JPH09155266A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
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- JPH09155266A JPH09155266A JP7316170A JP31617095A JPH09155266A JP H09155266 A JPH09155266 A JP H09155266A JP 7316170 A JP7316170 A JP 7316170A JP 31617095 A JP31617095 A JP 31617095A JP H09155266 A JPH09155266 A JP H09155266A
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- JP
- Japan
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- solvent
- discharge pipe
- nozzle
- coating device
- resist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 吐出時の溶剤の指向性を向上させ、所定の領
域のみに的確に安定して溶剤を噴射する。 【解決手段】 リンスノズル10の内部は螺旋状の溝R
Mが形成されており、エッジリンス液である溶剤の供給
時に溶剤はスパイラル状にリンスノズル10の先端部か
ら流出するので直進性がよく、溶剤の飛散も防止でき、
半導体ウエハ表面周辺部の不要なレジストのみを的確に
取り除くことができる。
域のみに的確に安定して溶剤を噴射する。 【解決手段】 リンスノズル10の内部は螺旋状の溝R
Mが形成されており、エッジリンス液である溶剤の供給
時に溶剤はスパイラル状にリンスノズル10の先端部か
ら流出するので直進性がよく、溶剤の飛散も防止でき、
半導体ウエハ表面周辺部の不要なレジストのみを的確に
取り除くことができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、塗布装置に関し、
特に、溶剤を吐出して供給を行う吐出管の溶剤供給制御
に適用して有効な技術に関するものである。
特に、溶剤を吐出して供給を行う吐出管の溶剤供給制御
に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、半
導体ウエハにレジストやSOG(Spin On Gl
ass)塗布を行う塗布装置の一種であるスピン式塗布
装置には、半導体ウエハ表面の周辺部に塗布されたSO
G膜やレジスト膜を溶剤により取り除くエッジリンスを
行うエッジノズルが設けられている。
導体ウエハにレジストやSOG(Spin On Gl
ass)塗布を行う塗布装置の一種であるスピン式塗布
装置には、半導体ウエハ表面の周辺部に塗布されたSO
G膜やレジスト膜を溶剤により取り除くエッジリンスを
行うエッジノズルが設けられている。
【0003】このエッジノズルは、たとえば、直径数m
m程度の筒状の管により一般的に構成されている。
m程度の筒状の管により一般的に構成されている。
【0004】なお、この種の塗布装置について詳しく述
べてある例としては、株式会社工業調査会、1994年
11月25日発行、大島雅志(編)「電子材料11月号
別冊超LSI製造・試験装置ガイドブック<1995年
版>」P77〜P78があり、この文献には、コータユ
ニットの構成や動作などの説明が記載されている。
べてある例としては、株式会社工業調査会、1994年
11月25日発行、大島雅志(編)「電子材料11月号
別冊超LSI製造・試験装置ガイドブック<1995年
版>」P77〜P78があり、この文献には、コータユ
ニットの構成や動作などの説明が記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なエッジノズルの形状では、次のような問題点があるこ
とが本発明者により見い出された。
なエッジノズルの形状では、次のような問題点があるこ
とが本発明者により見い出された。
【0006】すなわち、エッジノズル端部が直径数mm
程度の筒状であるので、エッジリンス液である溶剤の噴
射方向が不安定となり、半導体ウエハ表面の周辺で溶剤
の跳ね返りが生じてしまい、それらの跳ね返った溶剤が
半導体ウエハ表面の中心部周辺に付着し、配線ショート
などの不良発生の原因となってしまうという問題があ
