JPH09143698A - 連続イオンプレーティング装置 - Google Patents
連続イオンプレーティング装置Info
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- JPH09143698A JPH09143698A JP29956995A JP29956995A JPH09143698A JP H09143698 A JPH09143698 A JP H09143698A JP 29956995 A JP29956995 A JP 29956995A JP 29956995 A JP29956995 A JP 29956995A JP H09143698 A JPH09143698 A JP H09143698A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 鋼板をシールライン（アース電位）から絶縁
することなくアース（接地）した状態で、イオンプレー
ティングができる連続イオンプレーティング装置を提供
する。 【解決手段】 被処理材１をアース電位としルツボ１５
を＋電位に印加するバイアス電源１８を備え、これによ
り、ルツボから被処理材に向かう電界を形成する。ま
た、被処理材１に対向してルツボ近傍に設けられたバイ
アス電極２２と、被処理材をアース電位としバイアス電
極を＋電位に印加するバイアス電源１８を備える。更
に、成膜室１６内に成膜室から絶縁され、かつルツボ１
５を囲むバイアス壁２０を備え、バイアス壁２０をバイ
アス電源１８により＋電位に印加する。
することなくアース（接地）した状態で、イオンプレー
ティングができる連続イオンプレーティング装置を提供
する。 【解決手段】 被処理材１をアース電位としルツボ１５
を＋電位に印加するバイアス電源１８を備え、これによ
り、ルツボから被処理材に向かう電界を形成する。ま
た、被処理材１に対向してルツボ近傍に設けられたバイ
アス電極２２と、被処理材をアース電位としバイアス電
極を＋電位に印加するバイアス電源１８を備える。更
に、成膜室１６内に成膜室から絶縁され、かつルツボ１
５を囲むバイアス壁２０を備え、バイアス壁２０をバイ
アス電源１８により＋電位に印加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被処理材に連続的にイ
オンプレーティングする連続イオンプレーティング装置
に関する。
オンプレーティングする連続イオンプレーティング装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンプレーティング装置は、真空中で
材料を加熱して蒸発させ、蒸発材料を放電等でイオン化
し、材料イオン（陽イオン）を鋼板等の被処理材（陰
極）の表面に衝突・凝固させて被膜を作る成膜プロセス
である。かかるイオンプレーティング装置は、通常の真
空蒸着装置よりも更に緻密で強固な被膜ができる長所を
有し、ＴｉＮ，Ａｌ−Ｍｎ合金，Ｔｉ−Ｃｒ合金，等の
成膜に用いられている。
材料を加熱して蒸発させ、蒸発材料を放電等でイオン化
し、材料イオン（陽イオン）を鋼板等の被処理材（陰
極）の表面に衝突・凝固させて被膜を作る成膜プロセス
である。かかるイオンプレーティング装置は、通常の真
空蒸着装置よりも更に緻密で強固な被膜ができる長所を
有し、ＴｉＮ，Ａｌ−Ｍｎ合金，Ｔｉ−Ｃｒ合金，等の
成膜に用いられている。
【０００３】図３は、切板（シート材）の鋼板１にイオ
ンプレーティングする従来のイオンプレーティング装置
の構成図であり、真空成膜室６，ルツボ５，電子銃３及
びその電源３ａ，プラズマ発生装置７，バイヤス電源
８，等を備え、電子銃３による電子ビーム２でルツボ５
内の材料４を加熱して蒸発させ、プラズマ発生装置７に
より蒸発材料にプラズマを付加してイオン化し、材料イ
オン（陽イオン）を電位差により鋼板１（陰極）に向け
て加速し、鋼板の表面に蒸発材料を衝突・凝固させるよ
うになっている。なお、蒸発材料をイオン化するため
に、ＲＦコイル７ａ、アーク放電器７ｂ等の別の手段も
適用される。
