JPH09148330A - 半導体素子のバンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子を過度に熱することなくバンプを
形成することを可能とし、半導体素子の信頼性を高め
る。 【解決手段】 半導体素子３０に形成した電極パッド３
８の配置と対応する位置にバンプ形成材１６を配置した
バンプ供給基板２０電極パッドにバンプ形成材１６を転
写してバンプを形成する。バンプ供給基板２０としてバ
ンプ形成材１６の溶融体との濡れ性が、該溶融体の前記
電極パッドに対する濡れ性よりも低い金属層１２を設け
たものを使用し、前記金属層１２の表面にバンプ形成材
１６を加熱して前記バンプ形成材の溶融体を形成し、バ
ンプ形成材１６の溶融体と半導体素子３０の電極パッド
３８とを位置合わせし、溶融体を電極パッドに接触させ
ることにより、バンプ供給基板２０から半導体素子３０
の電極パッドに溶融体を転写して半導体素子３０にバン
プを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフリップチップ実装
用の半導体素子の電極にバンプを形成する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】フリップチップ実装用の半導体素子の電
極と実装基板の配線パターンとを電気的に接続し、半導
体素子を基板に搭載するためのバンプを形成する方法の
ひとつとして、転写法により半導体素子の電極にバンプ
を形成する方法がある( 特開平4-14834 号、特開平6-84
920 号) 。この転写法は、支持体にはんだ等のバンプ形
成材を半導体素子の電極の配置に合わせて散点的に形成
しておき、支持体のバンプ形成材と半導体素子の電極と
を位置合わせして突き合わせ、ホットプレート上で半導
体素子を加熱して前記支持体上のバンプ形成材を半導体
素子の電極に転写するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の転写
法によって半導体素子にバンプを形成する方法は、バン
プ形成材を半導体素子の電極に突き合わせた状態でバン
プ形成材が溶融する温度まで半導体素子を加熱して半導
体素子にバンプを転写するから、半導体素子が熱せられ
その電気的特性等に悪影響を与えるという問題があっ
た。また、従来の転写法では支持体にバンプ形成材を形
成する際に蒸着法によっているため成層速度が遅くバン
プ形成材を所定厚に形成するまでに時間がかかるという
問題があった。

【０００４】また、半導体素子をフリップチップ実装す
る際の問題として、半導体素子と実装基板との接合部が
熱疲労によって破壊しやすいという問題がある。これは
半導体素子の基材であるシリコンと実装基板あるいはパ
ッケージ材との間の熱膨張係数差に起因するものであ
る。この問題を解決する方法としては材質的に改善する
方法の他にバンプの高さを高くして接合部に生じる応力
を緩和する方法がある。

【０００５】本発明はこのような半導体素子にバンプを
形成する場合における問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、半導体素子を過熱さ
せることなく確実に半導体素子にバンプを形成すること
ができ、半導体素子の信頼性を高めることを可能にし、
かつバンプの高さを高くすることができて実装した際の
接合部の応力を緩和することができる導体素子のバンプ
形成方法を提供しようとするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体素子に形
成した電極パッドの配置と対応する位置にバンプ形成材
を配置したバンプ供給基板から前記半導体素子の電極パ
ッドに前記バンプ形成材を転写して前記半導体素子にバ
ンプを形成する半導体素子のバンプ形成方法において、
前記バンプ形成材の溶融体との濡れ性が、該溶融体の前
記電極パッドに対する濡れ性よりも低い金属層を、前記
バンプ形成材を配置する部位に設けたバンプ供給基板を
使用し、該バンプ供給基板に設けた前記金属層の表面に
バンプ形成材を加熱して前記バンプ形成材の溶融体を形
成した後、該溶融体と前記半導体素子の電極パッドとを
位置合わせし、前記溶融体を前記半導体素子の電極パッ
ドに接触させることにより、前記バンプ供給基板から前
記半導体素子の電極パッドに前記溶融体を転写して半導
体素子にバンプを形成することを特徴とする。また、バ
ンプ供給基板に設けた金属層がバンプ供給基板と同じ金
属材により一体に形成されているもの、前記金属材がス
テンレスあるいはアルミニウムであるものが有効であ
る。また、バンプ供給基板の基材にセラミックを用い、
該基材の表面に、前記溶融体との濡れ性が前記半導体素
子の電極パッドに対する濡れ性よりも低い金属層を設け
たことを特徴とする。前記金属層はクロムあるいはアル
ミニウムが好適であり、前記セラミックはアルミナ、ム
ライト、コーディエライト、窒化アルミニウム、窒化ケ
イ素、炭化ケイ素、シリカのうちのいずれか、あるいは
これらのセラミックの一種以上と１０００℃以下の軟化
点を有するガラスとの複合セラミックが好適に使用でき
る。また、バンプ供給基板上に前記バンプ形成材の溶融
体を形成し、該溶融体中に金属からなるコア材を挿填し
た後、溶融体にコア材が挿填された状態で、前記バンプ
供給基板から前記半導体素子の電極パッドに前記溶融体
を転写することを特徴とする。また、前記コア材は銅ま
たはニッケルが有効である。また、バンプ供給基板から
半導体素子の電極パッドに溶融体を転写してバンプを形
成した後、該バンプ上にさらにバンプ形成材の溶融体を
転写することにより前記電極パッド上にバンプを多段に
形成することを特徴とする。また、前記バンプ形成材を
電解めっきによりバンプ供給基板に設けた金属層の表面
に形成することを特徴とする。また、前記バンプ形成材
がはんだであることを特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて説明する。本発明に係る半導体素子のバンプ形成
方法は半導体素子に形成されている電極と同一の平面配
置ではんだ等の低融点金属からなるバンプ形成材を設け
たバンプ供給基板を使用し、バンプ供給基板上でバンプ
形成材を溶融してバンプ形成材の溶融体を形成した後、
半導体素子の電極パッドに前記溶融体を接触させること
によりバンプ供給基板から半導体素子に溶融体を転写さ
せて半導体素子にバンプを形成するものである。

