JPH09153765A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH09153765A JPH09153765A JP7335880A JP33588095A JPH09153765A JP H09153765 A JPH09153765 A JP H09153765A JP 7335880 A JP7335880 A JP 7335880A JP 33588095 A JP33588095 A JP 33588095A JP H09153765 A JPH09153765 A JP H09153765A
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- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- transducer
- wave filter
- coupler
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上の遊びスペースを合理的に削減して、性
能を低下させることなく小型化を効果的に図る。 【解決手段】マルチストリップカプラ５を形成する４本
電極５1，５2，５3，５4がそれぞれクランク形状に曲成
されて中間部分で相互に絶縁膜９を介して交差するよう
にされるとともに、前記マルチストリップカプラ５の左
右いずれか片方側における前記４本の電極の交差部分の
上下にそれぞれ入力トランスデューサ３及び出力トラン
スデューサ４を配設する。
能を低下させることなく小型化を効果的に図る。 【解決手段】マルチストリップカプラ５を形成する４本
電極５1，５2，５3，５4がそれぞれクランク形状に曲成
されて中間部分で相互に絶縁膜９を介して交差するよう
にされるとともに、前記マルチストリップカプラ５の左
右いずれか片方側における前記４本の電極の交差部分の
上下にそれぞれ入力トランスデューサ３及び出力トラン
スデューサ４を配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性体の表面を伝
播する表面波を利用した弾性表面波フィルタに係り、特
に、基板上に配設される入力トランスデューサ、出力ト
ランスデューサ、及びマルチストリップカプラの形状、
位置等を工夫して小型化を図ったものに関する。
播する表面波を利用した弾性表面波フィルタに係り、特
に、基板上に配設される入力トランスデューサ、出力ト
ランスデューサ、及びマルチストリップカプラの形状、
位置等を工夫して小型化を図ったものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波フィルタの代表的な例
を図３に示す。図示例の弾性表面波フィルタ１０は、圧
電基板２の中央部に、左右方向に一定間隔をあけて配列
された上下方向に伸びる所定本（ここでは４本）の直線
状の電極からなるマルチストリップカプラ８が配設され
るとともに、該マルチストリップカプラ８を挟んでその
左上に入力トランスデューサ３が、また、その右下に出
力トランスデューサ４がそれぞれ配設され、両端部には
ダンパー７，７が配設されている。
を図３に示す。図示例の弾性表面波フィルタ１０は、圧
電基板２の中央部に、左右方向に一定間隔をあけて配列
された上下方向に伸びる所定本（ここでは４本）の直線
状の電極からなるマルチストリップカプラ８が配設され
るとともに、該マルチストリップカプラ８を挟んでその
左上に入力トランスデューサ３が、また、その右下に出
力トランスデューサ４がそれぞれ配設され、両端部には
ダンパー７，７が配設されている。
【０００３】前記入力トランスデューサ３及び出力トラ
ンスデューサ４は、それぞれ互いの電極要素が部分的に
交互に入れ違うように上下に対向配置された一対のくし
歯状電極３Ａ，３Ｂ及び４Ａ，４Ｂからなっている。
ンスデューサ４は、それぞれ互いの電極要素が部分的に
交互に入れ違うように上下に対向配置された一対のくし
歯状電極３Ａ，３Ｂ及び４Ａ，４Ｂからなっている。
【０００４】ここで、前記マルチストリップカプラ８
は、従来よりバルク波が原因となるスプリアスの改善を
図ったり、入出力どちらの電極も幅方向に重み付けを施
したフィルタに用いられているものであり、入力トラン
スデューサ３側のチャンネルに入力された弾性表面波に
より生じた各々の電極の電界により、出力トランスデュ
ーサ４側で弾性表面波を励振するが、入力トランスデュ
ーサ３側のチャンネルに入力された弾性表面波の一部
は、マルチストリップカプラ８によって励振されずに直
接圧電基板２上を伝播するため、マルチストリップカプ
ラ８を挟んで入力トランスデューサ３と対向する位置に
出力トランスデューサ４を配置すると、上記マルチスト
