JPH09148677A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH09148677A JPH09148677A JP30433995A JP30433995A JPH09148677A JP H09148677 A JPH09148677 A JP H09148677A JP 30433995 A JP30433995 A JP 30433995A JP 30433995 A JP30433995 A JP 30433995A JP H09148677 A JPH09148677 A JP H09148677A
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- Japan
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- semiconductor laser
- light receiving
- wire
- laser device
- laser element
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 6
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、モニター用受光素子の受光面に十
分な量の光を入射することを主な課題とし、既存の構成
を利用して構造の簡素化、組立て作業性の向上を図るこ
と課題とする。 【解決手段】 本発明は、半導体レーザ素子2と、この
半導体レーザ素子2のモニター用受光素子3を内蔵した
基板4とを備え、半導体レーザ素子の光軸21と受光素
子の受光面31がほぼ平行するように半導体レーザ素子
2を基板4上面に配置した半導体レーザ装置1におい
て、半導体レーザ素子2の光軸21と直交する方向のル
ープ状ワイヤー7を受光面31の上方もしくは後方に設
けた。
分な量の光を入射することを主な課題とし、既存の構成
を利用して構造の簡素化、組立て作業性の向上を図るこ
と課題とする。 【解決手段】 本発明は、半導体レーザ素子2と、この
半導体レーザ素子2のモニター用受光素子3を内蔵した
基板4とを備え、半導体レーザ素子の光軸21と受光素
子の受光面31がほぼ平行するように半導体レーザ素子
2を基板4上面に配置した半導体レーザ装置1におい
て、半導体レーザ素子2の光軸21と直交する方向のル
ープ状ワイヤー7を受光面31の上方もしくは後方に設
けた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、モニター用受光素
子を備える半導体レーザ装置に関し、特に、半導体レー
ザ素子から発せられる光をモニター用受光素子の受光面
に導く構造の改良に関する。
子を備える半導体レーザ装置に関し、特に、半導体レー
ザ素子から発せられる光をモニター用受光素子の受光面
に導く構造の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザ素子の光軸と受光素子の受
光面がほぼ平行するように半導体レーザ素子を基板上面
に配置した構成の半導体レーザ装置においては、モニタ
ー用受光素子の受光面に十分な量の光を入射するため、
反射用の部材を別途設けた構成としている。
光面がほぼ平行するように半導体レーザ素子を基板上面
に配置した構成の半導体レーザ装置においては、モニタ
ー用受光素子の受光面に十分な量の光を入射するため、
反射用の部材を別途設けた構成としている。
【0003】しかしながら、反射用の部材は半導体レー
ザ装置の基本的な機能に関係しないものであり、構成の
複雑化、組立て作業性の低下要因になりやすい。
ザ装置の基本的な機能に関係しないものであり、構成の
複雑化、組立て作業性の低下要因になりやすい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、モニター用
受光素子の受光面に十分な量の光を入射することを主な
課題とし、既存の構成を利用して構造の簡素化、組立て
作業性の向上を図ることを課題とする。
受光素子の受光面に十分な量の光を入射することを主な
課題とし、既存の構成を利用して構造の簡素化、組立て
作業性の向上を図ることを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
素子と、該半導体レーザ素子のモニター用受光素子を内
蔵した基板とを備え、前記半導体レーザ素子の光軸と前
記受光素子の受光面がほぼ平行するように前記半導体レ
ーザ素子を前記基板上面に配置した半導体レーザ装置に
おいて、前記半導体レーザ素子の光軸と直交する方向の