ンプレーティングする従来のイオンプレーティング装置
の構成図であり、真空成膜室６，ルツボ５，電子銃３及
びその電源３ａ，プラズマ発生装置７，バイヤス電源
８，等を備え、電子銃３による電子ビーム２でルツボ５
内の材料４を加熱して蒸発させ、プラズマ発生装置７に
より蒸発材料にプラズマを付加してイオン化し、材料イ
オン（陽イオン）を電位差により鋼板１（陰極）に向け
て加速し、鋼板の表面に蒸発材料を衝突・凝固させるよ
うになっている。なお、蒸発材料をイオン化するため
に、ＲＦコイル７ａ、アーク放電器７ｂ等の別の手段も
適用される。
【０００４】図３において、鋼板１を陰極に保持するた
めに、鋼板１は成膜室６から絶縁して保持され、成膜室
６を陽極（＋）、鋼板１を陰極（−）にしてその間にバ
イヤス電源８（ＤＣ５００〜１０００Ｖ）が設置され、
鋼板１と蒸発源（ルツボ５）との間にバイアスを印加
し、イオンプレーティングを行うようになっている。ま
た、電子銃３から電子ビーム（−）を放射するために、
電子銃３の本体及び成膜室６を陽極（＋）、電子銃３の
電子発生器３ｂを陰極（−）にしてその間に電子銃電源
３ａ（例えば、約ＤＣ３０ｋＶ）が設置される。更に通
常、成膜室６（陽極側）は接地してアースされ、漏電を
防止している。
めに、鋼板１は成膜室６から絶縁して保持され、成膜室
６を陽極（＋）、鋼板１を陰極（−）にしてその間にバ
イヤス電源８（ＤＣ５００〜１０００Ｖ）が設置され、
鋼板１と蒸発源（ルツボ５）との間にバイアスを印加
し、イオンプレーティングを行うようになっている。ま
た、電子銃３から電子ビーム（−）を放射するために、
電子銃３の本体及び成膜室６を陽極（＋）、電子銃３の
電子発生器３ｂを陰極（−）にしてその間に電子銃電源
３ａ（例えば、約ＤＣ３０ｋＶ）が設置される。更に通
常、成膜室６（陽極側）は接地してアースされ、漏電を
防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４は、鋼板に連続的
にイオンプレーティングする連続イオンプレーティング
装置の模式図である。連続イオンプレーティング装置
は、入側と出側の真空シール装置，予備加熱室，成膜
室，等からなり、大気圧下でアンコイラーから巻き戻さ
れた鋼板１を入側の真空シール装置で真空中に通し、予
備加熱室で予備加熱した後、成膜室で成膜し、成膜後の
鋼板を出側の真空シール装置で大気圧中に取り出しリコ
イラーで巻き取るようになっている。
にイオンプレーティングする連続イオンプレーティング
装置の模式図である。連続イオンプレーティング装置
は、入側と出側の真空シール装置，予備加熱室，成膜
室，等からなり、大気圧下でアンコイラーから巻き戻さ
れた鋼板１を入側の真空シール装置で真空中に通し、予
備加熱室で予備加熱した後、成膜室で成膜し、成膜後の
鋼板を出側の真空シール装置で大気圧中に取り出しリコ
イラーで巻き取るようになっている。
【０００６】しかし、図４の連続イオンプレーティング
装置では、鋼板１を陰極に保持するために、鋼板１を成
膜室から絶縁するばかりでなく、アンコイラー，リコイ
ラー，入側と出側の真空シール装置，予備加熱室，等の
すべての装置において、鋼板をシールライン（アース電
位）から絶縁する必要があった。そのため、例えば、鋼
板１を駆動するローラの軸受部等に絶縁材を用いる必要
が生じ、構造が複雑になるばかりでなく、絶縁性能が低
く、信頼性に乏しい問題点があった。特に、高速の連続
イオンプレーティング装置では、２００〜５００ｍ／ｍ
ｉｎのライン速度で成膜を行い、しかも、数百時間連続
して操業するため、軸受等の一部が損傷しても、運転再
開に長時間かかり稼働率が大幅に低下するおそれがあっ
た。
装置では、鋼板１を陰極に保持するために、鋼板１を成
膜室から絶縁するばかりでなく、アンコイラー，リコイ
ラー，入側と出側の真空シール装置，予備加熱室，等の
すべての装置において、鋼板をシールライン（アース電
位）から絶縁する必要があった。そのため、例えば、鋼
板１を駆動するローラの軸受部等に絶縁材を用いる必要
が生じ、構造が複雑になるばかりでなく、絶縁性能が低