リップカプラ８により励振された弾性表面波と、励振さ
れない弾性表面波とが２重に伝わることになるため、特
性上問題がある。従って、図３に示すように、マルチス
トリップカプラ８を挟んで入力トランスデューサ３とは
対角線上に、出力トランスデューサ４を配置し、且つ、
上記マルチストリップカプラ８により励振されない弾性
表面波を吸収するためのダンパー７，７を設ける。
は、従来よりバルク波が原因となるスプリアスの改善を
図ったり、入出力どちらの電極も幅方向に重み付けを施
したフィルタに用いられているものであり、入力トラン
スデューサ３側のチャンネルに入力された弾性表面波に
より生じた各々の電極の電界により、出力トランスデュ
ーサ４側で弾性表面波を励振するが、入力トランスデュ
ーサ３側のチャンネルに入力された弾性表面波の一部
は、マルチストリップカプラ８によって励振されずに直
接圧電基板２上を伝播するため、マルチストリップカプ
ラ８を挟んで入力トランスデューサ３と対向する位置に
出力トランスデューサ４を配置すると、上記マルチスト
リップカプラ８により励振された弾性表面波と、励振さ
れない弾性表面波とが２重に伝わることになるため、特
性上問題がある。従って、図３に示すように、マルチス
トリップカプラ８を挟んで入力トランスデューサ３とは
対角線上に、出力トランスデューサ４を配置し、且つ、
上記マルチストリップカプラ８により励振されない弾性
表面波を吸収するためのダンパー７，７を設ける。
【０００５】また、本例の弾性表面波フィルタ１０で
は、マルチストリップカプラ８の各電極が直線状とされ
ている関係上、出力トランスデューサ４側（下半分）で
励振された弾性表面波の進行方向は入力トランスデュー
サ３側のチャンネル（上半分）に入力された弾性表面波
の進行方向と同じになる（図の白抜き矢印）。
は、マルチストリップカプラ８の各電極が直線状とされ
ている関係上、出力トランスデューサ４側（下半分）で
励振された弾性表面波の進行方向は入力トランスデュー
サ３側のチャンネル（上半分）に入力された弾性表面波
の進行方向と同じになる（図の白抜き矢印）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した弾
性表面波フィルタ１０に用いられているマルチストリッ
プカプラ８は、その構成要素である電極が直線状とされ
ているので、必然的に、図３を参照すれば明らかなよう
に、対角線上に位置せしめられている入力トランスデュ
ーサ３、出力トランスデューサ４の下方、上方にぞれぞ
れ遊んでいる未使用スペースＳａ，Ｓｂが生じ、結果的
に、基板２すなわち当該弾性表面波フィルタ１０のチッ
プ面積が大きくなり、小型化や高密度実装化等の要望に
応えられないといった問題があった。
性表面波フィルタ１０に用いられているマルチストリッ
プカプラ８は、その構成要素である電極が直線状とされ
ているので、必然的に、図３を参照すれば明らかなよう
に、対角線上に位置せしめられている入力トランスデュ
ーサ３、出力トランスデューサ４の下方、上方にぞれぞ
れ遊んでいる未使用スペースＳａ，Ｓｂが生じ、結果的
に、基板２すなわち当該弾性表面波フィルタ１０のチッ
プ面積が大きくなり、小型化や高密度実装化等の要望に
応えられないといった問題があった。
【０００７】本発明は、上述した如くの問題を解消すべ
くなされたもので、その目的とするところは、基板上の
遊びスペースを合理的に削減して、性能を低下させるこ
となく小型化を効果的に図った弾性表面波フィルタを提
供することにある。
くなされたもので、その目的とするところは、基板上の
遊びスペースを合理的に削減して、性能を低下させるこ
となく小型化を効果的に図った弾性表面波フィルタを提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成すべ
く、本発明に係る弾性表面波フィルタは、基本的には、
基板上に入力トランスデューサ、出力トランスデュー
サ、及びマルチストリップカプラが配設されており、前
記マルチストリップカプラを形成する複数本の電極がそ
れぞれ曲成され、前記入力トランスデューサから発生し
た弾性表面波の進行方向と垂直な方向に上下に前記入力
トランスデューサ及び出力トランスデューサが配置さ
れ、且つ前記入力トランスデューサ及び出力トランスデ
ューサの一部ないし全部が弾性表面波の進行方向に対し
て互いに重なり合うようにされている。
く、本発明に係る弾性表面波フィルタは、基本的には、
基板上に入力トランスデューサ、出力トランスデュー
サ、及びマルチストリップカプラが配設されており、前
記マルチストリップカプラを形成する複数本の電極がそ
れぞれ曲成され、前記入力トランスデューサから発生し
た弾性表面波の進行方向と垂直な方向に上下に前記入力