【０００８】バンプ供給基板でバンプ形成材を溶融した
後、半導体素子の電極パッドにバンプ形成材の溶融体を
確実に転写させるようにするためには、バンプ供給基板
でバンプ形成材を配置する部位に設ける金属層をバンプ
形成材の溶融体と濡れないもの、あるいはバンプ形成材
の溶融体との濡れ性が該溶融体の半導体素子の電極パッ
ドに対する濡れ性よりも低いものとする必要がある。

【０００９】バンプ供給基板から半導体素子の電極パッ
ドにバンプ形成材を転写させる際にはあらかじめバンプ
供給基板上でバンプ形成材を溶融するから、バンプ供給
基板はバンプ形成材を溶融する温度に耐える耐熱性が必
要であり、また、微細なパターンで配置されている半導
体素子の電極パッドの配置に合わせて精度よくバンプ形
成材を形成できるものでなければならない。これらを満
足するバンプ供給基板の基材としては金属材あるいはセ
ラミックが使用できる。

【００１０】バンプ供給基板の基材として金属材を使用
する場合は、基材自体が電解めっき用の給電媒体になり
得ることから、電解めっき法によってバンプ供給基板上
に容易にバンプ形成材を形成することができ、バンプ形
成材の金属量のコントロールが容易であるといった利点
がある。また、基材にセラミックを使用する場合に比べ
て材料コストがかからないという利点もある。

【００１１】バンプ供給基板の基材として金属を使用す
る場合は、基材はバンプ形成材の溶融体と濡れにくく、
電解めっきにより基材上にバンプ形成材を形成するため
電解めっき工程での強い酸性の環境に耐えられるもので
なければならない。このような条件に適合する基材とし
てはたとえばステンレス、アルミニウムがある。図１は
金属の基材１０を用いた例で、１２は金属の基材上に形
成したパッド、１４はレジスト層である。図では一つの
パッド１２を示すが、パッド１２は半導体素子に形成し
た各々の電極パッドの配置と対応して設けられる。レジ
スト層１４は基材１０を被覆するもので、パッド１２を
配置した位置で円形の開口孔１４ａが開口してパッド１
２を露出させている。

【００１２】前記パッド１２にははんだ等のバンプ形成
材の溶融体との濡れ性が低い金属を使用するが、これら
金属としてはクロム、アルミニウム等が使用できる。基
材１０上にパッド１２を形成するには、通常のフォトリ
ソグラフィー工程によればよい。すなわち、基材１０の
表面にスパッタリング法、蒸着法等でパッド１２を形成
するための金属皮膜を形成し、この金属皮膜の表面に感
光性レジストを塗布し、前記電極パッドの配置にしたが
って感光性レジストを露光、現像してレジストパターン
を形成し、このレジストパターンをマスクとしてパッド
１２部分のみを残すように金属皮膜をエッチングするこ
とによって所定パターンでパッド１２を形成することが
できる。パッド１２を形成した後、レジスト層１４を基
材１０の表面にコーティングして形成し、パッド１２部
分のレジスト層１４をエッチングしてパッド１２の上面
を露出させる開口孔１４ａを形成する。

