JPH09161337A

JPH09161337A - 光ディスクの初期化装置

Info

Publication number: JPH09161337A
Application number: JP34649595A
Authority: JP
Inventors: Takashi Shibakuchi; 孝芝口; Masato Harigai; 眞人針谷
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1995-12-11
Filing date: 1995-12-11
Publication date: 1997-06-20

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】記録層が２層からなる大容量の相変化型光デ
ィスクの２層を一度に、また、通常の１層からなる相変
化型光ディスクを２枚同時に、しかも記録層をむらなく
初期化できる光ディスクの初期化装置を得る。【解決手段】光ディスクを保持して回転させる回転機
構４０と、高出力半導体レーザー１と、レーザー光束を
平行化するコリメートレンズ２と、光束を２分割するハ
ーフミラー４と、２分割された平行光束を光ディスク５
上に集光する第１及び第２の対物レンズ１１、１２と、
第１及び第２の低出力半導体レーザー２１、３１を光源
として第１及び第２の対物レンズに対し、高出力半導体
レーザーからの光束を光ディスクに対して合焦させる第
１及び第２の合焦機構と、光ディスクを半径方向に相対
的に変位させる送り機構４１とを備え、高出力半導体レ
ーザーにおける活性層の長手方向を光ディスクのトラッ
ク直交方向に対応させて、２つの記録層を同時に初期化
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の記録層
を有する光ディスクの初期化装置に係り、特に、相変化
型の記録層が２層からなる大容量光ディスクの初期化及
び２枚の相変化型の光ディスクの同時初期化を可能にし
た光ディスクの初期化装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】相変化型の記録層をもつ光ディスクにお
いては、記録材料の結晶層に光を照射してその光照射部
をアモルファス相に変化させて記録する。したがって記
録層は初期状態（光記録が可能な状態）で「結晶層」に
なっていなくてはならない。この記録層は一般にスパッ
タリング等により成膜されるため、製造された段階では
「アモルファス相」である。したがって、記録層を全面
的に結晶化する「初期化処理」が必要になっている。

【０００３】特公平７−５２５２６号公報に開示された
技術では、レーザービームを２分した後、重ね合せ干渉
ビームとして光ディスク上に集光する。そして、干渉縞
方向とディスクの周方向に平行とし、干渉縞ピッチは、
２０μｍ以下になるようにしている。その効果としては
初期化時における断熱層のマイクロクラックの発生が防
止できるというものである。

【０００４】また、高出力半導体レーザーからの光を、
２μｍｘ９５μｍの光スポットとして記録層に集光し、
光ディスクを回転させつつ半径方向に走査することによ
り良好な初期化が可能であるとの報告がなされている
（第５回相変化記録研究会：シンポジウム講演予稿集３
０頁、１９９３年）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】相変化型の記録層をも
つ光ディスクとしては従来から光ディスク基板の片面に
記録層を形成したものが用いられてきた。しかしながら
メモリー容量増大の要求が高まるに従って、上記光ディ
ッスクを２枚貼り合せて使用することにより、２倍のメ
モリー容量にする方法が考えられる様になった。即ち、
この方法では、実質的に光ディスクの裏表に記録層が存
在することになり、容量が倍増する。

【０００６】２層からなる記録層をもつ光ディスクを初
期化する場合、従来型の初期化装置を用いると、まず第
１の記録層を初期化した後、ディスクをの裏返してセッ
トし再び第２の記録層の初期化を実行することになり、
ディスクの裏返しや、初期化に要する時間が２倍になる
等、光ディスク製造時に大きな問題となる。

【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、請求項１記載の光ディスクの初期化装置において
は、２つの記録層、又は２枚の光ディスクを同時に初期
結晶化処理することを可能にすることを目的とするもの
である。

【０００８】また、請求項２記載の光ディスクの初期化
装置においては、光ディスク面での集光パワーをより大
きくして初期の結晶化処理時間の大幅な短縮を図ること
を目的とするものである。

【０００９】また、請求項３記載の光ディスクの初期化
装置においては、集光スポット形状を長手方向に小さく
して光パワー密度の増大を図ることにより、効率的な結
晶化を行うことを目的とするものである。

