JPH09139355A - レーザーアニール処理装置 - Google Patents
レーザーアニール処理装置Info
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- JPH09139355A JPH09139355A JP29847295A JP29847295A JPH09139355A JP H09139355 A JPH09139355 A JP H09139355A JP 29847295 A JP29847295 A JP 29847295A JP 29847295 A JP29847295 A JP 29847295A JP H09139355 A JPH09139355 A JP H09139355A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体から発生した蒸散物質による処理効
率の低下を防止する。 【解決手段】 窒素ガス導入管（１２ｂ）から窒素ガス
を吹き込み、窒素ガス導出管（１２ｓ）から窒素ガスを
吸い出し、レーザー導入窓（５）の下面（５ｕ）を窒素
ガスの流れでシールドし、被処理体（Ｍ）から発生した
蒸散物質がレーザー導入窓（５）の下面（５ｕ）に付着
するのを防止する。 【効果】 レーザー導入用窓（５）の汚れによる処理効
率の低下を防止でき、品質およびスループットを向上で
きる。
率の低下を防止する。 【解決手段】 窒素ガス導入管（１２ｂ）から窒素ガス
を吹き込み、窒素ガス導出管（１２ｓ）から窒素ガスを
吸い出し、レーザー導入窓（５）の下面（５ｕ）を窒素
ガスの流れでシールドし、被処理体（Ｍ）から発生した
蒸散物質がレーザー導入窓（５）の下面（５ｕ）に付着
するのを防止する。 【効果】 レーザー導入用窓（５）の汚れによる処理効
率の低下を防止でき、品質およびスループットを向上で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーアニール
処理装置に関し、更に詳しくは、被処理体から発生した
蒸散物質による処理効率の低下を防止できるようにした
レーザーアニール処理装置に関するものである。本発明
のレーザーアニール処理装置は、特に多結晶シリコン薄
膜の形成に有用である。
処理装置に関し、更に詳しくは、被処理体から発生した
蒸散物質による処理効率の低下を防止できるようにした
レーザーアニール処理装置に関するものである。本発明
のレーザーアニール処理装置は、特に多結晶シリコン薄
膜の形成に有用である。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のレーザーアニール処理装
置の一例の要部縦断面図である。このレーザーアニール
処理装置５００は、真空チャンバ１と、この真空チャン
バ１内に設置された基台Ｂ上を移動すると共にその上面
に被処理体Ｍが載置される移動載置台２と、この移動載
置台２の上面に埋設され前記被処理体Ｍを予熱する抵抗
線３と、前記真空チャンバ１の天井部１ａに設けられ且
つ石英ガラス板の両面に紫外線反射防止膜（ＡＲコー
ト）を形成したレーザー導入用窓５と、このレーザー導
入用窓５を通してレーザー光Ｒを照射するエキシマレー
ザー照射装置６と、前記真空チャンバ１に被処理体Ｍを
導入するためのゲートバルブＳ２と、前記真空チャンバ
１から被処理体Ｍを導出するためのゲートバルブＳ３と
を具備している。１ｂは、真空引き（１１）用の排気口
である。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ２上に非晶質半
導体薄膜Ｍ１を形成したものである。
置の一例の要部縦断面図である。このレーザーアニール
処理装置５００は、真空チャンバ１と、この真空チャン
バ１内に設置された基台Ｂ上を移動すると共にその上面
に被処理体Ｍが載置される移動載置台２と、この移動載
置台２の上面に埋設され前記被処理体Ｍを予熱する抵抗
線３と、前記真空チャンバ１の天井部１ａに設けられ且
つ石英ガラス板の両面に紫外線反射防止膜（ＡＲコー
ト）を形成したレーザー導入用窓５と、このレーザー導
入用窓５を通してレーザー光Ｒを照射するエキシマレー
ザー照射装置６と、前記真空チャンバ１に被処理体Ｍを
導入するためのゲートバルブＳ２と、前記真空チャンバ
１から被処理体Ｍを導出するためのゲートバルブＳ３と
を具備している。１ｂは、真空引き（１１）用の排気口
である。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ２上に非晶質半
導体薄膜Ｍ１を形成したものである。
