JPH09148492A - 電子部品パッケージ装置 - Google Patents
電子部品パッケージ装置Info
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- JPH09148492A JPH09148492A JP7299917A JP29991795A JPH09148492A JP H09148492 A JPH09148492 A JP H09148492A JP 7299917 A JP7299917 A JP 7299917A JP 29991795 A JP29991795 A JP 29991795A JP H09148492 A JPH09148492 A JP H09148492A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ダイボンドされるチップの位置ずれが生じるこ
とがなく、チップと外部リードフレームとのワイヤボン
ディングおよびチップ間のワイヤボンディングをさほど
段差なく行うことができ、高周波特性と熱放散を改善す
る。 【解決手段】内部リードフレーム１に浅い窪地１ａと深
い窪地１ｂを設け、この浅い窪地１ａには低背チップ２
ａを、深い窪地１ｂに高背チップ２ｂをそれぞれ載置し
てダイボンドし、外部リードフレーム３、４と低背チッ
プ２ａ、高背チップ２ｂとの間、および低背チップ２ａ
と高背チップ２ｂとの間を、ワイヤボンディングして、
これらを樹脂６によりモールドしてなる電子部品パッケ
ージ装置。
とがなく、チップと外部リードフレームとのワイヤボン
ディングおよびチップ間のワイヤボンディングをさほど
段差なく行うことができ、高周波特性と熱放散を改善す
る。 【解決手段】内部リードフレーム１に浅い窪地１ａと深
い窪地１ｂを設け、この浅い窪地１ａには低背チップ２
ａを、深い窪地１ｂに高背チップ２ｂをそれぞれ載置し
てダイボンドし、外部リードフレーム３、４と低背チッ
プ２ａ、高背チップ２ｂとの間、および低背チップ２ａ
と高背チップ２ｂとの間を、ワイヤボンディングして、
これらを樹脂６によりモールドしてなる電子部品パッケ
ージ装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品のチップ
を内部リードフレームに載置して樹脂モールドした電子
部品パッケージ装置に関する。
を内部リードフレームに載置して樹脂モールドした電子
部品パッケージ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子部品パッケージ装置の断面構
造を図２に示す。１１は偏平状の内部リードフレーム
で、この内部リードフレーム１１上には、低背チップ１
２と高背チップ１３がダイボンドされている。１４、１
５は外部リードフレームである。低背チップ１２は外部
リードフレーム１４とワイヤ１６ａにより接続され、高
背チップ１３は外部リードフレーム１５とワイヤ１６ｂ
により接続され、低背チップ１２と高背チップ１３とは
ワイヤ１６ｃにより接続されている。そして、これらの
構造部材は、外部リードフレーム１４、１５の外部リー
ド端子を除いて樹脂１７によりモールドされている。
造を図２に示す。１１は偏平状の内部リードフレーム
で、この内部リードフレーム１１上には、低背チップ１
２と高背チップ１３がダイボンドされている。１４、１
５は外部リードフレームである。低背チップ１２は外部
リードフレーム１４とワイヤ１６ａにより接続され、高
背チップ１３は外部リードフレーム１５とワイヤ１６ｂ
により接続され、低背チップ１２と高背チップ１３とは
ワイヤ１６ｃにより接続されている。そして、これらの
構造部材は、外部リードフレーム１４、１５の外部リー
ド端子を除いて樹脂１７によりモールドされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電子部品パッケージ装置は、低背チップ１２と高背チッ
プ１３を内部リードフレーム１１にダイボンドする際、
チップ１２、１３が位置ずれを生ずることがあった。ま
た、低背チップ１２と外部リードフレーム１４を接続す
るワイヤ１６ａ、高背チップ１３と外部リードフレーム
１５を接続するワイヤ１６ｂ、低背チップ１２と高背チ
ップ１３間を接続するワイヤ１６ｃに、それぞれ段差が
生じて、ワイヤボンディングが困難な場合もあり、ま
た、接続ワイヤ１６ａ、１６ｂおよび１６ｃの長さが長
くなって、高周波特性が悪化していた。また、モールド