トランスデューサ及び出力トランスデューサが配置さ
れ、且つ前記入力トランスデューサ及び出力トランスデ
ューサの一部ないし全部が弾性表面波の進行方向に対し
て互いに重なり合うようにされている。
【０００９】より具体的な一例としては、前記マルチス
トリップカプラを形成する複数本の電極がそれぞれクラ
ンク形状に曲成されて中間部分で相互に絶縁膜を介して
交差するようにされるとともに、前記マルチストリップ
カプラの左右いずれか片方側における前記複数本の電極
の交差部分の上下にそれぞれ前記入力トランスデューサ
及び出力トランスデューサが配設されているものが挙げ
られる。
トリップカプラを形成する複数本の電極がそれぞれクラ
ンク形状に曲成されて中間部分で相互に絶縁膜を介して
交差するようにされるとともに、前記マルチストリップ
カプラの左右いずれか片方側における前記複数本の電極
の交差部分の上下にそれぞれ前記入力トランスデューサ
及び出力トランスデューサが配設されているものが挙げ
られる。
【００１０】さらに他の例としては、前記マルチストリ
ップカプラを形成する複数本の電極がそれぞれクランク
形状に曲成されるとともに、前記マルチストリップカプ
ラの中間部分を挟んでその上下にそれぞれ前記入力トラ
ンスデューサ及び出力トランスデューサが配設されてい
るものが挙げられる。
ップカプラを形成する複数本の電極がそれぞれクランク
形状に曲成されるとともに、前記マルチストリップカプ
ラの中間部分を挟んでその上下にそれぞれ前記入力トラ
ンスデューサ及び出力トランスデューサが配設されてい
るものが挙げられる。
【００１１】上述のようにマルチストリップカプラを形
成する複数本の電極の形状をクランク形状等となすこと
により、入力トランスデューサ及び出力トランスデュー
サの配置自由度が高められ、それらをマルチストリップ
カプラの両側に配置する必要がなくなるので、基板上の
遊びスペースが合理的に削減され、性能を低下させるこ
となく、弾性表面波フィルタの小型化が効果的に図られ
る。
成する複数本の電極の形状をクランク形状等となすこと
により、入力トランスデューサ及び出力トランスデュー
サの配置自由度が高められ、それらをマルチストリップ
カプラの両側に配置する必要がなくなるので、基板上の
遊びスペースが合理的に削減され、性能を低下させるこ
となく、弾性表面波フィルタの小型化が効果的に図られ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図１は、本発明に係る弾性表面
波フィルタの第１実施形態を示している。この図１に示
される弾性表面波フィルタ１及び後述する図２に示され
る弾性表面波フィルタ１’において、前述した図３に示
される従来の弾性表面波フィルタ１０の各部に対応する
部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略ないし
簡略にする。図示の弾性表面波フィルタ１は、セラミッ
クからなる圧電基板２上に、入力トランスデューサ３、
出力トランスデューサ４、マルチストリップカプラ５が
配設されるとともに、左右両端部の上下にそれぞれダン
パー７，７，７，７が配設されているが、前記入力トラ
ンスデューサ３、出力トランスデューサ４の配設位置、
及びマルチストリップカプラ５を形成する複数本の電極
の形状、長さ等が図３に示される従来のものと異なる。
を参照しつつ説明する。図１は、本発明に係る弾性表面
波フィルタの第１実施形態を示している。この図１に示
される弾性表面波フィルタ１及び後述する図２に示され
る弾性表面波フィルタ１’において、前述した図３に示
される従来の弾性表面波フィルタ１０の各部に対応する
部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略ないし
簡略にする。図示の弾性表面波フィルタ１は、セラミッ
クからなる圧電基板２上に、入力トランスデューサ３、
出力トランスデューサ４、マルチストリップカプラ５が
配設されるとともに、左右両端部の上下にそれぞれダン
パー７，７，７，７が配設されているが、前記入力トラ
ンスデューサ３、出力トランスデューサ４の配設位置、
及びマルチストリップカプラ５を形成する複数本の電極
の形状、長さ等が図３に示される従来のものと異なる。
【００１３】すなわち、本実施形態においては、前記マ
ルチストリップカプラ５を形成する複数本（ここでは４
本）の電極５1，５2，５3，５4がそれぞれクランク形状
に曲成されて中間部分で相互に絶縁膜９，９，・・・を
介して交差するようにされるとともに、前記マルチスト
リップカプラ５の左側における前記４本の電極５1，
５2，５3，５4の交差部分の上下にそれぞれ前記入力ト
ランスデューサ３及び出力トランスデューサ４が配設さ