く、信頼性に乏しい問題点があった。特に、高速の連続
イオンプレーティング装置では、２００〜５００ｍ／ｍ
ｉｎのライン速度で成膜を行い、しかも、数百時間連続
して操業するため、軸受等の一部が損傷しても、運転再
開に長時間かかり稼働率が大幅に低下するおそれがあっ
た。
【０００７】本発明はかかる問題点を解決するために創
案されたものである。すなわち、本発明の目的は、鋼板
をシールライン（アース電位）から絶縁することなくア
ース（接地）した状態で、イオンプレーティングができ
る連続イオンプレーティング装置を提供することにあ
る。
案されたものである。すなわち、本発明の目的は、鋼板
をシールライン（アース電位）から絶縁することなくア
ース（接地）した状態で、イオンプレーティングができ
る連続イオンプレーティング装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、連続的
に走行する被処理材に材料を蒸着するための真空成膜室
と、該成膜室内に設置され材料を収納するルツボと、ル
ツボ内の材料を蒸発させる蒸発装置と、蒸発した材料を
イオン化させるイオン化装置と、を備えた連続イオンプ
レーティング装置において、被処理材をアース電位とし
ルツボを＋電位に印加するバイアス電源を備え、これに
より、ルツボから被処理材に向かう電界を形成する、こ
とを特徴とする連続イオンプレーティング装置が提供さ
れる。
に走行する被処理材に材料を蒸着するための真空成膜室
と、該成膜室内に設置され材料を収納するルツボと、ル
ツボ内の材料を蒸発させる蒸発装置と、蒸発した材料を
イオン化させるイオン化装置と、を備えた連続イオンプ
レーティング装置において、被処理材をアース電位とし
ルツボを＋電位に印加するバイアス電源を備え、これに
より、ルツボから被処理材に向かう電界を形成する、こ
とを特徴とする連続イオンプレーティング装置が提供さ
れる。
【０００９】また、別の発明によれば、連続的に走行す
る被処理材に材料を蒸着するための真空成膜室と、該成
膜室内に設置され材料を収納するルツボと、ルツボ内の
材料を蒸発させる蒸発装置と、蒸発した材料をイオン化
させるイオン化装置と、を備えた連続イオンプレーティ
ング装置において、被処理材に対向してルツボ近傍に設
けられたバイアス電極と、被処理材をアース電位としバ
イアス電極を＋電位に印加するバイアス電源を備え、こ
れにより、ルツボから被処理材に向かう電界を形成す
る、ことを特徴とする連続イオンプレーティング装置が
提供される。
る被処理材に材料を蒸着するための真空成膜室と、該成
膜室内に設置され材料を収納するルツボと、ルツボ内の
材料を蒸発させる蒸発装置と、蒸発した材料をイオン化
させるイオン化装置と、を備えた連続イオンプレーティ
ング装置において、被処理材に対向してルツボ近傍に設
けられたバイアス電極と、被処理材をアース電位としバ
イアス電極を＋電位に印加するバイアス電源を備え、こ
れにより、ルツボから被処理材に向かう電界を形成す
る、ことを特徴とする連続イオンプレーティング装置が
提供される。
【００１０】上記本発明の構成によれば、絶縁性能が低
く、構造も複雑な鋼板絶縁によるイオンプレーティング
に換わり、鋼板をアース電位とし、かつルツボから被処
理材に向かう電界を形成することができ、簡便な構造で
鋼板をシールライン（アース電位）から絶縁することな
くアース（接地）した状態で、イオンプレーティングが
可能となる。
く、構造も複雑な鋼板絶縁によるイオンプレーティング
に換わり、鋼板をアース電位とし、かつルツボから被処
理材に向かう電界を形成することができ、簡便な構造で
鋼板をシールライン（アース電位）から絶縁することな
くアース（接地）した状態で、イオンプレーティングが
可能となる。
【００１１】本発明の好ましい実施形態によれば、成膜
室内に成膜室から絶縁され、かつルツボを囲むバイアス
壁を備え、該バイアス壁は、前記バイアス電源により＋
電位に印加される。この構成により、ルツボを囲むバイ
アス壁にルツボと同電位のバイアス電圧を印加し、これ
により蒸発した材料イオン（陽イオン）の成膜室内壁へ