【０００３】レーザーアニール処理は次の手順で行う。 ゲートバルブＳ２を開けて、未処理の被処理体Ｍを移
動載置台２の上に載置し、ゲートバルブＳ２を閉じる。 真空チャンバ１の排気口１ｂから真空引き（１１）
し、真空チャンバ１内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真
空とする（あるいは窒素ガスを充填する）。次に、前記
抵抗線３に通電し、被処理体Ｍを４００℃程度に予熱す
る。また、レーザー照射部分Ｐが被処理体Ｍの照射スタ
ート点に位置するように移動載置台２を移動させる。そ
して、エキシマレーザー照射装置６からレーザー光Ｒを
発生させる。レーザー光Ｒは、レーザー導入用窓５を通
って真空チャンバ１内に導入され、被処理体Ｍの表面に
略垂直に照射される。この状態で移動載置台２を移動
し、小面積（例えば０．４ｍｍ×１５０ｍｍ）のレーザ
ー照射部分Ｐで前記被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１
の全面（例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ）を走査する。
これにより、非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を行うこと
が出来る。 ゲートバルブＳ３を開けて、処理済の被処理体Ｍを移
動載置台２の上から取り出し、ゲートバルブＳ３を閉じ
る。
動載置台２の上に載置し、ゲートバルブＳ２を閉じる。 真空チャンバ１の排気口１ｂから真空引き（１１）
し、真空チャンバ１内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真
空とする（あるいは窒素ガスを充填する）。次に、前記
抵抗線３に通電し、被処理体Ｍを４００℃程度に予熱す
る。また、レーザー照射部分Ｐが被処理体Ｍの照射スタ
ート点に位置するように移動載置台２を移動させる。そ
して、エキシマレーザー照射装置６からレーザー光Ｒを
発生させる。レーザー光Ｒは、レーザー導入用窓５を通
って真空チャンバ１内に導入され、被処理体Ｍの表面に
略垂直に照射される。この状態で移動載置台２を移動
し、小面積（例えば０．４ｍｍ×１５０ｍｍ）のレーザ
ー照射部分Ｐで前記被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１
の全面（例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ）を走査する。
これにより、非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を行うこと
が出来る。 ゲートバルブＳ３を開けて、処理済の被処理体Ｍを移
動載置台２の上から取り出し、ゲートバルブＳ３を閉じ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】レーザー光Ｒを被処理
体Ｍの表面に照射すると、被処理体Ｍのレーザー照射部
分Ｐでアブレーション（ablation）を起こし、蒸散物質
が発生する場合がある。この蒸散物質は、図４に矢印Ｊ
で示すように、略垂直上方に上昇する。このため、上記
従来のレーザーアニール処理装置５００では、蒸散物質
がレーザー導入用窓５の下面５ｕに付着し、レーザー導
入用窓５を汚してしまう。そして、処理を繰り返してレ
ーザー導入用窓５の下面５ｕ汚れが進むと、レーザー光
Ｒの利用できるエネルギーが減少してしまい、処理効率
が低下するという問題点がある。また、レーザー光Ｒの
透過強度分布にむらができて、良好なアニール処理の妨
げになるという問題点がある。また、被処理体Ｍで反射
された反射レーザー光がレーザー導入用窓５の汚れによ
って再反射されてしまい、被処理体Ｍに再び照射され、
良好なアニール処理の妨げになるという問題点がある。
さらに、上記問題点を避けるために、真空チャンバ１を
大気開放してレーザー導入用窓５をクリーニングするこ
とを頻繁に行えば、スループットが悪くなり、生産コス
トが高くなってしまうという問題点がある。そこで、本
発明の目的は、被処理体から発生した蒸散物質による処
理効率の低下を防止できるようにしたレーザーアニール
処理装置を提供することにある。
体Ｍの表面に照射すると、被処理体Ｍのレーザー照射部
分Ｐでアブレーション（ablation）を起こし、蒸散物質
が発生する場合がある。この蒸散物質は、図４に矢印Ｊ
で示すように、略垂直上方に上昇する。このため、上記
従来のレーザーアニール処理装置５００では、蒸散物質
がレーザー導入用窓５の下面５ｕに付着し、レーザー導