【００１３】バンプ供給基板にバンプ形成材を形成する
には、電解めっきにより基板にはんだ等のバンプ形成材
を形成する。電解めっきを施すことにより、パッド１２
上にバンプ形成材を盛り上げて形成することができる。
図２は基板に電解めっきを施してパッド１２上にバンプ
形成材１６を形成した状態を示す。電解めっきによって
基板のすべてのパッド１２に容易にバンプ形成材１６を
形成することができる。

【００１４】バンプ供給基板２０の基材１０に金属を使
用する場合、バンプ形成材１６の溶融体の基材１０に対
する濡れ性が低い場合は基材１０とは別に金属層を設け
る必要はない。図３はバンプ形成材１６の基材１８とし
てバンプ形成材１６の溶融体の濡れ性が低い金属を使用
した場合である。この場合のバンプ供給基板２０の金属
層はバンプ供給基板２０の基材１８そのものである。本
実施形態のバンプ供給基板２０では基材１８の表面にレ
ジスト層１４をコーティングして形成し、バンプ形成材
１６を形成する部位のレジスト層１４をエッチングして
開口孔１４ａを形成する。そして、基材１８を給電媒体
としてバンプ形成材１６の電解めっきを施すことによ
り、バンプ供給基板２０上にバンプ形成材１６を盛り上
げて形成することができる。

【００１５】一方、バンプ供給基板の基材にセラミック
を使用する場合はステンレス等の金属をバンプ供給基板
の基材とする場合に比べて材料コストがかかり、バンプ
形成材１６を形成するための電解めっきを施すため別に
給電用導体層を設けなければならないといった不利があ
るが、基材がセラミックであることから電解めっき工程
での耐薬品性に優れること、金属とくらべて熱膨張係数
が小さく半導体素子の熱膨張係数とマッチングさせるこ
とができ半導体素子の電極パッドの配置に合わせて精度
よくバンプ形成材１６の溶融体を転写できるという利点
がある。

【００１６】前記基材に用いるセラミックとしては、ア
ルミナ、ムライト、コーディエライト、窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、シリカのうちのいずれ
か、あるいはこれらのセラミックの一種以上と１０００
℃以下の軟化点を有するガラスとの複合セラミックが使
用できる。これらのセラミックを用いることにより半導
体素子の材料であるシリコンと同等程度から７×１０^-6
／℃程度の熱膨張係数を有する基材を得ることができ
る。

【００１７】図４はセラミックを基材とした基板を形成
した例を示す。２２がセラミックの基材、２４が金属
層、２６がレジスト層である。金属層２４はバンプ形成
材の溶融体との濡れ性が低い金属をスパッタリング、蒸
着といった薄膜法によって形成したものである。金属層
２４の金属としてはクロム、アルミニウム、ステンレス
等が使用できる。金属層２４を形成した後、金属層２４
の表面をレジスト層２６で被覆し、レジスト層２６に半
導体素子の電極の配置に合わせて開口孔２６ａを設け
る。

【００１８】レジスト層２６に開口孔２６ａを設けた状
態ではんだ等のバンプ形成材１６を電解めっきすること
により、開口孔２６ａの金属層２４上にバンプ形成材１
６を盛り上げて形成する。こうして、セラミックを基材
としたバンプ供給基板２０が得られる。

【００１９】なお、上記各実施形態では基材１０、１８
および金属層２４の保護層としてレジスト層１４、２６
を設けたが、このレジスト層１４、２６の材質としては
有機物、無機物のいずれも使用できる。有機物としては
耐熱性、耐薬品性の点からポリイミドが好適である。無
機物としては、コストの点からガラスが好適である。ま
た、図１、２に示す実施形態では基材１０上に金属層を
設け、この金属層をエッチングしてその表面にパッド１
２を設け、さらにレジスト層１４を設けて開口孔１４ａ
を形成したが、図１、２に示す実施形態の場合でも図４
に示す場合と同様に、基材１０上に金属層を設けた後、
金属層をエッチングすることなく金属層の表面にレジス
ト層を設け、レジスト層１４をエッチングして開口孔１
４ａを形成するようにしてもよい。