れており、前記入力トランスデューサ３及び出力トラン
スデューサ４のそれぞれにおけるマルチストリップカプ
ラ５に近い方の右側端から見た前記４本の電極５1，
５2，５3，５4の配列順番は、入力トランスデューサ３
側では５1−５2−５3−５4となるのに対し、出力トラン
スデューサ４側では５4−５3−５2−５1と逆になる。
ルチストリップカプラ５を形成する複数本（ここでは４
本）の電極５1，５2，５3，５4がそれぞれクランク形状
に曲成されて中間部分で相互に絶縁膜９，９，・・・を
介して交差するようにされるとともに、前記マルチスト
リップカプラ５の左側における前記４本の電極５1，
５2，５3，５4の交差部分の上下にそれぞれ前記入力ト
ランスデューサ３及び出力トランスデューサ４が配設さ
れており、前記入力トランスデューサ３及び出力トラン
スデューサ４のそれぞれにおけるマルチストリップカプ
ラ５に近い方の右側端から見た前記４本の電極５1，
５2，５3，５4の配列順番は、入力トランスデューサ３
側では５1−５2−５3−５4となるのに対し、出力トラン
スデューサ４側では５4−５3−５2−５1と逆になる。
【００１４】なお、前記入力トランスデューサ３及び出
力トランスデューサ４は、従来のものと同様にそれぞれ
互いの電極要素が部分的に交互に入れ違うように上下に
対向配置された一対のくし歯状電極３Ａ，３Ｂ及び４
Ａ，４Ｂからなっている。
力トランスデューサ４は、従来のものと同様にそれぞれ
互いの電極要素が部分的に交互に入れ違うように上下に
対向配置された一対のくし歯状電極３Ａ，３Ｂ及び４
Ａ，４Ｂからなっている。
【００１５】また、入力トランスデューサ３、出力トラ
ンスデューサ４、及びマルチストリップカプラ５は、基
板２上にアルミニウムを蒸着後、化学エッチング処理す
ることにより形成され、ダンパー７はシリコン樹脂を塗
布乾燥させること等により形成される。
ンスデューサ４、及びマルチストリップカプラ５は、基
板２上にアルミニウムを蒸着後、化学エッチング処理す
ることにより形成され、ダンパー７はシリコン樹脂を塗
布乾燥させること等により形成される。
【００１６】ここで、前記マルチストリップカプラ５
は、入力トランスデューサ３側のチャンネル（上半分）
に入力された弾性表面波により生じた各々の電極の電界
により、出力トランスデューサ４側（下半分）で弾性表
面波を励振する。本実施形態の弾性表面波フィルタ１で
は、マルチストリップカプラ５の各電極５1，５2，
５3，５4がクランク形状とされている関係上、出力トラ
ンスデューサ４側（下半分）で励振された弾性表面波の
進行方向は入力トランスデューサ３側のチャンネル（上
半分）に入力された弾性表面波の進行方向と逆になる
（図の白抜き矢印）。
は、入力トランスデューサ３側のチャンネル（上半分）
に入力された弾性表面波により生じた各々の電極の電界
により、出力トランスデューサ４側（下半分）で弾性表
面波を励振する。本実施形態の弾性表面波フィルタ１で
は、マルチストリップカプラ５の各電極５1，５2，
５3，５4がクランク形状とされている関係上、出力トラ
ンスデューサ４側（下半分）で励振された弾性表面波の
進行方向は入力トランスデューサ３側のチャンネル（上
半分）に入力された弾性表面波の進行方向と逆になる
（図の白抜き矢印）。
【００１７】このように本実施形態の弾性表面波フィル
タ１においては、マルチストリップカプラ５がクランク
形状とされることによって、入力トランスデューサ３及
び出力トランスデューサ４の配置自由度が高められ、そ
れらをマルチストリップカプラ５の両側に配置する必要
がなくなるので、基板２上の遊びスペースが合理的に削
減され、性能を低下させることなく、弾性表面波フィル
タの小型化が効果的に図られる。
タ１においては、マルチストリップカプラ５がクランク
形状とされることによって、入力トランスデューサ３及
び出力トランスデューサ４の配置自由度が高められ、そ
れらをマルチストリップカプラ５の両側に配置する必要
がなくなるので、基板２上の遊びスペースが合理的に削
減され、性能を低下させることなく、弾性表面波フィル
タの小型化が効果的に図られる。
【００１８】図２は、本発明に係る弾性表面波フィルタ
の第２実施形態を示している。この図２に示される弾性
表面波フィルタ１’は、前述の第１実施形態と同様に、
セラミックからなる圧電基板２上に、入力トランスデュ
ーサ３、出力トランスデューサ４、マルチストリップカ
プラ６が配設されるとともに、左右両端部にそれぞれダ
ンパー７，７が配設されているが、前記入力トランスデ
ューサ３、出力トランスデューサ４の配設位置、及びマ
ルチストリップカプラ６を形成する複数本の電極の形
状、長さ等が第１実施形態のものと異なる。
の第２実施形態を示している。この図２に示される弾性
