JPH09132453A - 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢Info
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- JPH09132453A JPH09132453A JP8278178A JP27817896A JPH09132453A JP H09132453 A JPH09132453 A JP H09132453A JP 8278178 A JP8278178 A JP 8278178A JP 27817896 A JP27817896 A JP 27817896A JP H09132453 A JPH09132453 A JP H09132453A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】酸化亜鉛を主成分として含有し、少なくともビ
スマス化合物を添加成分として含有する素体５を作成
し、素体５を密封性の匣鉢１の内部へと収容して1100〜
1400℃で焼成する工程を連続して行い、電圧非直線抵抗
体を連続的に製造するに際し、バリスタ電圧、制限電圧
比等に於ける特性不良の発生を防止して、素子特性を均
一化、安定化させる。 【解決手段】匣鉢１を複数回使用して複数ロットの素体
を焼成する。匣鉢１の組織の開気孔率が５％以上、４０
％以下であり、匣鉢１の組織中に存在するビスマス成分
の匣鉢に対する重量比がBi2O3 に換算して５重量％以下
である匣鉢を使用する。または、匣鉢の組織の開気孔率
が５％以上、４０％以下であり、匣鉢の組織の開気孔中
に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層
が形成されており、含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚の７
０％以下である匣鉢を使用する。
スマス化合物を添加成分として含有する素体５を作成
し、素体５を密封性の匣鉢１の内部へと収容して1100〜
1400℃で焼成する工程を連続して行い、電圧非直線抵抗
体を連続的に製造するに際し、バリスタ電圧、制限電圧
比等に於ける特性不良の発生を防止して、素子特性を均
一化、安定化させる。 【解決手段】匣鉢１を複数回使用して複数ロットの素体
を焼成する。匣鉢１の組織の開気孔率が５％以上、４０
％以下であり、匣鉢１の組織中に存在するビスマス成分
の匣鉢に対する重量比がBi2O3 に換算して５重量％以下
である匣鉢を使用する。または、匣鉢の組織の開気孔率
が５％以上、４０％以下であり、匣鉢の組織の開気孔中
に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層
が形成されており、含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚の７
０％以下である匣鉢を使用する。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は酸化亜鉛を主成分とする電
圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢に関
するものである。
圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗
体を得るには、例えば、酸化亜鉛原料に酸化ビスマス、
酸化銀等の添加物を混合し、造粒、成形、脱脂、仮焼
し、この仮焼体に側面高抵抗層を形成する。そしてこの
仮焼体を、密閉性の匣鉢の内部に収容し、通常1100〜14
00℃で焼成する。
体を得るには、例えば、酸化亜鉛原料に酸化ビスマス、
酸化銀等の添加物を混合し、造粒、成形、脱脂、仮焼
し、この仮焼体に側面高抵抗層を形成する。そしてこの
仮焼体を、密閉性の匣鉢の内部に収容し、通常1100〜14
00℃で焼成する。
【０００３】しかし、各焼成ロット毎にバリスタ電圧等
の特性を検査し、品質管理しているのであるが、バリス
タ電圧を検査する段階でバリスタ電圧が基準値を下回る
不良品が非常に増加することがあり、対策を迫られてい
た。
の特性を検査し、品質管理しているのであるが、バリス
タ電圧を検査する段階でバリスタ電圧が基準値を下回る
不良品が非常に増加することがあり、対策を迫られてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、素体
を密閉性の匣鉢内へと収容して焼成する焼成工程を連続
して行い、電圧非直線抵抗体を連続的に製造するに際
し、バリスタ電圧、制限電圧比等に於ける特性不良の発
生を防止して、素子特性を均一化、安定化させ、また素
子の信頼性を一層向上させることができるような、電圧
非直線抵抗体の製造方法を提供することである。
を密閉性の匣鉢内へと収容して焼成する焼成工程を連続
して行い、電圧非直線抵抗体を連続的に製造するに際
