JPS5887882A - フオトセンサ− - Google Patents
フオトセンサ−Info
- Publication number
- JPS5887882A JPS5887882A JP56185355A JP18535581A JPS5887882A JP S5887882 A JPS5887882 A JP S5887882A JP 56185355 A JP56185355 A JP 56185355A JP 18535581 A JP18535581 A JP 18535581A JP S5887882 A JPS5887882 A JP S5887882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensor
- beams
- main surface
- laser diode
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/221—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PN homojunction
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトセンサー、特にレーザーダイオードのレ
ーザー元全モニターする７オトセンサーに関する。
ーザー元全モニターする７オトセンサーに関する。
ｊｔ学式ビデオテイスクの元ビック了ツブ用として、第
１図に示すように、レーザー元モニタ用のフォトセンサ
ーを同一パッケージ内に組み込んだレーザーダイオード
が発売されている。このレーザーダイオード１け、同図
に示すように、熱伝導性の良好な金属からなる７ランジ
２の主面（上面）中央に垂設（２だ熱伝導性の艮好な金
属からなるステム３の主面（右面）にバッファ板４を介
（７てレーザーダイオードチップ５を固定している。前
記バッフ子板４Ｖｉレーザーダイオードチップ（チップ
）５とステム３との熱膨張率の込１いによる熱応力を吸
収してチップの破損を防止してめる３、レーザー光６は
チップ５の上端および下端からそれぞれ発嶽尽ねる。−
また、チップ５の下端（佐端）から発振するレーザー光
６をモニターするビンダイオードからなるフォトセンサ
ー７が７ランジ２上に固定さｒｌ、でいる。寸だ、フラ
ンジ２の主面側には金属ν９のキャップ（パッケージｓ
月）８がリンｙ＋＞エルド等によって気密的に封止３れ
ている。
１図に示すように、レーザー元モニタ用のフォトセンサ
ーを同一パッケージ内に組み込んだレーザーダイオード
が発売されている。このレーザーダイオード１け、同図
に示すように、熱伝導性の良好な金属からなる７ランジ
２の主面（上面）中央に垂設（２だ熱伝導性の艮好な金
属からなるステム３の主面（右面）にバッファ板４を介
（７てレーザーダイオードチップ５を固定している。前
記バッフ子板４Ｖｉレーザーダイオードチップ（チップ
）５とステム３との熱膨張率の込１いによる熱応力を吸
収してチップの破損を防止してめる３、レーザー光６は
チップ５の上端および下端からそれぞれ発嶽尽ねる。−
また、チップ５の下端（佐端）から発振するレーザー光
６をモニターするビンダイオードからなるフォトセンサ
ー７が７ランジ２上に固定さｒｌ、でいる。寸だ、フラ
ンジ２の主面側には金属ν９のキャップ（パッケージｓ
月）８がリンｙ＋＞エルド等によって気密的に封止３れ
ている。
キャップ８の上部は開口部ね、るとともに、この開口部
には透明なガラス板９が気密的ｔｉｃ取りｔｌけられ、
透明窓１０を形成している。１だ、詳述けしないが、フ
ランジ２には３本または４本のり−ド１１が絶縁的（場
合によっては１本は導奄状！甜）に貫通固定ａれ、フラ
ンジ２の主面側に突出したリード端とこれに対応するフ
ォトセンサ７およびレーザーダイオードチップ５の可、
極部とが図示しな−ワイヤで電気的に接続塾扛ている。
には透明なガラス板９が気密的ｔｉｃ取りｔｌけられ、
透明窓１０を形成している。１だ、詳述けしないが、フ
ランジ２には３本または４本のり−ド１１が絶縁的（場
合によっては１本は導奄状！甜）に貫通固定ａれ、フラ
ンジ２の主面側に突出したリード端とこれに対応するフ
ォトセンサ７およびレーザーダイオードチップ５の可、
極部とが図示しな−ワイヤで電気的に接続塾扛ている。
ところで、このような構造のレーサーダイオードにおっ
ては、透明窓１０からｌ／−ザーダイオードチツブ５の
上端（先端）から発振δ７Ｌるレーザー光６が発光する
。また、レーザータイオードチップ５の後端からもレー
ザー光が発’ＲＣａｆｌ−るため、このレーザー光をフ
ォトセンサ−７で受ＣＩ５での元強度全モニターする構
造となっている。
ては、透明窓１０からｌ／−ザーダイオードチツブ５の
上端（先端）から発振δ７Ｌるレーザー光６が発光する
。また、レーザータイオードチップ５の後端からもレー
ザー光が発’ＲＣａｆｌ−るため、このレーザー光をフ