る。
程度の筒状であるので、エッジリンス液である溶剤の噴
射方向が不安定となり、半導体ウエハ表面の周辺で溶剤
の跳ね返りが生じてしまい、それらの跳ね返った溶剤が
半導体ウエハ表面の中心部周辺に付着し、配線ショート
などの不良発生の原因となってしまうという問題があ
る。
【0007】また、溶剤の跳ね返りを少なくするための
溶剤の供給制御は、人手によりエッジノズルの向きや角
度を調整しなければならず、作業それ自体が熟練を要す
るものであり、作業時間が長時間となり、作業工数も多
く掛かってしまうという問題もある。
溶剤の供給制御は、人手によりエッジノズルの向きや角
度を調整しなければならず、作業それ自体が熟練を要す
るものであり、作業時間が長時間となり、作業工数も多
く掛かってしまうという問題もある。
【0008】本発明の目的は、吐出時の溶剤の指向性を
向上させ、所定の領域のみに的確に安定して溶剤を塗布
することのできる塗布装置を提供することにある。
向上させ、所定の領域のみに的確に安定して溶剤を塗布
することのできる塗布装置を提供することにある。
【0009】また、本発明の他の目的は、吐出後の不要
な溶剤の垂れ落ちを確実に防止することのできる塗布装
置を提供することにある。
な溶剤の垂れ落ちを確実に防止することのできる塗布装
置を提供することにある。
【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0012】すなわち、本発明の塗布装置は、所定の溶
剤を吐出するノズルの内部に、螺旋状の溝を設けたもの
である。
剤を吐出するノズルの内部に、螺旋状の溝を設けたもの
である。
【0013】それにより、溶剤をスパイラル状に吐出す
ることができるので、溶剤の指向性を向上させることが
でき、吐出時の溶剤の飛散などを防止することができ
る。
ることができるので、溶剤の指向性を向上させることが
でき、吐出時の溶剤の飛散などを防止することができ
る。
【0014】また、本発明の塗布装置は、前記ノズル
が、エッジリンス液を吐出するリンスノズルであるもの
である。
が、エッジリンス液を吐出するリンスノズルであるもの
である。
【0015】それにより、所定の領域に的確に安定して
エッジリンス液を噴射することができ、エッジリンス液
が不要な箇所に飛散してしまうことを防止することがで
きる。
エッジリンス液を噴射することができ、エッジリンス液
が不要な箇所に飛散してしまうことを防止することがで
きる。
【0016】さらに、本発明の塗布装置は、所定の溶剤
を吐出するノズルの先端部に、溶剤の垂れ落ちを防止す
る滴下防止手段を設けたものである。
を吐出するノズルの先端部に、溶剤の垂れ落ちを防止す
る滴下防止手段を設けたものである。
【0017】それにより、溶剤の供給後の不要なノズル
先端部からの溶剤の垂れ落ちを防止することができ、溶
剤の供給後に溶剤を吸引するサックバック機構が不要と
なり、装置構成を簡単にでき、コストも抑えることがで
きる。
先端部からの溶剤の垂れ落ちを防止することができ、溶
剤の供給後に溶剤を吸引するサックバック機構が不要と
なり、装置構成を簡単にでき、コストも抑えることがで
きる。
【0018】また、本発明の塗布装置は、前記滴下防止
手段が、ノズルの先端部に複数の仕切り板を設けた構造
よりなるものである。
手段が、ノズルの先端部に複数の仕切り板を設けた構造
よりなるものである。
【0019】それにより、ノズル先端部の吐出口の面積
を小さくすることによって、表面張力を小さくすること
ができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部か
らの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
を小さくすることによって、表面張力を小さくすること
ができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部か
らの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
【0020】さらに、本発明の塗布装置は、前記仕切り
板が、ノズルの中心から外周部に放射状に等間隔に形成
された形状よりなるものである。
板が、ノズルの中心から外周部に放射状に等間隔に形成
された形状よりなるものである。
【0021】それにより、ノズル先端部の吐出口の面積
を小さくすることによって、表面張力を小さくすること
ができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部か