の付着を防止し、プラズマの安定化、イオン化粒子の被
処理材への集中化を図ることができる。
室内に成膜室から絶縁され、かつルツボを囲むバイアス
壁を備え、該バイアス壁は、前記バイアス電源により＋
電位に印加される。この構成により、ルツボを囲むバイ
アス壁にルツボと同電位のバイアス電圧を印加し、これ
により蒸発した材料イオン（陽イオン）の成膜室内壁へ
の付着を防止し、プラズマの安定化、イオン化粒子の被
処理材への集中化を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を図面を参照して説明する。なお、各図において、共通
する部分には同一の符号を付して使用する。図１は、本
発明による連続イオンプレーティング装置の第１実施形
態を示す構成図である。この図において、本発明の連続
イオンプレーティング装置１０は、連続的に走行する被
処理材１（例えば鋼板）に材料４を蒸着するための真空
成膜室１６と、成膜室１６内に設置され材料４を収納す
るルツボ１５と、ルツボ１５内の材料４を蒸発させる蒸
発装置１３と、蒸発した材料をイオン化させるイオン化
装置１７と、を備えている。
を図面を参照して説明する。なお、各図において、共通
する部分には同一の符号を付して使用する。図１は、本
発明による連続イオンプレーティング装置の第１実施形
態を示す構成図である。この図において、本発明の連続
イオンプレーティング装置１０は、連続的に走行する被
処理材１（例えば鋼板）に材料４を蒸着するための真空
成膜室１６と、成膜室１６内に設置され材料４を収納す
るルツボ１５と、ルツボ１５内の材料４を蒸発させる蒸
発装置１３と、蒸発した材料をイオン化させるイオン化
装置１７と、を備えている。
【００１３】真空成膜室１６の内部は、図示しない真空
装置により排気され、蒸着に適した真空度（例えば１０
-3〜１０-5ｔｏｒｒ程度）に保持されている。また、真
空成膜室１６の上流側及び下流側には、真空シール装置
９が設置され、真空成膜室１６の内部を真空に保持した
まま、被処理材１を外気から真空中に導入し、かつ真空
中から外気に取り出すことができるようになっている。
装置により排気され、蒸着に適した真空度（例えば１０
-3〜１０-5ｔｏｒｒ程度）に保持されている。また、真
空成膜室１６の上流側及び下流側には、真空シール装置
９が設置され、真空成膜室１６の内部を真空に保持した
まま、被処理材１を外気から真空中に導入し、かつ真空
中から外気に取り出すことができるようになっている。
【００１４】蒸発装置１３は、この図においては、電子
銃３と電子銃電源３ａからなり、電子銃３による電子ビ
ーム２でルツボ１５内の材料４を加熱して蒸発させるよ
うになっている。また、電子ビーム２の方向をルツボ１
５に向ける磁界を発生させる磁界発生装置（図示せ
ず）、例えば、電磁石を備えている。イオン化装置１７
は、この図では、ＲＦコイル１７ａとプラズマ発生装置
１７ｂからなる。ＲＦコイル１７ａは、高周波を発生す
るコイル(Radio Frequency Coil)であり、マイクロ波等
の高周波を発生させて蒸発元素（又は材料）を直接イオ
ン化することができる。また、プラズマ発生装置１７ｂ
は、内部に設けられた電極間で放電し、イオン化したガ
スを放出して、蒸発元素をイオン化するようになってい
る。なお、これらは、単独でも、併設してもよく、或い
は、アーク放電等の別の手段により蒸発元素をイオン化
させてもよい。
銃３と電子銃電源３ａからなり、電子銃３による電子ビ
ーム２でルツボ１５内の材料４を加熱して蒸発させるよ
うになっている。また、電子ビーム２の方向をルツボ１
５に向ける磁界を発生させる磁界発生装置（図示せ
ず）、例えば、電磁石を備えている。イオン化装置１７
は、この図では、ＲＦコイル１７ａとプラズマ発生装置
１７ｂからなる。ＲＦコイル１７ａは、高周波を発生す
るコイル(Radio Frequency Coil)であり、マイクロ波等
の高周波を発生させて蒸発元素（又は材料）を直接イオ
ン化することができる。また、プラズマ発生装置１７ｂ