した低背チップ１２、高背チップ１３の発熱量が大きい
場合、内部リードフレーム１１の金属厚みを大きくして
放熱量を大きくする必要があった。 そこで、本発明
は、ダイボンドされるチップの位置ずれが生じることが
なく、チップと外部リードフレームとのワイヤボンディ
ングおよびチップ間のワイヤボンディングをさほど段差
なく行うことができ、かつ、高周波特性を改善し、そし
て熱放散を改善した電子部品パッケージ装置を提供する
ことを目的とする。
電子部品パッケージ装置は、低背チップ１２と高背チッ
プ１３を内部リードフレーム１１にダイボンドする際、
チップ１２、１３が位置ずれを生ずることがあった。ま
た、低背チップ１２と外部リードフレーム１４を接続す
るワイヤ１６ａ、高背チップ１３と外部リードフレーム
１５を接続するワイヤ１６ｂ、低背チップ１２と高背チ
ップ１３間を接続するワイヤ１６ｃに、それぞれ段差が
生じて、ワイヤボンディングが困難な場合もあり、ま
た、接続ワイヤ１６ａ、１６ｂおよび１６ｃの長さが長
くなって、高周波特性が悪化していた。また、モールド
した低背チップ１２、高背チップ１３の発熱量が大きい
場合、内部リードフレーム１１の金属厚みを大きくして
放熱量を大きくする必要があった。 そこで、本発明
は、ダイボンドされるチップの位置ずれが生じることが
なく、チップと外部リードフレームとのワイヤボンディ
ングおよびチップ間のワイヤボンディングをさほど段差
なく行うことができ、かつ、高周波特性を改善し、そし
て熱放散を改善した電子部品パッケージ装置を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、下記手段を採ることを特徴とする。 １．内部リードフレームにチップを載せて電気的に接続
し、該チップと外部リードフレームとをワイヤボンディ
ングして、樹脂モールドしてなる電子部品パッケージ装
置において、前記内部リードフレームに前記チップの載
置される一個もしくは複数個の窪地が形成されてなる電
子部品パッケージ装置。
成するために、下記手段を採ることを特徴とする。 １．内部リードフレームにチップを載せて電気的に接続
し、該チップと外部リードフレームとをワイヤボンディ
ングして、樹脂モールドしてなる電子部品パッケージ装
置において、前記内部リードフレームに前記チップの載
置される一個もしくは複数個の窪地が形成されてなる電
子部品パッケージ装置。
【０００５】２．前記複数個の窪地の深さが同一もしく
は相違してなる請求項１記載の電子部品パッケージ装
置。
は相違してなる請求項１記載の電子部品パッケージ装
置。
【０００６】３．前記内部リードフレームに形成された
前記窪地の裏面金属が、前記樹脂モールドの外部に露出
してなる上記１または上記２記載の電子部品パッケージ
装置。
前記窪地の裏面金属が、前記樹脂モールドの外部に露出
してなる上記１または上記２記載の電子部品パッケージ
装置。
【０００７】以上のように、本発明は、内部リードフレ
ームに窪地を設けて、この窪地にチップを載置するの
で、チップの位置ずれがなく、また、複数個の高さの異
なるチップの場合には、高さに合わせて窪地の深さを調
整して、前記複数個のチップの高さをほぼ一定にできる
ので、ボンディングワイヤの長さも一定になり、かつ、
チップと外部リードフレーム間およびチップ同士間のワ
イヤボンディングをさほど段差なく行うことができ、ボ
ンディングワイヤも短くなるので高周波特性が向上す
る。また、発熱量の大きいチップの内部リードフレーム
の裏面金属をモールド樹脂の外部に露出させることによ
り、放熱量を大きくすることができると共に、該内部リ
ードフレームの露出した裏面金属をセット基板のグラン
ド電極にそのまま半田付けすることにより、グランドの
強化も図ることができる。
ームに窪地を設けて、この窪地にチップを載置するの
で、チップの位置ずれがなく、また、複数個の高さの異
なるチップの場合には、高さに合わせて窪地の深さを調
整して、前記複数個のチップの高さをほぼ一定にできる
ので、ボンディングワイヤの長さも一定になり、かつ、
チップと外部リードフレーム間およびチップ同士間のワ
イヤボンディングをさほど段差なく行うことができ、ボ
ンディングワイヤも短くなるので高周波特性が向上す
る。また、発熱量の大きいチップの内部リードフレーム
の裏面金属をモールド樹脂の外部に露出させることによ
り、放熱量を大きくすることができると共に、該内部リ
ードフレームの露出した裏面金属をセット基板のグラン
