JPH09138971A - 光情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 変調度の高い再生信号が得られる光情報記録
媒体。 【解決手段】 光情報記録媒体は、透光性基板１の上に
直接または他の層を介してレーザ光を吸収する光吸収層
２と、この光吸収層２の上に直接または他の層を介して
レーザ光を反射する光反射層３と、レーザ光の照射によ
ってデータを再生するためのピット５が形成されてい
る。このピット５の部分の光吸収層２と隣接する基板１
側の層が変形し、且つ光吸収層２のレーザ光を照射した
部分が分解し、レーザ光が照射された位置にピットが形
成されているている。光吸収層２は、レーザ光を吸収し
て発熱すると共に、融解、蒸発、昇華、変形または変性
している。或は前記光吸収層２を構成する成分の一部が
同層と隣接する層に拡散或は粘性流動し、これが前記光
吸収層に隣接する透光性基板側の層の成分と混合し、或
は部分的に化合している。或は前記光吸収層２とこれに
隣接する他の層との界面が剥離し、そこに空隙部が形成
されているか、或は前記光吸収層の中に気泡が発生し、
且つそれが残存している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光により記
録されたピットを有する光情報記録媒体とその記録方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光の照射により、データを記録す
ることができる光情報記録媒体は、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｍｎ等
の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン
等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光の照射に
より、前記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等
の手段で、ピットを形成し、データを記録する。この記
録層を有する光情報記録媒体では、ピットを形成する際
の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするた
め、記録層の背後に空隙を設けることが一般に行なわれ
ている。具体的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板
を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる
積層構造がとられる。この光情報記録媒体では、前記透
光性を有する基板１側からレーザ光を照射し、ピットを
形成する。そして、記録したデータを再生するときは、
前記基板１側から記録時よりパワーの弱いレーザ光を照
射し、前記ピットとそれ以外の部分との反射光の違いに
より、信号を読みとる。

【０００３】一方、予めデータが記録され、その後のデ
ータの書き込みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光
情報記録媒体が情報処理や音響部門で既に広く実用化さ
れている。この種の光情報記録媒体は、前記のような記
録層を持たず、記録データを再生するためのピットを予
めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板の上に形
成し、この上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属膜から
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。

【０００４】このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的
なものが音響部門や情報処理部門等で広く実用化されて
いるコンパクトディスク、いわゆるＣＤであり、このＣ
Ｄの記録、再生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマッ
トとして規格化され、これに準拠する再生装置は、コン
パクトディスクプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて
広く普及している。

【０００５】

【発明が解決しようとしている課題】前記光情報記録媒
体は、例えば再生に際し、既に広く普及したＣＤと互換
性を有し、ＣＤプレーヤで再生できることが強く望まれ
る。そのためには、変調度の大きい再生信号が得られる
光情報記録媒体が必要である。しかしながら、前記の光
情報記録媒体は、ＣＤには無い記録層を有し、基板にで
はなく、記録層にピットを形成して記録する手段がとら
れる。さらに、この記録層にピットを形成するのを容易
にするための空隙層等を有することから、レーザ光の反
射率、再生信号の変調度等の点で再生信号がＣＤと異な
ってくる。特に、レーザ光を照射して形成するピット
は、プレスのように機械的に形成されるピットのように
明瞭でないため、大きな変調度がとりにくい。このた
め、いわゆるＣＤについての規格を定めた前記ＣＤフォ
ーマットを満足することが困難であり、ＣＤプレーヤで
再生可能な光ディスクを提供することができなかった。
本発明は、前記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、変調度の高い再生信号が得られる光
情報記録媒体を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明では、第一に、透
光性基板の上に直接または他の層を介してレーザ光を吸
収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接または他の
層を介してレーザ光を反射する光反射層と、レーザ光の
照射によってデータを再生するためのピットが形成され
ている光情報記録媒体において、このピットの部分の光
吸収層と隣接する基板側の層が変形し、且つ光吸収層の
レーザ光を照射した部分が分解し、レーザ光が照射され
た位置にピットが形成されていることを特徴とする。さ
らに、このような光情報記録媒体の光吸収層にレーザ光
を照射し、そこに前記のようなピットを形成することを
特徴とするものである。

【０００７】ここで、光吸収層にレーザ光を照射するこ
とにより、光吸収層がレーザ光を吸収して発熱すると共
に、融解、蒸発、昇華、変形または変性している。或は
前記光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣接する層
に拡散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に隣接する
透光性基板側の層の成分と混合し、或は部分的に化合し
ている。或は前記光吸収層とこれに隣接する他の層との
界面が剥離し、そこに空隙部が形成されているか、或は
前記光吸収層の中に気泡が発生し、且つそれが残存して
いる。

【０００８】このような光情報記録媒体では、そのピッ
トにおいて、光吸収層と隣接する基板側の層が局部的に
変形していることにより、ピット部分とピット部分以外
との間に位相差が生じ、かつ、入射したレーザスポット
が散乱され、レーザ光の反射光量に大きな違いが生じ
る。そのため、再生信号の変調度を大きくとることがで
きる。

【０００９】この場合において、ピット部分の基板側の
変形は、光吸収層側に凸状であると、凹状であると、波
状であるとを問わず、上述の作用は概ね同等である。さ
らに、ピット部分に前記のような変形に加えて、基板側
の層に局部的に光学特性が変わった光学特性変性部を有
していたり、光吸収層と同層に隣接する他の層との界面
部分に空隙が形成されていたり、ピットの部分の光吸収
層に微細な気泡が分散していると、これらによるレーザ
スポットの位相差、吸収、散乱等の作用により、ピット
の部分とピット以外の部分とのレーザ光の反射光量によ
り大きな違いが生じ、再生信号の変調度をより大きくと
ることができる。

