JPH09134550A - スタンパの作成方法及び光デイスク原盤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、スタンパの作成方法及び光デイスク
原盤について、スタンパの品質に対する信頼性を向上し
得るようにする。 【解決手段】本発明は、光デイスクとほぼ同じ厚さ及び
屈折率を有する基体を形成し、当該基体の一面に光デイ
スクとほぼ同じ屈折率を有するフオトレジストでなる凹
凸パターンを形成し、当該凹凸パターン上に導電化膜層
と電気メツキ膜とを順次形成し、導電化膜層を形成した
後及び又は電気メツキ膜を形成した後、基体の他面から
凹凸パターンにレーザ光を照射して凹凸パターンを評価
することにより、規格外のものを規格内と判定すること
を確実に防止し得る。また本発明は、光デイスクとほぼ
同じ厚さ及び屈折率を有する基体と、当該基体の一面に
形成された、光デイスクとほぼ同じ屈折率を有するフオ
トレジストでなる凹凸パターンとを設けることにより、
光デイスクの評価とほぼ同じ条件で凹凸パターンを評価
し得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図６及び図７） 発明が解決しようとする課題（図６〜図９） 課題を解決するための手段（図１〜図５） 発明の実施の形態（図１〜図５） 発明の効果

【０００２】

【発明の属する技術分野】本発明はスタンパの作成方法
及び光デイスク原盤に関し、例えば光デイスク成形時に
金型となるスタンパを作成するスタンパの作成方法及び
当該スタンパを作成する際の金型となる光デイスク原盤
に適用して好適なものである。

【０００３】

【従来の技術】従来、光デイスクは、一面に記録信号に
基づく凹凸パターンが形成された透明基板のこの凹凸パ
ターン上にアルミニウム（Ａｌ）反射膜や保護膜が形成
されている。この凹凸パターンを有する透明基板は射出
成形法、圧縮成形法、射出成形圧縮法及びガラス２Ｐ
（Photo Polymer ）法等により成形される。なかでも特
に、射出成形法は、凹凸パターンを有する透明基板の成
形サイクルが短く、また凹凸パターンの転写性に優れ、
さらには大量生産に適することから、凹凸パターンを有
する透明基板を成形する成形方法の主流となつている。

【０００４】この射出成形法においては、透明基板の凹
凸パターンに対応する（すなわち、反転された）凹凸パ
ターンが形成されたスタンパを金型に取り付けた後、こ
の金型の中に透明基板の材料を射出することにより、凹
凸パターンを有する透明基板を成形し得るようになされ
ている。

【０００５】ここで、射出成形法に用いられるスタンパ
の作成方法を、図６（Ａ）〜図７（Ｄ）に示す。すなわ
ち、まず極めて平滑性の高いガラス板１をターンテーブ
ル（図示せず）に載置して矢印Ａに示す回転方向に回転
させる。この後、このガラス板１の一面１Ａに第１のノ
ズル２から研磨剤スラリー３を滴下すると共に研磨布４
を用いて当該ガラス板１の一面１Ａを研磨する。この場
合、ガラス板１の一面１Ａの研磨は、当該ガラス板１の
一面１Ａに存在する汚染物質から極めて微細な傷に至る
まで除去する。次いでガラス板１を超音波洗浄等の方法
で洗浄してガラス板１の一面１Ａに残存している研磨剤
を除去した後、このガラス板１を乾燥させる（図６
（Ａ））。

【０００６】続いてガラス板１の一面１Ａにポジ型のフ
オトレジスト５を塗布して乾燥させる（図６（Ｂ））。
この後、このガラス板１を光学カツテイング装置（図示
せず）のターンテーブル６に載置して回転方向に回転さ
せ、対物レンズ７を介して所定のビーム径に集光された
レーザ光Ｌ１でフオトレジスト５を露光することにより
所定の記録信号を記録する（図６（Ｃ））。

【０００７】次いでこのガラス板１を現像機（図示せ
ず）のターンテーブル８に載置して回転方向に回転させ
た状態でフオトレジスト５上に第２のノズル９から現像
液１０を滴下して、当該フオトレジスト５の露光領域５
Ａを現像処理する（図６（Ｄ））。この結果、ガラス板
１の一面１Ａに記録信号に基づく凹凸パターンが形成さ
れ、かくしてガラス板１及び当該ガラス板１の一面１Ａ
に形成された凹凸パターンでなる光デイスク原盤が作成
される（図７（Ａ））。

