JPH09136891A

JPH09136891A - 液晶オルガノシロキサン、その製法、それらの混合物、それらの化合物又はその混合物を有する光学素子、偏光カラーフィルター及び装飾材料並びに新規のジアンヒドロヘキシット−誘導体及びオルガノシラン

Info

Publication number: JPH09136891A
Application number: JP26984596A
Authority: JP
Inventors: Christian Schierlinger; シールリンガークリスティアン; Rainer Winkler; ヴィンクラーライナー; Klaus Stowischek; シュトヴィシェククラウス
Original assignee: Consortium fuer Elektrochemische Industrie GmbH
Current assignee: Consortium fuer Elektrochemische Industrie GmbH
Priority date: 1995-11-09
Filing date: 1996-10-11
Publication date: 1997-05-27
Anticipated expiration: 2016-10-11
Also published as: EP0773250B1; JP2831620B2; KR970027092A; EP0773250A1; CA2189622A1; CA2189622C; US5788880A; KR100197049B1; DE59601217D1; DE19541820A1

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶オルガノシロキサン【解決手段】キラルジアンヒドロヘキシット−誘導体
を含有する液晶オルガノシロキサン。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ジアンヒドロヘキ
シット−誘導体を、キラル基として有する液晶オルガノ
シロキサン、その製法、その使用、ジアンヒドロヘキシ
ット−誘導体、液晶ジアンヒドロヘキシット−誘導体を
含有するオルガノシロキサンに縮合可能なオルガノシラ
ン及びジアンヒドロヘキシット−誘導体を含有するオル
ガノシロキサンとその他の液晶材料との混合物並びにそ
の混合物の使用に関する。

【０００２】らせん構造を有する液晶材料は、一般に、
スメクチック、ネマチック又はコレステリック相を有す
る。液晶混合物は、キラル構造の導入のために１種又は
数種の光学活性成分を有することが多い。例えば、コレ
ステリック液晶は、ネマチックベース材料及び１種又は
数種の光学活性ドーピング物質からなりうる。その際、
これらは、ネマチック物質（Nematen)中に、右巻き又は
左巻きを生じさせる。波長が、らせんピッチとほぼ同じ
（λ＝ｎ・ｐ）である波長領域で、コレステリック液晶
は、光を反射する。反射光は、完全に円偏光される。反
射光のねじれ方向は、コレステリックらせん構造のねじ
れ方向に依存している。それぞれ反対の円偏光が、弱め
られずに伝搬される。特定の目的のためにより良い又は
より劣っている多数の光学活性ドーピング物質が、文献
中に記載されている。

【０００３】液晶材料の光学的使用のいくつかのため
に、例えばノッチフィルターでの使用のためには、左円
偏光及び右円偏光が反射され得るように、右らせんのコ
レステリック相及び左らせんのコレステリック相の両方
を手に入れる必要がある。その際、左らせんフィルター
に関しては、安定な中間相を生じさせるために、キラリ
ティーの他に充分なメソゲン特性を有するコレステリン
化合物に依ることが多い。このために、例えば、H.Fink
elmann, H.Ringsdorf et al.(Makromol. Chem. 179, 82
9-832(1978))から公知のコレステリン誘導体又は米国特
許（ＵＳ−Ａ）第４９９６３３０号明細書及びヨーロッ
パ特許（ＥＰ−Ａ）第６２６３８６号明細書から公知の
酒石酸イミド誘導体が好適である。従来、右らせんフィ
ルターの製造の場合には、一般に、非ステロイド系に依
った。これらの系は概して、充分な中間相安定性を有さ
ないか、又は長期安定性が低すぎる。好適な右らせんス
テロイド−系は、ドイツ特許（ＤＥ−Ａ）第４２３４８
４５号明細書中に記載されている。そこに記載のコレス
ト−８（１４）−エン−３β−オール（ドリステロール
(Doristerol)）もしくはその誘導体は、複雑化された合
成及び高い製造費用の欠点を有する。

【０００４】低分子量の系は、限られた使用、例えば、
光学素子、装飾分野での使用又は光学フィルターでのみ
好適である。その相安定性が低すぎるか、粘度が低すぎ
るか、又は殊に、温度安定性が、どの方法でも保証され
ていないことが多い。

【０００５】ポリマーもしくは架橋されたコレステリッ
ク液晶では、更に進んだ使用も可能である。これらか
ら、新種の効果を有するＬＣ−顔料又は反射偏光フィル
ター及びその他多くを製造することができる。

【０００６】ドイツ特許（ＤＥ−Ａ）第４３４２２８０
号明細書もしくはドイツ特許（ＤＥ−Ａ）第４４０８１
７１号明細書中に、架橋可能なモノマーのヘキシット誘
導体もしくはモノマーのヘキシット誘導体とその他の液
晶化合物との混合物が記載されている。このモノマーヘ
キシット誘導体は、モノマードーピング物質として、コ
レステリックネットワークの製造のために使用すること
ができる。ここに記載のヘキシット含有系は、経費のか
かる合成によってのみ入手することができる。ドイツ特
許（ＤＥ−Ａ）第４３４２２８０号明細書中に記載のモ
ノマーヘキシット−誘導体は、ビニル基又はエポキシド
基を介して重合させることができる。ドイツ特許（ＤＥ
−Ａ）第４４０８１７１号明細書中に記載のモノマーヘ
キシット−誘導体の混合物は、ラジカル又はイオン重合
法により架橋させることができる。

【０００７】メソゲン側基を有するオルガノシロキサン
基質からなる液晶は、シロキサンを含有しないＬＣ系に
比べて、オルガノシロキサン脊柱(Organosiloxanrueckg
rat)の選択により、分子量を簡単に、かつほぼ任意に変
動させることができることにより優れている。これによ
り、液晶特性、例えば相特性、ガラス転移温度及び透明
点又は例えば、粘度も、広い範囲で要求に合わせること
ができる。

【０００８】例えば、米国特許（ＵＳ−Ａ）第５２１１
８７７号明細書、ドイツ特許（ＤＥ−Ａ）第４２３４８
４５号明細書及びヨーロッパ特許（ＥＰ−Ａ）第６２６
３８６号明細書中に、メソゲン側基を有する環状シロキ
サンが記載されており、その際、その側基の一部は、メ
タクリル酸でエステル化されている。従って、このシロ
キサンも架橋可能である。このポリマー中に添加される
ドーピング物質は、殊に、コレステリンのヒドロシリル
化されたω−オレフィン誘導体、ドリステロール、もし
くは酒石酸イミドである。これらは、比較的僅かなねじ
り力（"helicaltwisting power"＝ＨＴＰ）を有するの
みであり、従って、例えば、色彩効果を、可視領域で生
じさせるためには、これらを多量（＞約１０〜２０％）
に添加しなければならない。多量のドーピング物質によ
り、非常に高い架橋基密度を選択することができない。
更に、キラルドーピング物質は比較的高価であるか、又
は多工程の合成によってしか入手することができない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
使用されているキラルドーピング物質に代わって、より
高いＨＴＰを有する適当なキラル物質を有し、室温から
約１００℃の温度範囲で、安定な、又は架橋により固定
可能なコレステリック相を有し、右偏光もしくは左偏光
の選択的反射を可能にし、かつその反射波長が、充分に
温度非依存性である右らせん及び左らせんの液晶オルガ
ノシロキサンを提供することであった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記の課題は、本発明
で、ジアンヒドロヘキシット−誘導体をキラル基として
有する液晶オルガノシロキサンにより解決される。