【００１０】さらに、ピットの部分の光吸収層と隣接す
る基板側の層に、局部的に光学特性が変わった光学特性
変性部を有することにより、入射したレーザ光が前記光
学特性変性部で位相差、吸収、散乱等の作用により、ピ
ット以外の部分と、ピットの部分との光学的条件、特に
レーザ光の反射に大きな違いが生じ、前記第一の手段と
同様に、再生信号の変調度を大きくとることができる。
このように光吸収層に隣接する基板側の層を変形或は変
化させてピットを形成する光情報記録媒体では、光吸収
層の背後に密着して反射層を設けることができ、特に、
データを読みとる際の再生信号が例えばＣＤフォーマッ
トに適合する記録可能な光情報記録媒体が容易に得られ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。本
発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、図１
〜図３に示す。同図において、１は、透光性を有する基
板、２は、その上に形成された光吸収層で、後述するよ
うに、照射されたレーザ光を吸収して発熱すると共に、
融解、蒸発、昇華、変形または変性し、レーザスポット
が照射された位置にピット５を形成するための層であ
る。図２は、レーザ光による記録前の状態を、図３は、
記録後の状態、すなわち、光学ピックアップ８からレー
ザ光７を光吸収層２に収束して照射した時に、透光性基
板１の表面が一部変形及び／または変化し、ピット５が
形成された状態を模式的に示す。

【００１２】光吸収層２にレーザ光７を照射したとき、
その照射部分がレーザ光７を吸収して発熱すると共に、
同照射部分が融解、分解し、同時にこれに隣接する層も
軟化、融解する。そして、前記光吸収層２を構成する成
分の一部が同層と隣接する層に拡散或は粘性流動し、こ
れが光吸収層２に隣接する透光性基板１側の層の成分と
混合し、部分的に化合する。これに伴って、光吸収層２
と隣接する層の表面に凸状の変形部分６が形成される。
こうした現象は、例えば、光吸収層２と隣接する一方の
層が金属層からなる光反射層３であり、隣接する他方の
層が樹脂層からなる透光性基板１である場合には、主と
して透光性基板１側で起こり易いが、光吸収層２との界
面側の変形は、光反射層３側にも生じることがある。な
お、前記変形部分６は、場合によっては、光吸収層２側
に波状の場合もあり、さらには、凹状である場合もあ
る。

【００１３】透光性基板１は、レーザ光に対する透明度
の高い材料で、耐衝撃性に優れた主として樹脂により形
成されたもの、例えばポリカーボネート板、アクリル
板、エポキシ板等が用いられる。光吸収層２は、前記透
光性基板１側から入射したレーザ光を吸収して発熱する
と共に、融解、分解するもので、例えば、インドジカー
ボシアニン等のシアニン系色素を前記基板１の上または
その上に形成された他の層を介してスピンコート法等に
より形成される。反射層３は金属膜により形成され、例
えば、金、銀、銅、アルミニウムあるいはこれらを含む
合金膜等により形成される。保護層４は、透光性基板１
と同様の耐衝撃性に優れた樹脂により形成され、最も一
般的には紫外線硬化性樹脂をスピンコート法により塗布
し、これに紫外線を照射して硬化させることにより形成
される。この他、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコ
ーン系ハードコート樹脂等が一般に使用される。

【００１４】なお、この発明による光情報記録媒体にお
いて、前記光吸収層２の複素屈折率の実数部ｎ_abs とそ
の膜厚ｄ_abs と再生光の波長λとで与えられるρ＝ｎ
_absｄ_abs／λが０．０５≦ρ≦０．６であり、かつ前記
複素屈折率の虚部ｋ_abs が０．３以下であるのが望まし
い。これは、前記再生光に対する反射率を高くするため
であり、前記の条件を満足する場合は、高い反射率が得
られ、反射率７０％以上というＣＤフォーマット等に定
められた規格特性を十分確保できる。

【００１５】図４〜図８にレーザ光を照射して形成され
た上述のピット５の状態の例を模式的に示している。図
４は、ピット５の部分において、レーザ光７のスポット
を光吸収層２に照射する事により、光吸収層２と隣接す
る基板１に変形６が生じた状態を模式的に示している。

【００１６】これをより具体的に説明すると、図４
（ａ）は、光吸収層２にレーザスポットを照射したと
き、同層２の成分が融解、分解されると共に、透光性基
板１の前記光吸収層２との界面側が軟化し、これによっ
て光吸収層２の成分が透光性基板１側に拡散或は粘性流
動することにより、変形６が形成された場合を模式的に
示している。この変形６の部分は、同時に、光吸収層２
の成分が透光性基板１を構成する材料と局部的に混合
し、部分的に化合することにより、光吸収層２や透光性
基板１と光学的特性が異なるようになった光学特性変性
部１２であることもある。

【００１７】ピット５を形成するため、光吸収層２にレ
ーザスポットを照射すると、その部分で光吸収層２を形
成する成分が局部的に発熱し、融解、分解するため、光
吸収層２の光学特性も局部的に変化するのが通例であ
る。さらに、こうした現象に伴い、物理的には図４
（ｂ）で示すように、光吸収層２とこれに隣接する他の
層、例えば光反射層３との界面が剥離し、そこに空隙部
１０が形成されたり、或は光吸収層２の中に気泡が発生
し、これが冷却後にも残存していることがある。

【００１８】前記のような空隙１０は、光吸収層２のレ
ーザ光７の入射する側に隣接する層、例えば基板１側
が、光吸収層２の背後側の層、例えば光反射層３及び保
護層４側より比較的熱変形しやすく、光吸収層２との結
着性が、後者が前者に比べて悪い場合に形成できる。す
なわち、このような光情報記録媒体では、光吸収層２の
レーザ光７を照射したとき、既に述べたようにして光吸
収層２にエネルギーが発生し、基板１が変形６されると
同時に、光吸収層２の中にガスが発生し、これによって
結着性の悪い光吸収層２とそれに隣接する光反射層３と
の界面が剥離し、そこにガスが溜ることによって生じる
ものと考えられる。また、光吸収層２の内部で発生した
ガスは、気泡１１となって残存する。