【００２０】以上のようにして形成したバンプ供給基板
２０をリフローし、基板上のバンプ形成材１６を溶融す
ることにより半導体素子の電極パッドにバンプ形成材１
６が転写できる状態になる。バンプ形成材１６の溶融体
と金属層との濡れ性がきわめて小さい場合にはバンプ形
成材１６の溶融体はほぼ球状になる。このように溶融体
との濡れ性がきわめて小さい金属層を使用すると半導体
素子の電極パッドへバンプ形成材１６の溶融体が容易に
転写できて好適である。

【００２１】図５はバンプ供給基板２０上に配置したバ
ンプ形成材１６を溶融した状態と、このバンプ形成材１
６の溶融体を転写する半導体素子３０の構成を示す。３
４はパッシベーション膜、３６は表面電極、３８は電極
パッドである。バンプ供給基板２０上でバンプ形成材１
６を溶融した状態で半導体素子３０の電極パッド３８に
バンプ形成材１６を接触させると、バンプ形成材１６の
溶融体の電極パッド３８に対する濡れ性とバンプ供給基
板２０のパッド１２に対する濡れ性の差からバンプ形成
材１６の溶融体が電極パッド３８に転写され、図６に示
すように半導体素子３０にバンプ４０が形成される。

【００２２】このように、バンプ供給基板２０から半導
体素子３０の電極パッド３８にバンプ形成材１６の溶融
体が容易に転写されるようにするため、半導体素子３０
に形成する電極パッド３８はバンプ形成材１６の溶融体
が容易に濡れるものである必要がある。バンプ形成材１
６の溶融体との濡れ性を良好にする電極パッド３８の構
成としてはクロム、銅、金をこの順に層形成したものが
好適である。

【００２３】本発明に係る半導体素子のバンプ形成方法
はバンプ供給基板２０に半導体素子３０の電極パッド３
８の配置に合わせてバンプ形成材１６を形成しておき、
バンプ供給基板２０上でバンプ形成材１６を溶融し、バ
ンプ形成材１６の溶融体を半導体素子３０の電極パッド
３８に接触させて電極パッド３８に転写することにより
バンプ４０を形成するものである。図７はこうして半導
体素子３０にバンプ４０を形成した状態であるが、バン
プ供給基板２０からバンプ形成材１６の溶融体を半導体
素子３０に転写する方法を繰り返すことによって、バン
プ４０の上にさらにバンプ形成材１６を接合して半導体
素子３０のバンプ４０を多段に形成することができる。

【００２４】図８は半導体素子３０のバンプ４０にバン
プ形成材１６の溶融体を接合してバンプ４０を２段に形
成した例、図９は図８の状態からさらにバンプ形成材１
６の溶融体を接合してバンプ４０を３段に形成した例を
示す。バンプ供給基板２０には半導体素子３０の電極パ
ッド３８の配置に合わせてバンプ形成材１６を配置して
いるから、バンプ供給基板２０のバンプ形成材１６と電
極パッド３８とを位置合わせしてバンプ形成材１６の溶
融体を繰り返し転写することによって、半導体素子３０
のすべてのバンプ４０を多段に形成することができる。

【００２５】バンプ供給基板２０から半導体素子３０に
バンプ形成材１６の溶融体を転写した後は、バンプ供給
基板２０に対し電解めっきによりバンプ形成材１６を再
形成することができる。このようにすることにより、バ
ンプ供給基板２０を繰り返して使用することが可能であ
る。本発明に係る半導体素子のバンプ形成方法では、バ
ンプ供給基板２０でいったん溶融したバンプ形成材１６
を多段に積み上げて接合することにより、バンプ４０の
高さを高くすることが比較的容易である。バンプ４０の
全体高を高くすることにより、半導体素子を基板に実装
した際に接合部で生じる応力を効果的に緩和することが
可能になる。

【００２６】図１０は多段に形成したバンプ４０を有す
る半導体素子３０を実装基板４２に実装した状態を示
す。４４が配線パターン、４６が接合用導体である。半
導体素子３０を実装基板４２に接合する場合はバンプ４
０を一部溶融して接合することも可能であるが、バンプ
４０よりも低融点のはんだや導電性接着剤といった接合
用導体４６を用いる方が、バンプ４０の高さがそのまま
生かすことができ、実装基板４２と半導体素子３０の接
合部での応力を好適に緩和することができる点で有効で
ある。

【００２７】図１１はバンプ形成方法のさらに他の実施
形態を示す。この実施形態はバンプ４０の内部に金属の
コア材５０を挿填したことを特徴とする。コア材５０に
は銅、ニッケル等が使用できるが、はんだとの濡れ性や
電気的特性を考慮すると銅の方がより好適である。コア
材５０はバンプ供給基板２０にバンプ形成材１６を形成
した後、バンプ形成材１６を加熱して溶融した状態で溶
融体内に落とし込むようにして挿填することができる。