らの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
を小さくすることによって、表面張力を小さくすること
ができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部か
らの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
【0022】また、本発明の塗布装置は、前記滴下防止
手段が、ノズルの先端部に該ノズルの吐出口を分割する
複数の分割孔を一定間隔に設けた構造よりなるものであ
る。
手段が、ノズルの先端部に該ノズルの吐出口を分割する
複数の分割孔を一定間隔に設けた構造よりなるものであ
る。
【0023】それによっても、ノズル先端部の吐出口の
面積を小さくすることにより、表面張力を小さくするこ
とができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部
からの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
面積を小さくすることにより、表面張力を小さくするこ
とができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部
からの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【0025】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1によるスピンコータの構造説明図、図2は、本発
明の実施の形態1によるスピンコータに設けられたリン
スノズルの一部破断した外観図である。
形態1によるスピンコータの構造説明図、図2は、本発
明の実施の形態1によるスピンコータに設けられたリン
スノズルの一部破断した外観図である。
【0026】本実施の形態1において、水平にした試料
上にSOGやレジストを滴下し、試料を回転させること
により試料上に均一なSOG膜やレジスト膜を形成させ
るスピンコータ(塗布装置)1は、SOGやレジストの
跳ね返りを防止する円筒状の容器であるスピンカップ2
が、塗布される試料を囲い込むように据え付けられてい
る。
上にSOGやレジストを滴下し、試料を回転させること
により試料上に均一なSOG膜やレジスト膜を形成させ
るスピンコータ(塗布装置)1は、SOGやレジストの
跳ね返りを防止する円筒状の容器であるスピンカップ2
が、塗布される試料を囲い込むように据え付けられてい
る。
【0027】また、スピンコータ1の中央部には、真空
吸着などにより試料を吸着し、試料の回転を行うスピン
チャック3が設けられ、スピンチャック3はモータなど
の駆動手段(図示せず)と接続された回転軸4と固定さ
れている。
吸着などにより試料を吸着し、試料の回転を行うスピン
チャック3が設けられ、スピンチャック3はモータなど
の駆動手段(図示せず)と接続された回転軸4と固定さ
れている。
【0028】そして、スピンチャック3の上面には試料
である、たとえば、半導体ウエハ(被処理物)Wが吸着
固定され、駆動手段により回転軸4を回転させることに
よってスピンチャック3を回転させる。
である、たとえば、半導体ウエハ(被処理物)Wが吸着
固定され、駆動手段により回転軸4を回転させることに
よってスピンチャック3を回転させる。
【0029】さらに、スピンチャック3の上方には、吸
着固定された半導体ウエハWの中心にSOGもしくはレ
ジストを滴下する、たとえば、ステンレスやテフロン樹
脂製の薬液ノズル5が位置しており、この薬液ノズル5
は、滴下されるSOGやレジストの量を調整する調整用
バルブ6および配管7を介してSOGやレジストが貯め
られた薬液ボトル8に接続されている。
着固定された半導体ウエハWの中心にSOGもしくはレ
ジストを滴下する、たとえば、ステンレスやテフロン樹
脂製の薬液ノズル5が位置しており、この薬液ノズル5
は、滴下されるSOGやレジストの量を調整する調整用
バルブ6および配管7を介してSOGやレジストが貯め
られた薬液ボトル8に接続されている。
【0030】また、スピンコータ1には、たとえば、窒
素ガスやヘリウムガスなどの不活性ガスが供給される圧
送用ガス供給チューブ9が設けられている。
素ガスやヘリウムガスなどの不活性ガスが供給される圧
送用ガス供給チューブ9が設けられている。
【0031】そして、圧送用ガス供給チューブ9は薬液