【００１０】また、請求項４記載の光ディスクの初期化
装置においては、結晶化処理されるべき光ディスクの全
面に均一な結晶化エネルギーを与えることにより、ディ
スク全面にわたるむらのない結晶化を行うことを目的と
するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、相変化型の光ディスクを保持して回転さ
せる回転機構と、高出力半導体レーザーと、高出力半導
体レーザーからのレーザー光束を平行化するコリメート
レンズと、コリメートレンズにより平行化された光束を
２分割するハーフミラーと、ハーフミラーによって２分
割された各々の平行光束を光ディスク上に各々集光する
ための第１の対物レンズ及び第２の対物レンズと、第１
の低出力半導体レーザー及び第２の低出力半導体レーザ
ーを光源として各々前記第１の対物レンズ及び第２の対
物レンズに対し、前記高出力半導体レーザーからの光束
を光ディスクに対して各々合焦させるための第１の合焦
機構及び第２の合焦機構と、前記第１の対物レンズ及び
第２の対物レンズによる集光位置に対し、光ディスクを
半径方向へ相対的に変位させるための送り機構とを有
し、前記高出力半導体レーザーにおける活性層の長手方
向を光ディスクのトラック直交方向に対応させて、２つ
の記録層を同時に初期化することを特徴とするものであ
る。

【００１２】また、相変化型の光ディスクを保持して回
転させる回転機構と、第１の高出力半導体レーザー及び
第２の高出力半導体レーザーと、第１の高出力半導体レ
ーザー及び第２の高出力半導体レーザーからの各々のレ
ーザー光束を平行化する第１のコリメートレンズ及び第
２のコリメートレンズと、第１のコリーメートレンズ及
び第２のコリメートレンズにより平行化された各々の光
束を光ディスク上に各々集光するための第１の対物レン
ズ及び第２の対物レンズと、第１の低出力半導体レーザ
ー及び第２の低出力半導体レーザーを光源として各々前
記第１の対物レンズ及び第２の対物レンズに対し、前記
高出力半導体レーザーからの光束を光ディスクに対して
各々合焦させるための第１の合焦機構及び第２の合焦機
構と、前記第１の対物レンズ及び第２の対物レンズによ
る集光位置に対し、光ディスクを半径方向へ相対的に変
位させるための送り機構とを有し、前記高出力半導体レ
ーザーにおける活性層の長手方向を光ディスクのトラッ
ク直交方向に対応させて、２つの記録層を同時に初期化
することを特徴とするものである。

【００１３】また、前記コリメートレンズと前記対物レ
ンズとの間の光路中に、前記高出力半導体レーザーの活
性層の長手方向の平行光束を拡大するためのアナモフィ
ック光学系を配設したこと特徴とするものである。

【００１４】さらに、前記回転機構がＣＬＶ回転方式の
ものであることを特徴とするものである。

【００１５】上記構成とすることにより、高出力半導体
レーザーの光束を２分割し、各々の光束を対物レンズで
集光して記録層に照射しているので、２つの記録層また
は２枚の光ディスクを同時に初期化することができる。

【００１６】また、高出力半導体レーザーを２個用いる
構成にすれば、光ディスク面での集光パワーをより大き
くすることができ、初期の結晶化処理時間を大幅に短縮
できる。

【００１７】また、アナモフィック光学系を用いる構成
にすれば、高出力半導体レーザーの活性層の長手方向の
平行光束が拡大されるので、集光スポット形状が長手方
向に小さくなることとなり、光パワー密度が増大してよ
り効率的に結晶化が行える。

【００１８】さらに、回転機構をＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａ
ｎｔＬｉｎｅａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ）回転方式のも
のにすれば、高出力半導体レーザーの出力を一定に設定
して、結晶化処理されるべき光ディスクの全面に均一な
結晶化エネルギーを与えることができるので、光ディス
クの全面にわたってむらなく結晶化できることとなる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施例を図に
基づいて説明する。本発明に係る光ディスクの初期化装
置は、図１に示す如く、記録層が２層からなる大容量相
変化型光ディスクの各々の記録層を高出力半導体レーザ
ーの照射により同時に結晶化させて初期化する装置であ
り、光ディスク回転機構と、高出力半導体レーザーと、
コリメートレンズと、アナモフィック光学系と、アナモ
フィック光学系からの平行光束を２分割するハーフミラ
ーと、２分割された平行光束を各々の記録層に集光する
２個の対物レンズと、これら対物レンズでの集光位置を
記録層に合せる合焦機構と、ディスクの送り機構とを有
する。

