
   イオンミリングにより前記導体層をリード形状に加工す
   る第２の工程と；前記第２の工程により露出した磁気抵
   抗効果膜及び残存したマスク層とを被覆するように非磁
   性体からなる磁気ギャップ層を形成する第３の工程と；
   前記磁気ギャップ層上に磁性体からなる磁気シールド層
   を形成する第４の工程とを具備したことを特徴とする磁
   気抵抗効果素子の製造方法。
4. 【請求項４】前記磁気抵抗効果膜は磁気バイアス層を具
   備し、前記第２の工程により露出した磁気抵抗効果膜表
   面にはこの磁気バイアス層が存在することを特徴とする
   請求項３記載の磁気抵抗効果素子。
5. 【請求項５】前記マスク層はＡｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、
   Ｔｉ酸化物、Ｚｒ酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ
   素及び窒化タンタルから選ばれた少なくとも一種からな
   ることを特徴とする請求３記載の磁気抵抗効果素子の製
   造方法。
6. 【請求項６】イオンミリング前の前記マスク層厚は３０
   ０ｎｍ以下であることを特徴とする請求３記載の磁気抵
   抗効果素子の製造方法。
7. 【請求項７】イオンミリング後に残存する前記マスク層
   厚は５ｎｍ以上であることを特徴とする請求３記載の磁
   気抵抗効果素子の製造方法。