【００１１】この液晶オルガノシロキサンは、従来記載
のステロイド含有及び酒石酸イミド含有液晶オルガノシ
ロキサンに比べて、ジアンヒドロヘキシット基１つ当た
り、明らかにより高いＨＴＰを、従って、より良好な光
学ねじり力を有し、その結果、同じ光学作用を得るため
に、例えば、同じ反射波長を得るために、かなり少ない
量のキラルジアンヒドロヘキシット−誘導体を、キラル
成分として使用すればよい。

【００１２】更に、この液晶オルガノシロキサンは、低
分子量のジアンヒドロヘキシット誘導体に比べて、明ら
かにより高いＨＴＰを、従って、より良好な光学ねじり
力を、ジアンヒドロヘキシット基１つあたり有し、その
結果、同一の光学作用を得るために、より少ない量のジ
アンヒドロヘキシット基を使用すればよい。ヨーロッパ
特許（ＥＰ−Ａ）第６２６３８６号明細書中に記載の酒
石酸イミド基を有する環状オルガノシロキサンは、相応
する低分子量の酒石酸イミド誘導体に比べて、より高い
ＨＴＰを有さない。

【００１３】ジアンヒドロヘキシットは、糖アルコール
のジアンヒドロ−誘導体として２つのヒドロキシル基を
付与されており、従って、２結合性である。従って、こ
れらは、有機化学の方法で、容易に、ほぼ任意の方法
で、誘導体化することができる。

【００１４】その他のオルガノシロキサンでヒドロシリ
ル化された化合物に依存して、室温での配向により、ガ
ラス転移温度上での配向及び引き続くガラス状態への引
き続く急冷により、又は室温もしくは高めた温度での重
合による配向の固定により、安定なコレステリック相を
得ることができる。ジアンヒドロヘキシット−誘導体を
含有する液晶オルガノシロキサンで、右らせん及び左ら
せんの両方を誘導することができる。左らせん及び右ら
せん液晶オルガノシロキサンは、左もしくは右偏光の選
択的反射を示す。

【００１５】液晶オルガノシロキサンが、キラル成分と
してのキラルジアンヒドロヘキシット−誘導体と並ん
で、なお他の、後続のラジカル架橋又はイオン架橋を可
能にするメソゲン基を有するのが有利である。

【００１６】液晶オルガノシロキサン中のキラルジアン
ヒドロヘキシット含有基の含有率及びジアンヒドロヘキ
シット含有基とその他のメソゲン基との比を変化させる
ことにより、選択反射の反射波長を調節することができ
る。可視領域の反射を得るために、その高いＨＴＰ−値
に基づき、全てのオルガノシロキサン中に存在するメソ
ゲン基に対して、ジアンヒドロヘキシット含有基２〜１
０モル％の割合のみが必要であるのに対して、相応する
コレステリン含有オルガノシロキサンでは、コレステリ
ル基４０〜５０モル％を、かつ相応する酒石酸イミド含
有オルガノシロキサンでは、酒石酸イミド基１０〜２０
モル％が必要である。

【００１７】ジアンヒドロヘキシット−誘導体は、存在
するジアンヒドロヘキシット−群、即ち式：

【００１８】

【化３】

【００１９】[式中、記号Ｒ及びＳは、それぞれ炭素原
子でのカーンインゴールドプレローグによるＲ／Ｓ−表
示に相応する絶対配置を定義している]を有するジアン
ヒドロソルビット、ジアンヒドロマンニットもしくはジ
アンヒドロイジットのいずれか１つを有する。

【００２０】液晶オルガノシロキサンは、１分子当た
り、一般式（１）：Ｍ¹−Ｈｅｘｉｔ−Ｍ² （１） [式中、Ｈｅｘｉｔは、前記のジアンヒドロヘキシット
−基を表し、Ｍ¹は、一般式（２）：Ｒ¹−(Ａ¹)_ａ−Ｚ¹ _ｒ−(Ａ²)_ｂ−Ｘ¹− （２）の基を表し、かつＭ²は、一般式（２）の基又は一般式
（３）：Ｒ²−Ｒ³−(Ａ³)_ｃ−Ｚ² _ｓ−(Ａ⁴）_ｄ−Ｘ²− （３）の基を表し、ここで、前記の一般式（２）及び（３）中
で、Ｒ¹及びＲ³は、それぞれ、式：Ｃ_ｎＨ_ｍの基を表
し、その際、１つ又はそれ以上の隣り合わないメチレン
単位が、酸素原子又はジメチルシリル基により代えられ
ていてよく、Ｒ²は、重合可能なエチレン系不飽和基又
はアルコキシシロキシ基又はコレステリル基、ドリステ
ロール基(Doristerolrest)、ハロゲン原子、水素原子、
ヒドロキシル基、ニトリル基及びそのアルキル基がそれ
ぞれ１〜８個の炭素原子を有するトリアルキルシロキシ
基を表し、Ａ¹、Ａ²、Ａ³及びＡ⁴は、同じか、又は異な
る２結合性基、即ち、１，４−フェニレン基、１，４−
シクロヘキシレン基、１〜１０個の炭素原子を有する置
換されたアリーレン、１〜１０個の炭素原子を有する置
換されたシクロアルキレン及び１〜１０個の炭素原子を
有するヘテロアリーレンを表し、Ｘ¹及びＸ²は、群−Ｏ
ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−又は基Ｒ¹からの同じ
か、又は異なる２結合性基を表し、Ｚ¹及びＺ²は、群−
(ＣＨ₂)_ｑ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ
−、−Ｎ＝Ｎ(Ｏ)−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ＣＯ−、−
ＣＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂
−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＨ₂−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣ
Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝Ｎ−からの同じか、又
は異なる２結合性基を表し、ａ、ｂ、ｃ及びｄはそれぞ
れ、０、１、２又は３の値の同じか、又は異なる整数を
表し、ｎは、０〜２０の値の整数を表し、ｍは、２ｎの
値を有するか、又はｎが、少なくとも２を表す場合に
は、（２ｎ−２）の値を有することもでき、ｑは、１、
２又は３の値の整数を表し、ｒ及びｓはそれぞれ、０又
は１の値の整数を表す]のＳｉ−Ｃ結合されたジアンヒ
ドロヘキシット−誘導体少なくとも１つを、キラル成分
として有するのが有利である。