ド電極にそのまま半田付けすることにより、グランドの
強化も図ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の電子部品パッケ
ージ装置の実施例について図１を参照して説明する。同
図は本実施例に係る電子部品パッケージ装置の断面によ
る概略の形態を示すものである。１は内部リードフレー
ムで、コバール材などの金属よりなり、厚みが２００μ
ｍである。この内部リードフレーム１には、１００μｍ
の浅い窪地１ａと５００μｍの深い窪地１ｂがプレスな
どにより形成されている。前記浅い窪地１ａには、高さ
３００μｍのＩＣの低背チップ２ａがダイボンディング
され、前記深い窪地１ｂには、高さ７００μｍのＩＣの
高背チップ２ｂがダイボンディングされている。
ージ装置の実施例について図１を参照して説明する。同
図は本実施例に係る電子部品パッケージ装置の断面によ
る概略の形態を示すものである。１は内部リードフレー
ムで、コバール材などの金属よりなり、厚みが２００μ
ｍである。この内部リードフレーム１には、１００μｍ
の浅い窪地１ａと５００μｍの深い窪地１ｂがプレスな
どにより形成されている。前記浅い窪地１ａには、高さ
３００μｍのＩＣの低背チップ２ａがダイボンディング
され、前記深い窪地１ｂには、高さ７００μｍのＩＣの
高背チップ２ｂがダイボンディングされている。
【０００９】３、４はそれぞれ外部リードフレームであ
る。外部リードフレーム３は、低背チップ２ａとワイヤ
５ａによりボンディングされている。また、外部リード
フレーム４は、高背チップ２ｂとワイヤ５ｂによりボン
ディングされている。さらに、低背チップ２ａと高背チ
ップ２ｂは、ワイヤ５ｃによりボンディングされてい
る。低背チップ２ａ、高背チップ２ｂなどの前記部材
は、外部リードフレーム３、４の外部リード端子３ａ、
４ａと内部リードフレーム１に設けた窪地１ｂの裏面金
属１ｃとを露出させて、樹脂６によりモールドされる。
る。外部リードフレーム３は、低背チップ２ａとワイヤ
５ａによりボンディングされている。また、外部リード
フレーム４は、高背チップ２ｂとワイヤ５ｂによりボン
ディングされている。さらに、低背チップ２ａと高背チ
ップ２ｂは、ワイヤ５ｃによりボンディングされてい
る。低背チップ２ａ、高背チップ２ｂなどの前記部材
は、外部リードフレーム３、４の外部リード端子３ａ、
４ａと内部リードフレーム１に設けた窪地１ｂの裏面金
属１ｃとを露出させて、樹脂６によりモールドされる。
【００１０】以上のように、本実施例は、低背チップ２
ａ、高背チップ２ｂの高さに合わせて、そのダイボンド
される内部リードフレーム１の所定場所に窪地１ａ、１
ｂを設けているので、低背チップ２ａ、高背チップ２ｂ
が所定の場所に位置ずれを生じることなくダイボンドさ
れる。また、低背チップ２ａ、高背チップ２ｂの高さが
一定になるので、低背チップ２ａ、高背チップ２ｂ間の
ワイヤボンディングが容易となる。
ａ、高背チップ２ｂの高さに合わせて、そのダイボンド
される内部リードフレーム１の所定場所に窪地１ａ、１
ｂを設けているので、低背チップ２ａ、高背チップ２ｂ
が所定の場所に位置ずれを生じることなくダイボンドさ
れる。また、低背チップ２ａ、高背チップ２ｂの高さが
一定になるので、低背チップ２ａ、高背チップ２ｂ間の
ワイヤボンディングが容易となる。
【００１１】また、本実施例においては、内部リードフ
レーム１に設けた窪地１ｂの裏面金属１ｃが、樹脂６か
ら露出しているので、該露出裏面金属１ｃをセット基板
（図示せず）のグランド電極に直接かつ短距離で接続で
きるので、グランドが強化され周波数特性が向上すると
共に、放熱効果も改善される。
レーム１に設けた窪地１ｂの裏面金属１ｃが、樹脂６か
ら露出しているので、該露出裏面金属１ｃをセット基板
（図示せず）のグランド電極に直接かつ短距離で接続で
きるので、グランドが強化され周波数特性が向上すると
共に、放熱効果も改善される。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、以上のように、内部リードフ
レームに窪地を設け、この窪地にチップを載置してダイ
ボンドするので、チップの位置ずれが生じず、チップと
外部リードフレーム間をさほど段差なくワイヤボンディ
ングすることができる。
レームに窪地を設け、この窪地にチップを載置してダイ
ボンドするので、チップの位置ずれが生じず、チップと