ォトセンサ−７で受ＣＩ５での元強度全モニターする構
造となっている。
しかし、フォトセンサー７は第２図ｖｃ４．：丁ように
、受光面１２にはアルミニウムからなる枠状の配線層１
３全上している。寸た、この配線層１３の一部は他の部
分よりもｊ−広のホンディングパッド１４を形作り、ワ
イヤ１５を接続するようになっている。しかし、この配
線層１３Ｑゴ半導体と異なってアルミニウムからなるこ
とから元を反射し易い。このため、レーザー光がこの自
己＃ｊ曽１３の表面で反射し、上方の透明窓１０から外
部ＶＣ発進する。この結果、レーザーダイオードチップ
５から直接発進したレーザー光６と前方に戻ってきた反
射レーザー光１２とが干渉を起こし、ファーフィールド
パターンが乱れ、レーザータイオードｌ全ビデオディス
クに組み込む際に光学的結合調整が卸かしぐなる。
、受光面１２にはアルミニウムからなる枠状の配線層１
３全上している。寸た、この配線層１３の一部は他の部
分よりもｊ−広のホンディングパッド１４を形作り、ワ
イヤ１５を接続するようになっている。しかし、この配
線層１３Ｑゴ半導体と異なってアルミニウムからなるこ
とから元を反射し易い。このため、レーザー光がこの自
己＃ｊ曽１３の表面で反射し、上方の透明窓１０から外
部ＶＣ発進する。この結果、レーザーダイオードチップ
５から直接発進したレーザー光６と前方に戻ってきた反
射レーザー光１２とが干渉を起こし、ファーフィールド
パターンが乱れ、レーザータイオードｌ全ビデオディス
クに組み込む際に光学的結合調整が卸かしぐなる。
したがって、本発明の１的は受光するｙＬ、の反射率の
低いホトセンサー全提供することにある。
低いホトセンサー全提供することにある。
このような目的ケ達成するために本発明なよ、第１導Ｎ
型の半導体基板の王面中史表層部に争２碑甫型の拡散領
域を七するとともに、基板の王１ｔｏ Ｋ前記拡散領域
と菫、気的に導通状態となるアルミニウムからなるポン
ディングパッドとに’１４するフォトセンサーにおいて
、前記拡散領域の周縁上に拡散ＩＪＩＩＪＪｉよりも市
＃度の第２傳可型の配線領域を枠状に形作り、この配線
領域の一部上に前ｄ己ポンディングパッドを設けて々る
ものであって、以下実施例により本発明を説明する。
型の半導体基板の王面中史表層部に争２碑甫型の拡散領
域を七するとともに、基板の王１ｔｏ Ｋ前記拡散領域
と菫、気的に導通状態となるアルミニウムからなるポン
ディングパッドとに’１４するフォトセンサーにおいて
、前記拡散領域の周縁上に拡散ＩＪＩＩＪＪｉよりも市
＃度の第２傳可型の配線領域を枠状に形作り、この配線
領域の一部上に前ｄ己ポンディングパッドを設けて々る
ものであって、以下実施例により本発明を説明する。
第３図は本う６明の一実施例によるフォトセンサーの一
部會示すｔｅｌ １Ｔｒｉ図である。この図はフォトセ
ンサー１６を中央で２分し、切貼面側から見た状態を示
す。同図に示すように、Ｎ型（第１導電型）の半導体基
板１７の主面（上面）の中央表層部には、Ｐ−型（第２
導電型）の拡散領域１８が形成ネれ、ＰＮ接合１９會形
作っている。唸た、この矩形の拡散領域１８の周縁には
不純物濃度が悔散領域１８よりも高く比抵抗が小名なＰ
の配線領域２０が拡散ＶＣよって設けら？している。
部會示すｔｅｌ １Ｔｒｉ図である。この図はフォトセ
ンサー１６を中央で２分し、切貼面側から見た状態を示
す。同図に示すように、Ｎ型（第１導電型）の半導体基
板１７の主面（上面）の中央表層部には、Ｐ−型（第２
導電型）の拡散領域１８が形成ネれ、ＰＮ接合１９會形
作っている。唸た、この矩形の拡散領域１８の周縁には
不純物濃度が悔散領域１８よりも高く比抵抗が小名なＰ
の配線領域２０が拡散ＶＣよって設けら？している。
したがって、この配線領域２０は拡散領域１８と接しか
つ拡散領域１８を取り囲む矩形の枠体となっている。
つ拡散領域１８を取り囲む矩形の枠体となっている。
また、配線領域２０の一隅上にけ了ルミニウムからなる
矩形のポンディングパッド１４が設ｆｆうれている。
矩形のポンディングパッド１４が設ｆｆうれている。
このようなフォトセンサー１６は主面の受光面１２に元
？受けると、ＰＮ接合１９に七の光強度に対応した太き
塾の１流が流れる。てこで、このフォトセンサーに逆バ
イアスを印加して、前記の発生回流を検出する。したが
って、逆バイアス使用によるため、％性の劣化は生じな
め。ところで、このフォトセンサーは主面に存在する元
を反射するアルミニウムＩ−ば、ワイヤ全接続するポン
ディングパッド１４のみであり、従来のアルミニウム層
からなる配＆１層１３け不純物Ｉｔ散による配線領域２
０に替えてｈる。したがって、受−Ｘ面１２におけるレ
ーザー光の反射光量は低減（たとえば１１５程度に）烙
れる。そこで、レーザーダイオードのモニター用のフォ
トセンサーとｌ、７て内蔵しても、透明窓から発がする
レーザー光のファーフィールドパターンを乱丁ことげな
くなる。
？受けると、ＰＮ接合１９に七の光強度に対応した太き