ループ状ワイヤーを前記受光面の上方もしくは後方に設
けたことを特徴とする。
素子と、該半導体レーザ素子のモニター用受光素子を内
蔵した基板とを備え、前記半導体レーザ素子の光軸と前
記受光素子の受光面がほぼ平行するように前記半導体レ
ーザ素子を前記基板上面に配置した半導体レーザ装置に
おいて、前記半導体レーザ素子の光軸と直交する方向の
ループ状ワイヤーを前記受光面の上方もしくは後方に設
けたことを特徴とする。
【0006】また、前記ループ状ワイヤーを前記半導体
レーザ素子もしくは前記受光素子の接続用ワイヤーによ
って構成するとともに、複数本形成することができる。
レーザ素子もしくは前記受光素子の接続用ワイヤーによ
って構成するとともに、複数本形成することができる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態について、
図面を参照して説明する。図1において、半導体レーザ
装置1は、半導体レーザ素子2と、モニター用の受光素
子3内蔵型の基板4によって構成している。半導体レー
ザ素子2は、ヘテロ接合型半導体レーザ等の各種半導体
レーザを採用することができ、その光軸21が受光素子
3の受光面31と平行するように基板4上面に配置され
る。
図面を参照して説明する。図1において、半導体レーザ
装置1は、半導体レーザ素子2と、モニター用の受光素
子3内蔵型の基板4によって構成している。半導体レー
ザ素子2は、ヘテロ接合型半導体レーザ等の各種半導体
レーザを採用することができ、その光軸21が受光素子
3の受光面31と平行するように基板4上面に配置され
る。
【0008】基板4は、例えばn型のSi基板によって
構成され、その上面所定領域にB等の不純物を拡散させ
てp型Si領域を形成し、受光素子3としての例えばP
IN型フォトダイオードを一体に形成している。基板4
の上面は、例えば自然酸化膜(SiO2 )等の保護膜に
よって覆われ、その一部に受光素子3の受光面31が形
成される。基板4の上面には、半導体レーザ素子2の配
置用電極41と、受光素子接続用の2つの電極42,4
2が形成されている。この電極42,42は、同一機能
を果たすものであり、いずれか一方に配線することによ
って受光素子3に流れる電流を取り出すことができる。
構成され、その上面所定領域にB等の不純物を拡散させ
てp型Si領域を形成し、受光素子3としての例えばP
IN型フォトダイオードを一体に形成している。基板4
の上面は、例えば自然酸化膜(SiO2 )等の保護膜に
よって覆われ、その一部に受光素子3の受光面31が形
成される。基板4の上面には、半導体レーザ素子2の配
置用電極41と、受光素子接続用の2つの電極42,4
2が形成されている。この電極42,42は、同一機能
を果たすものであり、いずれか一方に配線することによ
って受光素子3に流れる電流を取り出すことができる。
【0009】半導体レーザ素子2と電極41には、半導
体レーザ素子2に図外の電極から所定の電圧を加えるた
めの配線が、金等の金属製のボンディングワイヤー5に
よって行われている。電極42には、受光素子3に流れ
る電流を図外の電極に取り出すための配線が、ボンディ
ングワイヤー6によって行われている。ボンディングワ
イヤー5とボンディングワイヤー6は、同一のものを用
いて構成することが好ましいが、異なる材料によって構
成することもできる。
体レーザ素子2に図外の電極から所定の電圧を加えるた
めの配線が、金等の金属製のボンディングワイヤー5に
よって行われている。電極42には、受光素子3に流れ
る電流を図外の電極に取り出すための配線が、ボンディ
ングワイヤー6によって行われている。ボンディングワ
イヤー5とボンディングワイヤー6は、同一のものを用
いて構成することが好ましいが、異なる材料によって構
成することもできる。
【0010】基板4には、半導体レーザ素子2のモニタ
ー用に用いる後方発光を反射させて受光面31に案内す
るための金属細線によって構成したワイヤー7が設けら
れている。このワイヤー7は、半導体レーザ素子2の光
軸21と直交するように配置され、この例では、受光素
子3の後方に配置した受光素子接続用の2つの電極4
2,42間にループ状に形成している。ワイヤー7の高
さは、種々設定することができるが、半導体レーザ素子
の高さ範囲に設けるのが好ましい。
ー用に用いる後方発光を反射させて受光面31に案内す
るための金属細線によって構成したワイヤー7が設けら
れている。このワイヤー7は、半導体レーザ素子2の光
軸21と直交するように配置され、この例では、受光素
子3の後方に配置した受光素子接続用の2つの電極4
2,42間にループ状に形成している。ワイヤー7の高
