JPH09143675A - 真空処理装置用水分除去方法 - Google Patents
真空処理装置用水分除去方法Info
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- JPH09143675A JPH09143675A JP29715195A JP29715195A JPH09143675A JP H09143675 A JPH09143675 A JP H09143675A JP 29715195 A JP29715195 A JP 29715195A JP 29715195 A JP29715195 A JP 29715195A JP H09143675 A JPH09143675 A JP H09143675A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特別な装置を要すること無く簡単にして迅速
に水分除去を行い得る真空処理装置用水分除去方法（そ
れを適用した装置）を提供すること。 【解決手段】 このプラズマビーム型真空蒸着装置で
は、真空室にドライガスＤＧを流入させるためのガス流
入口２ｂが真空容器２に設けられ、このガス流入口２ｂ
を通してガス導入流量制御装置１０によってドライガス
ＤＧを流量調節して真空室内に流入できるようになって
いる。この装置では、試料が巻取りドラム５に巻回され
たフィルムシート６であって、可変電源を備え持つステ
アリングコイル３を有し、プラズマ発生装置１及び陽極
７を用いて真空室内で真空蒸着を行うが、ここでは真空
蒸着の処理前に排気口２ａからポンプ９により排気を行
いながらガス導入流量制御装置１０によってドライガス
ＤＧを流量調節して真空室内に流入させる。
に水分除去を行い得る真空処理装置用水分除去方法（そ
れを適用した装置）を提供すること。 【解決手段】 このプラズマビーム型真空蒸着装置で
は、真空室にドライガスＤＧを流入させるためのガス流
入口２ｂが真空容器２に設けられ、このガス流入口２ｂ
を通してガス導入流量制御装置１０によってドライガス
ＤＧを流量調節して真空室内に流入できるようになって
いる。この装置では、試料が巻取りドラム５に巻回され
たフィルムシート６であって、可変電源を備え持つステ
アリングコイル３を有し、プラズマ発生装置１及び陽極
７を用いて真空室内で真空蒸着を行うが、ここでは真空
蒸着の処理前に排気口２ａからポンプ９により排気を行
いながらガス導入流量制御装置１０によってドライガス
ＤＧを流量調節して真空室内に流入させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば真空蒸着，
スパッタリング，ＣＶＤ（化学蒸着法），イオンプレー
ティング（ＩＰ）等に代表される所用の処理に供される
試料物を収納するための真空空間を内部に形成して真空
処理装置に対して真空空間より水分を除去するための真
空処理装置用水分除去方法に関する。
スパッタリング，ＣＶＤ（化学蒸着法），イオンプレー
ティング（ＩＰ）等に代表される所用の処理に供される
試料物を収納するための真空空間を内部に形成して真空
処理装置に対して真空空間より水分を除去するための真
空処理装置用水分除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般的な真空処理装置としては、
用途に応じて様々なタイプのものが知られている。例え
ば、特開平２−１３８４６６号公報に開示された連続真
空蒸着装置の場合、吸湿性又は含水性の基板を大気中か
ら真空室内へ複数段で仕切られた差圧室を経て連続的に
導入し、真空室において基板に真空蒸着を施した後、基
板を大気中に連続的に搬出するようにしたもので、更に
水分除去対策として差圧室内に基板を加熱するための加
熱装置を設けている。
用途に応じて様々なタイプのものが知られている。例え
ば、特開平２−１３８４６６号公報に開示された連続真
空蒸着装置の場合、吸湿性又は含水性の基板を大気中か
ら真空室内へ複数段で仕切られた差圧室を経て連続的に
導入し、真空室において基板に真空蒸着を施した後、基
板を大気中に連続的に搬出するようにしたもので、更に
水分除去対策として差圧室内に基板を加熱するための加
熱装置を設けている。
【０００３】又、特開平２−２１９２２６号公報に開示
されたプラズマ装置の場合、電子サイクロトロン共鳴励
起により発生させたプラズマを利用して試料に対して所
用の処理を施す試料室を有するもので、試料室に試料を
搬入する前に水分除去対策として試料を非酸化性雰囲気
中で所定温度昇温させる昇温室を設けている。