【００２１】液晶オルガノシロキサンは、一般式（４）
〜（６）：

【００２２】

【化４】

【００２３】[式中、Ｂは、一般式（１）の基及び場合
により一般式（７）：Ｒ⁴−(Ａ⁵)_ｘ−Ｚ³ _ｔ−(Ａ⁶)_ｙ−Ｚ⁴ _ｕ−(Ａ⁷)_ｚ−Ａ⁸ （７）の基を表し、ここで、前記の式（４）〜（７）中、Ｒ
は、同じか、又は異なる、場合により置換されたＣ₁〜
Ｃ₁₈−炭化水素基であり、ｅ及びｇは、それぞれ１〜１
００の値の整数であり、ｆ、ｈ、ｉ及びｊは、それぞ
れ、０〜１００の値の整数であり、Ｒ⁴は、Ｒ¹の意味を
有し、Ａ⁵、Ａ⁶、Ａ⁷は、Ａ¹の意味を有し、Ｚ³及びＺ⁴
は、Ｚ¹の意味を有し、Ａ⁸は、それぞれ１〜１６個の炭
素原子を有し、飽和又はオレフィン系不飽和の場合によ
り置換されたアルキル基、アルコキシ基又はシクロアル
キル基、コレスタン基、コレステリル基、ドリステロー
ル基、ハロゲン原子、水素原子、ヒドロキシル基、ニト
リル基、（メタ）アクリルオキシ基、（メタ）アクリル
オキシエチレンオキシ基、（メタ）アクリルオキシジ
（エチレンオキシ）基、（メタ）アクリルオキシトリ
（エチレンオキシ）基、Ｒ−テトラヒドロフランカルボ
ン酸エステル又はＳ−テトラヒドロフランカルボン酸エ
ステル及びそのアルキル基もしくはアルコキシ基が、１
〜８個の炭素原子を有するトリアルキルシロキシ基又は
トリアルコキシシロキシ基を表し、ｘ、ｙ及びｚがそれ
ぞれ、０、１、２及び３の値の同じか、又は異なる整数
を表し、かつｔ及びｕは、ｒの意味を有するが、但し、
ｅ＋ｆの合計は、少なくとも２である]により構成され
ているのが有利である。

【００２４】Ｒ¹、Ｒ³及びＲ⁴の例は、単位：[Ｏ(Ｃ
Ｈ₂)_ｖ]_ｗで中断されているか、又は代えられていてよ
い直線又は分枝鎖の飽和二価アルキル基であり、ここ
で、ｖ及びｗは、それぞれ１、２、３及び４の値の同じ
か、又は異なる整数であるのが有利である。例えば、単
位：[Ｏ(ＣＨ₂)_ｖ]_ｗは、ポリエチレングリコール／ポ
リプロピレングリコールブロックコポリマーであってよ
い。殊に、ｎは、３、４、５又は６の値で、ｍは、２ｎ
の値であるのが有利である。

【００２５】重合可能なエチレン系不飽和基Ｒ²は、例
えばメタクリルオキシ基、アクリルオキシ基、ビニルオ
キシ基、エチレンオキシ基又はスチリル基であってよ
い。アルコキシシロキシ基Ｒ²の例は、それらのアルキ
ル基及びアルコキシ基が、１〜８個の炭素原子を有する
トリアルコキシシロキシ基又はアルキルジアルコキシシ
ロキシ基である。好適なアルキル基及びアルコキシ基中
に存在するアルキル基の例は、後記の基Ｒで記載する。
アルキル基及びアルコキシ基は、１、２又は３個の炭素
原子を有するのが有利である。

【００２６】置換されたアリーレン及び置換されたシク
ロアルキレンＡ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、Ａ⁵、Ａ⁶及びＡ⁷の
置換基としては、ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル基
又はアルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基が有利であ
る。

【００２７】合計ａ＋ｂ及びｃ＋ｄは、それぞれ１又は
２であるのが有利である。

【００２８】Ｒの例は、アルキル基、例えばメチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、イソ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基、イソ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、イソ−ペンチル基、ネオ−ペンチル基、ｔ−ペンチ
ル基；ヘキシル基、例えばｎ−ヘキシル基；ヘプチル
基、例えばｎ−ヘプチル基；オクチル基、例えばｎ−オ
クチル基及びイソ−オクチル基、例えば２，２，４−ト
リメチルペンチル基；ノニル基、例えばｎ−ノニル基；
デシル基、例えばｎ−デシル基、ドデシル基、例えばｎ
−ドデシル基；オクタデシル基、例えばｎ−オクタデシ
ル基；アルケニル基、例えばビニル基、アリル基及び３
−ブテニル基；シクロアルキル基、例えばシクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びメチル
シクロヘキシル基；アリール基、例えばフェニル基、ナ
フチル基、アントリル基及びフェナントリル基；アルカ
リール基、例えばｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−ト
リル基、キシリル基及びエチルフェニル基；及びアラル
キル基、例えばベンジル基、α−フェニルエチル基及び
β−フェニルエチル基である。置換された炭化水素の置
換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基が
有利である。

【００２９】基Ｒとしては、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル基及び
フェニル基、殊に、メチル基が有利である。

【００３０】ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素及びヨウ素、殊にフッ素、塩素及び臭素が、これに該
当する。

【００３１】ｅ及びｇは、それぞれ、少なくとも１、殊
に少なくとも２の値の整数であるのが有利である。ｆ、
ｈ、ｉ及びｊは、それぞれ、０〜３５の整数であるのが
有利である。合計ｅ＋ｆは、最低で４、かつ最高で１５
であるのが有利である。合計ｇ＋ｈは、最低で２、かつ
最高で３５であるのが有利である。合計ｉ＋ｊは、最高
で１０であるのが有利である。

【００３２】それぞれ１〜１６個の炭素原子を有する適
当な飽和又はオレフィン系不飽和アルキル基、アルコキ
シ基又はシクロアルキル基Ａ⁸の例は、前記の基Ｒの所
に記載されている。アルキル基及びアルコキシ基は、炭
素原子１〜８個を有するのが有利である。

【００３３】置換基Ａ⁸の例は、シアンアルキル基、例
えば２−シアンエチル基、ハロゲンアルキル基、殊に、
ペルフルオルアルキル基、例えばヘプタフルオルプロピ
ル基、ハロゲンアリール基、例えばｏ−クロルフェニル
基、ｍ−クロルフェニル基及びｐ−クロルフェニル基及
びシアノアリール基、例えばシアノフェニル基である。