さは、種々設定することができるが、半導体レーザ素子
の高さ範囲に設けるのが好ましい。
【0011】このように構成することによって、半導体
レーザ素子2の発光時に、半導体レーザ素子2からその
後方に発せられるモニター用の光を、ワイヤー7によっ
て反射させ、受光素子3の受光面31に効果的に案内す
ることができる。その結果、受光素子3から取り出すモ
ニター電流が、ワイヤー7を設けない場合に比べて20
%以上も増加した。また、ワイヤー7は、2つの電極4
2,42を接続するボンディングワイヤーとしても機能
するので、受光素子3から取り出すモニター電流のロス
を低減して、モニター電流の取り出し効率を高めること
もできる。
レーザ素子2の発光時に、半導体レーザ素子2からその
後方に発せられるモニター用の光を、ワイヤー7によっ
て反射させ、受光素子3の受光面31に効果的に案内す
ることができる。その結果、受光素子3から取り出すモ
ニター電流が、ワイヤー7を設けない場合に比べて20
%以上も増加した。また、ワイヤー7は、2つの電極4
2,42を接続するボンディングワイヤーとしても機能
するので、受光素子3から取り出すモニター電流のロス
を低減して、モニター電流の取り出し効率を高めること
もできる。
【0012】図2〜図5は、本発明の他の実施例を示
し、ワイヤー7の構成を除いて図1の構造と実質同一な
構成と成っている。
し、ワイヤー7の構成を除いて図1の構造と実質同一な
構成と成っている。
【0013】図2は、一本のワイヤー7の両端を受光面
31の左右両端部分に配置し、ワイヤー7が、受光面3
1の前後方向の略中央の上方空間に位置するように配置
した場合、すなわち、図1のワイヤー7を前方に若干平
行移動した場合をを示している。このようにすることに
よって、受光素子3から取り出すモニター電流が、ワイ
ヤー7を設けない場合に比べて30%以上も増加した。
31の左右両端部分に配置し、ワイヤー7が、受光面3
1の前後方向の略中央の上方空間に位置するように配置
した場合、すなわち、図1のワイヤー7を前方に若干平
行移動した場合をを示している。このようにすることに
よって、受光素子3から取り出すモニター電流が、ワイ
ヤー7を設けない場合に比べて30%以上も増加した。
【0014】図3は、図1の半導体レーザ装置1にい
て、電極42,42間にループ高さが低く両端の間隔が
若干狭い2本目のワイヤー7を追加した場合を示してい
る。このようにすることによって、受光素子3から取り
出すモニター電流が、ワイヤー7を設けない場合に比べ
て30%以上も増加した。
て、電極42,42間にループ高さが低く両端の間隔が
若干狭い2本目のワイヤー7を追加した場合を示してい
る。このようにすることによって、受光素子3から取り
出すモニター電流が、ワイヤー7を設けない場合に比べ
て30%以上も増加した。
【0015】図4は、図3に示す半導体レーザ装置1に
おいて、追加したループ高さの低い2本目のワイヤー7
を若干前方に平行移動した場合を示している。このよう
にすることによって、受光素子3から取り出すモニター
電流が、ワイヤー7を設けない場合に比べて40%以上
も増加した。
おいて、追加したループ高さの低い2本目のワイヤー7
を若干前方に平行移動した場合を示している。このよう
にすることによって、受光素子3から取り出すモニター
電流が、ワイヤー7を設けない場合に比べて40%以上
も増加した。
【0016】図5は、図1に示す半導体レーザ装置1に
おいて、電極42,42間に配置したループ状ワイヤー
7と同形状のワイヤーを前後方向に複数本(3本)配置
した場合を示している。このようにすることによって、
受光素子3から取り出すモニター電流が、ワイヤー7を
設けない場合に比べて50%以上も増加した。ここで、
各ワイヤー7のループ形状を順次変更すること、例えば
ループ高さを順次変更(例えば、前方から順に高くした
り、後方から順に高くする)したり、ループの両端の間
隔を順次変更することもでき、このようにすれば、受光
素子3から取り出すモニター電流をさらに増加すること
ができる。
おいて、電極42,42間に配置したループ状ワイヤー
7と同形状のワイヤーを前後方向に複数本(3本)配置
した場合を示している。このようにすることによって、
受光素子3から取り出すモニター電流が、ワイヤー7を
設けない場合に比べて50%以上も増加した。ここで、
各ワイヤー7のループ形状を順次変更すること、例えば
ループ高さを順次変更(例えば、前方から順に高くした
り、後方から順に高くする)したり、ループの両端の間
隔を順次変更することもでき、このようにすれば、受光
素子3から取り出すモニター電流をさらに増加すること
ができる。