し、バリスタ電圧、制限電圧比等に於ける特性不良の発
生を防止して、素子特性を均一化、安定化させ、また素
子の信頼性を一層向上させることができるような、電圧
非直線抵抗体の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化亜鉛を主
成分として含有し、少なくともビスマス化合物を添加成
分として含有する素体を作成し、この素体を密封性の匣
鉢内部へと収容して1100〜1400℃で焼成してなる電圧非
直線抵抗体の製造方法において、密閉性の匣鉢を複数回
使用して複数ロットの素体を焼成するのに際し、匣鉢の
組織の開気孔率が５％以上、４０％以下であり、前記匣
鉢の組織中に存在するビスマス成分の匣鉢に対する重量
比がBi2O3 に換算して５重量％以下である匣鉢を使用す
ることを特徴とする。
成分として含有し、少なくともビスマス化合物を添加成
分として含有する素体を作成し、この素体を密封性の匣
鉢内部へと収容して1100〜1400℃で焼成してなる電圧非
直線抵抗体の製造方法において、密閉性の匣鉢を複数回
使用して複数ロットの素体を焼成するのに際し、匣鉢の
組織の開気孔率が５％以上、４０％以下であり、前記匣
鉢の組織中に存在するビスマス成分の匣鉢に対する重量
比がBi2O3 に換算して５重量％以下である匣鉢を使用す
ることを特徴とする。
【０００６】また、本発明は、酸化亜鉛を主成分として
含有し、少なくともビスマス化合物を添加成分として含
有する素体を匣鉢の内部へと収容し、焼成するための密
閉性の匣鉢であって、前記匣鉢の組織の開気孔率が５％
以上、４０％以下であり、前記匣鉢の組織中に存在する
ビスマス成分の匣鉢に対する重量比がBi2O3 に換算して
５重量％以下であることを特徴とする。
含有し、少なくともビスマス化合物を添加成分として含
有する素体を匣鉢の内部へと収容し、焼成するための密
閉性の匣鉢であって、前記匣鉢の組織の開気孔率が５％
以上、４０％以下であり、前記匣鉢の組織中に存在する
ビスマス成分の匣鉢に対する重量比がBi2O3 に換算して
５重量％以下であることを特徴とする。
【０００７】また、本発明は、酸化亜鉛を主成分として
含有し、少なくともビスマス化合物を添加成分として含
有する素体を作成し、この素体を密封性の匣鉢内部へと
収容して1100〜1400℃で焼成してなる電圧非直線抵抗体
の製造方法において、前記密閉性の匣鉢を複数回使用し
て複数ロットの素体を焼成するのに際し、匣鉢の組織の
開気孔率が５％以上、４０％以下であり、匣鉢の組織の
開気孔中に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されてい
る含浸層が形成されており、この含浸層の厚さが前記匣
鉢の壁厚の７０％以下であることを特徴とする。
含有し、少なくともビスマス化合物を添加成分として含
有する素体を作成し、この素体を密封性の匣鉢内部へと
収容して1100〜1400℃で焼成してなる電圧非直線抵抗体
の製造方法において、前記密閉性の匣鉢を複数回使用し
て複数ロットの素体を焼成するのに際し、匣鉢の組織の
開気孔率が５％以上、４０％以下であり、匣鉢の組織の
開気孔中に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されてい
る含浸層が形成されており、この含浸層の厚さが前記匣
鉢の壁厚の７０％以下であることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、酸化亜鉛を主成分として
含有し、少なくともビスマス化合物を添加成分として含
有する素体を匣鉢の内部へと収容し、焼成するための密
閉性の匣鉢であって、前記匣鉢の組織の開気孔率が５％
以上、４０％以下であり、前記匣鉢の組織の開気孔中に
酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層が
形成されており、この含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚の
７０％以下であることを特徴とする。
含有し、少なくともビスマス化合物を添加成分として含
有する素体を匣鉢の内部へと収容し、焼成するための密
閉性の匣鉢であって、前記匣鉢の組織の開気孔率が５％
以上、４０％以下であり、前記匣鉢の組織の開気孔中に
酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層が
形成されており、この含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚の
７０％以下であることを特徴とする。
【０００９】最初に、素体の焼成工程の概略について説
明する。第１図は素体を匣鉢内に収容した状態を示す概
略断面図である。匣鉢１は蓋２と容器３とからなり、好
ましくはムライト質、高アルミナ質、又はマグネシア質
からなる。ムライト質、高アルミナ質、マグネシア質の