【００３４】置換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基
又はシアノ基が有利である。

【００３５】合計ｘ＋ｙ＋ｚは、１、２又は３であるの
が有利である。

【００３６】合計ｔ＋ｕは、１又は２であるのが有利で
ある。

【００３７】一般式（１）の化合物としては、式中のＭ
¹、即ち、一般式（２）が、一般式（８）：

【００３８】

【化５】

【００３９】[式中、ｏは、数３又は４を表し、かつ
Ｚ¹、Ａ²、Ｘ¹、ｒ及びｂは、前記の意味を有する]を表
すジアンヒドロヘキシット−誘導体が有利である。

【００４０】ヘキシットは、ジアンヒドロソルビット又
はジアンヒドロマンニットを意味するのが有利である。

【００４１】一般式（７）の化合物としては、一般式
（９）：

【００４２】

【化６】

【００４３】[式中、ｐは、数３又は４を表し、かつ
Ｚ³、Ｚ⁴、Ａ⁶、Ａ⁷、Ａ⁸、ｔ、ｕ、ｙ及びｚは、前記
の意味を有する]のものが殊に有利である。

【００４４】ｔは、値１を、かつｙ及びｚは、それぞれ
値０又は１を有するのが有利である。ｙが、値１を有し
うる場合には、ｕは、値０又は１を有し、ｙが、値０を
有する場合には、ｕは、値０を有する。

【００４５】ジアンヒドロヘキシット−誘導体含有液晶
オルガノシロキサンは、オルガノシロキサン及び／又は
オルガノシロキサンに縮合可能なオルガノシランと、一
般式（１）及び場合により一般式（７）のメソゲン基を
有するアルケン又はアルキンとを反応させることにより
製造することができ、その際、オルガノシロキサン及び
少なくとも１部のオルガノシランは、少なくとも１つの
直接ケイ素に結合している水素原子を有する。

【００４６】有利な前記の一般式（４）〜（６）のジア
ンヒドロヘキシット誘導体含有液晶オルガノシロキサン
の有利な製法においては、一般式（１０）〜（１２）：

【００４７】

【化７】

【００４８】のオルガノシロキサン及び／又は一般式
（１３）：ＨＲＳｉＹ¹Ｙ² （１３）のオルガノシランと、一般式（１４）：Ｍ³−Ｈｅｘｉｔ−Ｍ² （１４）の化合物及び場合により一般式（１５）：Ｒ⁵−(Ａ⁵)ｘ−Ｚ³ _ｔ−(Ａ⁶)_ｙ−Ｚ⁴ _ｕ−(Ａ⁷)_ｚ−Ａ⁸ （１５）の化合物とを反応させ、かつ一般式（１３）のオルガノ
シランを使用する場合には、一般式（１６）：ＢＲＳｉＹ¹Ｙ² （１６）の得られたオルガノシランを縮合させ、その際、前記の
式（１０）〜（１６）中で、Ｍ³は、一般式（１７）：Ｒ⁶−(Ａ¹）_ａ−Ｚ¹ _ｒ−(Ａ²)_ｂ−Ｘ¹− （１７）の基を表し、Ｙ¹は、縮合可能な基を表し、Ｙ²は、縮合
可能な基又は基Ｒを表し、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ式：
Ｃ_αＨ_β（ここで、１つ又はそれ以上の隣接しないメチ
レン単位は、酸素原子又はジメチルシリル基で代えられ
ていてよく、かつαは、ｎの意味を有し、かつβは、２
α−１又は２α−３の値を有する）の基を表し、かつ
Ｒ、Ｍ²、Ａ¹、Ａ²、Ａ⁵、Ａ⁶、Ａ⁷、Ａ⁸、Ｚ¹、Ｚ³、
Ｚ⁴、Ｂ、Ｘ¹、ａ、ｂ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｔ、
ｕ、ｒ、ｘ、ｙ及びｚは、前記の意味を有する。

【００４９】Ｙ²がＲを表さない場合には、Ｙ¹及びＹ²
は、ハロゲン原子又はＣ₁〜Ｃ₄−アルコキシ基を、殊に
塩素原子又はメトキシ基又はエトキシ基を表すのが有利
である。

【００５０】前記の一般式（１５）及び（１７）中で、
Ｒ⁵及びＲ⁶は、末端位で不飽和である。αは、値３〜
７、殊に、値３及び４を有するのが有利である。

【００５１】一般式（１５）の特に有利な化合物は、一
般式（１８）：

【００５２】

【化８】

【００５３】[式中、Ｘは、数１又は２を表し、かつ
Ｚ³、Ｚ⁴、Ａ⁶、Ａ⁷、Ａ⁸、ｔ、ｕ、ｙ及びｚは、前記
の意味を有する]のものである。

【００５４】一般式（１４）及び（１５）の化合物は、
直接ケイ素に結合されている水素原子を、ヒドロシリル
化することができる。

【００５５】前記の一般式（４）〜（６）中のｅ、ｆ、
ｇ、ｈ、ｉ及びｊに関して記載された有利な値及び合計
は、一般式（１０）〜（１２）にも当てはまる。

【００５６】直接ケイ素に結合されている水素原子を有
するオルガノシロキサン及び／又はオルガノシロキサン
に縮合可能なオルガノシランと、一般式（１４）及び
（１５）のアルケン又はアルキンとの反応を、自体公知
の方法、例えば、溶剤、例えば炭化水素、エーテル又は
エステル中で、触媒として白金群の金属又は化合物を用
いるヒドロシリル化により行う。ヒドロシリル化のため
の適当な方法は、例えば、ヨーロッパ特許（ＥＰ−Ａ）
第３５８２０８号明細書中に記載されている。直接ケイ
素原子に結合されている水素原子１グラム原子当たり、
一般式（１）及び（７）の化合物０．１〜１０モル、殊
に、０．２〜２モルを、ヒドロシリル化の際に使用する
のが有利である。

【００５７】前記の方法で、例えば一般式（１３）のオ
ルガノシランを使用する場合には、これらを、一般式
（１）のジアンヒドロヘキシット誘導体含有オルガノシ
ラン又はオルガノシロキサンと一緒に、自体公知の方法
で縮合させて、液晶オルガノシロキサンにする。これ
は、殊に酸、例えば塩酸水溶液と反応させることにより
行うことができる。このような方法は、W.Noll:Chemist
ry and Technology of Silicones, Academic Press, Or
lando Fla., 1968, P191-239に記載されている。記載の
反応により、種々異なる分子の混合物が得られる。

【００５８】本発明は、液晶ジアンヒドロヘキシット−
誘導体含有オルガノシロキサンの製造の際の中間体であ
る一般式（１４）のジアンヒドロヘキシット−誘導体に
も関する。ジアンヒドロヘキシット−誘導体の合成は、
例えば次の方法で行うことができる：ジアンヒドロヘキ
シットを、既に有機化学で公知の方法でオレフィン系又
はアセチレン系基を導入されたカルボン酸又はカルボン
酸塩化物を用いて、不活性溶剤中で、室温又は高めた温
度で、場合により活性の、水と結合する、又は酸と結合
する助剤の添加下に、自体公知の方法でエステル化す
る。