【００１９】図４（ｃ）と（ｄ）は、透光性基板１側の
変形６の他の形状を示すもので、（ｃ）は、凸状の変形
６の頂部が２つに割れた状態を示しており、（ｄ）は、
凹凸が交互に繰り返される波状の変形６を示している。
これらの場合にも、前記のような空隙部１０、気泡１
１、光学的変性部１２が形成されることがあり得る。図
８は、透光性基板１の表面に形成されたトラッキング手
段であるところのプレグルーブ１３に沿ってピット５を
形成するため、前記プレグルーブ１３に沿って光吸収層
２にレーザスポットを照射した後、保護層４と光反射層
３を透光性基板１から剥離し、さらに同基板１の表面か
ら光吸収層２を除去した状態を模式的に示している。

【００２０】さらに、ＳＴＭ（Scanning Tunneling Mic
roscope）を用いて、前記プレグルーブ１３に沿う透光
性基板１の表面の状態を観察した例を、図９に示す。同
図では、チップ（探針）１４のプレグルーブ１３に沿う
方向、つまりトラッキング方向の移動距離を横軸にと
り、透光性基板１の表面の高度を縦軸にとって示してあ
る。同図（ａ）は、ピットの距離が１００００オングス
トロームと比較的短い場合であり、ここでは高さ約２０
０オングストロームの凸状の明瞭な変形６が形成されて
いることが理解できる。また、同図（ｂ）は、ピットの
距離が４００００オングストロームと比較的長い場合で
あり、ここでは高さ約２００オングストロームの凸状の
変形６が認められるが、この変形の中間部がやや低くな
っており、変形６の峰が２つに分かれていることが分か
る。

【００２１】図５は、ピット５の部分における、光吸収
層２と隣接する透光性基板１の変形６が、光吸収層２に
対し、凹状に形成されている場合を模式的に示す。図５
（ａ）は、光吸収層２と光反射層３との境界に空隙１０
が形成された場合を示しており、同図（ｂ）は、前記空
隙１０が形成されるのと同時に、光吸収層２の中に微細
な気泡１１、１１…が分散し、さらに変形６が形成され
た透光性基板１に、光吸収層２の分解成分が拡散し、こ
の成分と透光性基板１を構成する成分とが混合して、部
分的に化合し、光学特性変性部１２が形成されている場
合を示している。さらに、同図（ｃ）は、前記空隙１０
が形成されるのと同時に、基板１と光吸収層２との間に
空隙１０’が形成された場合を示している。

【００２２】図６は、ピット５における変形６、６’
が、光吸収層２に隣接する双方の層に及んでいる場合を
示している。こうしたピットは、光吸収層２を挟む両側
の層、例えば基板１と光反射層２及び保護層４との熱変
形温度または硬度がほぼ同等である場合に形成されるこ
とが多い。図６（ａ）では、前記ピット５において、光
吸収層２と基板１との間に空隙１０’が形成された場合
を、同図（ｂ）は、光吸収層２と隣接する基板１及び光
反射層３との間の双方に空隙部１０、１０’が形成され
た場合を、同図（ｃ）は、光吸収層２の中に微細な気泡
１１、１１…が分散している場合を各々示している。図
６（ｄ）には、透光性基板１と光反射層３側の変形６、
６’が、何れも光吸収層２側に向かって凸状に形成され
ている状態を示している。

【００２３】さらに図７は、光吸収層２に対して、レー
ザ光７が入射される側の層に、ピット５の部分において
他の部分と光学的特性の変わった光学特性変性部１３を
有する場合である。この変性部１３は、必ずレーザ光７
の入射側にあり、これが光吸収層２の内部に及ぶことが
多い。この場合、光吸収層２に隣接する層の変形６がみ
られることがあるが、光学特性変性部１３の存在によ
り、変形が不明瞭であるのが一般的である。

【００２４】図７（ａ）は、光吸収層２に隣接する、例
えば基板１の部分に光学特性変性部１３が形成された状
態を示し、同図（ｂ）は、前記基板１から光吸収層２に
至って、その厚み方向に光学特性が漸次変化する状態を
示している。こうした各層の変性は、光吸収層２にレー
ザ光７が照射されたときに発生する熱の作用により、光
吸収層２や他の層が分解、反応、相互拡散することによ
り形成される。従って、このようなピット５は、光吸収
層２とこれに隣接する層とに、こうした作用を有する材
料を選択したときに形成される。

【００２５】さらに、本発明の具体的な実施例につい
て、以下に説明する。 （実施例１）表面に幅０．８μｍ、深さ０．０８μｍ、
ピッチ１．６μｍのスパイラル状のプレグルーブ８が形
成された厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍφ、内径１５
ｍｍφのポリカーボネート基板１を射出成形法により成
形した。このポリカーボネート基板１のロックウェル硬
度ＡＳＴＭ Ｄ７８５は、Ｍ７５（鉛筆硬度ＨＢと同
等）であり、熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ６４８は、４．６
ｋｇ／ｃｍ²、１２１℃であった。

【００２６】光吸収層２を形成するための有機色素とし
て、０．６５ｇの１，１’ジブチル３，３，３’，３’
テトラメチル４，５，４’，５’ジベンゾインドジカー
ボシアニンパークロレート（日本感光色素研究所製、品
番ＮＫ３２１９）を、ジアセトンアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを前記の基板１の表面に、スピンコー
ト法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの光吸収層２を形成
した。

【００２７】次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍ
ｍφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚８０
ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの
保護層４を形成した。この保護層４の硬化後のロックウ
ェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ７８５はＭ９０であり、熱変形温
度ＡＳＴＭ Ｄ６４８は、４．６ｋｇ／ｃｍ²、１３５℃
であった。