素材は、耐火性に優れかつ素体との反応性が低く、好ま
しい。容器３の底部には、凹部7aと凸部7bとを有する焼
成用セッター７が設置され、凹部7aには敷粉６が敷きつ
められている。凸部7bには所定個数の素体５が載置され
る。この状態で匣鉢１を加熱し、素体５を焼成し、一ロ
ットの電圧非直線抵抗体を製造する。敷粉６の組成は、
仮焼体の組成と同一とするのが好ましい。
明する。第１図は素体を匣鉢内に収容した状態を示す概
略断面図である。匣鉢１は蓋２と容器３とからなり、好
ましくはムライト質、高アルミナ質、又はマグネシア質
からなる。ムライト質、高アルミナ質、マグネシア質の
素材は、耐火性に優れかつ素体との反応性が低く、好ま
しい。容器３の底部には、凹部7aと凸部7bとを有する焼
成用セッター７が設置され、凹部7aには敷粉６が敷きつ
められている。凸部7bには所定個数の素体５が載置され
る。この状態で匣鉢１を加熱し、素体５を焼成し、一ロ
ットの電圧非直線抵抗体を製造する。敷粉６の組成は、
仮焼体の組成と同一とするのが好ましい。
【００１０】本発明者は、素子特性の不良が増加した原
因について、上記の焼成工程に関して検討を進めた結
果、匣鉢内壁面への金属酸化物の吸着に原因があること
を見出した。
因について、上記の焼成工程に関して検討を進めた結
果、匣鉢内壁面への金属酸化物の吸着に原因があること
を見出した。
【００１１】即ち、匣鉢内部の収容物である素体５及び
敷粉６を加熱する過程で、これらからビスマス成分（場
合によっては更に銀成分）が飛散し、これらの成分が匣
鉢内壁面に付着、含浸して含浸層４を形成する。含浸層
４においては、開気孔内にビスマス成分のガラス相が生
成している。
敷粉６を加熱する過程で、これらからビスマス成分（場
合によっては更に銀成分）が飛散し、これらの成分が匣
鉢内壁面に付着、含浸して含浸層４を形成する。含浸層
４においては、開気孔内にビスマス成分のガラス相が生
成している。
【００１２】本発明者が、この匣鉢内壁面についてＸ線
回折を行ったところ、第２図に示す結果を得た。これに
よると、新品（Bi2O3: O重量％、Ag2O: O 重量％) では
ムライトのピークが見られるが、使用品−１（Bi2O3:1.
0 重量％、Ag2O:0.05 重量％）や使用品−２（Bi2O3:３
重量％、Ag2O:0.1重量％）ではムライトのピークがほと
んど消失し、内壁面の含浸層４がガラス化していること
が解る。
回折を行ったところ、第２図に示す結果を得た。これに
よると、新品（Bi2O3: O重量％、Ag2O: O 重量％) では
ムライトのピークが見られるが、使用品−１（Bi2O3:1.
0 重量％、Ag2O:0.05 重量％）や使用品−２（Bi2O3:３
重量％、Ag2O:0.1重量％）ではムライトのピークがほと
んど消失し、内壁面の含浸層４がガラス化していること
が解る。
【００１３】そして、本発明者は、更に検討を進めた結
果、匣鉢の内壁面へのビスマス成分の吸着の度合と素子
特性の低下、不良の発生との間に明確な相関があること
を突き止め、本発明を完成した。
果、匣鉢の内壁面へのビスマス成分の吸着の度合と素子
特性の低下、不良の発生との間に明確な相関があること
を突き止め、本発明を完成した。
【００１４】即ち、匣鉢の組織の開気孔率が５％以上、
４０％以下であり、前記匣鉢の組織中に存在するビスマ
ス成分の匣鉢に対する重量比がBi2O3 に換算して５重量
％以下である匣鉢を使用するように、匣鉢の状態を管理
し、この範囲を越えるようであれば匣鉢を新品に交換す
ることで、バリスタ電圧不良等の発生を防止できたので
ある。
４０％以下であり、前記匣鉢の組織中に存在するビスマ
ス成分の匣鉢に対する重量比がBi2O3 に換算して５重量
％以下である匣鉢を使用するように、匣鉢の状態を管理
し、この範囲を越えるようであれば匣鉢を新品に交換す
ることで、バリスタ電圧不良等の発生を防止できたので
ある。
【００１５】なお、素体５、敷粉６中には、ビスマス化
合物および銀化合物の双方を含有させることができる。
合物および銀化合物の双方を含有させることができる。
【００１６】ビスマス成分の匣鉢に対する重量比は、Bi
2O3 に換算して更に3.0 重量％以下とするのが好まし
い。素体に銀を含有させる場合には、銀成分の匣鉢に対
する重量比はAg2Oに換算して０．２重量％以下とするこ
とが好ましく、0.15重量％以下とするのが更に好まし
い。
2O3 に換算して更に3.0 重量％以下とするのが好まし
い。素体に銀を含有させる場合には、銀成分の匣鉢に対
する重量比はAg2Oに換算して０．２重量％以下とするこ
とが好ましく、0.15重量％以下とするのが更に好まし
い。
【００１７】匣鉢の開気孔率は５〜40％とするのが好ま
しい。これが５％未満であると、匣鉢の通気性が低下
し、匣鉢内が弱環元雰囲気となり、素子の非直線性が大
幅に低下する。またこれが40％を越えると、匣鉢内の雰