【００５９】前記の一般式（１６）の新規のオルガノシ
ランは、液晶オルガノシロキサンの製造の際の中間体と
して、同じく、本発明の目的である。

【００６０】液晶ジアンヒドロヘキシット−誘導体含有
オルガノシロキサンは、種々の方法で、光学素子中に、
装飾目的に、かつ偏光カラーフィルター、殊に、ノッチ
−フィルターとして使用することができる。これらは、
光の右偏光又は左偏光される分を、特定の所定のスペク
トル範囲で反射することを可能にする。

【００６１】前記の使用のために、ジアンヒドロヘキシ
ット−誘導体含有液晶オルガノシロキサン相互の混合物
も、このオルガノシロキサンとその他の液晶材料との、
液晶特性に本質的に負に影響しない材料との混合物も、
又は純粋なジアンヒドロヘキシット−誘導体含有オルガ
ノシロキサンも使用することができる。殊に、その他の
液晶物質との混合物も使用することができ、これによ
り、例えば、４００ｎｍ右らせんから、赤外右らせん、
ネマチック（＝無限ピッチ）、赤外左らせんを介して、
４００ｎｍ左らせんまで反射波長を調節することができ
る。

【００６２】液晶ジアンヒドロヘキシット−誘導体含有
オルガノシロキサン相互の、かつその他の液晶材料との
混合物も同じく、本発明の目的である。このような混合
物のその他の成分は、例えば、モノマー液晶メタクリル
酸エステル及び／又はアクリル酸エステルであってよ
い。メタクリルオキシ基及び／又はアクリルオキシ基を
有する成分からなる液晶混合物は、自体公知の方法で重
合させ、かつ成分の適当な選択で架橋させることもでき
る。

【００６３】一般式（１）及び／又は（７）のメソゲン
基中に、メタクリルオキシ基及び／又はアクリルオキシ
基を有する液晶ジアンヒドロヘキシット−誘導体含有オ
ルガノシロキサンは、三次元的に架橋することができ
る。この架橋を、過酸化物により、ＵＶ−光により又は
ＵＶ−光としての高エネルギー電磁放射により、又は熱
的に生じる遊離のラディカルにより行うのが有利であ
る。しかし、この架橋を、直接、ケイ素原子に結合され
ている水素原子を含有する架橋剤を用いて、前記の白金
金属触媒の触媒作用下に行うこともできる。これらは、
カチオン又はアニオンにより行うこともできる。ＵＶ−
光による架橋が、特に有利である。これらの架橋は、米
国特許（ＵＳ−Ａ）第５２１１８７７号明細書に記載さ
れている。

【００６４】

【実施例】次の例中では、それぞれ他に記載が無い限
り、ａ）量の表示は全て、重量に関し；ｂ）圧力は全て、０．１０ＭＰａ（絶対）であり；ｃ）温度は全て、２０℃であり；ｄ）ＨＴＰ＝らせんねじり力(helical twisting powe
r); ｅ）ＷＯＲ＝反射波長ｆ）ＬＣ＝液晶ｇ）ＡＢＣｈｏｌ＝４−アリルオキシ安息香酸コレステ
リンエステルｈ）ＡＢＤｏｒ＝４−アリルオキシ安息香酸ドリステリ
ルエステルである。

【００６５】例で、ジアンヒドロヘキシット−誘導体１
〜５を製造した。これらは、次の一般的な処理方法で製
造することができる：イソソルビット２４ミリモル及び
ω−アルケニルオキシ酸塩化物もしくはω−アルキニル
オキシ−酸塩化物４８ミリモルを、トルエン４０ｍｌ中
に溶かし、かつ１２時間、還流下に加熱する。トルエン
を真空中で留去し、かつ粗製生成物を、エタノールもし
くはイソプロパノールから再結晶させる。

【００６６】

【化９】

【００６７】ジアンヒドロヘキシット−誘導体６を、次
の方法で製造した：イソソルビット−ビス（４−ヒドロ
キシ）ベンゾエート５ｇ（１２．９５ミリモル）及びト
リエチルアミン３ｍｌを、アセトン５０ｍｌ中に溶か
し、かつこの混合物に、５〜１０℃で塩化メタクリル酸
３ｇ（２８．７ミリモル）を滴加する。室温で２時間撹
拌し、氷上に注ぎ、かつ希ＨＣｌで酸性にする。この混
合物を、それぞれｔ−ブチル−メチルエーテル５０ｍｌ
で２回抽出し、合わせた有機相を中性まで洗浄し、かつ
硫酸ナトリウム上で乾燥させる。溶剤を、真空中で留去
し、かつ粗製生成物をシリカゲルでのカラムクロマトグ
ラフィー処理により精製した（溶離剤：石油エーテル／
酢酸エチル２：１）。収率：２．３４ｇ。

【００６８】

【化１０】

【００６９】例１（モノマーのドーピングに対してヒ
ドロシリル化）ペンタメチルシクロペンタシロキサン及び４−アリルオ
キシ安息香酸−４−シアノフェニルエステルのヒドロシ
リル化生成物に、イソソルビット−ビス（４−アリルオ
キシ）ベンゾエート２．７３重量％を混合すると、９２
７ｎｍの反射波長が生ずる。しかし、４−アリルオキシ
安息香酸−４−シアノフェニルエステル及びイソソルビ
ット−ビス（４−アリルオキシ）ベンゾエートを一緒に
ペンタメチルシクロペンタシロキサンでヒドロシリル化
すると、生成物中に２．７３重量％のイソソルビット−
誘導体濃度で、６９８ｎｍの反射波長、即ち、短波光へ
２００ｎｍを上回る移動が生じる。

【００７０】イソソルビット−ビス（４−アリルオキ
シ）ベンゾエート０．０７ｇ（０．１５ミリモル）（２
モル％、調製ＬＣ中２．７３重量％に相当）及び４−ア
リルオキシ安息香酸−４−シアノフェニルエステル２ｇ
（７．１７ミリモル）を、トルエン中に溶かし、ペンタ
メチルシクロペンタシロキサン０．４９ｇ（１．６３ミ
リモル）及びジシクロペンタジエニル−白金ジクロリド
２００ｐｐｍを添加し、かつこの混合物を、還流下に２
時間加熱する。溶剤を、真空中で留去する。生じる液晶
は、コレステリック相を示す。２枚のガラス相の間に調
製すると、室温で６９８ｎｍのＷＯＲが生じる。右偏光
が反射される。