【００２０】さらに詳述すると、回転機構４０は初期化
するべき相変化型の光ディスクを保持して回転させ、高
出力半導体レーザー（以下、高出力ＬＤと称す）１は結
晶化に必要な熱エネルギーの供給源として使用され、低
出力半導体レーザーに比して、活性層の長さ（楕円形状
のファーフィールドパターンにおける短軸方向に対応す
る方向）が長い。コリメートレンズ２は高出力ＬＤ１か
らのレーザー光束を平行化し、アナモフック光学系３は
高出力ＬＤ１の活性層の長手方向にのみ光束拡大する光
学系である。ハーフミラー４は入射光束を２分割し、対
物レンズ１１、１２は２分割された各々の平行光束を光
ディスク５の相変化記録部５１及び５３上に集光する。

【００２１】また、合焦機構は低出力半導体レーザー２
１及び３１を光源として用い、高出力ＬＤ１からの２分
割された光束を記録部５１及び５３に対して各々独立に
合焦させるための合焦制御を行う。送り機構は対物レン
ズによる集光位置に対し、初期化するべき光ディスクを
半径方向へ移動させる。以上において高出力ＬＤ１の活
性層長手方向は光ディスクのトラック直交方向に対応さ
せる様に配置する。

【００２２】また、アナモフィック光学系３は、高出力
ＬＤ１の活性層長手方向にのみパワーをもつ１対のシリ
ンダレンズをアフォーカル系をなすように組み合わせた
ものでも良いが、本実施例では高出力ＬＤ１の活性層長
手方向にのみ屈折作用を持つ１対のプリズムにより構成
した。また、アナモフィック光学系３は、単一の光学系
を装置に固定的に組み込むこともできるが、アナモフィ
ック光学系を互いに交換可能な複数の光学素子で構成で
き、各光学素子は略２〜４倍の範囲で互いに異なる光束
拡大倍率を有することができる。

【００２３】高出力ＬＤ１からのレーザー光束を平行光
束化するコリメートレンズ２の焦点距離は対物レンズ１
１、１２の焦点距離の１〜２倍の範囲がよい。また、光
ディスクを回転させる回転機構はＣＬＶ回転方式のもの
が適している。

【００２４】本実施例の初期化装置は種々の相変化型光
ディスクの初期化が可能で、例えばポリカーボネイト基
板５０及び５４上に記録部５１、５３を成膜し、各々を
接着剤５２により貼り合せた２層の記録層からなる相変
化型光ディスク５を同時に初期化できる。この場合、記
録部５１、５３の層構成としてはポリカーボネイト基板
上に、厚さ１８００ÅでＺｎＳ−ＳｉＯ₂ の誘電体層で
ある下部保護層、厚さ２００ÅのＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ層である記録層、厚さ：２５０ÅでＺｎＳ−ＳｉＯ₂
の誘電体層である上部保護層、厚さ：１０００ÅのＡｌ
合金層である反射層を有する光ディスク５の初期化を良
好に実現できる（初期化用の光はポリカーボネイト基板
の側から入射する）。この場合、光ディスク５として貼
り合せではなく２枚の相変化型の光ディスクでもよい。

【００２５】次に本実施例の作用について述べると、レ
ーザー光束を集光させた時のビームウェスト径は光学系
に入射る光束径に反比例し、光束系が大きいほど集光ビ
ームウェスト径は小さくなる。半導体レーザーは活性層
の長さが幅に比して大きく、放射光束の開き角は滑性層
の長手方向において小さい。このため半導体レーザーか
らのレザー光束をコリメートレンズで平行にすると、平
行光束径は活性層の幅方向で大きく、長手方向では小さ
くなる。

【００２６】したがって、平行光束をそのまま対物レン
ズで集光して得られる光スポットの形状は一般に活性層
の長手方向を長軸とする長円形状となる。光スポット形
状における長軸が著しく長くなると、光スポットのエネ
ルギー密度が小さくなってしまう。その結果エネルギー
密度を上げるため、初期化に高出力パワーのＬＤ（半導
体レーザー）が必要となる。従って、本実施例ではコリ
メートレンズと対物レンズとの間にアナモフィック光学
系を配置し、活性層の長手方向の光束径を拡大するの
で、光スポットの長軸長さが短くなり、エネルギー密度
が高くなる。さらに、この実施例の光ディスクの初期化
装置は、各々の対物レンズに対する合焦機構を有してい
るので、各々の記録層に常に適正な大きさのスポットを
照射できるため、光スポットのエネルギー密度変動が極
めて小さくなる。