されたプラズマ装置の場合、電子サイクロトロン共鳴励
起により発生させたプラズマを利用して試料に対して所
用の処理を施す試料室を有するもので、試料室に試料を
搬入する前に水分除去対策として試料を非酸化性雰囲気
中で所定温度昇温させる昇温室を設けている。
【０００４】更に、特開平６−７３５３６号公報に開示
された透明安定被膜形成方法の場合、到達圧力が１０-8
Ｔｏｒｒ台に保たれる真空容器の内部にＬａＢ5 の陰極
を有する圧力勾配型プラズマ装置により水分に関して１
００ｐｐｂ台の純度を有する不活性ガスを用いて発生さ
せたプラズマを導入して真空容器のアルミニウムブロッ
クにおけるアルミニウムを蒸発させてプラズマ内でイオ
ン化させると共に、水分に関して不活性ガスと同等な純
度を有する酸素ガスを真空容器内に導入してアルミニウ
ムイオンとの反応によりアルミニウム酸化物を生じさせ
ている。この結果、例えばイオンプレーティングにより
成膜時の雰囲気から水分をほぼ除去して基板表面に緻密
で透明な安定酸化物被膜を形成可能にしている。
された透明安定被膜形成方法の場合、到達圧力が１０-8
Ｔｏｒｒ台に保たれる真空容器の内部にＬａＢ5 の陰極
を有する圧力勾配型プラズマ装置により水分に関して１
００ｐｐｂ台の純度を有する不活性ガスを用いて発生さ
せたプラズマを導入して真空容器のアルミニウムブロッ
クにおけるアルミニウムを蒸発させてプラズマ内でイオ
ン化させると共に、水分に関して不活性ガスと同等な純
度を有する酸素ガスを真空容器内に導入してアルミニウ
ムイオンとの反応によりアルミニウム酸化物を生じさせ
ている。この結果、例えばイオンプレーティングにより
成膜時の雰囲気から水分をほぼ除去して基板表面に緻密
で透明な安定酸化物被膜を形成可能にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した各種真空処理
装置における水分除去方法の場合、試料を加熱するため
の加熱装置を真空室（試料室）外に設けたり、或いは真
空容器内に導入するガスの水分の含有量を規制している
が、加熱装置を真空室外に設けた構成であると、水分除
去のための加熱工程と真空室内での真空蒸着工程とが別
個に行われることになり、水分除去のみならず全体の処
理工程に時間がかかり過ぎてしまうという問題がある。
装置における水分除去方法の場合、試料を加熱するため
の加熱装置を真空室（試料室）外に設けたり、或いは真
空容器内に導入するガスの水分の含有量を規制している
が、加熱装置を真空室外に設けた構成であると、水分除
去のための加熱工程と真空室内での真空蒸着工程とが別
個に行われることになり、水分除去のみならず全体の処
理工程に時間がかかり過ぎてしまうという問題がある。
【０００６】又、加熱装置を真空室内に設けた構成の場
合、試料を大気中で予備加熱した後に加熱しながら真空
引きを行う形態で水分除去を行うと、長時間の真空引き
を要することになる。特に、真空処理装置が図２に示さ
れるように、試料が巻取りドラム５に巻回されたフィル
ムシート６であって、可変電源を備え持つステアリング
コイル３を有し、プラズマ発生装置１及び陽極７を用い
て真空容器２の真空室内で蒸着を行う構成であれば、蒸
着処理前に排気口２ａから排気装置（以下、ポンプ９と
する）により排気を行いながらフィルムの巻き戻しを数
回繰り返したり、更にこの間にヒータ４によりフィルム
シート６を加熱したり、或いはイオンクリーニング用の
ＲＦアンテナ８によりイオンクリーニングすることで水
分除去を行うことができる。
合、試料を大気中で予備加熱した後に加熱しながら真空
引きを行う形態で水分除去を行うと、長時間の真空引き
を要することになる。特に、真空処理装置が図２に示さ
れるように、試料が巻取りドラム５に巻回されたフィル
ムシート６であって、可変電源を備え持つステアリング
コイル３を有し、プラズマ発生装置１及び陽極７を用い
て真空容器２の真空室内で蒸着を行う構成であれば、蒸
着処理前に排気口２ａから排気装置（以下、ポンプ９と
する）により排気を行いながらフィルムの巻き戻しを数
回繰り返したり、更にこの間にヒータ４によりフィルム
シート６を加熱したり、或いはイオンクリーニング用の
ＲＦアンテナ８によりイオンクリーニングすることで水
分除去を行うことができる。
【０００７】しかしながら、このような構成では試料温
度に対する蒸気圧のみによって水分が除去されるもので
あるため、試料がフィルムシート６の場合のように耐熱
性に難があったり、加熱温度を極度に上昇させることが
できなければ水分除去に多大な時間を要することになっ
てしまう。
度に対する蒸気圧のみによって水分が除去されるもので