【００７１】比較例１−１（イソソルビット−ビス（４
−アリルオキシ）ベンゾエートの混合）：４−アリルオ
キシ安息香酸−４−シアノフェニルエステルのペンタメ
チルシクロペンタシロキサンでのヒドロシリル化生成物
９．７２７ｇに、イソソルビット−ビス（４−アリルオ
キシ）ベンゾエート０．２７３ｇ（２．７３重量％）を
混合し、かつ生ずるコレステリック混合物を、２枚のガ
ラスプレートの間に調製する。室温で９２７ｎｍのＷＯ
Ｒが生じる。右偏光が反射される。

【００７２】比較例１−２（イソソルビット−ビス（４
−メタクリロイルオキシ）ベンゾエートの混合）：４−
アリルオキシ安息香酸−４−シアノフェニルエステルの
ペンタメチルシクロペンタシロキサンでのヒドロシリル
化生成物２０４．１４ｍｇに、イソソルビット−ビス
（４−メタクリロイルオキシ）ベンゾエート５．７５ｍ
ｇ（２．７４重量％）を混合し、かつ生ずるコレステリ
ック混合物を、２枚のガラスプレートの間に調製する。
室温で１０３１ｎｍのＷＯＲが生じる。右偏光が、反射
される。

【００７３】例２（ＡＢＤｏｒに対してイソソルビット
の使用）：テトラメチルシクロテトラシロキサン０．４
８ｇ（２．０ミリモル）、４−アリルオキシ安息香酸−
４−シアノフェニルエステル２ｇ（７．１７ミリモル）
（９５モル％）及びイソソルビット−ビス（４−（３−
ブテニルオキシ）ベンゾエート）０．１９ｇ（０．３８
ミリモル）（５モル％）を、トルエン２０ｍｌ中に溶か
し、かつジシクロペンタジエニル−白金ジクロリド２０
０ｐｐｍを添加する。還流下に２時間加熱し、引き続
き、溶剤を真空下に留去する。生ずる液晶は、２枚のガ
ラスプレートの間に調製した後に、４２７ｎｍのＷＯＲ
を有する。右偏光が反射される。

【００７４】比較例２（イソソルビット−ビス（４−
（３−ブテニルオキシ）ベンゾエート）をＡＢＤｏｒに
代える）：テトラメチルシクロテトラシロキサンで、４
−アリルオキシ安息香酸−４−シアノフェニルエステル
９５モル％及び４−アリルオキシ安息香酸ドリステリル
エステル５モル％を、例２と同様にヒドロシリル化す
る。生ずるコレステリック液晶は、２枚のガラスプレー
トの間に調製した後に、１８００ｎｍのＷＯＲを有す
る。右偏光が反射される。

【００７５】例３（ＡＢＣｈｏｌもしくは酒石酸ベンゾ
エートに対してイソマンニットを使用）：ペンタメチル
シクロペンタシロキサンで、４−アリルオキシ安息香酸
ビフェニルエステル６７モル％、４−アリルオキシ安息
香酸コレステリンエステル３０モル％及びイソマンニッ
ト−ビス（４−アリルオキシ）ベンゾエート３モル％
を、例２と同様にヒドロシリル化する。生じる液晶は、
２枚のガラスプレートの間での調製の後に５１５ｎｍの
ＷＯＲを有する。左偏光が反射される。

【００７６】比較例３−１（イソマンニット−ビス（４
−アリルオキシ）ベンゾエート３モル％を、ＡＢＣｈｏ
ｌに代える）：ペンタメチルシクロペンタシロキサン
で、４−アリルオキシ安息香酸ビフェニルエステル６７
モル％及び４−アリルオキシ安息香酸コレステリンエス
テル３３モル％を、例２と同様にヒドロシリル化する。
生じるコレステリック液晶は、２枚のガラスプレートの
間での調製の後に６７０ｎｍのＷＯＲを有する。左偏光
が反射される。

【００７７】比較例３−２（イソマンニット−ビス（４
−アリルオキシ）ベンゾエート３モル％を、（３Ｒ，４
Ｒ）−（＋）−アリル−３，４−ビス（ベンゾイルオキ
シ）スクシンイミドに代える）：ペンタメチルシクロペ
ンタシロキサンで、４−アリルオキシ安息香酸ビフェニ
ルエステル６７モル％、４−アリルオキシ安息香酸コレ
ステリンエステル３０モル％及び（３Ｒ，４Ｒ）−
（＋）−アリル−３，４−ビス（ベンゾイルオキシ）ス
クシンイミド３モル％を、例２と同様にヒドロシリル化
する。生じるコレステリック液晶は、２枚のガラスプレ
ートの間での調製の後に５８０ｎｍのＷＯＲを有する。
左偏光が反射される。

【００７８】例４（ＡＢＤｏｒに対してイソソルビット
を使用）ペンタメチルシクロペンタシロキサンで、４−アリルオ
キシ安息香酸−４−メトキシフェニルエステル４０モル
％、４−アリルオキシ安息香酸ビフェニルエステル４０
モル％、４−アリルオキシ安息香酸ドリステリルエステ
ル１８モル％及びイソソルビット−ビス（４−アリルオ
キシ）ベンゾエート２モル％を、例２と同様にヒドロシ
リル化する。生じる液晶は、２枚のガラスプレートの間
での調製の後に、４３２ｎｍのＷＯＲを有する。右偏光
が反射される。

【００７９】比較例４（イソソルビット−ビス（４−ア
リルオキシ）ベンゾエートを、ＡＢＤｏｒに代える）：
ペンタメチルシクロペンタシロキサンで、４−アリルオ
キシ安息香酸−４−メトキシフェニルエステル４０モル
％、４−アリルオキシ安息香酸ビフェニルエステル４０
モル％及び４−アリルオキシ安息香酸ドリステリルエス
テル２０モル％を、例２と同様にヒドロシリル化する。
生じるコレステリック液晶は、２枚のガラスプレートの
間での調製の後に５６２ｎｍのＷＯＲを有する。右偏光
が反射される。

【００８０】例５（ＡＢＣｈｏｌに対してイソマンニッ
トを使用）：ペンタメチルシクロペンタシロキサン１．
０ｇ（３．３３ミリモル）、４−アリルオキシ安息香酸
コレステリンエステル３．３７ｇ（６．１６ミリモル）
（３７モル％）及び４−アリルオキシ安息香酸ビフェニ
ルエステル１．１ｇ（３．３３ミリモル）（２０モル
％）を、トルエン２０ｍｌ中に溶かし、かつ反応混合物
を、ジシクロペンタジエニル−白金ジクロリド１００ｐ
ｐｍと一緒に還流下に１時間加熱する。５０℃まで冷却
し、４−アリルオキシ安息香酸−４−（メタクリロイル
オキシ）フェニルエステル２．３ｇ（６．８ミリモル）
（４０モル％）、イソマンニット−ビス（４−アリルオ
キシ）ベンゾエート０．２３ｇ（０．４９ミリモル）
（３モル％）及びＮ−ニトロソフェニルヒドロキシルア
ミンのアルミニウム塩１０ｍｇを添加し、かつ７０℃で
１時間撹拌する。溶剤を、真空下に留去する。生じるコ
レステリック液晶は、２枚のガラスプレートの間での調
製の後に、５１６ｎｍのＷＯＲを有する。左偏光が反射
される。