【００２７】以下具体的な実施例についてさらに説明す
る。図１において、５は相変化型の光ディスクで、回転
機構４０に保持されて中心軸の回りに回転する。この回
転機構４０の回転方式はＣＬＶ回転方式であり、回転に
伴う光スポット照射位置の線速が常に一定である様に光
ディスク５を回転させる。光ディスク５を保持した回転
機構４０は光ディスク５もろとも送り機構４１により光
ディスク５の半径方向へ定速で送られる。

【００２８】図１の高出力ＬＤ１は幅１μｍ、長さ２０
０μｍの活性層を有し、出力２Ｗのものである。高出力
ＬＤ１は活性層の長手方向が光ディスクのトラック直交
方向になる様配置される。コリメートレンズ２は高出力
ＬＤ１からのレーザー光束を平行化し、その焦点距離は
４．３ｍｍ、ＮＡ（開口数）０．５のものである。アナ
モフィック光学系３は高出力ＬＤ１の活性層の長手方向
（図１の左右方向）に平行方向のみ屈折作用を持つ１対
のプリズムにより構成され、入射する平行光束の高出力
ＬＤ１の活性層の長手方向のみにおいて光束径を拡大す
る。

【００２９】上記アナモフィック光学系３を使用しない
で、コリメートレンズ２からの平行光束を直接対物レン
ズで１１、１２で集光する実施例も考えられる（図示し
ていない）。高透過率ミラー９、１０は高出力ＬＤ１か
らのレーザー光束を９９％透過させる高透過率ミラーで
ある。対物レンズ１１、１２は平行光束を光ディスク５
の各々の記録部５１、５３に集光させるレンズで、有効
径４ｍｍφ、焦点距離４．３ｍｍ、ＮＡ０．５のもので
ある。

【００３０】次に、半導体レーザー２１、３１は低出力
のものであり、これらのレーザーからの出射光束はコリ
メートレンズ２２、３２によって平行光束化され、偏光
ビームスプリッター２３、３３、1/4 波長板２４、３
４、フォーカス信号発生素子２５、３５、アクチュエー
タ２６、３６により、合焦制御される。フォーカス信号
発生素子２５、３５は、フォーカシングが例えば非点光
収差法で行われる場合には、シリンダレンズと集光レン
ズとによる非点収差発生光学素子と４分割受光素子とに
より構成される。光ディスク５の初期化は回転機構４０
により光ディスク５を回転させた状態で、合焦機構を動
作させつつ、高出力ＬＤ１を点灯し、レーザー光を記録
部５１、５３に集光し、同時に送り機構４１により光デ
ィスク５を半径方向に定速で送ることにより行われる。

【００３１】（１）アナモフィック光学系３として倍率
４倍の具体例について説明する。光ディスク５に集光さ
れる高出力ＬＤ１の光スポット形状はＣＣＤカメラによ
る実測で両対物レンズ１１、１２とも活性層の幅方向で
２μｍ、長手方向で５０μｍであった。初期化用光スポ
ットの位置での光ディスク５の線速を４ｍ／Ｓに設定
し、高出力ＬＤ１による初期化パワー（各々の記録部上
でのパワー：ｍＷ）と送り機構４１による光ディスク５
の送り速度（１回転あたりの半径方向の変位量：μｍ／
ｒ）を変化させて初期化特性を調べた。初期化後に波長
７８０ｍｍの半導体レーザにより、線速１．３ｍ／Ｓ、
記録周波数ｆ₁ ＝０．４ＭＨｚで記録し、その後、ｆ₂
＝０．７２ＭＨｚでオーバーライトしたときのＣ／Ｎ
（搬送波対雑音比）（ｄＢ）と消去比（新しい信号をオ
ーバーライトしたときの前の信号の強度低下率）（ｄ
Ｂ）を測定し、また初期化後の状態を顕微鏡により観察
した。この時の記録パワーは１２ｍＷ、バイアスパワー
は５ｍＷである。高出力ＬＤ１の最大出力は光ディスク
上の各々の記録部で７００ｍＷに対応する。結果を〔表
１〕に示す。この結果から送り速度３０μｍ／ｒまでは
高出力ＬＤ１の出力能力の範囲内で２層とも同時に良好
な初期化が行えることが判明した。

【００３２】

【表１】

【００３３】（２）アナモフィック光学系３として倍率
３倍の具体例を説明する。光スポットのＣＣＤカメラに
よる実測値は２μｍｘ７０μｍである。前記と同様にし
て初期化の特性を調べた。結果を〔表２〕に示す。この
結果から高出力ＬＤ１の出力を最大（光ディスクの各記
録部で７００ｍＷ）にすれば送り速度５０μｍ／ｒでも
２層とも良好な初期化が可能であり、少なくとも４０μ
ｍ／ｒでの初期化は確実に行うことができる。