塾の１流が流れる。てこで、このフォトセンサーに逆バ
イアスを印加して、前記の発生回流を検出する。したが
って、逆バイアス使用によるため、％性の劣化は生じな
め。ところで、このフォトセンサーは主面に存在する元
を反射するアルミニウムＩ−ば、ワイヤ全接続するポン
ディングパッド１４のみであり、従来のアルミニウム層
からなる配＆１層１３け不純物Ｉｔ散による配線領域２
０に替えてｈる。したがって、受−Ｘ面１２におけるレ
ーザー光の反射光量は低減（たとえば１１５程度に）烙
れる。そこで、レーザーダイオードのモニター用のフォ
トセンサーとｌ、７て内蔵しても、透明窓から発がする
レーザー光のファーフィールドパターンを乱丁ことげな
くなる。
なお、本発明−一前記実ｍ例に限定ネｊ、るものではな
く、本発明の技術思想に基（八て変ノヒはｈｌｏｌづで
ある。
く、本発明の技術思想に基（八て変ノヒはｈｌｏｌづで
ある。
以上のように、本発明のフォトセンサーは受光する元の
反射率は従来に比較して少々−八。このため、レーザー
ダイオードのモニター用として用かた場合に、レーザー
光の）了−フィールドパターン全乱丁ことになく、尚性
能なレーザーダイオード全提供することができる。
反射率は従来に比較して少々−八。このため、レーザー
ダイオードのモニター用として用かた場合に、レーザー
光の）了−フィールドパターン全乱丁ことになく、尚性
能なレーザーダイオード全提供することができる。
図面のＷ１５単な請明
゛第１図にフォトセンサー伺ｌ／−ザーダイオードを示
す曲面図、埠２図は従来のフォトセンサーの一部全示す
斜視図、滲３図は本発明の一実施例によるフォトセンサ
ーの一部を示す斜視図である。
す曲面図、埠２図は従来のフォトセンサーの一部全示す
斜視図、滲３図は本発明の一実施例によるフォトセンサ
ーの一部を示す斜視図である。
１・・レーザーダイオード、５・・・レーザーダイオ−
トチツー７’、７．１６・・フォトセンサー、１２−・
・受光面、１３ ・配Ｉｗ層、１４・・ポンディングパ
ッド、１５・・ワイヤ、１７・・半導体基＆、１８・・
・拡散領域、１９・・ＰＮ接合、２０・・配線領域。
トチツー７’、７．１６・・フォトセンサー、１２−・
・受光面、１３ ・配Ｉｗ層、１４・・ポンディングパ
ッド、１５・・ワイヤ、１７・・半導体基＆、１８・・
・拡散領域、１９・・ＰＮ接合、２０・・配線領域。
代理人 弁理上 薄 １）オリ 辛
γ゛・′
第 １ 図
Claims (1)
- ■、第１導市摩の半導体基板の主面中央表層部に焼２導
可型の拡散領域を有するとともに、基板の主面に前記拡
散領域とＮ気的に４通状聾となるアルミニウムからなる
ポンディングパッド全層するフォトセンサーにおいて、
前記拡散領域の周縁上に拡散領域よりも高濃度の旭２導
奄型の配膳領域全枠状に形作り、この配線領域の一部上
に前記ボンディングパッドケ設けてなることを％偵とす
るフォトセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185355A JPS5887882A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | フオトセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185355A JPS5887882A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | フオトセンサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887882A true JPS5887882A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16169332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185355A Pending JPS5887882A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | フオトセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887882A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318665A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56185355A patent/JPS5887882A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318665A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
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