入用窓５を汚してしまう。そして、処理を繰り返してレ
ーザー導入用窓５の下面５ｕ汚れが進むと、レーザー光
Ｒの利用できるエネルギーが減少してしまい、処理効率
が低下するという問題点がある。また、レーザー光Ｒの
透過強度分布にむらができて、良好なアニール処理の妨
げになるという問題点がある。また、被処理体Ｍで反射
された反射レーザー光がレーザー導入用窓５の汚れによ
って再反射されてしまい、被処理体Ｍに再び照射され、
良好なアニール処理の妨げになるという問題点がある。
さらに、上記問題点を避けるために、真空チャンバ１を
大気開放してレーザー導入用窓５をクリーニングするこ
とを頻繁に行えば、スループットが悪くなり、生産コス
トが高くなってしまうという問題点がある。そこで、本
発明の目的は、被処理体から発生した蒸散物質による処
理効率の低下を防止できるようにしたレーザーアニール
処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、密閉容器（１）内に置かれた被処理体（Ｍ）に外部
からレーザー導入用窓（５）を通してレーザー光（Ｒ）
を照射するレーザーアニール処理装置において、前記密
閉容器（１）の内部側のレーザー導入用窓（５）の面
（５ｕ）を窒素ガスの流れによってシールドする窒素ガ
ス流シールド手段（１３ｂ，１３ｓ）を設けることによ
り、被処理体（Ｍ）から発生した蒸散物質がレーザー導
入用窓（５）のレーザー光通過部分に付着しにくいよう
にしたことを特徴とするレーザーアニール処理装置（１
００）を提供する。上記第１の観点によるレーザーアニ
ール処理装置（１００）では、密閉容器（１）の内部側
のレーザー導入用窓（５）の面（５ｕ）を窒素ガスの流
れによってシールドしたから、被処理体（Ｍ）から発生
した蒸散物質が前記窒素ガスの流れにより他へ運ばれ、
レーザー導入用窓（５）の面（５ｕ）に付着しにくくな
る。従って、レーザー導入用窓（５）から導入されるレ
ーザー光（Ｒ）のエネルギーがレーザー導入用窓（５）
の汚れによって減少することを防止でき、処理効率の低
下を防止できる。また、レーザー光Ｒの透過強度分布に
むらができることを防止でき、良好にアニール処理を行
えるようになる。また、被処理体（Ｍ）で反射した反射
レーザー光（Ｌ）がレーザー導入用窓（５）の汚れによ
って再反射されて被処理体（Ｍ）に再び照射されるとい
うことがなくなり、良好にアニール処理を行えるように
なる。さらに、密閉容器（１）を大気開放してレーザー
導入用窓（５）のクリーニングを頻繁に行う必要もなく
なり、スループットを向上でき、生産コストを低減でき
るようになる。
は、密閉容器（１）内に置かれた被処理体（Ｍ）に外部
からレーザー導入用窓（５）を通してレーザー光（Ｒ）
を照射するレーザーアニール処理装置において、前記密
閉容器（１）の内部側のレーザー導入用窓（５）の面
（５ｕ）を窒素ガスの流れによってシールドする窒素ガ
ス流シールド手段（１３ｂ，１３ｓ）を設けることによ
り、被処理体（Ｍ）から発生した蒸散物質がレーザー導
入用窓（５）のレーザー光通過部分に付着しにくいよう
にしたことを特徴とするレーザーアニール処理装置（１
００）を提供する。上記第１の観点によるレーザーアニ
ール処理装置（１００）では、密閉容器（１）の内部側
のレーザー導入用窓（５）の面（５ｕ）を窒素ガスの流
れによってシールドしたから、被処理体（Ｍ）から発生
した蒸散物質が前記窒素ガスの流れにより他へ運ばれ、
レーザー導入用窓（５）の面（５ｕ）に付着しにくくな
る。従って、レーザー導入用窓（５）から導入されるレ
ーザー光（Ｒ）のエネルギーがレーザー導入用窓（５）
の汚れによって減少することを防止でき、処理効率の低
下を防止できる。また、レーザー光Ｒの透過強度分布に
むらができることを防止でき、良好にアニール処理を行
えるようになる。また、被処理体（Ｍ）で反射した反射
レーザー光（Ｌ）がレーザー導入用窓（５）の汚れによ
って再反射されて被処理体（Ｍ）に再び照射されるとい
うことがなくなり、良好にアニール処理を行えるように
なる。さらに、密閉容器（１）を大気開放してレーザー
導入用窓（５）のクリーニングを頻繁に行う必要もなく
なり、スループットを向上でき、生産コストを低減でき
るようになる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態について説明する。なお、これによりこの発明が
限定されるものではない。
の形態について説明する。なお、これによりこの発明が
限定されるものではない。
【０００７】−第１の実施形態− 図１は、本発明の第１の実施形態にかかるレーザーアニ
ール処理装置の要部断面図である。このレーザーアニー