あるため、試料がフィルムシート６の場合のように耐熱
性に難があったり、加熱温度を極度に上昇させることが
できなければ水分除去に多大な時間を要することになっ
てしまう。
【０００８】更に、水分除去対策として真空容器２内に
導入するガスの水分の含有量を予め規制する場合、その
精度を保つための装置や、更にその精度を保った上で流
量制御するための装置が必要になるため、装置全体が高
価になってしまうという問題がある。
導入するガスの水分の含有量を予め規制する場合、その
精度を保つための装置や、更にその精度を保った上で流
量制御するための装置が必要になるため、装置全体が高
価になってしまうという問題がある。
【０００９】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、特別な装置を要す
ること無く簡単にして迅速に水分除去を行い得る真空処
理装置用水分除去方法を提供することにある。
なされたもので、その技術的課題は、特別な装置を要す
ること無く簡単にして迅速に水分除去を行い得る真空処
理装置用水分除去方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、所用の
処理に供される試料物を収納するための真空空間を内部
に形成した真空容器，及び該真空空間を所定の真空度に
するための排気装置を有する真空処理装置における水分
除去方法であって、真空容器の真空室に対して所用の処
理とは別途に水分除去用としてドライガスを流入させる
真空処理装置用水分除去方法が得られる。
処理に供される試料物を収納するための真空空間を内部
に形成した真空容器，及び該真空空間を所定の真空度に
するための排気装置を有する真空処理装置における水分
除去方法であって、真空容器の真空室に対して所用の処
理とは別途に水分除去用としてドライガスを流入させる
真空処理装置用水分除去方法が得られる。
【００１１】又、本発明によれば、上記真空処理装置用
水分除去方法において、ドライガスの流入は、所定の真
空度範囲に保持された真空室からの排気中に行われる真
空処理装置用水分除去方法や、或いは所定の真空度に到
達した真空室からの排気停止後にドライガスの流入を所
定の真空度範囲に保持されるように行うガス流入工程
と、ドライガスの流入停止後の真空室から所定の真空度
に到達するまで排気を行う排気工程とを反復的に行う真
空処理装置用水分除去方法が得られる。
水分除去方法において、ドライガスの流入は、所定の真
空度範囲に保持された真空室からの排気中に行われる真
空処理装置用水分除去方法や、或いは所定の真空度に到
達した真空室からの排気停止後にドライガスの流入を所
定の真空度範囲に保持されるように行うガス流入工程
と、ドライガスの流入停止後の真空室から所定の真空度
に到達するまで排気を行う排気工程とを反復的に行う真
空処理装置用水分除去方法が得られる。
【００１２】これらの真空処理装置用水分除去方法にお
いて、所定の真空度範囲が１．０×１０-4Ｔｏｒｒ〜１
００Ｔｏｒｒであることは好ましい。
いて、所定の真空度範囲が１．０×１０-4Ｔｏｒｒ〜１
００Ｔｏｒｒであることは好ましい。
【００１３】
【作用】一般に、水分を含有する試料が真空室に置かれ
て真空室より排気を行うと、水分は断熱膨脹を起こして
固体相に移行して蒸発し難くなる。このため、水分除去
用として排気中に試料に対する加熱が行われるが、排気
を継続すると断熱膨脹を起こす物質が増加して温度降下
をもたらすことになる。ところが、排気を中止すると真
空室内は水蒸気の飽和状態となり所定のレベル以上水分
除去を行うことができなくなってしまう。そこで、本発
明の水分除去方法では、ドライガスを真空室内へ流入
し、排気を継続しながら真空度を保持することにより、
水分を飽和状態とならなくても十分除去できるようにし
ている。
て真空室より排気を行うと、水分は断熱膨脹を起こして
固体相に移行して蒸発し難くなる。このため、水分除去
用として排気中に試料に対する加熱が行われるが、排気
を継続すると断熱膨脹を起こす物質が増加して温度降下
をもたらすことになる。ところが、排気を中止すると真
空室内は水蒸気の飽和状態となり所定のレベル以上水分
除去を行うことができなくなってしまう。そこで、本発
明の水分除去方法では、ドライガスを真空室内へ流入
し、排気を継続しながら真空度を保持することにより、
水分を飽和状態とならなくても十分除去できるようにし
ている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明の真
空処理装置用水分除去方法について、図面を参照して詳
細に説明する。