は、内部に設けられた電極間で放電し、イオン化したガ
スを放出して、蒸発元素をイオン化するようになってい
る。なお、これらは、単独でも、併設してもよく、或い
は、アーク放電等の別の手段により蒸発元素をイオン化
させてもよい。
【００１５】図１の連続イオンプレーティング装置１０
は、更に、被処理材１をアース電位としルツボ１５を＋
電位に印加するバイアス電源１８を備えている。このバ
イアス電源１８は、例えば、ＤＣ５００〜１０００Ｖで
あり、その陰極（−）がアースされ、陽極（＋）がルツ
ボ１５に接続されている。また、被処理材１、被処理材
１を支持又は駆動するローラ、真空シール装置９、真空
成膜室１６、等は全てアース（接地）されている。ま
た、電子銃電源３ａは、例えば、約ＤＣ３０ｋＶであ
り、その陽極（＋）がアースされ、陰極（−）が電子銃
３の電子発生器３ｂに接続されている。
は、更に、被処理材１をアース電位としルツボ１５を＋
電位に印加するバイアス電源１８を備えている。このバ
イアス電源１８は、例えば、ＤＣ５００〜１０００Ｖで
あり、その陰極（−）がアースされ、陽極（＋）がルツ
ボ１５に接続されている。また、被処理材１、被処理材
１を支持又は駆動するローラ、真空シール装置９、真空
成膜室１６、等は全てアース（接地）されている。ま
た、電子銃電源３ａは、例えば、約ＤＣ３０ｋＶであ
り、その陽極（＋）がアースされ、陰極（−）が電子銃
３の電子発生器３ｂに接続されている。
【００１６】上述した構成により、連続イオンプレーテ
ィング装置１０の大部分は、アース電位（０Ｖ）に保持
され、ルツボ１５が＋電位に、電子銃３の電子発生器３
ｂが−電位に保持される。電子銃３のルツボ１５に対す
る電位差は、図３の例に比較してバイアス電源１８の電
位分が大きくなるが、この分の電子銃電源３ａの電圧を
下げることにより、同様の電子ビーム２を放射すること
ができる。
ィング装置１０の大部分は、アース電位（０Ｖ）に保持
され、ルツボ１５が＋電位に、電子銃３の電子発生器３
ｂが−電位に保持される。電子銃３のルツボ１５に対す
る電位差は、図３の例に比較してバイアス電源１８の電
位分が大きくなるが、この分の電子銃電源３ａの電圧を
下げることにより、同様の電子ビーム２を放射すること
ができる。
【００１７】図１において、本発明の連続イオンプレー
ティング装置１０は、更に、成膜室１６内に成膜室１６
から絶縁され、かつルツボ１５を囲むバイアス壁２０を
備える。このバイアス壁２０は、バイアス電源１８によ
りルツボ１５と同一の＋電位に印加されている。上述し
た構成により、絶縁性能が低く、構造も複雑な鋼板絶縁
によるイオンプレーティングに換わり、被処理材１をア
ース電位とし、かつルツボ１５から被処理材１に向かう
電界を形成することができ、簡便な構造で被処理材１を
シールライン（アース電位）から絶縁することなくアー
ス（接地）した状態で、ルツボから被処理材に向かう電
界を形成することができ、イオンプレーティングが可能
となる。
ティング装置１０は、更に、成膜室１６内に成膜室１６
から絶縁され、かつルツボ１５を囲むバイアス壁２０を
備える。このバイアス壁２０は、バイアス電源１８によ
りルツボ１５と同一の＋電位に印加されている。上述し
た構成により、絶縁性能が低く、構造も複雑な鋼板絶縁
によるイオンプレーティングに換わり、被処理材１をア
ース電位とし、かつルツボ１５から被処理材１に向かう
電界を形成することができ、簡便な構造で被処理材１を
シールライン（アース電位）から絶縁することなくアー
ス（接地）した状態で、ルツボから被処理材に向かう電
界を形成することができ、イオンプレーティングが可能
となる。
【００１８】また、上述したバイアス壁２０を備えるこ
とにより、ルツボ１５を囲むバイアス壁２０にルツボ１
５と同電位のバイアス電圧を印加することができ、これ
によりイオン化された蒸発粒子（陽イオン）の成膜室１
６の内壁への付着を防止し、プラズマの安定化、イオン
化粒子の被処理材への集中化を図ることができる。
とにより、ルツボ１５を囲むバイアス壁２０にルツボ１
５と同電位のバイアス電圧を印加することができ、これ