【０００８】続いて光デイスク原盤の凹凸パターン上に
スパツタリング法、蒸着法又は無電界メツキ法等により
ニツケル又は銀でなる導電化膜層１１を形成する（図７
（Ｂ））。さらにこの導電化膜層１１上に電気メツキ法
等により所定の厚みでなる電気メツキ層１２を形成する
（図７（Ｃ））。次いで、導電化膜層１１と電気メツキ
層１２とでなるスタンパ部１３から光デイスク原盤（ガ
ラス板１及びフオトレジスト５）を引き剥がし、導電化
膜層１１の露出面に残存するフオトレジスト５を洗浄し
て乾燥させる。この後、スタンパ部１３の周端部の余分
な領域をプレス等で除去することによりスタンパ１４を
得ている（図７（Ｄ））。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが上述したよう
なスタンパ１４の作成方法においては、作成途中におけ
る取り扱い中にフオトレジスト５上にゴミが付着した
り、超音波洗浄において研磨剤３が除去しきれずに残存
したりすると共に、フオトレジスト５の露光におけるレ
ーザ光Ｌ１の強度部分不良及びフオトレジスト５の現像
処理における現像の過不足による凹凸パターンの劣化
や、プレス加工において取り扱いの不備により凹凸パタ
ーンに傷を付ける等、スタンパ１４の作成途中に当該ス
タンパ１４の凹凸パターンに種々の欠陥を生じさせるこ
とがある。

【００１０】この場合スタンパ１４の凹凸パターンに生
じるこれらの欠陥は、その大部分が許容し得る程度であ
るが、ときとしてこれらの欠陥が許容し難い程度の欠陥
となることがある。このように許容し難い欠陥の生じた
スタンパ１４を用いて光デイスクの凹凸パターンを有す
る透明基板を成形することは、この透明基板から作成さ
れる光デイスクが不良品になるばかりでなく、光デイス
クを作成するために使用した材料や時間を無駄にするこ
とになる。

【００１１】このため、この種のスタンパの作成方法に
おいては、光デイスク原盤の凹凸パターン上に導電化膜
層１１を形成した後及びスタンパ１４を作成した後に凹
凸パターンを評価してこの凹凸パターンの良否を判定す
る。かくして合格と判定された凹凸パターンを有するス
タンパ１４を用いて凹凸パターンを有する透明基板を成
形するようになされている。

【００１２】ここで凹凸パターンを評価する方法とし
て、スタンパ評価装置を用いた代表的な評価方法を図８
及び図９に示す。まず、図８に示すように、第１の評価
方法は、光デイスク原盤の凹凸パターン上に導電化膜層
１１を形成した後、この導電化膜層１１側から当該導電
化膜層１１の表面に対物レンズ１５を介して所定のビー
ム径に集光された読取り用のレーザ光（以下、これを読
取りレーザ光と呼ぶ）Ｌ２を照射して、当該導電化膜層
１１の表面で反射してなる戻り光（図示せず）に基づい
て凹凸パターンに基づく記録信号を読み取り、凹凸パタ
ーンを評価する。

【００１３】一方、図９に示すように、第２の評価方法
は、作成されたスタンパ１４の導電化膜層１１側から当
該導電化膜層１１の表面に対物レンズ１５を介して所定
のビーム径に集光された読取りレーザ光Ｌ２を照射し
て、当該導電化膜層１１の表面で反射してなる戻り光
（図示せず）に基づいて凹凸パターンに基づく記録信号
を読み取り、凹凸パターンを評価する。

【００１４】ところがこのような第１及び第２の評価方
法における評価結果は、実際に評価されて合格と判定さ
れたスタンパ１４を用いて光デイスクを作成し、当該光
デイスクから記録信号を読み取つて評価した評価結果と
比較すると、変調度、トラツキングエラー信号及び誤り
率等の特性値に大きな差が生じる。

【００１５】これは第１及び第２の評価方法では、導電
化膜層１１側から当該導電化膜層１１の表面に読取りレ
ーザ光Ｌ２を照射して凹凸パターンを評価しているのに
対して、光デイスクでは透明基板の凹凸パターンが形成
された面と対向する面（以下、これを裏面と呼ぶ）側か
ら凹凸パターンに読取りレーザ光を照射して凹凸パター
ンを評価するためである。すなわち、光デイスクの透明
基板に読取りレーザ光を透過させて凹凸パターンに基づ
く記録信号を読み取ることにより、第１及び第２の評価
方法での読取りレーザ光Ｌ２の波長に対して、光デイス
クを透過する読取りレーザ光の波長が当該光デイスクの
透明基板の屈折率の逆数倍だけ短くなるためである。

【００１６】ここで、光デイスクとしてコンパクトデイ
スク（ＣＤ）を用いてさらに詳しく説明すると、通常、
コンパクトデイスクの透明基板は 1.5程度の屈折率を有
し、また凹凸パターンに照射する読取りレーザ光は空気
中において 780.0〔nm〕程度の波長を有する。このた
め、この読取りレーザ光の波長は透明基板を透過するこ
とにより、当該透明基板の屈折率の逆数倍だけ短くな
り、次式（１）

【数１】 に示す波長となる。またこのコンパクトデイスクにおい
ては、凹凸の高さが読取りレーザ光の波長の1/4 の値で
なるときに変調度が最大となるため、通常、コンパクト
デイスクにおける凹凸の高さは（すなわち、光デイスク
原盤又はスタンパ１４における凹凸の高さ）次式（２）

【数２】 で示す値となるように形成されている。

【００１７】一方、第１及び第２の評価方法において
は、 780.0〔nm〕程度の波長を有する読取りレーザ光Ｌ
２が記録信号に照射されていると共に、凹凸の高さはコ
ンパクトデイスクと同じ高さである。従つて、凹凸の高
さに対する読取りレーザ光Ｌ２の波長の割合は次式
（３）