空処理装置用水分除去方法について、図面を参照して詳
細に説明する。
【００１５】最初に、本発明の真空処理装置用水分除去
方法の概要について簡単に説明する。この水分除去方法
は、所用の処理に供される試料物を収納するための真空
空間を内部に形成した真空容器，及びその真空空間を所
定の真空度にするための排気装置を有する真空処理装置
において、真空容器の真空室に対して所用の処理とは別
途に水分除去用として例えばＮ2 ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｈｅ等
のドライガスを流入させるものである。尚、所用の処理
とは、試料物に成膜することである。
方法の概要について簡単に説明する。この水分除去方法
は、所用の処理に供される試料物を収納するための真空
空間を内部に形成した真空容器，及びその真空空間を所
定の真空度にするための排気装置を有する真空処理装置
において、真空容器の真空室に対して所用の処理とは別
途に水分除去用として例えばＮ2 ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｈｅ等
のドライガスを流入させるものである。尚、所用の処理
とは、試料物に成膜することである。
【００１６】但し、この水分除去方法は、ドライガスの
流入を所定の真空度範囲に保持された真空室からの排気
中に行わせるか、又排気とほぼ同時にドライガスを流入
させて所定の真空度範囲に保持させて行うか、或いは所
定の真空度に到達した真空室からの排気停止後にドライ
ガスの流入を所定の真空度範囲に保持されるように行う
ガス流入工程と、ドライガスの流入停止後の真空室から
所定の真空度に到達するまで排気を行う排気工程とを反
復的に行わせるか、これらの何れかの方法が採択される
ものである。
流入を所定の真空度範囲に保持された真空室からの排気
中に行わせるか、又排気とほぼ同時にドライガスを流入
させて所定の真空度範囲に保持させて行うか、或いは所
定の真空度に到達した真空室からの排気停止後にドライ
ガスの流入を所定の真空度範囲に保持されるように行う
ガス流入工程と、ドライガスの流入停止後の真空室から
所定の真空度に到達するまで排気を行う排気工程とを反
復的に行わせるか、これらの何れかの方法が採択される
ものである。
【００１７】図１は、本発明の真空処理装置用水分除去
方法を適用した一実施例に係るプラズマビーム型真空蒸
着装置の基本構成を示したものである。
方法を適用した一実施例に係るプラズマビーム型真空蒸
着装置の基本構成を示したものである。
【００１８】このプラズマビーム型真空蒸着装置は、図
２で説明した構成と比べ、真空室内に上述したドライガ
スＤＧを流入させるためのガス流入口２ｂが真空容器２
に設けられた点と、このガス流入口２ｂを通してガス導
入流量制御装置１０によってドライガスＤＧを流量調節
して真空室内に流入できるようにした点とが相違してい
る。
２で説明した構成と比べ、真空室内に上述したドライガ
スＤＧを流入させるためのガス流入口２ｂが真空容器２
に設けられた点と、このガス流入口２ｂを通してガス導
入流量制御装置１０によってドライガスＤＧを流量調節
して真空室内に流入できるようにした点とが相違してい
る。
【００１９】即ち、この真空蒸着装置は、図２で説明し
たように、試料が巻取りドラム５に巻回されたフィルム
シート６であって、ステアリングコイル３を有し、プラ
ズマ発生装置１及び陽極７を用いて真空室内で真空蒸着
を行うものであるが、ここでは真空蒸着の処理前に排気
口２ａからポンプ９により排気を行いながらガス導入流
量制御装置１０によってドライガスＤＧを流量調節して
真空室内に流入することができるため、試料温度を極端
に上昇させること無しにフィルムシート６からは飽和水
蒸気圧に到達しなくても効率良く短い時間で水分が除去
される。このとき、ドライガスＤＧの分子は物理的にフ
ィルムシート６の表面を叩いて水分除去を促進するが、
更に、従来の場合のように併用的にフィルムの巻き戻し
を繰り返したり、この間にヒータ４によりフィルムシー
ト６を加熱したり、或いはイオンクリーニング用のＲＦ
アンテナ８によりイオンクリーニングすることで水分除
去を促進させることもできる。
たように、試料が巻取りドラム５に巻回されたフィルム
シート６であって、ステアリングコイル３を有し、プラ
ズマ発生装置１及び陽極７を用いて真空室内で真空蒸着
を行うものであるが、ここでは真空蒸着の処理前に排気
口２ａからポンプ９により排気を行いながらガス導入流
量制御装置１０によってドライガスＤＧを流量調節して
真空室内に流入することができるため、試料温度を極端