外部リードフレーム間をさほど段差なくワイヤボンディ
ングすることができる。
【００１３】また、複数個の高さの異なるチップをダイ
ボンドする場合には、その高さに合わせて前記窪地の深
さを調整するで、前記複数個のチップの高さをほぼ一定
にすることができて、チップ間のワイヤボンディングを
段差なく行うことができる。このように、段差のないワ
イヤボンディングにより接続ワイヤが短くなり、高周波
特性が改善される。
ボンドする場合には、その高さに合わせて前記窪地の深
さを調整するで、前記複数個のチップの高さをほぼ一定
にすることができて、チップ間のワイヤボンディングを
段差なく行うことができる。このように、段差のないワ
イヤボンディングにより接続ワイヤが短くなり、高周波
特性が改善される。
【００１４】また、本発明は、発熱量の大きいチップが
ダイボンドされる内部リードフレームの窪地の裏面金属
をモールド樹脂の外部に露出させるので、チップの放熱
量を大きくすることができると共に、該内部リードフレ
ームの露出裏面金属をセット基板のグランド電極にその
まま半田付けすることにより、グランドの強化も図るこ
とができる。
ダイボンドされる内部リードフレームの窪地の裏面金属
をモールド樹脂の外部に露出させるので、チップの放熱
量を大きくすることができると共に、該内部リードフレ
ームの露出裏面金属をセット基板のグランド電極にその
まま半田付けすることにより、グランドの強化も図るこ
とができる。
【図１】 本発明の電子部品パッケージ装置の一実施例
の断面形態図
の断面形態図
【図２】 従来の電子部品パッケージ装置の断面形態図
１ 内部リードフレーム １ａ、１ｂ 窪地 １ｃ 裏面金属 ２ａ 低背チップ ２ｂ 高背チップ ３、４ 外部リードフレーム ５ａ、５ｂ、５ｃ ワイヤ ６ 樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 内部リードフレームにチップを載せて電
気的に接続し、該チップと外部リードフレームとをワイ
ヤボンディングし、樹脂モールドしてなる電子部品パッ
ケージ装置において、 前記内部リードフレームに前記チップの載置される一個
もしくは複数個の窪地が形成されてなる電子部品パッケ
ージ装置。 - 【請求項２】 前記複数個の窪地の深さが同一もしくは
相違してなる請求項１記載の電子部品パッケージ装置。 - 【請求項３】 前記内部リードフレームに形成された前
記窪地の裏面金属が、前記樹脂モールドの外部に露出し
てなる請求項１または請求項２記載の電子部品パッケー
ジ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299917A JPH09148492A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 電子部品パッケージ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299917A JPH09148492A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 電子部品パッケージ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148492A true JPH09148492A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17878495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7299917A Pending JPH09148492A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 電子部品パッケージ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148492A (ja) |
Cited By (14)
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|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-11-17 JP JP7299917A patent/JPH09148492A/ja active Pending
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