囲気保護が困難となり、素子の特性がばらつく。
しい。これが５％未満であると、匣鉢の通気性が低下
し、匣鉢内が弱環元雰囲気となり、素子の非直線性が大
幅に低下する。またこれが40％を越えると、匣鉢内の雰
囲気保護が困難となり、素子の特性がばらつく。
【００１８】また、本発明者は、匣鉢の組織の開気孔中
に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層
を形成し、この含浸層が匣鉢の内側壁面から外側壁面へ
と向かって延びていることを発見した。そして、第１図
において、含浸層又は拡散浸透層４の厚さを、匣鉢１の
壁面の厚さの70％以下とすることが、極めて有効である
ことを見いだした。これは、含浸層が匣鉢壁面の厚さの
70％を超えると、ガラス化した層が開気孔を減少させ、
通気性が急激に低下するため、素子の特性が大幅に低下
するからである。
に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層
を形成し、この含浸層が匣鉢の内側壁面から外側壁面へ
と向かって延びていることを発見した。そして、第１図
において、含浸層又は拡散浸透層４の厚さを、匣鉢１の
壁面の厚さの70％以下とすることが、極めて有効である
ことを見いだした。これは、含浸層が匣鉢壁面の厚さの
70％を超えると、ガラス化した層が開気孔を減少させ、
通気性が急激に低下するため、素子の特性が大幅に低下
するからである。
【００１９】匣鉢を多段積みして焼成する場合は匣鉢の
底部は、内面側と外面側とからBi2O3及び／又はAg2Oが
吸着含浸するが、内面側と外面側の含浸層の厚さの合計
を、匣鉢１の底部内厚の70％以下とすることが好まし
い。又匣鉢は側枠と底板との組立品であっても良い。更
に又、匣鉢は蓋と側枠と底板が異なった材質で形成され
た組立品であっても良い。
底部は、内面側と外面側とからBi2O3及び／又はAg2Oが
吸着含浸するが、内面側と外面側の含浸層の厚さの合計
を、匣鉢１の底部内厚の70％以下とすることが好まし
い。又匣鉢は側枠と底板との組立品であっても良い。更
に又、匣鉢は蓋と側枠と底板が異なった材質で形成され
た組立品であっても良い。
【００２０】
【実施例】最初に、電圧非直線抵抗体の一般的製法につ
いて述べる。電圧非直線抵抗体を製造するには、所定の
粒度に調整した酸化亜鉛原料と所定の粒度に調整した酸
化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチ
モン、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化ニッケル、酸化
銀、酸化ホウ素等よりなる添加物の所定量を混合する。
なお、この場合酸化銀、酸化ホウ素の代わりに硝酸銀、
ホウ酸を用いてもよい。
いて述べる。電圧非直線抵抗体を製造するには、所定の
粒度に調整した酸化亜鉛原料と所定の粒度に調整した酸
化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチ
モン、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化ニッケル、酸化
銀、酸化ホウ素等よりなる添加物の所定量を混合する。
なお、この場合酸化銀、酸化ホウ素の代わりに硝酸銀、
ホウ酸を用いてもよい。
【００２１】好ましくは、銀を含むホウケイ酸ビスマス
ガラスを用いるとよい。これら原料粉末に対して所定量
のポリビニルアルコール水溶液等を加え、好ましくはデ
ィスパーミルにより混合した後、好ましくはスプレード
ライヤにより造粒して造粒物を得る。造粒後、成形圧力
800〜1000kg／cm2 の下で所定の形状に成形する。そし
て成形体を昇降温速度30〜70℃／hrで 800〜1000℃、保
持時間１〜５時間という条件で仮焼成する。
ガラスを用いるとよい。これら原料粉末に対して所定量
のポリビニルアルコール水溶液等を加え、好ましくはデ
ィスパーミルにより混合した後、好ましくはスプレード
ライヤにより造粒して造粒物を得る。造粒後、成形圧力
800〜1000kg／cm2 の下で所定の形状に成形する。そし
て成形体を昇降温速度30〜70℃／hrで 800〜1000℃、保
持時間１〜５時間という条件で仮焼成する。
【００２２】なお、仮焼成の前に成形体を昇降温速度10
〜100 ℃／hrで 400〜600 ℃、保持時間１〜10時間で加
熱し結合剤を飛散除去することが好ましい。これを脱脂
体という。尚、形成体、脱脂体、仮焼体の夫々を総称し
て素体という。
〜100 ℃／hrで 400〜600 ℃、保持時間１〜10時間で加
熱し結合剤を飛散除去することが好ましい。これを脱脂
体という。尚、形成体、脱脂体、仮焼体の夫々を総称し
て素体という。
【００２３】次に、仮焼成した仮焼体の側面に側面高抵
抗層を形成する。酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化