に上昇させること無しにフィルムシート６からは飽和水
蒸気圧に到達しなくても効率良く短い時間で水分が除去
される。このとき、ドライガスＤＧの分子は物理的にフ
ィルムシート６の表面を叩いて水分除去を促進するが、
更に、従来の場合のように併用的にフィルムの巻き戻し
を繰り返したり、この間にヒータ４によりフィルムシー
ト６を加熱したり、或いはイオンクリーニング用のＲＦ
アンテナ８によりイオンクリーニングすることで水分除
去を促進させることもできる。
【００２０】因みに、真空室内に注入されるドライガス
ＤＧ量はポンプ９による排気量や排気速度によるが、水
分除去の効率を高める上ではドライガスＤＧを大量に流
入させて高い排気速度で大量に排気するのが有効であ
る。このときの真空室内の真空度範囲は１×１０-4Ｔｏ
ｒｒ〜１００Ｔｏｒｒに保持されることが好ましい。真
空蒸着の処理自体はこのような水分除去を経て所定の真
空度（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）中で
行われる。
ＤＧ量はポンプ９による排気量や排気速度によるが、水
分除去の効率を高める上ではドライガスＤＧを大量に流
入させて高い排気速度で大量に排気するのが有効であ
る。このときの真空室内の真空度範囲は１×１０-4Ｔｏ
ｒｒ〜１００Ｔｏｒｒに保持されることが好ましい。真
空蒸着の処理自体はこのような水分除去を経て所定の真
空度（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）中で
行われる。
【００２１】ところで、上述した実施例ではドライガス
ＤＧの流入を所定の真空度範囲（１．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ〜１００Ｔｏｒｒ）に保持された真空室からの排気中
に行わせるものとしたが、これに代えて所定の真空度
（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）に到達し
た真空室からの排気停止後にドライガスＤＧの流入を所
定の真空度範囲（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒ
ｒ）に保持されるように行うガス流入工程と、ドライガ
スＤＧの流入停止後の真空室から所定の真空度（１×１
０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）に到達するまで排
気を行う排気工程とを反復的に行う手法としても適用さ
せることができる。
ＤＧの流入を所定の真空度範囲（１．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ〜１００Ｔｏｒｒ）に保持された真空室からの排気中
に行わせるものとしたが、これに代えて所定の真空度
（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）に到達し
た真空室からの排気停止後にドライガスＤＧの流入を所
定の真空度範囲（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒ
ｒ）に保持されるように行うガス流入工程と、ドライガ
スＤＧの流入停止後の真空室から所定の真空度（１×１
０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）に到達するまで排
気を行う排気工程とを反復的に行う手法としても適用さ
せることができる。
【００２２】更に、こうした採択可能な水分除去方法
は、前者のドライガスＤＧの流入を排気中に行うときに
は以下に説明する真空蒸着の処理を含む第１の処理工程
及び第２の処理工程に場合分けされるように実施するこ
とができ、後者のガス流入工程及び排気工程を反復的に
行うときには以下に説明する真空蒸着の処理を含む第３
の処理工程のように実施することができる。
は、前者のドライガスＤＧの流入を排気中に行うときに
は以下に説明する真空蒸着の処理を含む第１の処理工程
及び第２の処理工程に場合分けされるように実施するこ
とができ、後者のガス流入工程及び排気工程を反復的に
行うときには以下に説明する真空蒸着の処理を含む第３
の処理工程のように実施することができる。
【００２３】第１の処理工程では、先ず真空室内へ試料
のフィルムシート６を搬入してからポンプ９による排気
及びヒータ４による加熱を開始し、この後にポンプ９に
よって所定の真空度（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3