【００２８】こうして得られた光ディスクに、波長７８
０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パ
ワー６．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅ
ｘ ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再
生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ₁₁／
Ｉ_top が０．６８、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３５、ブロックエ
ラーレートＢＬＥＲが１．２×１０^-2であった。

【００２９】ＣＤ規格では、反射率が７０％以上、Ｉ₁₁
／Ｉ_topが０．６以上、Ｉ₃／Ｉ_topが０．３〜０．７、
ブロックエラーレートＢＬＥＲが３×１０^-2以下と定め
られており、この実施例による光ディスクは、この規格
を満足している。さらにこの記録後の光ディスクの前記
保護層４と光反射層３とを剥離し、光吸収層２を溶剤で
洗浄、除去して、透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、ピット
の部分に凸状の変形が見られた。

【００３０】（実施例２）前記実施例１において、光吸
収層２と光反射層３との間に、エポキシ樹脂をスピンコ
ートし、膜厚１００ｎｍの硬質層を設けたこと以外は、
前記実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。な
お、このエポキシ樹脂硬化後のロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ Ｄ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ
６４８は、４．６ｋｇ／ｃｍ²、１３５℃であった。

【００３１】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１と同様にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光
ディスクを、市販のＣＤプレーヤで再生したところ、前
記実施例１と同様の半導体レーザの反射率、再生信号出
力特性が得られ、さらにブロックエラーレートＢＬＥＲ
は、３．０×１０^-3であった。また、前記実施例１と同
様にして、記録後の光ディスクの透光性基板１の表面を
ＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscope）で観察した
ところ、凸状の変形部分６が認められた。この変形部分
６の中間はやや低くなっており、変形の峰が２つに分か
れていることが確認された。

【００３２】（実施例３）前記実施例１において、光吸
収層２と光反射層３との間であって、光吸収層２の上面
に形成するエポキシ樹脂に代えて厚膜１００ｎｍのシリ
コンアクリル樹脂の硬質層を設け、この硬質層の上面に
エポキシ樹脂からなる２０ｎｍの結着層をそれぞれスピ
ンコート法により形成したこと以外は、前記実施例１と
同様にして、光ディスクを製作した。なお、シリコンア
クリル樹脂層の硬化後のロックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ
７８５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ６４
８は、４．６ｋｇ／ｃｍ²、１００℃であった。

【００３３】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１と同様にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１と同じ
ＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波
長７８０ｎｍで再生したところ、半導体レーザの反射率
が７５％、Ｉ₁₁／Ｉ_top が０．６３、Ｉ₃／Ｉ_top が０．
３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．５×１０^-3
であった。また、前記実施例１と同様にして、記録後の
光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanning T
unneling Microscope）で観察したところ、実施例１と
同様の状態が確認された。

【００３４】（実施例４）前記実施例１において、光吸
収層２の上に、光反射層３として金とアンチモンとの
９：１の割合の合金膜を真空蒸着法で形成したこと、及
びこの反射層３の上に、エポキシ樹脂からなる２０ｎｍ
の結着層を介して紫外線硬化樹脂からなる保護層４を形
成したこと以外は、前記実施例１と同様にして、光ディ
スクを製作した。なお、前記光反射層３は、鉛筆硬度と
して「Ｈ」以上の硬度を有する。

【００３５】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１と同様にして記録パワー６．２ｍＷにてＥＦＭ信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１と同じ
ＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が７２％、Ｉ₁₁／Ｉ_top が０．６２、Ｉ₃／Ｉ_top が０．
３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．５×１０^-3
であった。また、前記実施例１と同様にして、記録後の
光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanning T
unneling Microscope）で観察したところ、実施例１と
同様の状態が確認された。

【００３６】（実施例５）前記実施例１において、ポリ
カーボネート基板１の光入射側上に紫外線硬化型ハード
コート樹脂をスピンコートし、厚さ１μｍの基板保護層
を設け、プリグルーブを設けた面上に光吸収層２を形成
したこと、及びこの光吸収層２の上に、光反射層３とし
てイリジウムと金との３：１の割合の合金膜をスパッタ
リング法により形成したこと以外は、前記実施例１と同
様にして、光ディスクを製作した。なお、前記光反射層
３は、鉛筆硬度として「５Ｈ」以上の硬度を有する。

【００３７】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１と同様にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光
ディスクを、前記実施例１と同じＣＤプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が７０％、Ｉ₁₁／Ｉ
_top が０．６２、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３７、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが３．７×１０^-3であった。また、前
記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの透光性
基板１の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscop
e）で観察したところ、実施例１と同様の状態が確認さ
れた。

【００３８】（実施例６）前記実施例１において、光反
射層３を厚さ６０ｎｍの銀膜で形成したこと、その上に
シリコーン系ハードコート剤をスピンコートし、これを
加熱、硬化させて厚み３μｍの硬質保護層４を形成した
以外は、前記実施例１と同様にして、光ディスクを製作
した。なお、前記保護層４は、鉛筆硬度として「ＨＢ」
以上の硬度を有する。

【００３９】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１と同様にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ₁₁／Ｉ_top が
０．６３、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３５、ブロックエラーレー
トＢＬＥＲが２．８×１０^-3であった。また、前記実施
例１と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板１
の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscope）で
観察したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

【００４０】（実施例７）前記実施例１において、膜厚
５０ｎｍのＡｕ膜を真空蒸着した光反射層３の上に、ジ
グリシジルエーテルで希釈したポリサルファイド添加エ
ポキシ樹脂をスピンコートして形成された３０ｎｍの結
着層を介してシリコーン系ハードコート剤をスピンコー
トし、これを加熱、硬化させて厚み３μｍの硬質保護層
４を形成した以外は、前記実施例１と同様にして、光デ
ィスクを製作した。

【００４１】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１と同様にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ₁₁／Ｉ_top が
０．６５、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３５、ブロックエラーレー
トＢＬＥＲが２．５×１０^-3であった。また、前記実施
例１と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板１
の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscope）で
観察したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