【数３】 に示すように1/6 となり、凹凸の高さは読取りレーザ光
の波長に対して1/6 波長の高さとなる。このためコンパ
クトデイスクにおける変調度に比べて光デイスク原盤
（又はスタンパ１４）における変調度は大幅に小さくな
り、この結果、光デイスク原盤（又はスタンパ１４）に
おける誤り率はコンパクトデイスクにおける誤り率に対
して増大する。

【００１８】またトラツキングエラー信号は、凹凸の高
さが読取りレーザ光の波長に対して1/8 の値でなるとき
に最大となる。この場合コンパクトデイスクは凹凸の高
さが読取りレーザ光の波長に対して1/4 の値でなるのに
対して、光デイスク原盤（又はスタンパ１４）では凹凸
の高さが読取りレーザ光Ｌ２の波長に対して1/6 の値と
なる。このため、光デイスク原盤（又はスタンパ１４）
におけるトラツキングエラー信号は、コンパクトデイス
クのトラツキングエラー信号に対して著しく大きくな
る。

【００１９】このように、光デイスク原盤（又はスタン
パ１４）における変調度、トラツキングエラー信号及び
誤り率等の特性値とコンパクトデイスクにおける変調
度、トラツキングエラー信号及び誤り率等の特性値とで
は大きな差が生じるが、本来、光デイスク原盤（又はス
タンパ１４）とコンパクトデイスクとでこれら特性値は
相関関係にある。

【００２０】ところが、実際上この第１及び第２の評価
方法においては、導電化膜層１１の表面にゴミ等が付着
する等の欠陥が生じることがある。この場合第１及び第
２の評価方法においては、ゴミ等の欠陥も読取りレーザ
光Ｌ２よつて読み取ることになるため、記録信号を正確
に読み取ることが困難となり、光デイスク原盤（又はス
タンパ１４）とコンパクトデイスクとでこれら特性値に
対して正確に相関関係をとることが困難となる問題があ
つた。

【００２１】このため、第１及び第２の評価方法におい
ては、コンパクトデイスクにおける誤り率に対して光デ
イスク原盤（又はスタンパ１４）における誤り率が上昇
し、本来、予め定められた誤り率の規格の範囲内である
と判定されるべき光デイスク原盤（又はスタンパ１４）
を規格外であると判定するおそれがあつた。また第１及
び第２の評価方法においては、コンパクトデイスクのト
ラツキングエラー信号に対して光デイスク原盤（又はス
タンパ１４）におけるトラツキングエラー信号が著しく
大きくなり、本来、トラツキングエラー信号が小さすぎ
て予め定められたトラツキングエラー信号の規格に対し
て規格外と判定すべき光デイスク原盤（又はスタンパ１
４）を規格の範囲内であると判定するおそれがあつた。
従つて、第１及び第２の評価方法においては凹凸パター
ンの評価に対する信頼性が低い問題があつた。この結果
としてスタンパの作成方法においては、スタンパ１４の
品質に対する信頼性が低い問題があつた。

【００２２】またこの第１及び第２の評価方法において
は、光デイスク原盤（又はスタンパ１４）に導電化膜層
１１側から凹凸パターンに読取りレーザ光Ｌ２を照射し
て記録信号を読み取る場合、導電化膜層１１の表面に微
細なゴミが付着するおそれがあり、この微細なゴミを欠
陥として読み取るおそれがある。従つて、第１及び第２
の評価方法においては、記録信号を読み取るために極め
て清浄な雰囲気が必要になる問題があつた。

【００２３】さらにこの第１及び第２の評価方法におい
ては、通常、光デイスク用に大量生産されている光ピツ
クアツプ（対物レンズ等）をスタンパ評価装置に用いる
ことにより、当該スタンパ評価装置に用いる光学系のコ
ストを低減させることができると考えられる。ところ
が、このスタンパ評価装置においては、光デイスクの透
明基板の厚さよりも光デイスク原盤のガラス板１の厚さ
が大幅に厚く形成されていると共に導電化膜層１１側か
ら記録信号を読み取るため、光ピツクアツプを配設する
にはこの配設スペースが狭すぎて読取りレーザ光Ｌ２の
焦点がぼける等の問題が生じる。

【００２４】この結果、スタンパ評価装置は光ピツクア
ツプを用いることで、クロストークが増大する等のよう
に記録信号に応じた戻り光が劣化する問題が生じる。こ
のため、このスタンパ評価装置においては、特別に対物
レンズを作成するか又は光ピツクアツプと光デイスク原
盤（又はスタンパ１４）の凹凸パターンとの間に光デイ
スクの透明基板と同一の屈折率及び厚さを有する板状部
材を設ける必要があり、記録信号を読み取るための光学
系のコストが高くなり又はこの光学系の構成が煩雑にな
る等の問題が生じる。

【００２５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、スタンパの品質に対する信頼性を向上し得るスタン
パの作成方法及び光デイスク原盤を提案しようとするも
のである。