【００３４】

【表２】

【００３５】（３）アナモフィック光学系３として倍率
２倍の具体例を説明する。光スポットのＣＣＤカメラに
よる実測値は２μｍｘ９５μｍである。同様にして初期
化の特性を調べた。結果を〔表３〕に示す。この結果か
ら高出力ＬＤ１の出力を最大（各々の記録部で７００ｍ
Ｗ）にすれば送り速度７０μｍ／ｒでも２層とも良好な
初期化が可能であり、少なくとも６０μｍ／ｒでの初期
化は確実に行うことができる。

【００３６】

【表３】

【００３７】以上３つの具体例ではコリメートレンズ２
および対物レンズ１１、１２の焦点距離を共に４．３ｍ
ｍとしているのでコリメートレンズ２と対物レンズ１１
又は対物レンズ１２とで構成される結像系の結像倍率は
等倍であり、光ディスク５上に集光する光スポットの長
さは、高出力ＬＤ１の活性層の長手方向に関しては活性
層の長さとアナモフィック光学系３の倍率とで決定され
る。したがってコリメートレンズ２の焦点距離を、対物
レンズでの焦点距離よりも長くすれば、上記結像系の倍
率が大きくなるので、アナモフィック光学系３の倍率が
上記した３つの具体例と同じであっても、光ディスク上
に集光する光スポットの集光性をより高め、光スポット
のエネルギー密度をより高めることができる。

【００３８】（４）アナモフィック光学系３として倍率
２倍のものを用い、コリメートレンズ２として、焦点距
離８．６ｍｍ、ＮＡ０．５の場合の具体例を説明する。
光スポットのＣＣＤカメラによる実測値は、２μｍｘ５
１μｍであり、最初の具体例とほぼ同じである。前と同
様にして初期化の特性を調べた。結果を〔表４〕に示
す。この結果から高出力ＬＤ１の出力を大きく（各々の
記録部で５５０ｍＷ以上）すれば送り速度４０μｍ／ｒ
で２層とも良好な初期化が可能である。

【００３９】

【表４】

【００４０】このようにコリメートレンズの焦点距離を
対物レンズ１１、１２の焦点距離よりも大きくすること
により、結像系の倍率を高めることとアナモフィック光
学系３の倍率とを組み合わせることにより光ディスク上
への集光高率を高めることができる。但し、コリメート
レンズ２の焦点距離が大きくなりすぎると、高出力ＬＤ
１から放射される光束のうち平行光束化される成分の割
合が小さくなるため光ディスクに十分な密度の光エネル
ギーを与えられなくなる。したがってコリメートレンズ
２の焦点距離は対物レンズ１１、１２の焦点距離の１倍
から２倍の範囲にあることが好ましい。

【００４１】（５）アナモフィック光学系３を用いない
場合、コリメートレンズ２として焦点距離８．６ｍｍ、
ＮＡ０．５のときの具体例を説明する。この場合の光ス
ポットのＣＣＤカメラによる実測値は、２μｍｘ９８μ
ｍであり、前記と同様にして初期化の特性を調べた。そ
の結果を〔表５〕に示す。〔表５〕の結果から高出力Ｌ
Ｄ１の出力を大きく（各々の記録部で６５０ｍＷ以上）
すれば送り速度３０μｍ／ｒで２層とも良好な初期化が
可能である。

【００４２】

【表５】

【００４３】以上説明した具体例（１）〜（５）では回
転機構４０がＣＬＶ回転方式であり、光スポットに対す
る光ディスク５の回転による相対速度が常に一定である
ため初期化すべき領域の全域に渡って常に均一な光エネ
ルギーを与えることができる。また、回転機構４０によ
る光ディスクの回転は等角速度でも良いが、その場合は
光スポットと光ディスクの回転に伴う相対速度がディス
クの内周側ほど遅くなるので、光ディスクの最外周部で
必要な初期化用エネルギーが得られるように高出力ＬＤ
の出力設定を行う必要がある。これまで説明した実施例
では、送り機構４１により光ディスクを対物レンズ１
１、１２に対してディスク半径方向へ送っているが、逆
に初期化用の光学系の方を光ディスクに対してディスク
半径方向へ変位させてもよい。