【００４２】（実施例８）前記実施例１において、１、
１’ジブチル３、３、３’、３’テトラメチル５、５’
ジエトキシインドジカーボシアニンアイオダイドを用い
て光吸収層２を形成したこと、光反射層３の上にエポキ
シ樹脂からなる１００ｎｍの硬質層を形成し、さらにこ
の上に紫外線硬化樹脂を１０μｍ設けて、保護層４を形
成した以外は、前記実施例１と同様にして、光ディスク
を製作した。

【００４３】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１と同様にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が７４％、Ｉ₁₁／Ｉ_top が
０．６８、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３４、ブロックエラーレー
トＢＬＥＲが８．３×１０^-3であった。また、前記実施
例１と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板１
の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscope）で
観察したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

【００４４】（実施例９）前記実施例１において、ポリ
カーボネート基板１の光入射側上に紫外線硬化型ハード
コート樹脂をスピンコートし、厚さ１μｍの基板保護層
を設けたこと以外は、前記実施例１と同様にして、光デ
ィスクを製作した。こうして得られた光ディスクに、前
記実施例１と同様にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、
この光ディスクを、前記実施例１と同じＣＤプレーヤで
再生したところ、半導体レーザの反射率が７０％、Ｉ₁₁
／Ｉ_top が０．６２、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３７、ブロック
エラーレートＢＬＥＲが１．３×１０^-2であった。ま
た、前記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Mic
roscope）で観察したところ、実施例１と同様の状態が
確認された。

【００４５】（実施例１０）前記実施例１において、光
吸収層２と反射層３との間に、シクロヘキサンに溶解し
たポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ１０ｎｍ
のポリブタジエン樹脂層を設けたこと以外は、前記実施
例１と同様にして、光ディスクを製作した。こうして得
られた光ディスクに、前記実施例１と同様にしてＥＦＭ
信号を記録し、その後、この光ディスクを、前記実施例
１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザ
の反射率が７２％、Ｉ₁₁／Ｉ_top が０．６５、Ｉ₃／Ｉ
_top が０．３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが８．
６×１０^-3であった。また、前記実施例１と同様にし
て、記録後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ
（Scanning Tunneling Microscope）で観察したとこ
ろ、実施例１と同様の状態が確認された。

【００４６】（実施例１１）前記実施例１において使用
したのと同じポリカーボネート基板１の表面にジイソブ
チルケトンで溶解したアクリル樹脂をスピンコートし、
厚み４０ｎｍの樹脂層（図示せず）を形成した。この樹
脂層のロックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ７８５は、Ｍ８５
であり、熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ６４８は、４．６ｋｇ
／ｃｍ²、１００℃であった。

【００４７】光吸収層２を形成するための有機色素とし
て、０．６ｇの１，１’ジプロピル，３，３，３’，
３’テトラメチル５，５’ジメトキシインドジカーボシ
アニンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤１
０ｃｃに溶解し、これを前記の基板１の表面に、スピン
コート法により塗布し、膜厚１２０ｎｍの光吸収層２を
形成した。この光吸収層２の複素屈折率の実数部ｎ_abs
とその膜厚ｄ_abs と再生光の波長λとで与えられるρ＝
ｎ_absｄ_abs／λは、０．４１であり、かつ前記複素屈折
率の虚部ｋ_abs は０．０２であった。

【００４８】次に、この上にシクロヘキサンに溶解した
シリコンアクリル樹脂をスピンコートし、厚さ１００ｎ
ｍの硬質層を形成した。この硬質層は、鉛筆硬度２Ｈ、
熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ６４８ ４．６ｋｇ／ｃｍ²、１
２０℃であった。硬質層の上にスパッタリング法によ
り、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成し
た。さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をス
ピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚
１０μｍの保護層４を形成した。この保護層４の硬化後
のロックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ７８５はＭ９０であ
り、熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ６４８は、４．６ｋｇ／ｃ
ｍ²、１３５℃であった。

【００４９】こうして得られた光ディスクに、波長７８
０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パ
ワー７．５ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その
後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤで
再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％、Ｉ₁₁
／Ｉ_top が０．６２、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３１、ブロック
エラーレートＢＬＥＲが４．０×１０^-3であった。ま
た、前記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Mic
roscope）で観察したところ、実施例１と同様の状態が
確認された。

【００５０】（実施例１２）前記実施例１１において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み０．０１μｍのシリケート層を設け、その上に光吸
収層２を形成したこと以外は、前記実施例１１と同様に
して、光ディスクを製作した。こうして得られた光ディ
スクに、前記実施例１１と同様にして記録パワー７．８
ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスク
を、実施例１１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、
半導体レーザの反射率が７３％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６
２、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３１、ブロックエラーレートＢＬ
ＥＲが３．４×１０^-3であった。また、前記実施例１と
同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板１の表面
をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscope）で観察し
たところ、実施例１と同様の状態が確認された。

【００５１】（実施例１３）前記実施例１１において、
基板１としてガラス基板を用いたこと、及び反射層の上
に、トルエンとメチルエチルケトンの１：１の溶剤で溶
解したイソシアネート樹脂をスピンコート法にて形成さ
れた厚さ２０ｎｍの結着層を形成したこと以外は、前記
実施例１１と同様にして、光ディスクを製作した。こう
して得られた光ディスクに、前記実施例１１と同様にし
て記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、その
後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
₁₁／Ｉ_topが０．６５、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３３、ブロッ
クエラーレートＢＬＥＲが３．６×１０^-3であった。ま
た、前記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Mic
roscope）で観察したところ、実施例１と同様の状態が
確認された。

【００５２】（実施例１４）前記実施例１１において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み０．０１μｍのシリケート層を設け、その上に光吸
収層２を形成したこと、及び光反射層３の上に、ポリブ
タジエンをスピンコート法にて形成した厚さ２０ｎｍの
結着層を形成したこと以外は、前記実施例１１と同様に
して、光ディスクを製作した。