【００２６】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第１の発明においては、光デイスクの厚さ及び屈折率
と同じ又はほぼ同じ厚さ及び屈折率を有し、一面が平滑
に形成された板状の基体を形成する第１の工程と、基体
の一面に光デイスクの屈折率と同じ又はほぼ同じ屈折率
を有するフオトレジストを塗布した後、当該フオトレジ
ストを記録信号に応じて露光し、現像することにより基
体の一面に記録信号に基づく凹凸パターンを形成する第
２の工程と、凹凸パターンを覆うように導電性金属材か
らなる導電化膜層を形成した後、当該導電化膜層上に所
定の厚さでなる電気メツキ膜を形成する第３の工程とを
設けるようにして、第３の工程において、導電化膜層を
形成した後及び又は電気メツキ膜を形成した後、基体の
他面から凹凸パターンにレーザ光を照射することにより
得られる戻り光に基づいて凹凸パターンを評価するよう
にする。

【００２７】また第２の発明においては、一面が平滑に
形成された板状でなり、光デイスクの厚さ及び屈折率と
同じ又はほぼ同じ厚さ及び屈折率を有する基体と、当該
基体の一面に形成された記録信号に基づく凹凸パターン
でなり、光デイスクの屈折率と同じ又はほぼ同じ屈折率
を有するフオトレジストとを設けるようにする。

【００２８】この場合、第１の発明では、光デイスクの
厚さ及び屈折率と同じ又はほぼ同じ厚さ及び屈折率を有
し、一面が平滑に形成された板状の基体を形成し、基体
の一面に光デイスクの屈折率と同じ又はほぼ同じ屈折率
を有するフオトレジストを塗布した後、当該フオトレジ
ストを記録信号に応じて露光し、現像することにより基
体の一面に記録信号に基づく凹凸パターンを形成し、当
該凹凸パターンを覆うように導電性金属材からなる導電
化膜層を形成した後、当該導電化膜層上に所定の厚さで
なる電気メツキ膜を形成するようにして、導電化膜層を
形成した後及び又は電気メツキ膜を形成した後、基体の
他面から凹凸パターンにレーザ光を照射することにより
得られる戻り光に基づいて凹凸パターンを評価するよう
にしたことにより、凹凸パターンに対して規格外のもの
を規格内と判定したり、これとは逆に規格内のものを規
格外と判定することを確実に防止することができる。

【００２９】また第２の発明では、一面が平滑に形成さ
れた板状でなり、光デイスクの厚さ及び屈折率と同じ又
はほぼ同じ厚さ及び屈折率を有する基体と、当該基体の
一面に形成された記録信号に基づく凹凸パターンでな
り、光デイスクの屈折率と同じ又はほぼ同じ屈折率を有
するフオトレジストとを設けるようにしたことにより、
光デイスクの記録信号を評価する場合とほぼ同じ条件で
凹凸パターンを評価することができるので、当該凹凸パ
ターンの評価精度を格段的に向上させることができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。

【００３１】本発明を用いた光デイスク用スタンパの作
成方法は、まず、従来使用されている 6〔mm〕程度の厚
さを有するガラス板と同じ研磨方法によつて研磨された
1.2〔mm〕程度の厚さを有するソーダガラスを作成し、
当該ソーダガラスの両面に接着剤付の保護フイルムを貼
着する。

【００３２】この場合ソーダガラスは、光デイスクの規
格を定めているＩＥＣ（International Electronics Co
mmittee ）９０８に規定されている当該光デイスクの透
明基板の厚さ（ 1.1〜1.5 〔mm〕程度）及び屈折率（1.
55±0.1 程度）に基づいて厚さ及び屈折率が選定されて
おり、このソーダガラスは1.51程度の屈折率を有する。
なお、ソーダガラスを扱うメーカは、その殆どが1.51程
度の屈折率にほぼ近い屈折率を有するソーダガラスを供
給する。

【００３３】次いでソーダガラスの記録信号が形成され
る面（以下、これを信号形成面と呼ぶ）の保護フイルム
を剥がした後、当該ソーダガラスを信号形成面が上面と
なるようにターンテーブル上に載置する。続いてソーダ
ガラスを水平面に対して回転させて、弗化水素酸 2
〔％〕水溶液を染み込ませた、例えば旭化成工業株式会
社製のベンコツトM-3 （製品名）で30秒程度の間ソーダ
ガラスの信号形成面をこする。次いでソーダガラスを純
水で洗浄した後、ターンテーブルを高速回転させて水分
を振り切る。

【００３４】続いてソーダガラスを信号形成面が上面と
なるようにレジストコータのターンテーブル上に載置し
て、当該ソーダガラスの信号形成面上に 150±3 〔nm〕
程度の厚さになるようにフオトレジスト、例えば Hochs
t 社製のAZ1350（製品名）を塗布する。この後、ソーダ
ガラスを60〔℃〕程度の雰囲気に保たれた温風乾燥機の
内部で30分程度放置して乾燥させる。なお、この場合フ
オトレジストは、1.60〜1.65程度の屈折率を有し、光デ
イスクの透明基板（ポリカーボネイト）の屈折率（1.58
〜1.59程度）と非常に近い値に選定されている。