亜鉛、酸化ケイ素等の所定量に有機結合剤としてエチル
セルロース、ブチルカルビトール、酢酸ｎブチル等を加
えた側面高抵抗層用混合物ペーストを、60〜300 μm の
厚さに仮焼体の側面に塗布する。なお、前記混合物ペー
ストは成形体または脱脂体に塗布してもよい。
抗層を形成する。酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化
亜鉛、酸化ケイ素等の所定量に有機結合剤としてエチル
セルロース、ブチルカルビトール、酢酸ｎブチル等を加
えた側面高抵抗層用混合物ペーストを、60〜300 μm の
厚さに仮焼体の側面に塗布する。なお、前記混合物ペー
ストは成形体または脱脂体に塗布してもよい。
【００２４】次に、仮焼体を匣鉢の内部に収容し、昇降
温速度40〜60℃／hr、1100〜1400℃好ましくは1100〜12
50℃、保持時間３〜７時間という条件で本焼成する。こ
のとき、匣鉢に対して本発明の条件を適用する。尚、本
実施例では仮焼体を匣鉢の内部に収容して実施している
が、仮焼体のかわりに、成形体、又は脱脂体を匣鉢の内
部に収容して実施する場合に置いても本発明の条件が適
用できる。
温速度40〜60℃／hr、1100〜1400℃好ましくは1100〜12
50℃、保持時間３〜７時間という条件で本焼成する。こ
のとき、匣鉢に対して本発明の条件を適用する。尚、本
実施例では仮焼体を匣鉢の内部に収容して実施している
が、仮焼体のかわりに、成形体、又は脱脂体を匣鉢の内
部に収容して実施する場合に置いても本発明の条件が適
用できる。
【００２５】なお、ガラス粉末に有機結合剤としてエチ
ルセルロース、ブチルカルビトール、酢酸ｎブチル等を
加えたガラスペーストを前記の側面高抵抗層上に 100〜
300 μm の厚さに塗布し、空気中で昇降温速度 100〜20
0 ℃／hr、500 〜900 ℃、保持時間 0.5〜10時間という
条件で熱処理することにより、ガラス層の形成を同時に
実施することも可能である。
ルセルロース、ブチルカルビトール、酢酸ｎブチル等を
加えたガラスペーストを前記の側面高抵抗層上に 100〜
300 μm の厚さに塗布し、空気中で昇降温速度 100〜20
0 ℃／hr、500 〜900 ℃、保持時間 0.5〜10時間という
条件で熱処理することにより、ガラス層の形成を同時に
実施することも可能である。
【００２６】その後、得られた電圧非直線抵抗体の両端
面を、SiC, Al2O3, ダイヤモンド等のNo. 400 〜No.200
0 相当の研磨剤により、水または油を使用して研磨す
る。次に研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアル
ミニウム等によって、電極を例えば溶射により設けて、
電圧非直線抵抗体を得る。
面を、SiC, Al2O3, ダイヤモンド等のNo. 400 〜No.200
0 相当の研磨剤により、水または油を使用して研磨す
る。次に研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアル
ミニウム等によって、電極を例えば溶射により設けて、
電圧非直線抵抗体を得る。
【００２７】以下、実験例について述べる。 （参考実験）Bi2O3 1.0 モル％、Sb2O3 1.0 モル％、Cr
2O3 0.5 モル％、 MnO2 0.5 モル％、 Co3O4 0.6モル
％、 SiO2 1.5 モル％、NiO 1.0モル％、 Al3+50 ppm
及び残部が酸化亜鉛原料からなる原料混合物100 重量部
に対し、Ag2Oを0.02重量部、ホウケイ酸ビスマスガラス
を0.1 重量％加え、これを前述のように造粒、成形、脱
脂、仮焼し、この仮焼体に側面高抵抗剤を塗布し、第１
図に示すように匣鉢１内に収容して1200℃で本焼成し、
径47mm、高さ22.5mmの円盤状の電圧非直線抵抗体を得
た。このとき、敷粉としては、上記の混合物と同一組成
の粉末を用いた。
2O3 0.5 モル％、 MnO2 0.5 モル％、 Co3O4 0.6モル
％、 SiO2 1.5 モル％、NiO 1.0モル％、 Al3+50 ppm
及び残部が酸化亜鉛原料からなる原料混合物100 重量部
に対し、Ag2Oを0.02重量部、ホウケイ酸ビスマスガラス
を0.1 重量％加え、これを前述のように造粒、成形、脱
脂、仮焼し、この仮焼体に側面高抵抗剤を塗布し、第１
図に示すように匣鉢１内に収容して1200℃で本焼成し、
径47mm、高さ22.5mmの円盤状の電圧非直線抵抗体を得
た。このとき、敷粉としては、上記の混合物と同一組成
の粉末を用いた。
【００２８】一方、ムライト質の縦270 mm、横270 mm、
高さ80mmの寸法の匣鉢を多数用意した。これらの匣鉢の
気孔率は18％であり、使用回数の異なる匣鉢を夫々２個
（この２個は同一使用回数品）準備し、一方の匣鉢につ
いて予めBi2O3 及び／又はAg2Oの含浸量を測定し、他方