Ｔｏｒｒ）まで排気させる。引き続き、排気を継続して
ガス導入流量制御装置１０によってドライガスＤＧを流
量調節して真空室内に流入する。このとき排気を行いな
がら真空度を後退させて真空室内を所定の真空度範囲
（１．０×１０-4Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ）に保持す
るようにするか、或いは所定の真空度（１×１０-4Ｔｏ
ｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）に保持する。次に、ドライ
ガスＤＧの流入を止めてから前者の場合には再度ポンプ
９によって成膜するための所定の真空度（１×１０-4Ｔ
ｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）まで排気させる。この
後、試料（フィルムシート６）表面に対する真空蒸着の
処理を行って成膜等の形成を行う。
のフィルムシート６を搬入してからポンプ９による排気
及びヒータ４による加熱を開始し、この後にポンプ９に
よって所定の真空度（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3
Ｔｏｒｒ）まで排気させる。引き続き、排気を継続して
ガス導入流量制御装置１０によってドライガスＤＧを流
量調節して真空室内に流入する。このとき排気を行いな
がら真空度を後退させて真空室内を所定の真空度範囲
（１．０×１０-4Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ）に保持す
るようにするか、或いは所定の真空度（１×１０-4Ｔｏ
ｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）に保持する。次に、ドライ
ガスＤＧの流入を止めてから前者の場合には再度ポンプ
９によって成膜するための所定の真空度（１×１０-4Ｔ
ｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）まで排気させる。この
後、試料（フィルムシート６）表面に対する真空蒸着の
処理を行って成膜等の形成を行う。
【００２４】第２の処理工程では、先ず真空室内へ試料
のフィルムシート６を搬入してからポンプ９による排
気，ヒータ４による加熱，及びガス導入流量制御装置１
０によるドライガスＤＧの流入を開始し、ドライガスＤ
Ｇを流入しながら真空室内を所定の真空度範囲（１．０
×１０-4Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ）となるように保持
する。次に、ドライガスＤＧの流入を止めてから再度ポ
ンプ９によって成膜するために所定の真空度（１×１０
-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）まで排気させる。こ
の後、試料（フィルムシート６）表面に対する真空蒸着
の処理を行って成膜等の形成を行う。
のフィルムシート６を搬入してからポンプ９による排
気，ヒータ４による加熱，及びガス導入流量制御装置１
０によるドライガスＤＧの流入を開始し、ドライガスＤ
Ｇを流入しながら真空室内を所定の真空度範囲（１．０
×１０-4Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ）となるように保持
する。次に、ドライガスＤＧの流入を止めてから再度ポ
ンプ９によって成膜するために所定の真空度（１×１０
-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）まで排気させる。こ
の後、試料（フィルムシート６）表面に対する真空蒸着
の処理を行って成膜等の形成を行う。
【００２５】第３の処理工程では、先ず真空室内へ試料
のフィルムシート６を搬入してからポンプ９による排気
及びヒータ４による加熱を開始し、この後にポンプ９に
よって所定の真空度（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3
Ｔｏｒｒ）まで排気させる。引き続き、ポンプ９による
排気を一旦停止してからガス導入流量制御装置１０によ
ってドライガスＤＧを真空室内に流入し、真空度を後退
させて真空室内を所定の真空度範囲（１．０×１０-4Ｔ
ｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ）に保持されるようにする。次
に、ドライガスＤＧの流入を止めてからポンプ９によっ