【００５３】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１１と同様にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１１と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７２％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６６、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．５×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００５４】（実施例１５）前記実施例１１において、
樹脂層の厚みを２０ｎｍとしたこと、シリコンアクリル
樹脂層を設けないこと及び反射層３としてイリジウムと
金との１：９の割合の合金膜をスパッタリング法により
形成したこと以外は、前記実施例１１と同様にして、光
ディスクを製作した。なお、前記合金膜の鉛筆硬度は２
Ｈであった。

【００５５】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１１と同様にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１１と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７１％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６３、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．３×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００５６】（実施例１６）前記実施例１１において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み０．０１μｍのシリケート層を設け、その上に光吸
収層２を形成したこと、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３としてイリジウムと金との１：９
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこと
以外は、前記実施例１１と同様にして、光ディスクを製
作した。

【００５７】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１１と同様にして記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１１と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７１％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６４、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．８×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００５８】（実施例１７）前記実施例１１において、
シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３と
してイリジウムと金との１：９の割合の合金膜をスパッ
タリング法により形成したこと、及び光反射層の上に、
ポリイソプレンをスピンコートして、厚さ２０ｎｍの結
着層を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂製の保護層４
を形成したこと以外は、前記実施例１１と同様にして、
光ディスクを製作した。

【００５９】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１１と同様にして記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１１と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７２％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６４、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが４．１×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００６０】（実施例１８）前記実施例１１において、
シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３と
して厚さ５０ｎｍの銅膜を形成したこと、及び保護層４
としてジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノ
ール硬化型エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ５μｍ
のエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、前記実施例１
１と同様にして、光ディスクを製作した。なお、前記保
護層はロックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ７８５がＭ１１０
であることから硬質層としての機能を有する。

【００６１】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１１と同様にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１１と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７５％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６４、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．９×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００６２】（実施例１９）前記実施例１１において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み０．０１μｍのシリケート層を設け、その上に光吸
収層２を形成したこと、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３として厚さ５０ｎｍの銅膜を形成
したこと、及び保護層４としてジグリシジルエーテル溶
剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピ
ンコートして厚さ５μｍのエポキシ樹脂層を形成したこ
と以外は、前記実施例１１と同様にして、光ディスクを
製作した。

【００６３】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１１と同様にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１１と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７４％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６４、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．５×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００６４】（実施例２０）前記実施例１１において、
アクリル樹脂に発砲剤を混入し、シリコンアクリル樹脂
層を設けないこと及び反射層３として厚さ５０ｎｍの銅
膜を真空蒸着法で形成したこと、反射層の上に、トルエ
ンとメチルエチルケトンの６：４の溶剤で溶解したポリ
酢酸ビニル樹脂をスピンコートて形成した厚さ２０ｎｍ
の結着層を介して保護層４を形成したこと、及び保護層
４としてジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェ
ノール硬化型エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ５μ
ｍのエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、前記実施例
１１と同様にして、光ディスクを製作した。

【００６５】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例１１と同様にして記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例１１と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７４％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６４、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．６×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００６６】（実施例２１）表面に幅０．８μｍ、深さ
０．０８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイラル状のプレ
グルーブ８が形成された厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍ
ｍφ、内径１５ｍｍφのガラス基板１の上に、光吸収層
２を形成するための有機色素として、０．５ｇの１，
１’，ジプロピル３，３，３’，３’テトラメチル５，
５’ジエトキシインドジカーボシアニンパークロレート
を、ジクロロエタン溶剤１０ｃｃに溶解し、これを前記
の基板１の表面に、スピンコート法により塗布し、膜厚
１００ｎｍの光吸収層２を形成した。

【００６７】次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍ
ｍφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚５０
ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上にメチルエチルケトンで溶解したウレ
タン樹脂を１００ｎｍの厚みにスピンコートし、緩衝層
を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの
保護層４を形成した。

【００６８】こうして得られた光ディスクに、波長７８
０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パ
ワー７．２ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅ
ｘ ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再
生したところ、半導体レーザの反射率が７７％、Ｉ₁₁／
Ｉ_top が０．６５、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３３、ブロックエ
ラーレートＢＬＥＲが３．０×１０^-3であった。また、
前記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの透光
性基板１の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microsc
ope）で観察したところ、実施例１と同様の状態が確認
された。

【００６９】（実施例２２）表面に幅０．８μｍ、深さ
０．０８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイラル状のプレ
グルーブ８が形成された厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍ
ｍφ、内径１５ｍｍφのポリカーボネート基板１を射出
成型した。光吸収層２を形成するための有機色素とし
て、０．５ｇの１，１’，ジプロピル３，３，３’，
３’テトラメチル５，５’ジエトキシインドジカーボシ
アニンパークロレートを、イソプロピルアルコール溶剤
１０ｃｃに溶解し、これを前記の基板１の表面に、スピ
ンコート法により塗布し、膜厚１００ｎｍの光吸収層２
を形成した。さらにこの上にＳｉＯ₂ 膜を４０ｎｍの厚
みにスパッタリング法で成膜した。

【００７０】次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍ
ｍφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚５０
ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上にメチルエチルケトンで溶解したウレ
タン樹脂を１００ｎｍの厚みにスピンコートし、緩衝層
を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの
保護層４を形成した。

【００７１】こうして得られた光ディスクに、波長７８
０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ、記録パ
ワー６．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅ
ｘ ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再
生したところ、半導体レーザの反射率が７７％、Ｉ₁₁／
Ｉ_top が０．６６、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３６、ブロックエ
ラーレートＢＬＥＲが３．５×１０^-3であった。また、
前記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの透光
性基板１の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microsc
ope）で観察したところ、実施例２と同様の状態が確認
された。