ボトル8に接続され、圧送用ガス供給チューブ9から供
給された不活性ガスの圧力で薬液ボトル8内のSOGや
レジストが配管7に圧送され、調整用バルブ6によって
滴下量が調整されて薬液ノズル5から所定量のレジスト
が滴下される。
ボトル8に接続され、圧送用ガス供給チューブ9から供
給された不活性ガスの圧力で薬液ボトル8内のSOGや
レジストが配管7に圧送され、調整用バルブ6によって
滴下量が調整されて薬液ノズル5から所定量のレジスト
が滴下される。
【0032】また、スピンチャック3に吸着固定された
半導体ウエハW上面の外周部近傍の上方には、半導体ウ
エハW上面に外周部にエッジリンス液である溶剤を供給
する、たとえば、ステンレスやテフロン樹脂などからな
るリンスノズル(吐出管)10が設けられている。
半導体ウエハW上面の外周部近傍の上方には、半導体ウ
エハW上面に外周部にエッジリンス液である溶剤を供給
する、たとえば、ステンレスやテフロン樹脂などからな
るリンスノズル(吐出管)10が設けられている。
【0033】さらに、リンスノズル10は、供給される
溶剤の量を調整する溶剤調整用バルブ11に接続され、
溶剤調整用バルブ11は配管12により溶剤が貯められ
たリンスボトル13に接続されている。
溶剤の量を調整する溶剤調整用バルブ11に接続され、
溶剤調整用バルブ11は配管12により溶剤が貯められ
たリンスボトル13に接続されている。
【0034】また、スピンコータ1には、同じく、窒素
ガスやヘリウムガスなどの不活性ガスが供給させる圧送
用ガス供給チューブ14が設けられており、圧送用ガス
供給チューブ14はリンスボトル13に接続されてい
る。
ガスやヘリウムガスなどの不活性ガスが供給させる圧送
用ガス供給チューブ14が設けられており、圧送用ガス
供給チューブ14はリンスボトル13に接続されてい
る。
【0035】そして、圧送用ガス供給チューブ9から供
給された不活性ガスの圧力でリンスボトル13内の溶剤
が配管12に圧送され、溶剤調整用バルブ11によって
供給量が調整されてリンスノズル10から所定量の溶剤
が供給される。
給された不活性ガスの圧力でリンスボトル13内の溶剤
が配管12に圧送され、溶剤調整用バルブ11によって
供給量が調整されてリンスノズル10から所定量の溶剤
が供給される。
【0036】また、前述したリンスノズル10には、図
2に示すように、リンスノズル10の内部に螺旋状の溝
RMが形成されている。
2に示すように、リンスノズル10の内部に螺旋状の溝
RMが形成されている。
【0037】さらに、リンスノズル10の形成は、リン
スノズル10を縦方向に半分ずつ形成し、溝RMがずれ
ないように位置精度を確保した上で溶接を行い、仕上げ
に化学研磨あるいは電解研磨を施すことによって形状を
整える。
スノズル10を縦方向に半分ずつ形成し、溝RMがずれ
ないように位置精度を確保した上で溶接を行い、仕上げ
に化学研磨あるいは電解研磨を施すことによって形状を
整える。
【0038】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。
る。
【0039】まず、圧送用ガス供給チューブ9から不活
性ガスを供給し、薬液ボトル8内に貯められたSOGや
レジストを吐出させる。そして、SOGやレジストは配
管7を介して調整用バルブ6により流量制限が行われ、
所定量のSOGやレジストが薬液ノズル5よりスピンチ
ャック3に吸着固定されている半導体ウエハWの中心部
に滴下される。
性ガスを供給し、薬液ボトル8内に貯められたSOGや
レジストを吐出させる。そして、SOGやレジストは配
管7を介して調整用バルブ6により流量制限が行われ、
所定量のSOGやレジストが薬液ノズル5よりスピンチ
ャック3に吸着固定されている半導体ウエハWの中心部
に滴下される。
【0040】次に、駆動手段を駆動させて回転軸4を回
転させ、半導体ウエハWを所定の回転数で回転させるこ
とにより、半導体ウエハW上に均一なSOG膜やレジス
ト膜を形成させる。
転させ、半導体ウエハWを所定の回転数で回転させるこ
とにより、半導体ウエハW上に均一なSOG膜やレジス
ト膜を形成させる。
【0041】そして、駆動手段により半導体ウエハWの
回転数を落とした後、圧送用ガス供給チューブ14から
不活性ガスを供給し、リンスボトル13内に貯められた
溶剤をリンスボトル13から吐出させる。
回転数を落とした後、圧送用ガス供給チューブ14から
不活性ガスを供給し、リンスボトル13内に貯められた
溶剤をリンスボトル13から吐出させる。
【0042】吐出された溶剤は、配管12を介して溶剤