【００８１】比較例５（イソマンニット−ビス（４−ア
リルオキシ）ベンゾエートを、ＡＢＣｈｏｌに代え
る）：ペンタメチルシクロペンタシロキサンで、４−ア
リルオキシ安息香酸コレステリンエステル４０モル％、
４−アリルオキシ安息香酸ビフェニルエステル２０モル
％及び４−アリルオキシ安息香酸−４−（メタクリロイ
ルオキシ）フェニルエステル４０モル％を、例６と同様
にヒドロシリル化する。生ずるコレステリック液晶は、
２枚のガラスプレートの間での調製の後に６２３ｎｍの
ＷＯＲを有する。左偏光が反射される。

【００８２】例６（ＡＢＤｏｒに対してイソソルビット
を使用）：テトラメチルシクロテトラシロキサンで、４
−アリルオキシ安息香酸−４−シアノフェニルエステル
９５モル％及びイソソルビット−ビス（４−プロパルギ
ルオキシ）ベンゾエート５モル％を、例２と同様にヒド
ロシリル化する。生ずる液晶は、２枚のガラスプレート
の間での調製の後に４６４ｎｍのＷＯＲを有する。右偏
光が反射される。

【００８３】比較例６（イソソルビット−ビス（４−プ
ロパルギルオキシ）ベンゾエートをＡＢＤｏｒに代え
る）：比較例２−１と同様に。

【００８４】例７（液晶の架橋）：例５からの液晶に、
２−メチル−１−[４−（メチルチオ）フェニル]−２−
モルホリノプロパノン−１(Irgacure 907, Ciba-Geigy
社)１重量％を混合し、液晶を８０℃で、２枚のガラス
の間で配向させ、１時間熱処理し、かつこの試料に３分
間ＵＶ−光を照射する。５２０ｎｍのＷＯＲを有する架
橋されたコレステリック膜が生じる。左偏光が反射され
る。

【００８５】比較例７例７と同様に、比較例５からの液晶を架橋する。このコ
レステリック膜は、６０３ｎｍのＷＯＲを有する。左偏
光が反射される。

【００８６】例８（液晶の架橋及びモノマー助剤の添
加）：例５からの液晶に、２−メチル−１−[４−（メ
チルチオ）フェニル]−２−モルホリノプロパノン−１
(Irgacure 907, Ciba-Geigy AG, スイス)１重量％及び
４−メタクリロイルオキシ安息香酸−４−エチルフェニ
ルエステル２０重量％を混合し、液晶を８０℃で２枚の
ガラスプレートの間で配向させ、１時間熱処理し、かつ
この試料にＵＶ−光を３分間照射する。５２０ｎｍのＷ
ＯＲを有する架橋されたコレステリック膜が生じる。左
偏光が反射される。