の匣鉢のBi2O3 及び／又はAg2Oの含浸量の概略値を把握
し、その上で、該匣鉢を用いて上述の仮焼体の本焼成を
実施した。試験後匣鉢のBi2O3 及び／又はAg2Oの含浸量
を測定した。
高さ80mmの寸法の匣鉢を多数用意した。これらの匣鉢の
気孔率は18％であり、使用回数の異なる匣鉢を夫々２個
（この２個は同一使用回数品）準備し、一方の匣鉢につ
いて予めBi2O3 及び／又はAg2Oの含浸量を測定し、他方
の匣鉢のBi2O3 及び／又はAg2Oの含浸量の概略値を把握
し、その上で、該匣鉢を用いて上述の仮焼体の本焼成を
実施した。試験後匣鉢のBi2O3 及び／又はAg2Oの含浸量
を測定した。
【００２９】尚、No.３，10, 15, 20, 23, 26は、Bi2O
3 及び／又はAg2Oの含浸量を表１に示した所定量を加え
た匣鉢を使用して試験した結果である。
3 及び／又はAg2Oの含浸量を表１に示した所定量を加え
た匣鉢を使用して試験した結果である。
【００３０】上記のようにして得た各電圧非直線抵抗体
につき、 V1mA 、制限電圧比（ V40KA／ V1mA ）及び絶
縁抵抗を測定した。結果を下記表１に示す。
につき、 V1mA 、制限電圧比（ V40KA／ V1mA ）及び絶
縁抵抗を測定した。結果を下記表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１から明らかなように、 Bi2O3の吸着量
を 5.0 重量％以下とし、かつ Ag2Oの吸着量を0.2 重
量％以下とすることで、素子特性が向上し、かつ特性の
バラツキ（σn-1)も小さくできることが解る。
を 5.0 重量％以下とし、かつ Ag2Oの吸着量を0.2 重
量％以下とすることで、素子特性が向上し、かつ特性の
バラツキ（σn-1)も小さくできることが解る。
【００３３】（本発明の実験１）Bi2O3 1.0 モル％、Sb
2O3 1.0 モル％、Cr2O3 0.5 モル％、 MnO2 0.5 モル
％、 Co3O4 0.6モル％、 SiO2 1.5 モル％、NiO 1.0モ
ル％、 Al3+50 ppm及び残部が酸化亜鉛原料からなる原
料混合物100 重量部に対し、Ag2Oを0.02重量部を加え、
これを前述のように造粒、成形、脱脂、仮焼し、この仮
焼体に側面高抵抗剤を塗布し、第１図に示すように匣鉢
１内に収容して1200℃で本焼成し、径47mm、高さ22.5mm
の円盤状の電圧非直線抵抗体を得た。このとき、敷粉と
しては、上記の混合物と同一組成の粉末を用いた。
2O3 1.0 モル％、Cr2O3 0.5 モル％、 MnO2 0.5 モル
％、 Co3O4 0.6モル％、 SiO2 1.5 モル％、NiO 1.0モ
ル％、 Al3+50 ppm及び残部が酸化亜鉛原料からなる原
料混合物100 重量部に対し、Ag2Oを0.02重量部を加え、
これを前述のように造粒、成形、脱脂、仮焼し、この仮
焼体に側面高抵抗剤を塗布し、第１図に示すように匣鉢
１内に収容して1200℃で本焼成し、径47mm、高さ22.5mm
の円盤状の電圧非直線抵抗体を得た。このとき、敷粉と
しては、上記の混合物と同一組成の粉末を用いた。
【００３４】一方、ムライト質の縦270 mm、横270 mm、
高さ80mm、肉厚10mmの寸法の匣鉢を多数用意した。これ
らの匣鉢の開気孔率は、表２に示すように変更した。匣
鉢への吸着量は、Ｂｉ2 Ｏ3 が３重量％であり、Ａｇ2
Ｏが０．１重量％であった。この匣鉢を用いて、上述の
仮焼体の本焼成を実施した。
高さ80mm、肉厚10mmの寸法の匣鉢を多数用意した。これ
らの匣鉢の開気孔率は、表２に示すように変更した。匣
鉢への吸着量は、Ｂｉ2 Ｏ3 が３重量％であり、Ａｇ2
Ｏが０．１重量％であった。この匣鉢を用いて、上述の
仮焼体の本焼成を実施した。
【００３５】上記のようにして得た各電圧非直線抵抗体
につき、 V1mA 、制限電圧比（ V40KA／ V1mA ）及び絶
縁抵抗を測定した。結果を下記表２に示す。
につき、 V1mA 、制限電圧比（ V40KA／ V1mA ）及び絶
縁抵抗を測定した。結果を下記表２に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２から判るように、更に匣鉢の開気孔率
を５〜40％とすることによって、素子特性が著しく向上
し、かつ特性のバラツキも小さくできる。
を５〜40％とすることによって、素子特性が著しく向上
し、かつ特性のバラツキも小さくできる。
【００３８】（本発明の実験２）Bi2O3 0.6 モル％、Sb
2O3 1.0 モル％、Cr2O3 1.0 モル％、 MnO2 0.5 モル
％、 Co3O4 0.6モル％、 SiO2 0.5 モル％、NiO 1.5モ
ル％、 Al3+100 ppm 及び残部が酸化亜鉛原料からなる
原料混合物を、前述のように造粒、成形、脱脂、仮焼
し、この仮焼体に側面高抵抗剤を塗布し、第１図に示す