調整用バルブ11により流量制限が行われ、所定量の溶
剤がスピンチャック3に吸着固定されている半導体ウエ
ハW表面の周辺部に位置するリンスノズル10から供給
され、半導体ウエハW表面の周辺部レジストの取り除き
を行う。
調整用バルブ11により流量制限が行われ、所定量の溶
剤がスピンチャック3に吸着固定されている半導体ウエ
ハW表面の周辺部に位置するリンスノズル10から供給
され、半導体ウエハW表面の周辺部レジストの取り除き
を行う。
【0043】この時、リンスノズル10の内部は、前述
したように螺旋状の溝RMが形成されており、溶剤の供
給時に溶剤はスパイラル状にリンスノズル10の先端部
から流出するので、直進性がよく、溶剤の飛散も防止す
ることができる。
したように螺旋状の溝RMが形成されており、溶剤の供
給時に溶剤はスパイラル状にリンスノズル10の先端部
から流出するので、直進性がよく、溶剤の飛散も防止す
ることができる。
【0044】ここで、リンスノズル10における溝RM
の螺旋形状について説明する。
の螺旋形状について説明する。
【0045】まず、図2に示す螺旋状の溝RMにおい
て、溝RMの任意の位置a1とその任意の位置に対向す
る位置a2とにおける直線の距離Lは、 (2√3/3)r≦L≦(√2)r (式1) となるのが望ましい。但し、rは、リンスノズル10の
内半径とする。
て、溝RMの任意の位置a1とその任意の位置に対向す
る位置a2とにおける直線の距離Lは、 (2√3/3)r≦L≦(√2)r (式1) となるのが望ましい。但し、rは、リンスノズル10の
内半径とする。
【0046】たとえば、式1において、Lの値が(2√
3/3)rよりも小さい場合、螺旋状の溝の間隔が小さ
くなってしまい、溶剤の流出時の抵抗となるばかりでな
く、溶剤がスパイラル状とならずに流出するので溶剤の
直進性が悪化し、飛散も多くなってしまう。
3/3)rよりも小さい場合、螺旋状の溝の間隔が小さ
くなってしまい、溶剤の流出時の抵抗となるばかりでな
く、溶剤がスパイラル状とならずに流出するので溶剤の
直進性が悪化し、飛散も多くなってしまう。
【0047】また、同様に、式1において、Lの値が
(√2)rよりも大きくなる場合、螺旋状の溝の間隔が
広すぎてしまい、溶剤がスパイラル状とならずに流出す
るのでこの場合も同じく溶剤の直進性が悪化し、飛散も
多くなってしまう。
(√2)rよりも大きくなる場合、螺旋状の溝の間隔が
広すぎてしまい、溶剤がスパイラル状とならずに流出す
るのでこの場合も同じく溶剤の直進性が悪化し、飛散も
多くなってしまう。
【0048】それにより、本実施の形態1によれば、螺
旋状の溝RMが形成されたリンスノズル10を用いるこ
とにより、溶剤の指向性を向上させることができるの
で、狭い領域に的確に安定して溶剤を噴射することがで
きるので溶剤の飛散や跳ね返りなどに起因する配線ショ
ートなどの半導体装置の製造不良を防止できる。
旋状の溝RMが形成されたリンスノズル10を用いるこ
とにより、溶剤の指向性を向上させることができるの
で、狭い領域に的確に安定して溶剤を噴射することがで
きるので溶剤の飛散や跳ね返りなどに起因する配線ショ
ートなどの半導体装置の製造不良を防止できる。
【0049】(実施の形態2)図3(a)は、本発明の
実施の形態2によるスピンコータに設けられたリンスノ
ズルの一部破断した外観図、(b)は、リンスノズルを
A−A方向から見た矢視図である。
実施の形態2によるスピンコータに設けられたリンスノ
ズルの一部破断した外観図、(b)は、リンスノズルを
A−A方向から見た矢視図である。
【0050】本実施の形態2においては、エッジリンス
液である溶剤の吐出口となる先端部に液だれ防止手段
(滴下防止手段)15を設けたリンスノズル10が設け
られている。
液である溶剤の吐出口となる先端部に液だれ防止手段
(滴下防止手段)15を設けたリンスノズル10が設け
られている。
【0051】この液だれ防止手段15は、リンスノズル
10の中心から外周部に放射状に延びる、たとえば、ス
テンレスやテフロン樹脂からなる複数のフィン(仕切り
板)15aが等間隔で形成されている。
10の中心から外周部に放射状に延びる、たとえば、ス
テンレスやテフロン樹脂からなる複数のフィン(仕切り
板)15aが等間隔で形成されている。
【0052】また、この液だれ防止手段15の形成は、
たとえば、リンスノズル10の中心から外周部に放射状
に延びる複数のフィン15aをあらかじめ形成し、円筒
状のリンスノズル10の管内に挿入することによって装
着するようにする。