【００３５】次いで光学カツテイングマシン、例えば当
社製のDMC-1200（製品名）を用いてソーダガラスの信号
形成面上に形成されたフオトレジストを記録信号に応じ
て露光して、当該フオトレジストに記録信号を記録す
る。この場合光学カツテイングマシンにおける露光条件
は、線速 1.4〔m/sec 〕程度、トラツクピツチ 1.6〔μ
m 〕程度、プログラム時間65分程度、カツテイングレー
ザ波長 441.6〔nm〕程度及びレーザパワー 0.7〔mW〕程
度とした。

【００３６】続いてソーダガラスをフオトレジストが上
部になるように現像機のターンテーブルに載置して、当
該ソーダガラスを水平面に対して回転させる。この後、
フオトレジスト上に現像液を滴下して、当該フオトレジ
ストを現像処理する。これによりソーダガラスの信号形
成面には記録信号に基づく凹凸パターンが形成される。
かくして、ソーダガラス及び当該ソーダガラスの信号形
成面に形成された凹凸パターンでなる光デイスク原盤が
作成される。

【００３７】次いで光デイスク原盤の凹凸パターン上に
無電界メツキ法等によりニツケル皮膜でなる導電化膜層
を形成する。この場合ソーダガラスの信号形成面と対向
する面（以下、これを裏面と呼ぶ）からは、当該ソーダ
ガラスの信号形成面に形成された凹凸パターンをはつき
りと見ることができる。

【００３８】続いてソーダガラスの裏面に貼着された保
護フイルムを剥がした後、スタンパ評価装置、例えば当
社製のコンパクトデイスクスタンパ評価機 OPS-190（製
品名）を改造した装置のターンテーブル上にこのソーダ
ガラスを載置して、このスタンパ評価装置によつて凹凸
パターンに基づく記録信号を読み取り、当該凹凸パター
ンを評価する（第１の評価）。なお、このスタンパ評価
装置のターンテーブルには、当該ターンテーブルの中心
とソーダガラスの中心とが一致するように調整し得る調
整機構が設けられている。

【００３９】このスタンパ評価装置における第１の評価
は、図１に示すように、対物レンズ２１を介して所定の
ビーム径に集光された読取りレーザ光Ｌ３をソーダガラ
ス２０の裏面２０Ａ側からフオトレジスト２２でなる凹
凸パターンに照射し、この凹凸パターン上に形成された
導電化膜層２３で反射した戻り光（図示せず）に基づい
て凹凸パターンに基づく記録信号を読み取り、当該凹凸
パターンを評価するようになされている。

【００４０】この場合、このスタンパ評価装置では、ソ
ーダガラス２０の裏面２０Ａ側から凹凸パターンに基づ
く記録信号を読み取ることができるため、凹凸パターン
上に微細なゴミが付着しても読取りレーザ光Ｌ３がこの
ゴミを欠陥として読み取ることを防止し得るようになさ
れている。従つて、この第１の評価では、極めて清浄な
雰囲気を必要とせずに凹凸パターンを評価し得るように
なされている。

【００４１】またこのスタンパ評価装置においては、光
デイスク原盤が光デイスクの透明基板とほぼ同じ屈折率
を有し、また光デイスク原盤のソーダガラス２０の厚さ
が光デイスクの透明基板の厚さとほぼ同じため、光デイ
スクの記録信号を読み取るために一般的に用いられてい
る光ピツクアツプ（対物レンズ２１）を使用し得るよう
になされている。従つて、このスタンパ評価装置によれ
ば光デイスクの記録信号を読み取る場合とほぼ同じ条件
で凹凸パターンに基づく記録信号を読み取ることができ
るようになされている。

【００４２】このときスタンパ評価装置によつて読み取
られた記録信号の評価結果においては、図２に示すよう
に、変調度は信号の長さ（すなわち、３Ｔ及び１１Ｔで
表すピツトの長さ）が３Ｔの場合に38〜42〔％〕の結果
が得られ、信号の長さが１１Ｔの場合には78〜80〔％〕
の結果が得られていずれも規格内であつた。またトラツ
キングエラーでは 4.2〔％〕の結果が得られ、訂正可能
エラーＣ１では平均で1.0ヶ／sec 、最大で62ヶ／sec
の結果が得られていずれも規格内であつた。さらに訂正
不能エラーＣ２は１つも無く、これも規格内であつた。

【００４３】次いで第１の評価終了後、導電化膜層２３
が形成された光デイスク原盤を電鋳装置に取り付け、電
気メツキ法により導電化膜層２３上に 300±5 〔μm 〕
程度の厚さになるようにニツケルメツキ層を形成する。
続いて光デイスク原盤のソーダガラス２０の裏面２０Ａ
をスポンジ及び洗剤を用いて洗浄した後、この洗剤を純
水で洗い流し、高圧エアーで水分を吹き飛ばしてソーダ
ガラス２０の裏面２０Ａを清浄な面にする。