によりイオン化された蒸発粒子（陽イオン）の成膜室１
６の内壁への付着を防止し、プラズマの安定化、イオン
化粒子の被処理材への集中化を図ることができる。
【００１９】図２は、本発明による連続イオンプレーテ
ィング装置の第２実施形態を示す構成図である。この図
において、被処理材１に対向してルツボ１５の近傍にバ
イアス電極２２が設けられ、バイアス電源１８により、
被処理材１をアース電位としバイアス電極２２を＋電位
に印加している。また、ルツボ１５は、バイアス電源１
８の陰極（−）に接続され、かつ電流計２３を介してア
ースされている。その他の構成は、図１の第１実施形態
と同様である。
ィング装置の第２実施形態を示す構成図である。この図
において、被処理材１に対向してルツボ１５の近傍にバ
イアス電極２２が設けられ、バイアス電源１８により、
被処理材１をアース電位としバイアス電極２２を＋電位
に印加している。また、ルツボ１５は、バイアス電源１
８の陰極（−）に接続され、かつ電流計２３を介してア
ースされている。その他の構成は、図１の第１実施形態
と同様である。
【００２０】図２の構成により、ルツボ１５をアース
（接地）した状態で、バイアス電極２２と被処理材１と
の間に、ルツボ１５から被処理材１に向かう電界を形成
することができる。また、電流計２３により、ルツボ１
５からアースに流れる電流を計測することができ、電子
銃３による電子ビーム２の強度（電流）を正確に計測す
ることができる。また、図２の例では、電子銃３のルツ
ボ１５に対する電位差は、図３の例と同一であり、従来
と同様の電子ビーム２を放射することができる。
（接地）した状態で、バイアス電極２２と被処理材１と
の間に、ルツボ１５から被処理材１に向かう電界を形成
することができる。また、電流計２３により、ルツボ１
５からアースに流れる電流を計測することができ、電子
銃３による電子ビーム２の強度（電流）を正確に計測す
ることができる。また、図２の例では、電子銃３のルツ
ボ１５に対する電位差は、図３の例と同一であり、従来
と同様の電子ビーム２を放射することができる。
【００２１】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できる
ことは勿論である。
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できる
ことは勿論である。
【００２２】
【発明の効果】上述したように、本発明の連続イオンプ
レーティング装置は、鋼板をシールライン（アース電
位）から絶縁することなくアース（接地）した状態で、
イオンプレーティングができる、優れた効果を有する。
レーティング装置は、鋼板をシールライン（アース電
位）から絶縁することなくアース（接地）した状態で、
イオンプレーティングができる、優れた効果を有する。
【図１】本発明による連続イオンプレーティング装置の
第１実施形態を示す構成図である。
第１実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明による連続イオンプレーティング装置の
第２実施形態を示す構成図である。
第２実施形態を示す構成図である。
【図３】切板（シート材）の鋼板１にイオンプレーティ
ングする従来のイオンプレーティング装置の構成図であ
る。
ングする従来のイオンプレーティング装置の構成図であ
る。
【図４】鋼板に連続的にイオンプレーティングする連続
イオンプレーティング装置の模式図である。
イオンプレーティング装置の模式図である。
１ 被処理材（鋼板） ２ 電子ビーム ３ 電子銃 ３ａ 電子銃電源 ３ｂ 電子発生器 ４ 材料 ５ ルツボ ６ 成膜室 ７ プラズマ発生器 ７ａ ＲＦコイル ９ 真空シール装置 １０ 連続イオンプレーティング装置 １３ 蒸発装置 １５ ルツボ １６ 真空成膜室 １７ イオン化装置 １７ａ ＲＦコイル １７ｂ プラズマ発生装置 １８ バイアス電源 ２０ バイアス壁 ２２ バイアス電極 ２３ 電流計
Claims (4)
- 【請求項１】 連続的に走行する被処理材に材料を蒸着