表面波フィルタ１’は、前述の第１実施形態と同様に、
セラミックからなる圧電基板２上に、入力トランスデュ
ーサ３、出力トランスデューサ４、マルチストリップカ
プラ６が配設されるとともに、左右両端部にそれぞれダ
ンパー７，７が配設されているが、前記入力トランスデ
ューサ３、出力トランスデューサ４の配設位置、及びマ
ルチストリップカプラ６を形成する複数本の電極の形
状、長さ等が第１実施形態のものと異なる。
【００１９】すなわち、本実施形態においては、前記マ
ルチストリップカプラ６を形成する複数本（ここでは４
本）の電極６1，６2，６3，６4がそれぞれクランク形状
に曲成されるとともに、前記マルチストリップカプラ６
の中間部分を挟んでその上下にそれぞれ前記入力トラン
スデューサ３及び出力トランスデューサ３が配設されて
おり、前記入力トランスデューサ３におけるマルチスト
リップカプラ６に近い方の右側端から見た４本の電極６
1，６2，６3，６4の配列順番は、６1−６2−６3−６4と
なるのに対し、出力トランスデューサ４におけるマルチ
ストリップカプラ６に近い方の左側端から見た４本の電
極６1，６2，６3，６4の配列順番は、６4−６3−６2−
６1と逆になる。
ルチストリップカプラ６を形成する複数本（ここでは４
本）の電極６1，６2，６3，６4がそれぞれクランク形状
に曲成されるとともに、前記マルチストリップカプラ６
の中間部分を挟んでその上下にそれぞれ前記入力トラン
スデューサ３及び出力トランスデューサ３が配設されて
おり、前記入力トランスデューサ３におけるマルチスト
リップカプラ６に近い方の右側端から見た４本の電極６
1，６2，６3，６4の配列順番は、６1−６2−６3−６4と
なるのに対し、出力トランスデューサ４におけるマルチ
ストリップカプラ６に近い方の左側端から見た４本の電
極６1，６2，６3，６4の配列順番は、６4−６3−６2−
６1と逆になる。
【００２０】なお、本実施形態の弾性表面波フィルタ
１’では、マルチストリップカプラ５の各電極６1，
６2，６3，６4がクランク形状とされているが、第１実
施形態とは異なり、出力トランスデューサ４側（下半
分）で励振された弾性表面波の進行方向は入力トランス
デューサ３側のチャンネル（上半分）に入力された弾性
表面波の進行方向と同じになる（図の白抜き矢印）。
１’では、マルチストリップカプラ５の各電極６1，
６2，６3，６4がクランク形状とされているが、第１実
施形態とは異なり、出力トランスデューサ４側（下半
分）で励振された弾性表面波の進行方向は入力トランス
デューサ３側のチャンネル（上半分）に入力された弾性
表面波の進行方向と同じになる（図の白抜き矢印）。
【００２１】この第２実施形態の弾性表面波フィルタ
１’においても、マルチストリップカプラ６がクランク
形状とされることによって、入力トランスデューサ３及
び出力トランスデューサ４の配置自由度が高められ、そ
れらをマルチストリップカプラ６の両側に配置する必要
がなくなるので、基板２上の遊びスペースが合理的に削
減され、性能を低下させることなく、弾性表面波フィル
タの小型化が効果的に図られる。
１’においても、マルチストリップカプラ６がクランク
形状とされることによって、入力トランスデューサ３及
び出力トランスデューサ４の配置自由度が高められ、そ
れらをマルチストリップカプラ６の両側に配置する必要
がなくなるので、基板２上の遊びスペースが合理的に削
減され、性能を低下させることなく、弾性表面波フィル
タの小型化が効果的に図られる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から理解されるように、本発
明に係る弾性表面波フィルタは、入力トランスデューサ
及び出力トランスデューサの配置自由度が高められ、そ
れらをマルチストリップカプラの両側に配置する必要が
なくなるので、基板上の遊びスペースを合理的に削減で
き、性能を低下させることなく、小型化を効果的に図る
ことができるという効果を奏する。
明に係る弾性表面波フィルタは、入力トランスデューサ
及び出力トランスデューサの配置自由度が高められ、そ
れらをマルチストリップカプラの両側に配置する必要が
なくなるので、基板上の遊びスペースを合理的に削減で
き、性能を低下させることなく、小型化を効果的に図る
ことができるという効果を奏する。
【図１】本発明に係る弾性表面波フィルタの第１実施形
態を示す平面図。
態を示す平面図。
【図２】本発明に係る弾性表面波フィルタの第２実施形
態を示す平面図。
態を示す平面図。
【図３】従来の弾性表面波フィルタの一例を示す平面
図。
図。