て所定の真空度（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏ
ｒｒ）まで排気させる。このような所定の真空度（１×
１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）まで排気，排気
の停止，及び所定の真空度範囲（１．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ〜１００Ｔｏｒｒ）に保持させるドライガスＤＧの流
入までのサイクルを反復し、適当な段階で水分除去が完
了したとみなす。次に、再度ポンプ９によって成膜する
ための所定の真空度まで排気させる。この後、試料（フ
ィルムシート６）表面に対する真空蒸着の処理を行って
成膜等の形成を行う。
のフィルムシート６を搬入してからポンプ９による排気
及びヒータ４による加熱を開始し、この後にポンプ９に
よって所定の真空度（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3
Ｔｏｒｒ）まで排気させる。引き続き、ポンプ９による
排気を一旦停止してからガス導入流量制御装置１０によ
ってドライガスＤＧを真空室内に流入し、真空度を後退
させて真空室内を所定の真空度範囲（１．０×１０-4Ｔ
ｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ）に保持されるようにする。次
に、ドライガスＤＧの流入を止めてからポンプ９によっ
て所定の真空度（１×１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏ
ｒｒ）まで排気させる。このような所定の真空度（１×
１０-4Ｔｏｒｒ〜５×１０-3Ｔｏｒｒ）まで排気，排気
の停止，及び所定の真空度範囲（１．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ〜１００Ｔｏｒｒ）に保持させるドライガスＤＧの流
入までのサイクルを反復し、適当な段階で水分除去が完
了したとみなす。次に、再度ポンプ９によって成膜する
ための所定の真空度まで排気させる。この後、試料（フ
ィルムシート６）表面に対する真空蒸着の処理を行って
成膜等の形成を行う。
【００２６】尚、上述した実施例では本発明の真空処理
装置用水分除去方法を試料がフィルムシートであって、
真空蒸着の処理を行うときのプラズマビーム型真空蒸着
装置に適用させた場合について説明したが、本発明は例
えば基板等の別な試料を対象として他の処理を行う別な
種類の真空処理装置についても適用可能である。
装置用水分除去方法を試料がフィルムシートであって、
真空蒸着の処理を行うときのプラズマビーム型真空蒸着
装置に適用させた場合について説明したが、本発明は例
えば基板等の別な試料を対象として他の処理を行う別な
種類の真空処理装置についても適用可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上に述べた通り、本発明の真空処理装
置用水分除去方法によれば、真空容器の真空室に対して
所用の処理とは別途に水分除去用としてドライガスを流
入させているので、試料からは飽和水蒸気圧に到達しな
くても効率良く短い時間で水分が除去されるようにな
る。この結果、真空処理装置全般の排気時間が短縮され
るようになる。
置用水分除去方法によれば、真空容器の真空室に対して
所用の処理とは別途に水分除去用としてドライガスを流
入させているので、試料からは飽和水蒸気圧に到達しな
くても効率良く短い時間で水分が除去されるようにな
る。この結果、真空処理装置全般の排気時間が短縮され
るようになる。
【図１】本発明の真空処理装置用水分除去方法を適用し
た一実施例に係るプラズマビーム型真空蒸着装置の基本
構成を示したものである。
た一実施例に係るプラズマビーム型真空蒸着装置の基本
構成を示したものである。
【図２】従来の真空処理装置用水分除去方法を適用した
プラズマビーム型真空蒸着装置の基本構成を示したもの
である。
プラズマビーム型真空蒸着装置の基本構成を示したもの
である。
１ プラズマ発生装置 ２ 真空容器 ２ａ ガス排出口 ２ｂ ガス流入口 ３ ステアリングコイル ４ ヒータ ５ 巻取りドラム ６ フィルムシート ７ 陽極 ８ ＲＦアンテナ ９ ポンプ １０ ガス導入流量制御装置
Claims (4)
- 【請求項１】 所用の処理に供される試料物を収納する
ための真空空間を内部に形成した真空容器，及び該真空
空間を所定の真空度にするための排気装置を有する真空
処理装置における水分除去方法であって、前記真空容器