【００８７】比較例８例８と同様に、比較例５からの液晶を架橋する。このコ
レステリック膜は、６２６ｎｍのＷＯＲを有する。左偏
光が反射される。

【００８８】例９（右らせん膜）：テトラメチルシクロ
テトラシロキサン０．６９ｇ（２．８８ミリモル）、４
−アリルオキシ安息香酸−４−（４−メトキシフェノキ
シカルボニル）フェニルエステル２．１４ｇ（５．３ミ
リモル）（５３モル％）及びイソソルビット−ビス−
（４−アリルオキシ）ベンゾエート０．３３ｇ（０．６
９ミリモル）（７モル％）を、トルエン２０ｍｌ中に溶
かし、かつ反応混合物を、ジシクロペンタジエニル白金
ジクロリド１００ｐｐｍと一緒に、還流下に１時間加熱
する。５０℃に冷却し、４−アリルオキシ安息香酸−４
−（メタクリロイルオキシフェニル）エステル１．３５
ｇ（６．９５ミリモル）（４０モル％）及びＮ−ニトロ
ソフェニルヒドロキシルアミンのアルミニウム塩１０ｍ
ｇを添加し、かつ７０℃で１時間撹拌する。溶剤を真空
下に留去する。引き続き、生じるコレステリック液晶
に、７０℃で、４−メタクリロイルオキシ安息香酸−４
−エチルフェニルエステル２０重量％及び２−メチル−
１−[４−（メチルチオ）フェニル]−２−モルホリノプ
ロパノン−１２重量％(Irgacure 907, Ciba-geigy A
G, スイス)を混合し、かつ得られた混合物を９０℃で、
２枚のポリイミド被覆されたガラスプレートの間で調製
する。９０℃で１時間の熱処理時間の後に、液晶をＵＶ
−ランプで光架橋させる。得られるＬＣ−膜は、６３１
ｎｍのＷＯＲを有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１ (72)発明者ライナーヴィンクラードイツ連邦共和国ミュンヘンザンクト −カイェタン−シュトラーセ１ (72)発明者クラウスシュトヴィシェクドイツ連邦共和国ヴァルトクライブルクブレスラウアーシュトラーセ５ (54)【発明の名称】液晶オルガノシロキサン、その製法、それらの混合物、それらの化合物又はその混合物を有する光学素子、偏光カラーフィルター及び装飾材料並びに新規のジアンヒドロヘキシット−誘導体及びオルガノシラン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ジアンヒドロヘキシット−誘導体を、キ
ラル基として有する液晶オルガノシロキサン。
【請求項２】１分子当たり、一般式（１）：Ｍ¹−Ｈｅｘｉｔ−Ｍ² （１） [式中、Ｈｅｘｉｔは、前記のジアンヒドロヘキシット
−基を表し、Ｍ¹は、一般式（２）：Ｒ¹−(Ａ¹)_ａ−Ｚ¹ _ｒ−(Ａ²)_ｂ−Ｘ¹− （２）の基を表し、かつＭ²は、一般式（２）の基又は一般式
（３）：Ｒ²−Ｒ³−(Ａ³)_ｃ−Ｚ² _ｓ−(Ａ⁴）_ｄ−Ｘ²− （３）の基を表し、ここで、前記の一般式（２）及び（３）中
で、Ｒ¹及びＲ³は、それぞれ、式：Ｃ_ｎＨ_ｍの基を表し、そ
の際、１つ又はそれ以上の隣り合わないメチレン単位
は、酸素原子又はジメチルシリル基により代えられてい
てよくＲ²は、重合可能なエチレン系不飽和基又はアル
コキシシロキシ基又はコレステリル基、ドリステロール
基、ハロゲン原子、水素原子、ヒドロキシル基、ニトリ
ル基及びそのアルキル基がそれぞれ１〜８個の炭素原子
を有するトリアルキルシロキシ基を表し、Ａ¹、Ａ²、Ａ³及びＡ⁴は、同じ又は異なる２結合性基、
即ち、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレ
ン基、１〜１０個の炭素原子を有する置換されたアリー
レン、１〜１０個の炭素原子を有する置換されたシクロ
アルキレン及び１〜１０個の炭素原子を有するヘテロア
リーレンを表し、Ｘ¹及びＸ²は、群−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−
又は基Ｒ¹からの同じか、又は異なる２結合性基を表
し、Ｚ¹及びＺ²は、群−(ＣＨ₂)_ｑ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ
＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ(Ｏ)−、−ＯＣＯ−、
−ＣＨ₂ＣＯ−、−ＣＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ
−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＨ₂−、−Ｃ
ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝Ｎ
−からの同じか、又は異なる２結合性基を表し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ０、１、２又は３の値の
同じか、又は異なる整数を表し、ｎは、０〜２０の値の整数を表し、ｍは、２ｎの値を有するか、又はｎが、少なくとも２を
表す場合には、（２ｎ−２）の値を有することもでき、ｑは、１、２又は３の値の整数を表し、ｒ及びｓは、それぞれ０又は１の値の整数を表す]のＳ
ｉ−Ｃ結合されたジアンヒドロヘキシット−誘導体少な
くとも１つを、キラル成分として有する、請求項１に記
載の液晶オルガノシロキサン。
【請求項３】一般式（４）〜（６）：【化１】 [式中、Ｂは、一般式（１）の基及び場合により一般式
（７）：Ｒ⁴−(Ａ⁵)_ｘ−Ｚ³ _ｔ−(Ａ⁶)_ｙ−Ｚ⁴ _ｕ−(Ａ⁷)_ｚ−Ａ⁸ （７）の基を表し、ここで、前記の式（４）〜（７）中、Ｒは、同じ又は異なる、場合により置換されたＣ₁〜Ｃ
₁₈−炭化水素基であり、ｅ及びｇは、それぞれ１〜１００の値の整数であり、ｆ、ｈ、ｉ及びｊは、それぞれ、０〜１００の値の整数
を表し、Ｒ⁴は、Ｒ¹の意味を有し、Ａ⁵、Ａ⁶及びＡ⁷は、Ａ¹の意味を有し、Ｚ³及びＺ⁴は、Ｚ¹の意味を有し、Ａ⁸は、飽和又はオレフィン系不飽和の場合により置換
されたそれぞれ１〜１６個の炭素原子を有するアルキル
基、アルコキシ基又はシクロアルキル基、コレスタン
基、コレステリル基、ドリステロール基、ハロゲン原
子、水素原子、ヒドロキシル基、ニトリル基、（メタ）
アクリルオキシ基、（メタ）アクリルオキシエチレンオ
キシ基、（メタ）アクリルオキシジ（エチレンオキシ）
基、（メタ）アクリルオキシトリ（エチレンオキシ）
基、Ｒ−又はＳ−テトラヒドロフランカルボン酸エステ
ル及びそのアルキル基もしくはアルコキシ基が、１〜８
個の炭素原子を有するトリアルキルシロキシ基又はトリ
アルコキシシロキシ基を表し、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ、０、１、２及び３の値の同
じ、又は異なる整数を表し、かつｔ及びｕは、ｒの意味
を有するが、但し、ｅ＋ｆの合計は、少なくとも２であ
る]により構成されている、請求項1又は2に記載の液晶
オルガノシロキサン。
【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載のジア
ンヒドロヘキシット−誘導体含有液晶オルガノシロキサ
ンの製法において、オルガノシロキサン及び／又はオル
ガノシロキサンに縮合可能なオルガノシランを、メソゲ
ン基を有する一般式（１）及び場合により一般式（７）
のアルケン又はアルキンと反応させ、その際、オルガノ
シロキサン及びオルガノシランの少なくとも一部が、少
なくとも１つの直接、ケイ素に結合している水素原子を
有することを特徴とする、請求項１から３のいずれかに
記載のジアンヒドロヘキシット−誘導体含有液晶オルガ
ノシロキサンの製法。
【請求項５】一般式（１０）〜（１２）：【化２】のオルガノシロキサン及び／又は一般式（１３）：ＨＲＳｉＹ¹Ｙ² （１３）のオルガノシランを、一般式（１４）：Ｍ³−Ｈｅｘｉｔ−Ｍ² （１４）の化合物及び場合により一般式（１５）：Ｒ⁵−(Ａ⁵)_ｘ−Ｚ³ _ｔ−(Ａ⁶)_ｙ−Ｚ⁴ _ｕ−(Ａ⁷）_ｚ−Ａ⁸ （１５）の化合物と反応させ、かつ一般式（１３）のオルガノシ
ランを使用する場合には、一般式（１６）：ＢＲＳｉＹ¹Ｙ² （１６）の得られたオルガノシランを縮合し、その際、前記の式
（１０）〜（１６）中で、Ｍ³は、一般式（１７）：Ｒ⁶−(Ａ¹）_ａ−Ｚ¹ _ｒ−(Ａ²)_ｂ−Ｘ¹− （１７）の基を表し、Ｙ¹は、縮合可能な基を表し、Ｙ²は、縮合可能な基又は基Ｒを表し、Ｒ⁵及びＲ⁶はそれぞれ、式：Ｃ_αＨ_β（ここで、１つ又
はそれ以上の、隣接しないメチレン単位は、酸素原子又
はジメチルシリル基で代えられていてよく、かつαは、
ｎの意味を有し、かつβは、２α−１又は２α−３の値
を有する）の基を表し、かつＲ、Ｍ²、Ａ¹、Ａ²、Ａ⁵、
Ａ⁶、Ａ⁷、Ａ⁸、Ｚ¹、Ｚ³、Ｚ⁴、Ｂ、Ｘ¹、ａ、ｂ、
ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｔ、ｕ、ｒ、ｘ、ｙ及びｚ
は、前記の意味を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項６】請求項１から３に記載の液晶オルガノシ
ロキサン相互の、その他の液晶材料との及び液晶特性に
本質的に負に影響を与えない材料との混合物。
【請求項７】請求項１から３のいずれかに記載の液晶
オルガノシロキサン又は請求項６に記載の混合物を有す
る光学素子、偏光カラーフィルター及び装飾材料。
【請求項８】一般式（１４）：Ｍ³−Ｈｅｘｉｔ−Ｍ² （１４） [式中、Ｍ²及びＭ³は、請求項２及び５に記載の意味を
有する]のジアンヒドロヘキシット−誘導体。
【請求項９】一般式（１６）：ＢＲＳｉＹ¹Ｙ² （１６） [式中、Ｙ¹及びＹ²は、請求項５に記載の意味を有する]
のオルガノシラン。