ル処理装置１００は、アルミニウム製の真空チャンバ１
と、この真空チャンバ１内に設置された基台Ｂ上を移動
すると共にその上面に被処理体Ｍが載置される移動載置
台２と、この移動載置台２の上面に埋設され前記被処理
体Ｍを予熱する抵抗線３と、前記真空チャンバ１の天井
部１ａに設けられ且つ石英ガラス板の両面に紫外線反射
防止膜（ＡＲコート）を形成したレーザー導入用窓５
と、このレーザー導入用窓５を通して略垂直下方にレー
ザー光Ｒを照射するエキシマレーザー照射装置６と、前
記レーザー導入用窓５の下面５ｕの一方側から窒素ガス
を吹き込む窒素ガス導入管１２ｂと、前記レーザー導入
用窓５の下面５ｕの他方側から窒素ガスを吸い出す窒素
ガス導出管１２ｓと、前記真空チャンバ１に被処理体Ｍ
を導入するためのゲートバルブＳ２と、前記真空チャン
バ１から被処理体Ｍを導出するためのゲートバルブＳ３
とを具備している。１ｂは、真空引き（１１）用の排気
口である。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ２上に非晶質
半導体薄膜Ｍ１を形成したものである。
ール処理装置の要部断面図である。このレーザーアニー
ル処理装置１００は、アルミニウム製の真空チャンバ１
と、この真空チャンバ１内に設置された基台Ｂ上を移動
すると共にその上面に被処理体Ｍが載置される移動載置
台２と、この移動載置台２の上面に埋設され前記被処理
体Ｍを予熱する抵抗線３と、前記真空チャンバ１の天井
部１ａに設けられ且つ石英ガラス板の両面に紫外線反射
防止膜（ＡＲコート）を形成したレーザー導入用窓５
と、このレーザー導入用窓５を通して略垂直下方にレー
ザー光Ｒを照射するエキシマレーザー照射装置６と、前
記レーザー導入用窓５の下面５ｕの一方側から窒素ガス
を吹き込む窒素ガス導入管１２ｂと、前記レーザー導入
用窓５の下面５ｕの他方側から窒素ガスを吸い出す窒素
ガス導出管１２ｓと、前記真空チャンバ１に被処理体Ｍ
を導入するためのゲートバルブＳ２と、前記真空チャン
バ１から被処理体Ｍを導出するためのゲートバルブＳ３
とを具備している。１ｂは、真空引き（１１）用の排気
口である。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ２上に非晶質
半導体薄膜Ｍ１を形成したものである。
【０００８】図２に示すように、レーザー導入用窓５の
下面５ｕの近傍に前記窒素ガス導入管１２ｂと前記窒素
ガス導出管１２ｓとが対向して開口している。
下面５ｕの近傍に前記窒素ガス導入管１２ｂと前記窒素
ガス導出管１２ｓとが対向して開口している。
【０００９】レーザーアニール処理は次の手順で行う。 ゲートバルブＳ２を開けて、未処理の被処理体Ｍを移
動載置台２の上に載置し、ゲートバルブＳ２を閉じる。 真空チャンバ１の排気口１ｂから真空引き（１１）
し、真空チャンバ１内を１０-2〜１０-6Torrの高真空と
する（あるいは窒素ガスを充填する）。 抵抗線３に通電し、被処理体Ｍを４００℃程度に予熱
する。また、レーザー照射部分Ｐが被処理体Ｍの照射ス
タート点に位置するように移動載置台２を移動させる。 窒素ガス導入管１２ｂから窒素ガス導出管１２ｓへと
窒素ガスの流れを形成する。流量は、真空度などに合せ
て、ニードルバルブなどにより調整する。そして、エキ
シマレーザー照射装置６からレーザー光Ｒを発生させ
る。レーザー光Ｒは、レーザー導入用窓５を通って真空
チャンバ１内に導入され、被処理体Ｍの表面に略垂直に
照射される。この状態で移動載置台２を移動し、小面積
（例えば０．４ｍｍ×１５０ｍｍ）のレーザー照射部分
Ｐで前記被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１の全面（例
えば３００ｍｍ×３００ｍｍ）を走査する。 ゲートバルブＳ３を開けて、処理済の被処理体Ｍを移
動載置台２の上から取り出し、ゲートバルブＳ３を閉じ
る。
動載置台２の上に載置し、ゲートバルブＳ２を閉じる。 真空チャンバ１の排気口１ｂから真空引き（１１）
し、真空チャンバ１内を１０-2〜１０-6Torrの高真空と
する（あるいは窒素ガスを充填する）。 抵抗線３に通電し、被処理体Ｍを４００℃程度に予熱
する。また、レーザー照射部分Ｐが被処理体Ｍの照射ス
タート点に位置するように移動載置台２を移動させる。 窒素ガス導入管１２ｂから窒素ガス導出管１２ｓへと
窒素ガスの流れを形成する。流量は、真空度などに合せ
て、ニードルバルブなどにより調整する。そして、エキ
シマレーザー照射装置６からレーザー光Ｒを発生させ
る。レーザー光Ｒは、レーザー導入用窓５を通って真空
チャンバ１内に導入され、被処理体Ｍの表面に略垂直に