【0017】尚、ワイヤー7は、従来の半導体レーザ装
置組立て装置を利用して組立て作業性を良好にするた
め、ボンディングワイヤー5もしくはボンディングワイ
ヤー6と同じものを用いることが好ましいが、反射性を
良好とするためにボンディングワイヤー5,6とは、異
なる材質のボンディングワイヤーを用いたり、ボンディ
ングワイヤー5,6とは太さの異なるボンディングワイ
ヤーを用いることもできる。
置組立て装置を利用して組立て作業性を良好にするた
め、ボンディングワイヤー5もしくはボンディングワイ
ヤー6と同じものを用いることが好ましいが、反射性を
良好とするためにボンディングワイヤー5,6とは、異
なる材質のボンディングワイヤーを用いたり、ボンディ
ングワイヤー5,6とは太さの異なるボンディングワイ
ヤーを用いることもできる。
【0018】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、モニター
用受光素子の受光面に十分な量の光を入射してモニター
電流の増加を図ることができる。ワイヤーとして、半導
体レーザ素子配線に用いるボンディングワイヤーを用い
れば、構成の簡素化を図ることができるとともに、既存
の組立て装置を利用でき、組立て作業性の向上を図るこ
とができる。
用受光素子の受光面に十分な量の光を入射してモニター
電流の増加を図ることができる。ワイヤーとして、半導
体レーザ素子配線に用いるボンディングワイヤーを用い
れば、構成の簡素化を図ることができるとともに、既存
の組立て装置を利用でき、組立て作業性の向上を図るこ
とができる。
【図1】本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図2】本発明の半導体レーザ装置の他の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図3】本発明の半導体レーザ装置の他の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図4】本発明の半導体レーザ装置の他の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図5】本発明の半導体レーザ装置の他の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
1 半導体レーザ装置 2 半導体レーザ素子 21 光軸 3 受光素子 31 受光面 4 基板 41 電極 42 電極 5 ボンディングワイヤー 6 ボンディングワイヤー 7 ワイヤー
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子のモニター用受光素子を内蔵した基板とを備え、前記
半導体レーザ素子の光軸と前記受光素子の受光面がほぼ
平行するように前記半導体レーザ素子を前記基板上面に
配置した半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ
素子の光軸と直交する方向のループ状ワイヤーを前記受
光面の上方もしくは後方に設けたことを特徴とする半導
体レーザ装置。 - 【請求項2】 前記ループ状ワイヤーを前記半導体レー
ザ素子もしくは前記受光素子の接続用ワイヤーによって
構成するとともに、複数本形成したことを特徴とする請
求項1記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30433995A JPH09148677A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30433995A JPH09148677A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148677A true JPH09148677A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17931825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30433995A Pending JPH09148677A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148677A (ja) |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP30433995A patent/JPH09148677A/ja active Pending
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