の真空室に対して前記所用の処理とは別途に水分除去用
としてドライガスを流入させることを特徴とする真空処
理装置用水分除去方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の真空処理装置用水分除去
方法において、前記ドライガスの流入は、所定の真空度
範囲に保持された前記真空室からの排気中に行われるも
のであることを特徴とする真空処理装置用水分除去方
法。 - 【請求項３】 請求項１記載の真空処理装置用水分除去
方法において、所定の真空度に到達した前記真空室から
の排気停止後に前記ドライガスの流入を所定の真空度範
囲に保持されるように行うガス流入工程と、前記ドライ
ガスの流入停止後の前記真空室から前記所定の真空度に
到達するまで排気を行う排気工程とを反復的に行うこと
を特徴とする真空処理装置用水分除去方法。 - 【請求項４】 請求項２又は３記載の真空処理装置用水
分除去方法において、前記所定の真空度範囲は１．０×
１０-4Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒであることを特徴とす
る真空処理装置用水分除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29715195A JPH09143675A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 真空処理装置用水分除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29715195A JPH09143675A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 真空処理装置用水分除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143675A true JPH09143675A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=17842863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29715195A Pending JPH09143675A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 真空処理装置用水分除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034541A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Tadahiro Ohmi | 減圧蒸着装置及び減圧蒸着方法 |
| CN113265626A (zh) * | 2020-02-14 | 2021-08-17 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 成膜装置及成膜装置的水分去除方法 |
-
1995
- 1995-11-15 JP JP29715195A patent/JPH09143675A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034541A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Tadahiro Ohmi | 減圧蒸着装置及び減圧蒸着方法 |
| CN113265626A (zh) * | 2020-02-14 | 2021-08-17 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 成膜装置及成膜装置的水分去除方法 |
| CN113265626B (zh) * | 2020-02-14 | 2023-06-16 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 成膜装置及成膜装置的水分去除方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20051215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051221 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060412 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |