JPH09150357A - 半導体ウェーハの面取り面研磨方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨ドラムを半導体ウェーハの回転軸と平行
な軸回りに回転させると半導体ウェーハの面取り面に円
周方向に研磨によるすじが残り、面取り面が滑らかに形
成されない恐れがあった。 【解決手段】 半導体ウェーハＷをその円周方向に回転
させるとともに、半導体ウェーハＷの面取り面に研磨液
を供給しながら、半導体ウェーハＷの面取り面に接して
配された研磨布２３ａを半導体ウェーハＷの回転方向、
もしくはその逆方向のいずれの方向とも異なる方向に摺
動させることによって半導体ウェーハＷの面取り面を研
磨する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
面取り面研磨方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの
面取り面（周縁）を食刻加工（エッチング）する技術と
して、ＣＣＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｎｅｒ Ｒｏ
ｕｎｄｉｎｇ）加工が知られているが、このＣＣＲ加工
を施した場合、面取り面と半導体ウェーハ表裏面との境
界部分に突起が形成される。この突起は微小であるが、
半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容したとき、こ
れがカセットに接触してカセットを削り、微小な削り屑
を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハの性能を
劣化させる原因となることはいうまでもない。

【０００３】そこで、ＣＣＲ加工とは別に半導体ウェー
ハの面取り面にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工を施すことが知
られている。このＣＭＰ加工は、半導体ウェーハの面取
り面に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨
する技術であって、従来、このＣＭＰ加工を実施する装
置としては、研磨布が巻回された研磨ドラムを半導体ウ
ェーハの回転軸と平行な軸回りに回動可能に支持し、こ
の研磨ドラムを回転させながら半導体ウェーハの面取り
面に押し付けることによって研磨を行なっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｃ
ＭＰ加工装置を用いても、研磨ドラムを半導体ウェーハ
の回転軸と平行な軸回りに回転させると半導体ウェーハ
の面取り面に円周方向に研磨によるすじが残り、面取り
面が滑らかに形成されない恐れがあった。

【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、面取り面を滑らかに形成して半導体ウェーハの
加工精度を高めて製造時の歩留りや半導体ウェーハの特
性の劣化を食い止めることを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
ウェーハの面取り面研磨方法は、半導体ウェーハをその
円周方向に回転させるとともに、半導体ウェーハの面取
り面に研磨液を供給しながら、半導体ウェーハの面取り
面に接して配された研磨布を半導体ウェーハの円周方向
とは異なる方向に摺動させることによって半導体ウェー
ハの面取り面を研磨することを特徴とする。

【０００７】請求項１に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨方法においては、研磨布を半導体ウェーハの回転
方向、もしくはその逆方向のいずれの方向とも異なる方
向に摺動させることによって、研磨布と半導体ウェーハ
の面取り面との接触点において研磨布が移動する方向と
半導体ウェーハの面取り面の移動する方向とが一致せ
ず、また相反する向きにも一致せずに面取り面が研磨さ
れる。

【０００８】請求項２に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置は、半導体ウェーハを保持し、該半導体ウェ
ーハをその円周方向に回転可能に支持する回転機構と、
該回転機構に保持された半導体ウェーハの円周方向とは
異なる方向に走行可能に支持された研磨布と、該研磨布
を走行させる研磨布駆動機構と、前記回転機構に保持さ
れた半導体ウェーハと研磨布とを相対的に離間、接近さ
せて研磨布と半導体ウェーハの面取り面とを接触させる
研磨布変位機構とを備えることを特徴とする。

【０００９】請求項２に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置においては、研磨布を半導体ウェーハの円周
方向とは異なる方向に走行させながら半導体ウェーハの
面取り面に接触させることによって、研磨布と半導体ウ
ェーハの面取り面との接触点において研磨布が走行する
方向と半導体ウェーハの面取り面が移動する方向とが一
致せず、また相反する向きにも一致せずに面取り面が研
磨される。

【００１０】請求項３に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置は、前記研磨布駆動機構は、前記半導体ウェ
ーハの表裏面と平行な軸線まわりについて回動可能に支
持された研磨ドラムと、該研磨ドラムを回転させる駆動
源とを備え、前記研磨布は研磨ドラムの外周面に貼設さ
れていることを特徴とする。

【００１１】請求項３に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置においては、研磨ドラムを半導体ウェーハに
接触させたとき、研磨ドラムが回転する方向と半導体ウ
ェーハの面取り面が移動する方向とが直交する状態で研
磨が行なわれる。

【００１２】請求項４に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置は、前記研磨布駆動機構は、前記半導体ウェ
ーハの面取り面に対して平行に配置された当て板と、該
当て板に沿って前記研磨布を支持し、該研磨布を半導体
ウェーハの面取り面に沿って摺動可能とする研磨布支持
部と、該研磨布支持部に付設されて研磨布を作動させる
駆動源とを備えることを特徴とする。

【００１３】請求項４に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置においては、研磨布を半導体ウェーハに摺接
させたとき、研磨布の面取り面に対する押圧力が均一に
作用する状態で研磨が行なわれる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体ウェーハの面
取り面研磨方法および装置を示す第１の実施の形態を図
１ないし図４を参照して説明する。図１および図２に示
す半導体ウェーハの面取り面研磨装置１は、回転支持機
構（回転機構）１０、研磨機構２０、オリエンテーショ
ンフラット位置合わせ部３０、ファイナルセンタリング
機構（中心位置合わせ機構）４０、研磨済みウェーハ受
け渡し機構５０、洗浄部６０、乾燥部７０を基台２にそ
れぞれ備えている。

【００１５】回転支持機構１０は、同一平面上に離間し
て配され、半導体ウェーハＷを表裏両面から挟んで支持
する一対の支持部１１を備えている。

【００１６】支持部１１は、上下に離間して位置する軸
受部１３、１４に相対して配され、それぞれの先端間に
て半導体ウェーハＷを１枚ずつ挟んで支持する一対の支
持ロッド１５、１６を備えている。

【００１７】支持ロッド１５、１６は上下の軸受部１
３、１４にそれぞれ配されたモータ１５ａ、１６ａによ
って回転可能とされ、挟持した半導体ウェーハＷをその
円周方向に回転させるようになっている。

【００１８】下に位置する軸受部１４は、支持部１１間
に位置しかつ両支持部１１から等距離に位置する鉛直軸
１２まわりについて上下動可能かつ回転可能とされ、こ
の軸受部１４が上方に移動することによって支持ロッド
１５、１６の間で半導体ウェーハＷが挟持される。しか
も、支持ロッド１６には半導体を吸着する真空吸着機構
１６ｂが設けられている。

【００１９】軸受部１４は、鉛直軸１２に貫通して配さ
れた昇降ブロック１７に下から支持され、この昇降ブロ
ック１７の昇降に伴って上下動するようになっている。
昇降ブロック１７の両端は基台２に鉛直方向に向けて取
り付けられたガイドレール１７ａにそれぞれ嵌挿されて
おり、昇降ブロック１７はこのガイドレール１７ａに沿
って昇降可能とされている。なお、昇降ブロック１７の
昇降は、ガイドレール１７ａと平行に配置されたリード
スクリュー（図示せず）により行なわれるものとする。

【００２０】さらに軸受部１４は、鉛直軸１２の基端側
に取り付けられたプーリ１８と、このプーリ１８に係わ
って基台２に取り付けられた反転用モータ１９によって
鉛直軸１２まわりについて１８０°ごとの回転が可能と
なっている。反転用モータ１９にもプーリ１９ａが取り
付けられており、プーリ１８、１９ａ間に無端ベルト１
９ｂが巻回されて反転用モータ１９の駆動力が伝達され
るようになっている。

【００２１】研磨機構２０は、回転支持機構１０に支持
された２枚の半導体ウェーハＷの面取り面を研磨する複
数（本実施の形態においては４個）の研磨ドラム回転機
構（研磨布駆動機構）２１と、研磨ドラムを移動させて
半導体ウェーハＷに接触させる研磨ドラム移動機構（研
磨布変位機構）２２と、半導体ウェーハＷの研磨面に向
けて研磨液を供給する研磨液供給機構２９とを備えてい
る。

【００２２】研磨ドラム回転機構２１は、図３に示すよ
うに、半導体ウェーハＷの表裏面と平行な軸線まわりに
ついて回動可能に支持されるとともにその側面に研磨布
２３ａが貼設された研磨ドラム２３と、該研磨ドラム２
３を支持して回転させる駆動モータ部（駆動源）２４と
を備えている。

【００２３】駆動モータ部２４は本体ブロック２５に固
定され、この本体ブロック２５に設けられた研磨ドラム
２３の軸線に平行な軸支点Ｏを中心として研磨ドラム２
３の回転軸を平行に保ったまま上下に移動可能とされて
いる。さらに、研磨ドラム２３を移動させる研磨ドラム
移動機構２２として、本体ブロック２５の上方に駆動シ
リンダ２６、２７がそれぞれ配置されている。

【００２４】駆動シリンダ２６のピストンロッド２６ａ
先端には、駆動モータ部２４が取り付けられた側の本体
ブロック２５を押圧する押圧体２６ｂが取り付けられ、
本体ブロック２５を挟んで押圧体２６ｂに相対する側に
は、駆動モータ部２４の下方への移動を制限するストッ
パ２６ｃが配置されている。

【００２５】本体ブロック２５には軸支点Ｏを挟んで駆
動モータ部２４の反対側に重りＧが取り付けられてお
り、駆動シリンダ２７のピストンロッド２７ａ先端に
は、重りＧが取り付けられた側の本体ブロック２５を押
圧する押圧体２７ｂが取り付けられ、本体ブロック２５
を挟んで押圧体２７ｂに相対する側には、重りＧの下方
への移動を制限してストッパ２７ｃが配置されている。

【００２６】駆動モータ部２４は、通常は重りＧの重量
によって半導体ウェーハＷから離間し、本体ブロック２
５はストッパ２７ｃに当接した状態にある。そして、研
磨を行なうときには駆動シリンダ２６を駆動させて駆動
モータ部２４側の本体ブロック２５を押し下げ、半導体
ウェーハＷに研磨ドラム２３を押圧して研磨を行なうよ
うになっている。このとき本体ブロック２５はストッパ
２６ｃに当接した状態となる。研磨が終了したら駆動シ
リンダ２７を駆動させて重りＧ側の本体ブロック２５を
研磨ドラムを半導体ウェーハＷから離間させるようにな
っている。

【００２７】研磨ドラム回転機構２１は、２層に構成さ
れた第１スライドテーブル２８ａ、第２スライドテーブ
ル２８ｂ上に固定されている。第１スライドテーブル２
８ａは、基台２に取り付けられたガイドレール２８ｃ上
に配置され、研磨ドラム回転機構２１を研磨ドラム２３
の回転軸に平行な方向に水平移動可能に支持している。
さらに第２スライドテーブル２８ｂは、第１スライドテ
ーブル２８ａ上にガイドレール２８ｃと直交する方向に
向けて取り付けられたスクリューロッド２８ｄ上に配置
され、このスクリューロッド２８ｄを駆動手段（図示せ
ず）により回転させることによって研磨ドラム回転機構
２１を半導体ウェーハＷの半径方向に水平移動可能に支
持している。

【００２８】第１スライドテーブル２８ａは、半導体ウ
ェーハＷの研磨の際に作動され、研磨ドラム回転機構２
１を研磨ドラム２３の回転軸方向に水平移動させること
によって研磨ドラム２３の外周面全体で研磨を行なうよ
うにするものである。第２スライドテーブル２８ｂは、
研磨加工の前段において予め作動され、研磨する半導体
ウェーハＷの大きさに応じて研磨する位置を変化させる
ものである。

【００２９】なお、研磨ドラム回転機構２１は１枚の半
導体ウェーハＷにつき２個が対応し、双方が半導体ウェ
ーハＷの中心を挟んで平行に配置され、半導体ウェーハ
Ｗの表面、もしくは裏面を研磨するようになっている。

【００３０】研磨液供給機構２９には、研磨液を一定の
流出量を保って供給する公知の技術が採用されている。

【００３１】オリエンテーションフラット位置合わせ部
３０は、回転支持機構１０に半導体ウェーハＷを搬送す
る搬送経路中に設けられ、搬送途中の半導体ウェーハＷ
のオリエンテーションフラットを所定の位置に合わせる
ようになっている。

【００３２】ファイナルセンタリング機構４０は、オリ
エンテーションフラット位置合わせ部３０の後段に設け
られ、オリエンテーションフラットの位置合わせがなさ
れた半導体ウェーハＷを支持ロッド１５、１６間まで搬
送して支持ロッド１５、１６の回転軸線に半導体ウェー
ハＷの中心を一致させるようになっている。

【００３３】研磨済みウェーハ受け渡し機構５０は、研
磨後の半導体ウェーハＷを搬送する搬送経路中に設けら
れ、研磨された半導体ウェーハＷを支持ロッド１５、１
６から受け取って次の工程に渡すようになっている。

【００３４】洗浄部６０は、研磨済みウェーハ受け渡し
機構５０の後段に設けられ、研磨された半導体ウェーハ
Ｗを受け取って清澄な水によって洗浄するようになって
いる。

【００３５】乾燥部７０は、洗浄部６０の後段に設けら
れ、洗浄された半導体ウェーハＷを乾燥させるようにな
っている。

【００３６】次に、上記の半導体ウェーハの面取り面研
磨装置１を用いて半導体ウェーハの面取り面の研磨を行
なう工程を説明する。

【００３７】１．〔オリフラ合わせ工程〕 回転支持機構１０に向けて搬送される１枚目の半導体ウ
ェーハＷ₁について、オリエンテーションフラット位置
合わせ部３０にてオリエンテーションフラットを所定の
位置に合わせる。

【００３８】２．〔芯合わせ工程〕 オリエンテーションフラットの位置合わせがなされた半
導体ウェーハＷ₁を、ファイナルセンタリング機構４０
によって支持ロッド１５、１６間まで搬送して支持ロッ
ド１５、１６の回転軸線に半導体ウェーハＷ₁の中心を
一致させる。

【００３９】３−１．〔研磨工程（表面の研磨）〕 軸受部１４を上方に移動させて支持ロッド１６によって
半導体ウェーハＷを持ち上げ、そのまま支持ロッド１
５、１６の間で挟持させる。このとき真空吸着機構１６
ｂを作動させて半導体ウェーハＷ₁を支持ロッド１６に
吸着させ、半導体ウェーハＷ₁が支持ロッド１６上から
落下しないようにする。

【００４０】続いて、図４に示すように、支持ロッド１
５、１６を回転させて半導体ウェーハＷ₁をその円周方
向に回転させるとともに、研磨ドラム２３を回転させな
がら半導体ウェーハＷ₁の表（おもて）面に接近させ、
研磨液を供給しながら面取り面の研磨を行なう。このと
き、研磨ドラム回転機構２１を研磨ドラム２３の回転軸
方向に水平移動させることによって研磨ドラム２３の側
面全体で研磨を行なうようにする。なお、オリエンテー
ションフラットの研磨を行なうときには支持ロッド１
５、１６の回転を一時的に停止して研磨ドラム２３とオ
リエンテーションフラットとを対応させ、研磨ドラム回
転機構２１のみを研磨ドラム２３の回転軸方向に移動さ
せて研磨する。

【００４１】３−２．〔研磨工程（表裏面の反転）〕 半導体ウェーハＷ₁の表面の研磨が終了したら、軸受部
１４を下方に移動させてから鉛直軸１２まわりについて
１８０°回転させ、半導体ウェーハが載置されていない
支持ロッド１６をファイナルセンタリング機構４０側に
位置させたうえで、２枚目の半導体ウェーハＷ₂を先の
１枚目の半導体ウェーハＷ₁と同様に支持ロッド１５、
１６の間で挟持させる。ところで、この半導体ウェーハ
Ｗ₂は１．〔オリフラ合わせ工程〕、２．〔芯合わせ工
程〕の操作がすでになされたものとする。

【００４２】３−３．〔研磨工程（裏面の研磨）〕 支持ロッド１５、１６を回転させて半導体ウェーハ
Ｗ₁、Ｗ₂をその円周方向に回転させるとともに、研磨ド
ラム２３を回転させながら半導体ウェーハＷ₂の表（お
もて）面に接近させ、研磨液を供給しながら面取り面の
研磨を行なう。同時に、研磨ドラム２３を回転させなが
ら半導体ウェーハＷ₁の裏面に接近させ、研磨液を供給
しながら面取り面の研磨を行なう。オリエンテーション
フラットの研磨、研磨ドラム回転機構２１の移動も３−
１．〔研磨工程（表面の研磨）〕と同様に行なうものと
する。

【００４３】４．〔洗浄・乾燥工程〕 半導体ウェーハＷ₂の表面、半導体ウェーハＷ₁の裏面の
研磨が終了したら、軸受部１４を下方に移動させる。表
裏両面の研磨が終了した半導体ウェーハＷ₁は、軸受部
１４が下方に移動する過程において研磨済みウェーハ受
け渡し機構５０に受け取られて洗浄部６０に渡され、洗
浄されたのちに乾燥部７０にて乾燥され、次に控える加
工工程に移される。

【００４４】半導体ウェーハＷを研磨済みウェーハ受け
渡し機構５０に受け渡した後には、軸受部１４を鉛直軸
１２まわりについて１８０°回転させ、先程半導体ウェ
ーハＷ₁を取り上げられた支持ロッド１６をファイナル
センタリング機構４０側に位置させたうえで、３枚目の
半導体ウェーハＷ₃を先の２枚目の半導体ウェーハＷ₂と
同様に支持ロッド１５、１６の間で挟持させる。

【００４５】以下、１．〔オリフラ合わせ工程〕、２
〔芯合わせ工程〕、３−１〜３〔研磨工程〕、４．〔洗
浄・乾燥工程〕を繰り返して順次搬送される半導体ウェ
ーハの面取り面の研磨を行なう。

【００４６】以上のように、半導体ウェーハの面取り面
研磨装置１を用いて半導体ウェーハの面取り面の研磨を
行なえば、一連の搬送経路中を順次搬送される半導体ウ
ェーハＷについて研磨、洗浄、乾燥を行ない、効率良く
半導体ウェーハＷの面取り面の研磨を行なうことができ
る。特に、回転支持機構１０によって半導体ウェーハＷ
を２枚支持し、一方の半導体ウェーハについてはその表
（おもて）面を、他方の半導体ウェーハについてはその
裏面を同時に研磨することができ、研磨工程の効率を向
上させてている。

【００４７】また、回転支持機構１０による半導体ウェ
ーハＷの回転位置および研磨ドラム回転機構２１の移動
を制御することによってオリエンテーションフラットの
研磨を高精度に行なうことができる。

【００４８】研磨ドラム２３と半導体ウェーハＷの面取
り面との接触点においては研磨布２３ａが移動する方向
と半導体ウェーハＷの面取り面が移動する方向とが直交
する状態で研磨が行なわれるので、面取り面が滑らかに
形成されて研磨による円周方向のすじの発生を防止する
ことができる。さらに、半導体ウェーハＷに柔らかな研
磨布２３ａを押し付けるので、研磨布２３ａが半導体ウ
ェーハＷの表裏面や外周側面に回りこみ、半導体ウェー
ハＷの表面と面取り面との境界、もしくは両面取り面の
境界に位置する角部に面取りの際にできるエッジを除去
するとともに外周側面の研磨をも行なうことができる。
この結果、半導体ウェーハの加工精度を高めて製造時の
歩留りや半導体ウェーハの特性の劣化を食い止めること
ができる。

【００４９】なお、本実施の形態においては、オリエン
テーションフラットを有する半導体ウェーハＷの研磨に
ついて説明したが、本発明の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置１を用いれば、Ｖ字ノッチを有する半導体ウェ
ーハの研磨も十分かつ高精度に行なうことができる。研
磨ドラム２３と半導体ウェーハの面取り面との接触点に
おいてＶ字ノッチに研磨布の生地が入り込むため、従来
不可能であったノッチ面を研磨することができるからで
ある。

【００５０】次に、本発明に係る半導体ウェーハの面取
り面研磨装置を示す第２の実施の形態を図５を参照して
説明する。図５に示す半導体ウェーハの面取り面研磨装
置１００は、研磨機構１２０として、無端状に形成され
た研磨ベルト（研磨布）１２１と、この研磨ベルト１２
１を半導体ウェーハＷの回転方向、もしくはその逆方向
のいずれの方向とも異なる方向に回転可能に支持し、駆
動する研磨ベルト駆動機構（研磨布駆動機構）１２２と
を備えている。

【００５１】研磨ベルト駆動機構１２２は、半導体ウェ
ーハＷの面取り面に対して平行に配置された当て板１２
３と、この当て板１２３に沿って研磨ベルト１２１を２
点間で支持する支持ローラ１２４とからなる研磨布支持
部１２５と、支持ローラ１２４に付設されて研磨ベルト
１２１を回動させる駆動源１２６とを備えている。その
他の構成は第１の実施の形態にて説明した半導体ウェー
ハの面取り面研磨装置１と同様なものとする。

【００５２】上記の半導体ウェーハの面取り面研磨装置
１００を用いて半導体ウェーハの面取り面の研磨を行な
えば、研磨ベルト１２１を半導体ウェーハＷに摺接させ
たとき、面取り面に対する研磨ベルト１２１の押圧力が
均一に作用するので、面取り面の幅方向の研磨ムラを無
くし、研磨による円周方向のすじの発生を防止すること
はもとより面取り面をより滑らかに研磨することができ
る。よって、半導体ウェーハＷの表面側の面取り面から
裏面側の面取り面にかけて研磨布を押し付け、この研磨
布を両面取り面に沿わせて摺動させた場合と比較して
も、半導体ウェーハＷの表面と面取り面との境界、もし
くは両面取り面の境界に位置する角部が過剰に研磨され
ることがない。

【００５３】

【発明の効果】請求項１に記載の半導体ウェーハの面取
り面研磨方法によれば、研磨布を半導体ウェーハの回転
方向、もしくはその逆方向のいずれの方向とも異なる方
向に摺動させることによって、研磨布と半導体ウェーハ
の面取り面との接触点において研磨布が移動する方向と
半導体ウェーハの面取り面の移動する方向とが一致せ
ず、また相反する向きにも一致せずに面取り面が研磨さ
れるので、面取り面が滑らかに形成されて研磨による円
周方向のすじの発生を防止することができ、結果として
半導体ウェーハの加工精度を高めて製造時の歩留りや半
導体ウェーハの特性の劣化を食い止めることができる。

【００５４】請求項２に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置によれば、回転手段によって半導体ウェーハ
を保持してその円周方向に回転させるとともに、研磨布
駆動機構によって研磨布を半導体ウェーハの回転方向、
もしくはその逆方向のいずれの方向とも異なる方向に摺
動させることによって、研磨布と半導体ウェーハの面取
り面との接触点において研磨布が移動する方向と半導体
ウェーハの面取り面の移動する方向とが一致せず、また
相反する向きにも一致せずに面取り面が研磨されるの
で、面取り面が滑らかに形成されて研磨による円周方向
のすじの発生を防止することができる。

【００５５】請求項３に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置によれば、研磨ドラムを半導体ウェーハに摺
接させたとき、研磨布が移動する方向と半導体ウェーハ
の面取り面が移動する方向とが直交する状態で研磨が行
なわれるので、研磨による円周方向のすじの発生を防止
し、面取り面を滑らかに研磨することができる。

【００５６】請求項４に記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置によれば、研磨布を半導体ウェーハに摺接さ
せたとき、面取り面に対する研磨布の押圧力が均一に作
用する状態で研磨が行なわれるので、面取り面の幅方向
の研磨ムラを無くし、研磨による円周方向のすじの発生
を防止することはもとより面取り面をより滑らかに研磨
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨装
置の第１の実施の形態を示す側面図である。

【図２】図１に示した半導体ウェーハの面取り面研磨装
置を示す平面図である。

【図３】図１および図２に示した半導体ウェーハの面取
り面研磨装置に備わる研磨ドラム回転機構を示す側面図
である。

【図４】研磨ドラム回転機構と半導体ウェーハとの接触
状態を示す斜視図である。

【図５】本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨装
置の第２の実施の形態を示す要部側面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウェーハ １ 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 １０ 回転支持機構（回転機構） ２０ 研磨機構 ２１ 研磨ドラム回転機構（研磨布駆動機構） ２２ 研磨ドラム移動機構（研磨布変位機構） ２３ 研磨ドラム ２３ａ 研磨布 ２４ 駆動モータ部（駆動源） １００ 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 １２０ 研磨機構 １２１ 研磨ベルト（研磨布） １２２ 研磨ベルト駆動機構（研磨布駆動機構） １２３ 当て板 １２５ 研磨布支持部 １２６ 駆動源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宗実 賢二 兵庫県朝来郡生野町口銀谷字猪野々985番 地１ 三菱マテリアル株式会社生野製作所 内 (72)発明者 鶴田 捷二 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 熊部 重男 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハの面取り面を研磨する半
   導体ウェーハの面取り面研磨方法であって、 半導体ウェーハをその円周方向に回転させるとともに、 半導体ウェーハの面取り面に研磨液を供給しながら、半
   導体ウェーハの面取り面に接して配された研磨布を半導
   体ウェーハの円周方向とは異なる方向に摺動させること
   によって半導体ウェーハの面取り面を研磨することを特
   徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨方法。
2. 【請求項２】 半導体ウェーハの面取り面を研磨する半
   導体ウェーハの面取り面研磨装置であって、 半導体ウェーハを保持し、該半導体ウェーハをその円周
   方向に回転可能に支持する回転機構と、 該回転機構に保持された半導体ウェーハの円周方向とは
   異なる方向に走行可能に支持された研磨布と、 該研磨布を走行させる研磨布駆動機構と、 前記回転機構に保持された半導体ウェーハと研磨布とを
   相対的に離間、接近させて研磨布と半導体ウェーハの面
   取り面とを接触させる研磨布変位機構とを備えることを
   特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨装置。
3. 【請求項３】 前記研磨布駆動機構は、前記半導体ウェ
   ーハの表裏面と平行な軸線まわりについて回動可能に支
   持された研磨ドラムと、 該研磨ドラムを回転させる駆動源とを備え、 前記研磨布は研磨ドラムの外周面に貼設されていること
   を特徴とする請求項２に記載の半導体ウェーハの面取り
   面研磨装置。
4. 【請求項４】 前記研磨布駆動機構は、前記半導体ウェ
   ーハの面取り面に対して平行に配置された当て板と、 該当て板に沿って前記研磨布を支持し、該研磨布を半導
   体ウェーハの面取り面に沿って摺動可能とする研磨布支
   持部と、 該研磨布支持部に付設されて研磨布を作動させる駆動源
   とを備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウ
   ェーハの面取り面研磨装置。