照射される。この状態で移動載置台２を移動し、小面積
（例えば０．４ｍｍ×１５０ｍｍ）のレーザー照射部分
Ｐで前記被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１の全面（例
えば３００ｍｍ×３００ｍｍ）を走査する。 ゲートバルブＳ３を開けて、処理済の被処理体Ｍを移
動載置台２の上から取り出し、ゲートバルブＳ３を閉じ
る。
【００１０】以上のレーザーアニール処理装置１００に
よれば、アニール処理時に非晶質半導体薄膜Ｍ１の一部
がアブレーションを起こし、蒸散物質がレーザー照射部
分Ｐの垂直上方に上昇する。ところが、レーザー導入窓
５の下面５ｕは窒素ガスの流れによりシールドされてい
るから、蒸散物質は窒素ガスの流れによって外部へ運び
出され、レーザー導入窓５の下面５ｕに付着しなくな
る。従って、レーザー導入用窓５から導入されるレーザ
ー光Ｒのエネルギーがレーザー導入用窓５の汚れによっ
て減少することを防止でき、処理効率の低下を防止でき
る。また、レーザー光Ｒの透過強度分布にむらができ
ず、良好にアニール処理を行えるようになる。また、被
処理体Ｍで反射した反射レーザー光Ｌがレーザー導入用
窓５の下面５ｕの汚れによって再反射されて被処理体Ｍ
に再び照射されるということがなくなり、良好にアニー
ル処理を行うことが出来る。又、真空チャンバ１を大気
開放してレーザー導入用窓５のクリーニングを頻繁に行
う必要もなくなり、スループットを向上でき、生産コス
トを低減できる。
よれば、アニール処理時に非晶質半導体薄膜Ｍ１の一部
がアブレーションを起こし、蒸散物質がレーザー照射部
分Ｐの垂直上方に上昇する。ところが、レーザー導入窓
５の下面５ｕは窒素ガスの流れによりシールドされてい
るから、蒸散物質は窒素ガスの流れによって外部へ運び
出され、レーザー導入窓５の下面５ｕに付着しなくな
る。従って、レーザー導入用窓５から導入されるレーザ
ー光Ｒのエネルギーがレーザー導入用窓５の汚れによっ
て減少することを防止でき、処理効率の低下を防止でき
る。また、レーザー光Ｒの透過強度分布にむらができ
ず、良好にアニール処理を行えるようになる。また、被
処理体Ｍで反射した反射レーザー光Ｌがレーザー導入用
窓５の下面５ｕの汚れによって再反射されて被処理体Ｍ
に再び照射されるということがなくなり、良好にアニー
ル処理を行うことが出来る。又、真空チャンバ１を大気
開放してレーザー導入用窓５のクリーニングを頻繁に行
う必要もなくなり、スループットを向上でき、生産コス
トを低減できる。
【００１１】図３は、上記レーザーアニール処理装置１
００の変形例である。レーザー導入用窓５の下部に小空
間を形成できるように、真空チャンバ１の天井部１ａに
スペーサ１６を介してレーザー導入用窓５を設ける。そ
して、その小空間に窒素ガスの流れを形成できるように
前記スペーサ１６に前記窒素ガス導入管１２ｂと前記窒
素ガス導出管１２ｓとを対向させて開口する。このよう
に構成し、アニール処理時に窒素ガスの流れでレーザー
導入用窓５の下面５ｕをシールドすれば、窒素ガスが真
空チャンバ１の全体へ拡散することが少なくなり、効率
を向上することが出来る。
００の変形例である。レーザー導入用窓５の下部に小空
間を形成できるように、真空チャンバ１の天井部１ａに
スペーサ１６を介してレーザー導入用窓５を設ける。そ
して、その小空間に窒素ガスの流れを形成できるように
前記スペーサ１６に前記窒素ガス導入管１２ｂと前記窒
素ガス導出管１２ｓとを対向させて開口する。このよう
に構成し、アニール処理時に窒素ガスの流れでレーザー
導入用窓５の下面５ｕをシールドすれば、窒素ガスが真
空チャンバ１の全体へ拡散することが少なくなり、効率
を向上することが出来る。
【００１２】
【発明の効果】本発明のレーザーアニール処理装置（１
００）によれば、従来のレーザーアニール処理装置（５
００）において問題となっていたレーザー導入用窓
（５）の汚れを防止することが出来る。このため、処理
効率の低下を防止できると共にメンテナンスの手間およ
び時間を低減でき、生産性を向上することが出来る。
００）によれば、従来のレーザーアニール処理装置（５
００）において問題となっていたレーザー導入用窓
（５）の汚れを防止することが出来る。このため、処理
効率の低下を防止できると共にメンテナンスの手間およ
び時間を低減でき、生産性を向上することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のレーザーアニール処理装
置の要部断面図である。
置の要部断面図である。
【図２】図１のレーザーアニール処理装置のレーザー導