【００７２】（実施例２３）前記実施例２２において、
ＳｉＯ₂ 膜をＬＰＤ法により形成したこと、及び光吸収
層２を形成する際のコーティング剤の溶剤としてジオキ
サン溶剤を用いたこと以外は、前記実施例２２と同様に
して、光ディスクを製作した。こうして得られた光ディ
スクに、前記実施例２２と同様にして記録パワー７．２
ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスク
を、実施例２２と同じＣＤプレーヤで再生したところ、
半導体レーザの反射率が７７％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６
６、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３５、ブロックエラーレートＢＬ
ＥＲが４．０×１０^-3であった。また、前記実施例１と
同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板１の表面
をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscope）で観察し
たところ、実施例１と同様の状態が確認された。

【００７３】（実施例２４）前記実施例２２において、
ＳｉＯ₂ 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ１００ｎｍのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、反射層３として金とチタ
ンの９：１の割合による合金薄膜層を形成したこと、及
び光吸収層２と反射層３との間に、シクロヘキサンに溶
解したポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ１２
０ｎｍのポリブタジエン樹脂層を設けたこと以外は、前
記実施例２２と同様にして、光ディスクを製作した。

【００７４】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例２２と同様にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例２２と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７４％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６４、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．５×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００７５】（実施例２５）前記実施例２２において、
ＳｉＯ₂ 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ１００ｎｍのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、反射層３として金とチタ
ンの９：１の割合による合金薄膜層を形成したこと、光
吸収層２と反射層３との間に、シクロヘキサンに溶解し
たポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ１２０ｎ
ｍのポリブタジエン樹脂層を設けたこと、及び光反射層
と保護層４との結着性を高めるため、その間にビスフェ
ノール硬化型エポキシ樹脂を２０ｎｍの厚みにスピンコ
ートしたこと以外は、前記実施例２２と同様にして、光
ディスクを製作した。

【００７６】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例２２と同様にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例２２と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７４％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６４、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．０×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００７７】（実施例２６）前記実施例２２において、
ＳｉＯ₂ 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ１００ｎｍのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、このエポキシ樹脂層と反
射層３との間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジ
ェン樹脂をスピンコートし、厚さ１２０ｎｍのポリブタ
ジエン樹脂層を設けたこと、及び保護層の膜厚を５μｍ
としたこと以外は、前記実施例２２と同様にして、光デ
ィスクを製作した。

【００７８】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例２２と同様にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例２２と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７４％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６４、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．３×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００７９】（実施例２７）前記実施例２２において、
ＳｉＯ₂ 膜を形成しないこと、光吸収層２と反射層３と
の間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジエン樹脂
をスピンコートし、厚さ１２０ｎｍのポリブタジエン樹
脂層を設けたこと、反射層と保護層４との結着性を高め
るため、その間にビスフェノール硬化型エポキシ樹脂を
２０ｎｍの厚みにスピンコートしたこと、及び保護層の
膜厚を５μｍとしたこと以外は、前記実施例２２と同様
にして、光ディスクを製作した。

【００８０】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例２２と同様にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例２２と
同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が７４％、Ｉ₁₁／Ｉ_topが０．６３、Ｉ₃／Ｉ_top が
０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．８×１
０^-3であった。また、前記実施例１と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板１の表面をＳＴＭ（Scanni
ng Tunneling Microscope）で観察したところ、実施例
１と同様の状態が確認された。

【００８１】（実施例２８）前記実施例２２において、
前記ＳｉＯ₂ 膜を形成しないこと以外は、前記実施例２
２と同様にして、光ディスクを製作した。こうして得ら
れた光ディスクに、前記実施例２２と同様にして記録パ
ワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、その後、この
光ディスクを、実施例２２と同じＣＤプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が７７％、Ｉ₁₁／Ｉ
_topが０．６６、Ｉ₃／Ｉ_top が０．３５、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが１．０×１０^-2であった。また、前
記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの透光性
基板１の表面をＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscop
e）で観察したところ、実施例１と同様の状態が確認さ
れた。

【００８２】（実施例２９）表面に幅０．４μｍ、深さ
０．１μｍ、ピッチ０．８μｍのスパイラル状のプレグ
ルーブ８が形成された厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ
φ、内径１５ｍｍφのポリカーボネート基板１を射出成
形法により成形した。このポリカーボネート基板１のロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ７８５は、Ｍ７５（鉛筆硬
度ＨＢと同等）であり、熱変形温度ＡＳＴＭ Ｄ６４８
は、４．６ｋｇ／ｃｍ²、１２１℃であった。

【００８３】光吸収層２を形成するための有機色素とし
て、０．６５ｇの１，１’ジブチル３，３，３’，３’
テトラメチル４，５，４’，５’ジベンゾインドモノカ
ーボシアニンパークロレートを、ジアセトンアルコール
溶剤１０ｃｃに溶解し、これを前記の基板１の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚１００ｎｍの光吸収
層２を形成した。

【００８４】次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍ
ｍφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚８０
ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの
保護層４を形成した。この保護層４の硬化後のロックウ
ェル硬度ＡＳＴＭ Ｄ７８５はＭ９０であり、熱変形温
度ＡＳＴＭ Ｄ６４８は、４．６ｋｇ／ｃｍ²、１３５℃
であった。

【００８５】こうして得られた光ディスクに、波長６７
０ｎｍの半導体レーザを線速２．０ｍ／ｓｅｃ、記録パ
ワー８．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その
後、この光ディスクを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７０％、Ｉ₁₁／Ｉ_top が０．７０、Ｉ₃／Ｉ_top
が０．３２であった。

【００８６】この実施例による光ディスクは、変調度の
大きな記録が出来た。さらにこの記録後の光ディスクの
前記保護層４と光反射層３とを剥離し、光吸収層２を溶
剤で洗浄、除去して、透光性基板１の表面を分析したと
ころ、光吸収層の分解が確認された。また、その表面を
ＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscope）で観察した
ところ、ピットの部分に凸状の変形が見られた。

【００８７】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明の光情報記録
媒体によれば、変調度の高い再生信号が得られるピット
が形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断面
斜視図である。