たとえば、リンスノズル10の中心から外周部に放射状
に延びる複数のフィン15aをあらかじめ形成し、円筒
状のリンスノズル10の管内に挿入することによって装
着するようにする。
【0053】よって、複数のフィン15aによってリン
スノズル10の先端部である溶剤の流出口の面積を小さ
くできるので、表面張力を小さくすることができる。
スノズル10の先端部である溶剤の流出口の面積を小さ
くできるので、表面張力を小さくすることができる。
【0054】それによって、本実施の形態2によれば、
液だれ防止手段15により溶剤の供給の停止時にリンス
ノズル10の先端部からの液だれを防止することができ
るので、リンスノズル10から溶剤のたれ落ちを防ぐた
めに溶剤の供給後に溶剤を吸引するサックバック機構が
不要となり、装置構成を簡単にでき、コストも抑えるこ
とができる。
液だれ防止手段15により溶剤の供給の停止時にリンス
ノズル10の先端部からの液だれを防止することができ
るので、リンスノズル10から溶剤のたれ落ちを防ぐた
めに溶剤の供給後に溶剤を吸引するサックバック機構が
不要となり、装置構成を簡単にでき、コストも抑えるこ
とができる。
【0055】また、溶剤にたれ落ちがなくなるので、そ
れに起因する半導体装置の製造不良を防止することがで
きる。
れに起因する半導体装置の製造不良を防止することがで
きる。
【0056】さらに、本実施の形態2では、液だれ防止
手段15は、リンスノズル10の中心から外周部に放射
状に延びる複数のフィン15aが等間隔で形成された形
状としたが、たとえば、図4(a),(b)に示すよう
に、液だれ防止手段16(滴下防止手段)が、所定の直
径の孔(分割孔)16aが所定の間隔で複数個形成され
た形状や図5(a),(b)に示すように、液だれ防止手
段(滴下防止手段)17が、フィン(仕切り板)17a
をメッシュ状に等間隔で設けた形状などリンスノズル1
0の管内の面積を小さくして、表面張力を小さくするこ
とのできる形状であれば吐出後の溶剤の垂れ落ちを良好
に防止することができる。
手段15は、リンスノズル10の中心から外周部に放射
状に延びる複数のフィン15aが等間隔で形成された形
状としたが、たとえば、図4(a),(b)に示すよう
に、液だれ防止手段16(滴下防止手段)が、所定の直
径の孔(分割孔)16aが所定の間隔で複数個形成され
た形状や図5(a),(b)に示すように、液だれ防止手
段(滴下防止手段)17が、フィン(仕切り板)17a
をメッシュ状に等間隔で設けた形状などリンスノズル1
0の管内の面積を小さくして、表面張力を小さくするこ
とのできる形状であれば吐出後の溶剤の垂れ落ちを良好
に防止することができる。
【0057】また、これら液だれ防止手段16,17
も、同様に、たとえば、ステンレスやテフロン樹脂から
構成されている。
も、同様に、たとえば、ステンレスやテフロン樹脂から
構成されている。
【0058】さらに、この場合も、たとえば、レーザ光
加工や放電加工などによってあらかじめ複数の孔16a
を形成した液だれ防止手段16をリンスノズル10の管
内に挿入して装着することによって形成する。
加工や放電加工などによってあらかじめ複数の孔16a
を形成した液だれ防止手段16をリンスノズル10の管
内に挿入して装着することによって形成する。
【0059】また、メッシュ状に形成されたフィン17
aによる防止手段17の形成も、前述したように、たと
えば、フィン17aをリンスノズル10の内部の形状に
あったメッシュにあらかじめ形成した後、円筒状のリン
スノズル10の管内に挿入することによって装着するよ
うにする。
aによる防止手段17の形成も、前述したように、たと
えば、フィン17aをリンスノズル10の内部の形状に
あったメッシュにあらかじめ形成した後、円筒状のリン
スノズル10の管内に挿入することによって装着するよ
うにする。
【0060】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【0061】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0062】(1)本発明によれば、所定の溶剤を吐出
するノズルの内部に設けた螺旋状の溝により、溶剤をス
パイラル状に吐出するので、溶剤の指向性を向上させる
ことができるので、吐出時の溶剤の飛散などを防止する
ことができる。
するノズルの内部に設けた螺旋状の溝により、溶剤をス
パイラル状に吐出するので、溶剤の指向性を向上させる
ことができるので、吐出時の溶剤の飛散などを防止する