入用窓の下面近傍を示す説明図である。
入用窓の下面近傍を示す説明図である。
【図３】図１のレーザーアニール処理装置の変形例の要
部断面図である。
部断面図である。
【図４】従来のレーザーアニール処理装置の一例の要部
断面図である。
断面図である。
１００，５００ レーザーアニール処理装
置 １ 真空チャンバ １ａ 天井部 １ｂ 排気口 ２ 移動載置台 ３ 抵抗線 ５ レーザー導入用窓 ６ エキシマレーザー照射装
置 １２ｂ 窒素ガス導入管 １２ｓ 窒素ガス導出管 Ｂ 基台 Ｌ 反射レーザー光 Ｍ 被処理体 Ｍ１ 非晶質半導体薄膜 Ｍ２ 絶縁基板 Ｐ レーザー照射部分 Ｒ レーザー光
置 １ 真空チャンバ １ａ 天井部 １ｂ 排気口 ２ 移動載置台 ３ 抵抗線 ５ レーザー導入用窓 ６ エキシマレーザー照射装
置 １２ｂ 窒素ガス導入管 １２ｓ 窒素ガス導出管 Ｂ 基台 Ｌ 反射レーザー光 Ｍ 被処理体 Ｍ１ 非晶質半導体薄膜 Ｍ２ 絶縁基板 Ｐ レーザー照射部分 Ｒ レーザー光
Claims (1)
- 【請求項１】 密閉容器（１）内に置かれた被処理体
（Ｍ）に外部からレーザー導入用窓（５）を通してレー
ザー光（Ｒ）を照射するレーザーアニール処理装置にお
いて、 前記密閉容器（１）の内部側のレーザー導入用窓（５）
の面（５ｕ）を窒素ガスの流れによってシールドする窒
素ガス流シールド手段（１３ｂ，１３ｓ）を設けること
により、被処理体（Ｍ）から発生した蒸散物質がレーザ
ー導入用窓（５）のレーザー光通過部分に付着しにくい
ようにしたことを特徴とするレーザーアニール処理装置
（１００）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29847295A JPH09139355A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | レーザーアニール処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29847295A JPH09139355A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | レーザーアニール処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139355A true JPH09139355A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17860153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29847295A Pending JPH09139355A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | レーザーアニール処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09139355A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9378951B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-06-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser annealing apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same |
| KR20170005390A (ko) | 2014-05-12 | 2017-01-13 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법 |
| WO2022250051A1 (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | 三菱重工業株式会社 | 真空レーザ加工装置 |
-
1995
- 1995-11-16 JP JP29847295A patent/JPH09139355A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170005390A (ko) | 2014-05-12 | 2017-01-13 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법 |
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