【００４４】尚、初期化に要する時間を短縮するには高
出力ＬＤ１としてより高出力の半導体レーザーを用いる
とよい。高出力の半導体レーザーの代わりに高出力ＬＤ
１を２個用いて、記録部５１、５３に集光する結像光学
系を２組配置することにより各々の記録部の集光パワー
を２倍にすることが可能で、初期化時間を大幅に短縮す
ることができる。

【００４５】

【発明の効果】以上述べた如く、本発明の請求項１記載
の初期化装置によれば、高出力半導体レーザーの光束を
２分割し、各々の光束を対物レンズで集光して、記録層
に照射しているので、２つの記録層、又は２枚の光ディ
スクを同時に初期結晶化処理することができる。

【００４６】また、本発明の請求項２記載の初期化装置
によれば、光ディスク面での集光パワーをより大きくす
ることができ、初期の結晶化処理時間を大幅に短縮でき
る。

【００４７】また、本発明の請求項３記載の初期化装置
によれば、集光スポット形状が長手方向に小さくなるた
め、光パワー密度が増大してより効率的に結晶化ができ
る。

【００４８】また、本発明の請求項４記載の初期化装置
によれば、高出力半導体レーザーの出力を一定に設定し
て、結晶化処理されるべき光ディスクの全面に均一な結
晶化エネルギーを与えることができ、ディスク全面に渡
ってむらなく結晶化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施例の全体構成図である。

【符号の説明】

１高出力半導体レーザー２コリメートレンズ３アナモフィック光学系４ハーフミラー５光ディスク６，７，８ミラー９，１０高透過率ミラー１１，１２対物レンズ２１，３１低出力半導体レーザー２２，３２コリメートレンズ２３，３３偏光ビームスプリッター２４，３４ 1/4 波長板２５，３５フォーカス信号発生素子２６，３６アクチュエータ４０回転機構４１送り機構５０，５４ポリカーボネイト基板５１，５３記録部５２接着剤

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】相変化型の光ディスクを保持して回転さ
せる回転機構と、高出力半導体レーザーと、高出力半導
体レーザーからのレーザー光束を平行化するコリメート
レンズと、コリメートレンズにより平行化された光束を
２分割するハーフミラーと、ハーフミラーによって２分
割された各々の平行光束を光ディスク上に各々集光する
ための第１の対物レンズ及び第２の対物レンズと、第１
の低出力半導体レーザー及び第２の低出力半導体レーザ
ーを光源として各々前記第１の対物レンズ及び第２の対
物レンズに対し、前記高出力半導体レーザーからの光束
を光ディスクに対して各々合焦させるための第１の合焦
機構及び第２の合焦機構と、前記第１の対物レンズ及び
第２の対物レンズによる集光位置に対し、光ディスクを
半径方向へ相対的に変位させるための送り機構とを有
し、前記高出力半導体レーザーにおける活性層の長手方
向を光ディスクのトラック直交方向に対応させて、２つ
の記録層を同時に初期化することを特徴とする光ディス
クの初期化装置。
【請求項２】相変化型の光ディスクを保持して回転さ
せる回転機構と、第１の高出力半導体レーザー及び第２
の高出力半導体レーザーと、第１の高出力半導体レーザ
ー及び及び第２の高出力半導体レーザーからの各々のレ
ーザー光束を平行化する第１のコリメートレンズ及び第
２のコリメートレンズと、第１のコリメートレンズ及び
第２のコリメートレンズにより平行化された各々の光束
を光ディスク上に各々集光するための第１の対物レンズ
及び第２の対物レンズと、第１の低出力半導体レーザー
及び第２の低出力半導体レーザーを光源として各々前記
第１の対物レンズ及び第２の対物レンズに対し、前記高
出力半導体レーザーからの光束を光ディスクに対して各
々合焦させるための第１の合焦機構及び第２の合焦機構
と、前記第１の対物レンズ及び第２の対物レンズによる
集光位置に対し、光ディスクを半径方向へ相対的に変位
させるための送り機構とを有し、前記高出力半導体レー
ザーにおける活性層の長手方向を光ディスクのトラック
直交方向に対応させて、２つの記録層を同時に初期化す
ることを特徴とする光ディスクの初期化装置。
【請求項３】前記コリメートレンズと前記対物レンズ
との間の光路中に、前記高出力半導体レーザーの活性層
の長手方向の平行光束を拡大するためのアナモフィック
光学系を配設したことを特徴とする請求項１または２記
載の光ディスクの初期化装置。
【請求項４】前記回転機構がＣＬＶ回転方式のもので
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記
載の光ディスクの初期化装置。