【図２】図１の光情報記録媒体の光記録前のトラックに
沿って断面した部分拡大図である。

【図３】図１の光情報記録媒体の光記録後のトラックに
沿って断面した部分拡大図である。

【図４】光情報記録媒体ピットの例を示すためトラック
に沿って断面した要部断面拡大図である。

【図５】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。

【図６】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。

【図７】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。

【図８】記録後の光情報記録媒体の透光性基板の表面を
示す要部拡大斜視図である。

【図９】前記透光性基板の表面をＳＴＭ（Scanning Tun
neling Microscope）で観察したときのチップのトラッ
キング方向に沿う移動距離と高度の関係を示すグラフの
例である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 光吸収層 ３ 光反射層 ４ 保護層 ５ ピット ６ 変形部分 ６’ 変形部分 １０ 空隙部 １０’ 空隙部 １１ 微細な気泡 １２ 光学的変性部 １３ 光学特性変性部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性基板の上に直接または他の層を介
   してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
   に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
   層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
   ピットが形成されている光情報記録媒体において、この
   ピットの部分の光吸収層と隣接する基板側の層が変形
   し、且つ光吸収層のレーザ光を照射した部分が分解し、
   レーザスポットが照射された位置にピットが形成されて
   いることを特徴とする光情報記録媒体。
2. 【請求項２】 透光性基板の上に直接または他の層を介
   してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
   に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
   層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
   ピットが形成されている光情報記録媒体において、前記
   光吸収層がレーザ光を吸収して発熱すると共に、融解、
   蒸発、昇華、変形または変性し、レーザスポットが照射
   された位置にピットが形成されていることを特徴とする
   光情報記録媒体。
3. 【請求項３】 透光性基板の上に直接または他の層を介
   してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
   に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
   層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
   ピットが形成されている光情報記録媒体において、前記
   光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣接する層に拡
   散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に隣接する透光
   性基板側の層の成分と混合し、或は部分的に化合し、レ
   ーザスポットが照射された位置にピットが形成されてい
   ることを特徴とする光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 透光性基板の上に直接または他の層を介
   してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
   に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
   層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
   ピットが形成されている光情報記録媒体において、前記
   光吸収層とこれに隣接する他の層との界面が剥離し、そ
   こに空隙部が形成されているか、或は前記光吸収層の中
   に気泡が発生し、且つそれが残存し、レーザスポットが
   照射された位置にピットが形成されていることを特徴と
   する光情報記録媒体。
5. 【請求項５】 特許請求の範囲第１項において、前記光
   吸収層がそれに照射されたレーザ光を吸収して発熱する
   と共に、融解、蒸発、昇華、変形または変性しているこ
   とを特徴とする光情報記録媒体。
6. 【請求項６】 特許請求の範囲第１項または第２項にお
   いて、前記光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣接
   する層に拡散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に隣
   接する透光性基板側の層の成分と混合し、或は部分的に
   化合していることを特徴とする光情報記録媒体。
7. 【請求項７】 特許請求の範囲第１項〜第３項の何れか
   において、前記光吸収層とこれに隣接する他の層との界
   面が剥離し、そこに空隙部が形成されているか、或は前
   記光吸収層の中に気泡が発生し、且つそれが残存してい
   ることを特徴とする光情報記録媒体。
8. 【請求項８】 透光性基板の上に直接または他の層を介
   してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
   に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
   層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
   ピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法にお
   いて、レーザ光の照射によってこのピットの部分の光吸
   収層と隣接する基板側の層を変形し、且つ光吸収層のレ
   ーザ光を照射した部分を分解し、レーザスポットが照射
   された位置にピットを形成することを特徴とする光情報
   記録媒体の記録方法。
9. 【請求項９】 透光性基板の上に直接または他の層を介
   してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
   に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
   層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
   ピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法にお
   いて、レーザ光の照射によって前記光吸収層にレーザ光
   を吸収させて発熱させると共に、融解、蒸発、昇華、変
   形または変性させ、レーザスポットが照射された位置に
   ピットを形成することを特徴とする光情報記録媒体の記
   録方法。
10. 【請求項１０】 透光性基板の上に直接または他の層を
    介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の
    上に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反
    射層と、レーザ光の照射によってデータを再生するため
    のピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法に
    おいて、レーザ光の照射によって前記光吸収層を構成す
    る成分の一部を同層と隣接する層に拡散或は粘性流動さ
    せ、これを前記光吸収層に隣接する透光性基板側の層の
    成分と混合させ、或は部分的に化合させ、レーザスポッ
    トが照射された位置にピットを形成することを特徴とす
    る光情報記録媒体の記録方法。
11. 【請求項１１】 透光性基板の上に直接または他の層を
    介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の
    上に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反
    射層と、レーザ光の照射によってデータを再生するため
    のピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法に
    おいて、レーザ光の照射によって前記光吸収層とこれに
    隣接する他の層との界面を剥離し、そこに空隙部を形成
    するか、或は前記光吸収層の中に気泡を発生させ、レー
    ザスポットが照射された位置にピットを形成しているこ
    とを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
12. 【請求項１２】 特許請求の範囲第８項において、前記
    光吸収層がそれに照射されたレーザ光を吸収して発熱す
    ると共に、融解、蒸発、昇華、変形または変性している
    ことを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
13. 【請求項１３】 特許請求の範囲第８項または第９項に
    おいて、前記光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣
    接する層に拡散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に
    隣接する透光性基板側の層の成分と混合し、或は部分的
    に化合していることを特徴とする光情報記録媒体の記録
    方法。
14. 【請求項１４】 特許請求の範囲第８項〜第１０項の何
    れかにおいて、前記光吸収層とこれに隣接する他の層と
    の界面が剥離し、そこに空隙部が形成されているか、或
    は前記光吸収層の中に気泡が発生し、且つそれが残存し
    ていることを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。