ことができる。
【0063】(2)また、本発明では、ノズルの先端部
に溶剤の垂れ落ちを防止する滴下防止手段により、溶剤
の供給後の不要なノズル先端部からの溶剤の垂れ落ちを
確実に防止できるので、溶剤の供給後に溶剤を吸引する
サックバック機構が不要となり、装置構成を簡単にする
ことができる。
に溶剤の垂れ落ちを防止する滴下防止手段により、溶剤
の供給後の不要なノズル先端部からの溶剤の垂れ落ちを
確実に防止できるので、溶剤の供給後に溶剤を吸引する
サックバック機構が不要となり、装置構成を簡単にする
ことができる。
【0064】(3)さらに、本発明においては、上記
(1),(2)により、溶剤の飛散や跳ね返りなどに起因
する配線ショートなどの製造不良を防止できるので、半
導体装置の信頼性を向上ならびに半導体装置の不良率を
低減することができる。
(1),(2)により、溶剤の飛散や跳ね返りなどに起因
する配線ショートなどの製造不良を防止できるので、半
導体装置の信頼性を向上ならびに半導体装置の不良率を
低減することができる。
【図1】本発明の実施の形態1によるスピンコータの構
造説明図である。
造説明図である。
【図2】本発明の実施の形態1によるスピンコータに設
けられたリンスノズルの一部破断した外観図である。
けられたリンスノズルの一部破断した外観図である。
【図3】(a)は、本発明の実施の形態2によるスピン
コータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルをA−A方向から見た矢視
図である。
コータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルをA−A方向から見た矢視
図である。
【図4】(a)は、本発明の他の実施の形態によるスピ
ンコータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルに取り付けられる液だれ防
止手段の外観斜視図である。
ンコータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルに取り付けられる液だれ防
止手段の外観斜視図である。
【図5】(a)は、本発明の他の実施の形態によるスピ
ンコータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルをA−A方向から見た矢視
図である。
ンコータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルをA−A方向から見た矢視
図である。
1 スピンコータ(塗布装置) 2 スピンカップ 3 スピンチャック 4 回転軸 5 薬液ノズル 6 調整用バルブ 7 配管 8 薬液ボトル 9 圧送用ガス供給チューブ 10 リンスノズル(吐出管) 11 溶剤調整用バルブ 12 配管 13 リンスボトル 14 圧送用ガス供給チューブ 15 液だれ防止手段(滴下防止手段) 15a フィン(仕切り板) 16 液だれ防止手段(滴下防止手段) 16a 孔(分割孔) 17 液だれ防止手段(滴下防止手段) 17a フィン(仕切り板) W 半導体ウエハ(被処理物) RM 溝
Claims (6)
- 【請求項1】 所定の溶剤を吐出管から吐出し、被処理
物の表面に所定の前記溶剤を塗布する塗布装置であっ
て、前記吐出管の内部に、螺旋状の溝を設けたことを特
徴とする塗布装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の塗布装置において、前記
吐出管が、エッジリンス液を吐出するリンスノズルであ
ることを特徴とする塗布装置。 - 【請求項3】 所定の溶剤を吐出管から吐出し、被処理
物の表面に所定の前記溶剤を塗布する塗布装置であっ
て、前記吐出管の先端部に、所定の前記溶剤の垂れ落ち
を防止する滴下防止手段を設けたことを特徴とする塗布
装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の塗布装置において、前記
滴下防止手段が、前記吐出管の先端部に前記吐出管の吐
出口を分割する複数の仕切り板を設けた構造よりなるこ
とを特徴とする塗布装置。 - 【請求項5】 請求項4記載の塗布装置において、前記
仕切り板が、前記吐出管の中心から外周部に放射状に等
間隔に形成された形状であることを特徴とする塗布装
置。 - 【請求項6】 請求項3記載の塗布装置において、前記
滴下防止手段が、前記吐出管の先端部に前記吐出管の吐
出口を分割する複数の分割孔を一定間隔に設けた構造よ