【００２８】図１１はバンプ形成材１６内にコア材５０
を挿填した後、図９に示す実施形態と同様に溶融したバ
ンプ形成材１６の溶融体を半導体素子３０の電極パッド
３８、バンプに順次転写して、コア材５０を挿填したバ
ンプ４０を３段に構成したものである。コア材５０を挿
填したバンプ４０は１段でももちろん有効であるが、バ
ンプ４０を複数段で形成した場合にはバンプ４０部分で
の電気抵抗や熱放散性が問題になるから、コア材５０を
設けるととくに有効になる。

【００２９】

【実施例】

（実施例１）鏡面研磨された６インチ径、厚さ１．２ｍ
ｍのムライトセラミック基板をバンプ供給基板２０の基
材２２とし、このムライトセラミック基板にマグネトロ
ンスパッタリング法により、チタニウム、銅、クロムの
順で金属層２４を形成した後、レジスト層２４としてス
ピンコータで感光性ポリイミド膜を形成し、開口径０．
１２７ｍｍの開口孔２６ａをピッチ０．２１２ｍｍスタ
ッカー配列で現像した。次いで、金属層２４に金めっき
を施し、Ｓｎ／Ｐｂ＝１／９組成の電解はんだめっきを
施してバンプ供給基板２０上にバンプ形成材１６を形成
した。

【００３０】得られたバンプ供給用基板２０を半導体素
子とは別に窒素ガスフローボックス中で３８０℃処理
し、球状のはんだの溶融体を形成した後、この状態でア
ライナーを用いて半導体チップの電極パッドをはんだの
溶融体に接触させ、はんだの溶融体を半導体チップの電
極パッドに転写した。次いで、前記バンプ供給基板２０
に再度、電解はんだめっきを施し、上記方法と同様にし
て前記半導体チップに転写されているはんだにはんだの
溶融体を転写する工程を繰り返して３段構造のバンプを
有する半導体素子を得た。 （実施例２）約３８ｍｍ角、厚さ約１ｍｍのＳＵＳ３０
４基板を基材１０とし、マグネトロンスパッタリング法
で基材１０の表面にクロム層を形成した後、レジスト層
１４として開口径０．１４ｍｍ、最短部ピッチ０．３ｍ
ｍのパッドを有するポリイミド膜を形成し、Ｓｎ／Ｐｂ
＝１／９組成の電解はんだめっきを施し、バンプ供給基
板２０にバンプ形成材１６を形成した。

【００３１】実施例１と同様にバンプ供給基板２０のみ
を加熱し、バンプ供給基板２０上ではんだの溶融体を形
成し、約１０ｍｍ角の半導体素子の電極パッドとはんだ
の溶融体とを位置合わせして、電極パッドにはんだの溶
融体を接触させ、半導体素子の電極パッドにバンプを転
写した。このバンプを形成した半導体素子を、実装基板
の配線パターンに位置合わせし、ピーク温度約２２０℃
でリフローして半導体素子をフリップチップ実装した。

【００３２】

【発明の効果】本発明に係る半導体素子のバンプ形成方
法では、上述したように、バンプ供給基板にバンプ形成
材を形成し、バンプ供給基板のみを加熱してバンプ供給
基板上であらかじめバンプ形成材を溶融してから半導体
素子の電極パッドにバンプ形成材の溶融体を転写してバ
ンプを形成するから、半導体素子を過度に加熱すること
なく半導体素子にバンプを形成することができる。これ
により、バンプを形成する際の熱により半導体素子が損
傷を受けることを防止し、半導体素子の信頼性を向上さ
せることが可能になる。また、本発明方法によってバン
プ形成材の溶融体を半導体素子の電極パッドに転写する
操作は容易であり、これによって半導体素子に容易にバ
ンプを形成することができる。また、半導体素子の電極
パッド上に複数段のバンプを形成することも容易であ
り、半導体素子を実装した際の接合部における応力を好
適に緩和することができる等の著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】バンプ供給基板に用いる基板の断面図である。