ように匣鉢１内に収容して1200℃で本焼成し、径47mm、
高さ22.5mmの円盤状の電圧非直線抵抗体を得た。このと
き、敷粉としては、上記の混合物と同一組成の粉末を用
いた。
2O3 1.0 モル％、Cr2O3 1.0 モル％、 MnO2 0.5 モル
％、 Co3O4 0.6モル％、 SiO2 0.5 モル％、NiO 1.5モ
ル％、 Al3+100 ppm 及び残部が酸化亜鉛原料からなる
原料混合物を、前述のように造粒、成形、脱脂、仮焼
し、この仮焼体に側面高抵抗剤を塗布し、第１図に示す
ように匣鉢１内に収容して1200℃で本焼成し、径47mm、
高さ22.5mmの円盤状の電圧非直線抵抗体を得た。このと
き、敷粉としては、上記の混合物と同一組成の粉末を用
いた。
【００３９】一方、ムライト質の縦270 mm、横270 mm、
高さ80mm、肉厚10mmの寸法の匣鉢を多数用意した。これ
らの匣鉢の気孔率は18％である。使用回数の異なる匣鉢
を夫々２個（この２個は同一使用回数品）準備し、一方
の匣鉢について予めBi2O3 の含浸量を測定し、他方の匣
鉢のBi2O3 の含浸量の概略値を把握し、その上で、該匣
鉢を用いて上述の仮焼体の本焼成を実施した。試験後、
匣鉢のBi2O3 の吸着量を測定した。また、含浸層の厚さ
を測定した。
高さ80mm、肉厚10mmの寸法の匣鉢を多数用意した。これ
らの匣鉢の気孔率は18％である。使用回数の異なる匣鉢
を夫々２個（この２個は同一使用回数品）準備し、一方
の匣鉢について予めBi2O3 の含浸量を測定し、他方の匣
鉢のBi2O3 の含浸量の概略値を把握し、その上で、該匣
鉢を用いて上述の仮焼体の本焼成を実施した。試験後、
匣鉢のBi2O3 の吸着量を測定した。また、含浸層の厚さ
を測定した。
【００４０】上記のようにして得た各電圧非直線抵抗体
につき、 V1mA 、制限電圧比（ V40KA／ V1mA ）及び絶
縁抵抗を測定した。結果を下記表３に示す。
につき、 V1mA 、制限電圧比（ V40KA／ V1mA ）及び絶
縁抵抗を測定した。結果を下記表３に示す。
【００４１】
【表３】
【００４２】表３から、匣鉢に吸着した Bi2O3の含浸層
の厚みを、匣鉢の壁面の厚さの70％以下とすることによ
り、素子特性が著しく向上し、かつ特性のバラツキも小
さくできることが解る。
の厚みを、匣鉢の壁面の厚さの70％以下とすることによ
り、素子特性が著しく向上し、かつ特性のバラツキも小
さくできることが解る。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、酸
化亜鉛を主成分として含有し、少なくともビスマス化合
物を添加成分として含有する素体を作成し、この素体を
密封性の匣鉢内部へと収容して1100〜1400℃で焼成して
なる電圧非直線抵抗体を製造するのに際して、電圧非直
線抵抗体のバリスタ電圧の劣化、バラツキ、制限電圧
比、絶縁抵抗等の劣化を防止でき、各焼成ロットにおけ
る不良率の増大を防止し、電圧非直線抵抗体の生産性、
信頼性を高めることができる。
化亜鉛を主成分として含有し、少なくともビスマス化合
物を添加成分として含有する素体を作成し、この素体を
密封性の匣鉢内部へと収容して1100〜1400℃で焼成して
なる電圧非直線抵抗体を製造するのに際して、電圧非直
線抵抗体のバリスタ電圧の劣化、バラツキ、制限電圧
比、絶縁抵抗等の劣化を防止でき、各焼成ロットにおけ
る不良率の増大を防止し、電圧非直線抵抗体の生産性、
信頼性を高めることができる。
【図１】仮焼体を匣鉢内に収容した状態を示す概略断面
図である。
図である。
【図２】匣鉢の内壁面のＸ線回折試験結果を示すグラフ
である。
である。
１ 匣鉢 ４ 含浸層（拡散浸透層） ５ 素
体（仮焼体等） ６ 敷粉 ７ 焼成用セッタ
ー
体（仮焼体等） ６ 敷粉 ７ 焼成用セッタ
ー
Claims (4)
- 【請求項１】酸化亜鉛を主成分として含有し、少なくと
もビスマス化合物を添加成分として含有する素体を作成
し、この素体を密封性の匣鉢内部へと収容して1100〜14
00℃で焼成してなる電圧非直線抵抗体の製造方法におい
て、前記密閉性の匣鉢を複数回使用して複数ロットの素
体を焼成するのに際し、前記匣鉢の組織の開気孔率が５
％以上、４０％以下であり、前記匣鉢の組織中に存在す
るビスマス成分の匣鉢に対する重量比がBi2O3 に換算し
て５重量％以下である匣鉢を使用することを特徴とす
る、電圧非直線抵抗体の製造方法。 - 【請求項２】酸化亜鉛を主成分として含有し、少なくと
もビスマス化合物を添加成分として含有する素体を匣鉢
の内部へと収容し、焼成するための密閉性の匣鉢であっ
て、前記匣鉢の組織の開気孔率が５％以上、４０％以下
であり、前記匣鉢の組織中に存在するビスマス成分の匣
鉢に対する重量比がBi2O3 に換算して５重量％以下であ
ることを特徴とする、電圧非直線抵抗体製造用の匣鉢。 - 【請求項３】酸化亜鉛を主成分として含有し、少なくと
もビスマス化合物を添加成分として含有する素体を作成
し、この素体を密封性の匣鉢内部へと収容して1100〜14
00℃で焼成してなる電圧非直線抵抗体の製造方法におい
て、前記密閉性の匣鉢を複数回使用して複数ロットの素
体を焼成するのに際し、前記匣鉢の組織の開気孔率が５
％以上、４０％以下であり、前記匣鉢の組織の開気孔中
に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層
が形成されており、この含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚
の７０％以下であることを特徴とする、電圧非直線抵抗
体の製造方法。 - 【請求項４】酸化亜鉛を主成分として含有し、少なくと
もビスマス化合物を添加成分として含有する素体を匣鉢
の内部へと収容し、焼成するための密閉性の匣鉢であっ
て、前記匣鉢の組織の開気孔率が５％以上、４０％以下
であり、前記匣鉢の組織の開気孔中に酸化ビスマスを含
むガラス相が充填されている含浸層が形成されており、
この含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚の７０％以下である
ことを特徴とする、電圧非直線抵抗体製造用の匣鉢。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8278178A JP2793578B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8278178A JP2793578B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 |
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|---|---|---|---|
| JP2232353A Division JP2619129B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09132453A true JPH09132453A (ja) | 1997-05-20 |
| JP2793578B2 JP2793578B2 (ja) | 1998-09-03 |
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ID=17593682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8278178A Expired - Lifetime JP2793578B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2793578B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108975902A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-11 | 辰硕电子(九江)有限公司 | 一种高性能氧化锌压敏电阻器专用匣钵的配料和制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54106893A (en) * | 1978-02-09 | 1979-08-22 | Marukon Denshi Kk | Method of producing nonnlinear resistor against voltage |
| JPS6086801A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
-
1996
- 1996-10-21 JP JP8278178A patent/JP2793578B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54106893A (en) * | 1978-02-09 | 1979-08-22 | Marukon Denshi Kk | Method of producing nonnlinear resistor against voltage |
| JPS6086801A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108975902A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-11 | 辰硕电子(九江)有限公司 | 一种高性能氧化锌压敏电阻器专用匣钵的配料和制造方法 |
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| JP2793578B2 (ja) | 1998-09-03 |
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