りなることを特徴とする塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7316170A JPH09155266A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7316170A JPH09155266A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09155266A true JPH09155266A (ja) | 1997-06-17 |
Family
ID=18074075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7316170A Pending JPH09155266A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09155266A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100640775B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2006-11-01 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 스핀코팅장치 |
| JP2008205059A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
| JP2010010348A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2011136269A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kao Corp | 塗布方法及び塗布装置 |
| JPWO2015098877A1 (ja) * | 2013-12-24 | 2017-03-23 | 株式会社ニフコ | スプレーノズル |
| JP2019135889A (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-15 | タイガースポリマー株式会社 | 冷却液供給管 |
| WO2025032984A1 (ja) * | 2023-08-10 | 2025-02-13 | 兵神装備株式会社 | 塗布ノズルおよび塗布方法 |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP7316170A patent/JPH09155266A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100640775B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2006-11-01 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 스핀코팅장치 |
| JP2008205059A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
| JP2010010348A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2011136269A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kao Corp | 塗布方法及び塗布装置 |
| JPWO2015098877A1 (ja) * | 2013-12-24 | 2017-03-23 | 株式会社ニフコ | スプレーノズル |
| US10155502B2 (en) | 2013-12-24 | 2018-12-18 | Nifco Inc. | Airflow-direction adjustment device |
| JP2019135889A (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-15 | タイガースポリマー株式会社 | 冷却液供給管 |
| WO2025032984A1 (ja) * | 2023-08-10 | 2025-02-13 | 兵神装備株式会社 | 塗布ノズルおよび塗布方法 |
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