【００４４】次いで、再びスタンパ評価装置を用いて光
デイスク原盤の凹凸パターンに基づく記録信号を読み取
り、当該凹凸パターンを評価する（第２の評価）。ここ
で、図１との対応部分に同一符号を付して示す図３に、
導電化膜層２３とニツケルメツキ層２４とでなるスタン
パ部２５が形成された光デイスク原盤を示し、第２の評
価は上述した第１の評価のときと同一の条件で凹凸パタ
ーンに基づく記録信号を読み取り、当該凹凸パターンを
評価するようになされている。

【００４５】また、このときスタンパ評価装置によつて
読み取られた記録信号の評価結果においては、図４に示
すように、変調度は信号の長さが３Ｔの場合に38〜42
〔％〕の結果が得られ、信号の長さが１１Ｔの場合には
78〜80〔％〕の結果が得られていずれも規格内であつ
た。またトラツキングエラーでは 4.2〔％〕の結果が得
られ、訂正可能エラーＣ１では平均で 1.0ヶ／sec 、最
大で60ヶ／sec の結果が得られていずれも規格内であつ
た。さらに訂正不能エラーＣ２は１つも無く、これも規
格内であり、図２に示す評価結果とほぼ同じ評価結果が
得られた。

【００４６】続いて第２の評価終了後、スタンパ部２５
から光デイスク原盤（ソーダガラス２０及びフオトレジ
スト２２）を引き剥がし、導電化膜層２３の露出面に残
存するフオトレジスト２２をアセトンで洗浄して除去し
た後、当該スタンパ部２５を乾燥させる。次いでスタン
パ部２５の導電化膜層２３上に保護膜をコーテイングし
た後、当該スタンパ部２５の中心部と周端部の余分な領
域をプレス等で除去することにより光デイスクと同一の
リング形状でなるスタンパを得る。

【００４７】この後、実際にこのスタンパを用いて、一
面に凹凸パターンを有するポリカーボネイトでなる透明
基板を射出成形し、このようにして得られた透明基板の
凹凸パターン上にアルミニウム反射膜及び保護膜を順次
形成することにより光デイスクを作成することができ
る。ここで、このようにして作成された光デイスクにお
いて、スタンパ評価装置を用いてこの光デイスクの凹凸
パターンに基づく記録信号を読み取り、当該凹凸パター
ンを評価した評価結果を図５に示す。

【００４８】図５に示すように、変調度は信号の長さが
３Ｔの場合に38〜39〔％〕の結果が得られ、信号の長さ
が１１Ｔの場合には77〜80〔％〕の結果が得られていず
れも規格内であつた。またトラツキングエラーでは 4.3
〜4.4 〔％〕の結果が得られ、訂正可能エラーＣ１では
平均で 1.0ヶ／sec 、最大で68ヶ／sec の結果が得られ
ていずれも規格内であつた。さらに訂正不能エラーＣ２
は１つも無く、これも規格内であり、上述した第１及び
第２の評価のときとほぼ同じ評価結果が得られた。

【００４９】ここで、光デイスクの評価結果（図５）と
第１及び第２の評価の評価結果（図２及び図４）とを比
較すると、これら各評価結果はほぼ同じであることが分
かる。従つて、第１及び第２の評価による評価精度の信
頼性が高いことが分かる。なお、この場合、第１及び第
２の評価の評価結果に比べて光デイスクの評価結果で
は、変調度がやや低くかつトラツキングエラーがやや高
い値を示した。これは、スタンパを用いて射出成形され
た光デイスクの透明基板を当該スタンパと分離する際、
透明基板の凹凸パターン表面の極一部がスタンパの凹凸
パターン上に残存する等して、スタンパの凹凸の高さに
比べて光デイスクの透明基板の凹凸の高さがやや低くな
つたためであると考えられる。しかしながら、光デイス
クの評価結果と第１及び第２の評価の評価結果とは、そ
れぞれ評価内容全てが規格内となつているため、誤差範
囲として処理することができる。

【００５０】以上の構成において、このスタンパの作成
方法は、光デイスクの透明基板の厚さ及び屈折率とほぼ
同じ厚さ及び屈折率を有するソーダガラス２０を作成
し、当該ソーダガラス２０の信号形成面に光デイスクの
透明基板の屈折率とほぼ同じ屈折率を有するフオトレジ
スト２２を塗布した後、当該フオトレジスト２２を記録
信号に応じて露光し、現像処理して記録信号に基づく凹
凸パターンを形成する。次いでこの凹凸パターン上に導
電化膜層２３を形成した後、ソーダガラス２０の裏面２
０Ａ側から読取りレーザ光Ｌ３を凹凸パターンに照射し
て、導電化膜層２３で反射して得られる戻り光に基づい
て第１の評価を実施する。

【００５１】続いてソーダガラス２０の導電化膜層２３
上にニツケルメツキ層２４を形成した後、再び第１の評
価と同様にソーダガラス２０に形成された凹凸パターン
について第２の評価を実施する。次いでスタンパ部２５
から光デイスク原盤を引き剥がし、この後、当該スタン
パ部２５の中心部と周端部の余分な領域をプレス等で除
去してスタンパを得る。