するための真空成膜室と、該成膜室内に設置され材料を
収納するルツボと、ルツボ内の材料を蒸発させる蒸発装
置と、蒸発した材料をイオン化させるイオン化装置と、
を備えた連続イオンプレーティング装置において、 被処理材をアース電位としルツボを＋電位に印加するバ
イアス電源を備え、これにより、ルツボから被処理材に
向かう電界を形成する、ことを特徴とする連続イオンプ
レーティング装置。 - 【請求項２】 連続的に走行する被処理材に材料を蒸着
するための真空成膜室と、該成膜室内に設置され材料を
収納するルツボと、ルツボ内の材料を蒸発させる蒸発装
置と、蒸発した材料をイオン化させるイオン化装置と、
を備えた連続イオンプレーティング装置において、 被処理材に対向してルツボ近傍に設けられたバイアス電
極と、被処理材をアース電位としバイアス電極を＋電位
に印加するバイアス電源を備え、これにより、ルツボか
ら被処理材に向かう電界を形成する、ことを特徴とする
連続イオンプレーティング装置。 - 【請求項３】 成膜室内に成膜室から絶縁され、かつル
ツボを囲むバイアス壁を備え、該バイアス壁は、前記バ
イアス電源により＋電位に印加される、ことを特徴とす
る請求項１又は２に記載の連続イオンプレーティング装
置。 - 【請求項４】 前記蒸発装置は、ルツボ内の材料に荷電
粒子を照射する荷電粒子照射装置である、ことを特徴と
する請求項１又は２に記載の連続イオンプレーティング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29956995A JP3788632B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 連続イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29956995A JP3788632B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 連続イオンプレーティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143698A true JPH09143698A (ja) | 1997-06-03 |
| JP3788632B2 JP3788632B2 (ja) | 2006-06-21 |
Family
ID=17874332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29956995A Expired - Fee Related JP3788632B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 連続イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3788632B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2482303A3 (en) * | 2011-01-28 | 2013-08-21 | United Technologies Corporation | Deposition apparatus and methods |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP29956995A patent/JP3788632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2482303A3 (en) * | 2011-01-28 | 2013-08-21 | United Technologies Corporation | Deposition apparatus and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3788632B2 (ja) | 2006-06-21 |
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