【図２】パッドにバンプ形成材を形成した状態のバンプ
供給基板の断面図である。

【図３】バンプ供給基板の他の例を示す断面図である。

【図４】バンプ供給基板のさらに他の例を示す断面図で
ある。

【図５】バンプ供給基板上でバンプ形成材を溶融した状
態の断面図である。

【図６】バンプ供給基板から半導体素子の電極パッドに
バンプ形成材の溶融体を転写した状態の断面図である。

【図７】半導体素子の電極パッドにバンプを形成した状
態の断面図である。

【図８】バンプを２段に形成した半導体素子の断面図で
ある。

【図９】バンプを３段に形成した半導体素子の断面図で
ある。

【図１０】バンプを３段に形成した半導体素子を基板に
実装した状態を示す断面図である。

【図１１】コア材を挿填した３段構成のバンプを示す断
面図である。

【符号の説明】

１０ 基材 １２ パッド １４ レジスト層 １４ａ 開口孔 １６ バンプ形成材 １８ 基材 ２０ バンプ供給基板 ２２ 基材 ２４ 金属層 ２６ レジスト層 ２６ａ 開口孔 ３０ 半導体素子 ３４ パッシベーション膜 ３６ 表面電極 ３８ 電極パッド ４０ バンプ ４２ 実装基板 ４４ 配線パターン ４６ 接合用導体 ５０ コア材

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子に形成した電極パッドの配置
   と対応する位置にバンプ形成材を配置したバンプ供給基
   板から前記半導体素子の電極パッドに前記バンプ形成材
   を転写して前記半導体素子にバンプを形成する半導体素
   子のバンプ形成方法において、 前記バンプ形成材の溶融体との濡れ性が、該溶融体の前
   記電極パッドに対する濡れ性よりも低い金属層を、前記
   バンプ形成材を配置する部位に設けたバンプ供給基板を
   使用し、 該バンプ供給基板に設けた前記金属層の表面にバンプ形
   成材を加熱して前記バンプ形成材の溶融体を形成した
   後、 該溶融体と前記半導体素子の電極パッドとを位置合わせ
   し、前記溶融体を前記半導体素子の電極パッドに接触さ
   せることにより、前記バンプ供給基板から前記半導体素
   子の電極パッドに前記溶融体を転写して半導体素子にバ
   ンプを形成することを特徴とする半導体素子のバンプ形
   成方法。
2. 【請求項２】 バンプ供給基板に設けた金属層がバンプ
   供給基板と同じ金属材により一体に形成されていること
   を特徴とする請求項１記載の半導体素子のバンプ形成方
   法。
3. 【請求項３】 金属材がステンレスあるいはアルミニウ
   ムであることを特徴とする請求項２記載の半導体素子の
   バンプ形成方法。
4. 【請求項４】 バンプ供給基板の基材にセラミックを用
   い、該基材の表面に、前記溶融体との濡れ性が前記半導
   体素子の電極パッドに対する濡れ性よりも低い金属層を
   設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体素子のバ
   ンプ形成方法。
5. 【請求項５】 金属層がクロムあるいはアルミニウムで
   あることを特徴とする請求項４記載の半導体素子のバン
   プ形成方法。
6. 【請求項６】 セラミックがアルミナ、ムライト、コー
   ディエライト、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケ
   イ素、シリカのうちのいずれか、あるいはこれらのセラ
   ミックの一種以上と１０００℃以下の軟化点を有するガ
   ラスとの複合セラミックを使用することを特徴とする請
   求項４または５記載の半導体素子のバンプ形成方法。
7. 【請求項７】 バンプ供給基板上に前記バンプ形成材の
   溶融体を形成し、該溶融体中に金属からなるコア材を挿
   填した後、 溶融体にコア材が挿填された状態で、前記バンプ供給基
   板から前記半導体素子の電極パッドに前記溶融体を転写
   することを特徴とする請求項１、２、３、４、５または
   ６記載の半導体素子のバンプ形成方法。
8. 【請求項８】 コア材が銅またはニッケルであることを
   特徴とする請求項７記載の半導体素子のバンプ形成方
   法。
9. 【請求項９】 バンプ供給基板から半導体素子の電極パ
   ッドに溶融体を転写してバンプを形成した後、 該バンプ上にさらにバンプ形成材の溶融体を転写するこ
   とにより前記電極パッド上にバンプを多段に形成するこ
   とを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７また
   は８記載の半導体素子のバンプ形成方法。
10. 【請求項１０】 バンプ形成材を電解めっきによりバン
    プ供給基板に設けた金属層の表面に形成することを特徴
    とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８または９
    記載の半導体素子のバンプ形成方法。
11. 【請求項１１】 バンプ形成材がはんだであることを特
    徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９ま
    たは１０記載の半導体素子のバンプ形成方法。