【００５２】従つて、このスタンパの作成方法において
は、光デイスクの透明基板の屈折率及び厚みとほぼ同じ
屈折率及び厚みを有するように光デイスク原盤を作成
し、当該光デイスク原盤の凹凸パターンに対して光デイ
スクの記録信号を読み取る場合とほぼ同じ条件で第１及
び第２の評価を実施するようにしたことにより、当該第
１及び第２の評価の評価結果と光デイスクの評価結果と
でほぼ一致する結果を得ることができる。

【００５３】この結果、このスタンパの作成方法におい
ては、第１及び第２の評価で誤り率及びトラツキングエ
ラー信号の特性値に対して、それぞれ予め定められた規
格の範囲内であると判定されるべきところを規格外であ
ると判定したり、これとは逆に予め定められた規格に対
して規格外と判定されるべきところを規格の範囲内であ
ると判定したりすることを防止することができるので、
評価結果の信頼性を格段的に向上させることができる。

【００５４】また、このスタンパの作成方法において
は、光デイスク用の光ピツクアツプが設けられたスタン
パ評価装置を用いて光デイスクの記録信号を読み取る場
合とほぼ同じ条件で光デイスク原盤の凹凸パターンを評
価することができるので、当該スタンパ評価装置に新た
に作成した対物レンズや、光ピツクアツプと光デイスク
原盤の凹凸パターンとの間に光デイスクの透明基板とほ
ぼ同一の厚さ及び屈折率を有する板状部材を必要とせ
ず、スタンパ評価装置内部の光学系を安価にかつ容易に
構成することができる。

【００５５】一方、このようなスタンパの作成方法の途
中で作成された光デイスク原盤においては、ソーダガラ
ス２０が光デイスクの透明基板の厚さ及び屈折率とほぼ
同じ厚さ及び屈折率を有すると共に、当該ソーダガラス
２０の信号形成面に形成された凹凸パターンが光デイス
クの透明基板とほぼ同じ屈折率を有するので、当該光デ
イスク原盤の凹凸パターンを光デイスクの記録信号を評
価する場合とほぼ同じ条件で評価することができる。従
つて、この光デイスク原盤においては、評価される凹凸
パターンの評価精度を格段的に向上させることができ
る。

【００５６】以上の構成によれば、光デイスクの透明基
板の厚さ及び屈折率とほぼ同じ厚さ及び屈折率を有する
ソーダガラス２０を作成し、当該ソーダガラス２０の信
号形成面上に光デイスクの透明基板の屈折率とほぼ同じ
屈折率を有するフオトレジスト２２を塗布した後、当該
フオトレジスト２２を記録信号に応じて露光し、現像処
理して記録信号に基づく凹凸パターンを形成し、次いで
この凹凸パターン上に導電化膜層２３を形成した後、ソ
ーダガラス２０の裏面２０Ａ側から読取りレーザ光Ｌ３
を凹凸パターンに照射することにより得られる戻り光に
基づいて当該凹凸パターンの第１の評価を実施し、続い
て導電化膜層２３上にニツケルメツキ層２４を形成した
後、再び第１の評価と同様に凹凸パターンに対する第２
の評価を実施するようにしたことにより、凹凸パターン
に対して規格外のものを規格内と判定したり、これとは
逆に規格内のものを規格外と判定することを確実に防止
することができ、かくしてスタンパの品質に対する信頼
性を向上し得るスタンパの作成方法を実現することがで
きる。

【００５７】また、以上の構成によれば、光デイスクの
透明基板の厚さ及び屈折率とほぼ同じ厚さ及び屈折率を
有するソーダガラス２０と、当該ソーダガラス２０の信
号形成面上に形成された記録信号に基づく凹凸パターン
でなり、光デイスクの透明基板の屈折率とほぼ同じ屈折
率を有するフオトレジスト２２とを設けるようにしたこ
とにより、光デイスクの記録信号を評価する場合とほぼ
同じ条件で凹凸パターンを評価することができるので、
当該凹凸パターンの評価精度を格段的に向上させること
ができ、かくして光デイスク原盤が用いられて作成され
るスタンパの品質に対する信頼性を向上し得る光デイス
ク原盤を実現することができる。

【００５８】なお上述の実施例においては、スタンパの
作成方法で第１及び第２の評価を実施するようにした場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、第１及び
第２の評価のうち、いずれか一方の評価のみを実施する
ようにしても良い。

【００５９】また上述の実施例においては、光デイスク
原盤の凹凸パターン上に無電界メツキ法等によりニツケ
ル皮膜でなる導電化膜層２３を形成するようにした場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、スパツタリ
ング法、蒸着法又は無電界メツキ法等により銀でなる導
電化膜層を形成するようにしても良い。

【００６０】さらに上述の実施例においては、一面が平
滑に形成された板状でなり、光デイスクの厚さ及び屈折
率と同じ又はほぼ同じ厚さ及び屈折率を有する基体とし
て、ソーダガラス２０を用いるようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、光デイスクの厚さ及
び屈折率と同じ又はほぼ同じ厚さ及び屈折率を有する一
面が平滑に形成された板状の基体であれば、この他種々
の部材でなる基体を用いるようにしても良い。