１ 弾性表面波フィルタ（第１実施形態） １’ 弾性表面波フィルタ（第２実施形態） ２ 圧電基板 ３ 入力トランスデューサ ４ 出力トランスデューサ ５ マルチストリップカプラ（第１実施形態） ６ マルチストリップカプラ（第２実施形態） ７ ダンパー ９ 絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に入力トランスデューサ、出力トラ
ンスデューサ、及びマルチストリップカプラが配設され
てなる弾性表面波フィルタにおいて、 前記マルチストリップカプラを形成する複数本の電極が
それぞれ曲成され、前記入力トランスデューサから発生
した弾性表面波の進行方向と垂直な方向に上下に前記入
力トランスデューサ及び出力トランスデューサが配置さ
れ、且つ前記入力トランスデューサ及び出力トランスデ
ューサの一部ないし全部が、弾性表面波の進行方向に対
して互いに重なり合うことを特徴とする弾性表面波フィ
ルタ。 - 【請求項２】前記マルチストリップカプラを形成する複
数本の電極がそれぞれクランク形状に曲成されて中間部
分で相互に絶縁膜を介して交差するようにされるととも
に、前記マルチストリップカプラの左右いずれか片方側
における前記複数本の電極の交差部分の上下にそれぞれ
前記入力トランスデューサ及び出力トランスデューサが
配設されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性
表面波フィルタ。 - 【請求項３】前記マルチストリップカプラを形成する複
数本の電極がそれぞれクランク形状に曲成されるととも
に、前記マルチストリップカプラの中間部分を挟んでそ
の上下にそれぞれ前記入力トランスデューサ及び出力ト
ランスデューサが配設されていることを特徴とする請求
項１に記載の弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7335880A JPH09153765A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7335880A JPH09153765A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153765A true JPH09153765A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18293414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7335880A Pending JPH09153765A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114927A (en) * | 1998-06-19 | 2000-09-05 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter utilizing direction changing electrodes and a weighted transducer |
| EP1192429A4 (en) * | 1999-06-08 | 2003-07-09 | Circuits & Systems Inc | IMPROVED ELECTRONIC WEIGHING DEVICE WITH ACOUSTIC SURFACE WAVES |
| US12095449B2 (en) * | 2018-07-27 | 2024-09-17 | Soitec | Resonant cavity surface acoustic wave (SAW) filters |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP7335880A patent/JPH09153765A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114927A (en) * | 1998-06-19 | 2000-09-05 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter utilizing direction changing electrodes and a weighted transducer |
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| US12289100B2 (en) | 2018-07-27 | 2025-04-29 | Soitec | Resonant cavity surface acoustic wave (SAW) filters |
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