【００６１】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、光デイス
クの厚さ及び屈折率と同じ又はほぼ同じ厚さ及び屈折率
を有し、一面が平滑に形成された板状の基体を形成し、
当該基体の一面に光デイスクの屈折率と同じ又はほぼ同
じ屈折率を有するフオトレジストを塗布した後、当該フ
オトレジストを記録信号に応じて露光し、現像すること
により基体の一面に記録信号に基づく凹凸パターンを形
成し、当該凹凸パターンを覆うように導電性金属材でな
る導電化膜層を形成した後、当該導電化膜層上に所定の
厚さでなる電気メツキ膜を形成するようにして、導電化
膜層を形成した後及び又は電気メツキ膜を形成した後、
基体の他面から凹凸パターンにレーザ光を照射すること
により得られる戻り光に基づいて凹凸パターンを評価す
るようにしたことにより、凹凸パターンに対して規格外
のものを規格内と判定したり、これとは逆に規格内のも
のを規格外と判定することを確実に防止することがで
き、かくしてスタンパの品質に対する信頼性を向上し得
るスタンパの作成方法を実現することができる。

【００６２】また上述のように本発明によれば、一面が
平滑に形成された板状でなり、光デイスクの厚さ及び屈
折率と同じ又はほぼ同じ厚さ及び屈折率を有する基体
と、当該基体の一面に形成された記録信号に基づく凹凸
パターンでなり、光デイスクの屈折率と同じ又はほぼ同
じ屈折率を有するフオトレジストを設けるようにしたこ
とにより、凹凸パターンを光デイスクの記録信号を評価
する場合とほぼ同じ条件で評価することができるので、
当該凹凸パターンの評価精度を格段的に向上させること
ができ、かくして光デイスク原盤が用いられて作成され
るスタンパの品質に対する信頼性を向上し得る光デイス
ク原盤を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるスタンパの作成方法に
おける第１の評価を示す略線的断面図である。

【図２】本発明の一実施例によるスタンパの作成方法に
おける第１の評価の評価結果を示す図表である。

【図３】本発明の一実施例によるスタンパの作成方法に
おける第２の評価を示す略線的断面図である。

【図４】本発明の一実施例によるスタンパの作成方法に
おける第２の評価の評価結果を示す図表である。

【図５】本発明の一実施例によるスタンパの作成方法に
よつて実際に作成されたスタンパを用いて形成された光
デイスクの評価結果を示す図表である。

【図６】従来のスタンパの作成方法を示す断面図であ
る。

【図７】従来のスタンパの作成方法を示す断面図であ
る。

【図８】従来のスタンパの作成方法における第１の評価
方法を示す略線的断面図である。

【図９】従来のスタンパの作成方法における第２の評価
方法を示す略線的断面図である。

【符号の説明】

１……ガラス板、２……第１のノズル、３……研磨剤ス
ラリー、４……研磨布、５、２２……フオトレジスト、
６、８……ターンテーブル、７、２１……対物レンズ、
９……第２のノズル、１０……現像液、１１、２３……
導電化膜層、１２……電気メツキ層、１３、２５……ス
タンパ部、１４……スタンパ、２０……ソーダガラス、
２４……ニツケルメツキ層。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光デイスク成形時に金型となるスタンパを
   作成するスタンパの作成方法において、 上記光デイスクの厚さ及び屈折率と同じ又はほぼ同じ厚
   さ及び屈折率を有し、一面が平滑に形成された板状の基
   体を形成する第１の工程と、 上記基体の上記一面に上記光デイスクの屈折率と同じ又
   はほぼ同じ屈折率を有するフオトレジストを塗布した
   後、当該フオトレジストを記録信号に応じて露光し、現
   像することにより上記基体の上記一面に上記記録信号に
   基づく凹凸パターンを形成する第２の工程と、 上記凹凸パターンを覆うように導電性金属材からなる導
   電化膜層を形成した後、当該導電化膜層上に所定の厚さ
   でなる電気メツキ膜を形成する第３の工程とを具え、上
   記第３の工程において、上記導電化膜層を形成した後及
   び又は上記電気メツキ膜を形成した後、上記基体の他面
   から上記凹凸パターンにレーザ光を照射することにより
   得られる戻り光に基づいて上記凹凸パターンを評価する
   ことを特徴とするスタンパの作成方法。
2. 【請求項２】上記凹凸パターンの評価作業を、上記光デ
   イスクから記録信号を読み取るために製造された光ピツ
   クアツプを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載
   のスタンパの作成方法。
3. 【請求項３】光デイスク用スタンパを作成する際の金型
   となる光デイスク原盤において、 一面が平滑に形成された板状でなり、上記光デイスクの
   厚さ及び屈折率と同じ又はほぼ同じ厚さ及び屈折率を有
   する基体と、 上記基体の上記一面に形成された記録信号に基づく凹凸
   パターンでなり、上記光デイスクの屈折率と同じ又はほ
   ぼ同じ屈折率を有するフオトレジストとを具えることを
   特徴とする光デイスク原盤。