JPH09162333A - Ｌｓｉ用ヒートシンク - Google Patents
Ｌｓｉ用ヒートシンクInfo
- Publication number
- JPH09162333A JPH09162333A JP31937395A JP31937395A JPH09162333A JP H09162333 A JPH09162333 A JP H09162333A JP 31937395 A JP31937395 A JP 31937395A JP 31937395 A JP31937395 A JP 31937395A JP H09162333 A JPH09162333 A JP H09162333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin fins
- lsi
- heat sink
- mounting module
- pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 18
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 30
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 20
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 8
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000011505 plaster Substances 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて放熱性能の優れたＬＳＩ用ヒートシン
クとすること。 【解決手段】 金属製の取付モジュール１に、該取付モ
ジュール１と同材質の細小径のピンフィン２を均一の直
径で、均一の高さで、且つ所定間隔をおいて多数設ける
こと。
クとすること。 【解決手段】 金属製の取付モジュール１に、該取付モ
ジュール１と同材質の細小径のピンフィン２を均一の直
径で、均一の高さで、且つ所定間隔をおいて多数設ける
こと。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、極めて放熱性能の
優れたＬＳＩ用ヒートシンクに関する。
優れたＬＳＩ用ヒートシンクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＰＵ，ＭＰＵ等のＬＳＩ（高密度集積
回路）においては、特に、熱的性能が部品の信頼度ある
いは寿命に影響し、温度上昇がその寿命，高速性等に大
きく影響される。そのＬＳＩが高密度集積化および高速
化されるのに伴い、それから発生する熱量の増大で従来
技術のものでは放熱性能に限界がありファン等を最近接
させて強制的に冷却を施さなければ対処できないのが現
状であり、それでも放熱が追いつかないＬＳＩも出てき
ている。したがって、ファンを近接に取り付けるための
スペース確保，及び組み上げ後の入り組んだ部分でのフ
ァン故障の放置によるコンピュータ本体への迅大な被
害，他ファン交換の多大な工作が必要，等の問題が多々
あった。
回路）においては、特に、熱的性能が部品の信頼度ある
いは寿命に影響し、温度上昇がその寿命，高速性等に大
きく影響される。そのＬＳＩが高密度集積化および高速
化されるのに伴い、それから発生する熱量の増大で従来
技術のものでは放熱性能に限界がありファン等を最近接
させて強制的に冷却を施さなければ対処できないのが現
状であり、それでも放熱が追いつかないＬＳＩも出てき
ている。したがって、ファンを近接に取り付けるための
スペース確保，及び組み上げ後の入り組んだ部分でのフ
ァン故障の放置によるコンピュータ本体への迅大な被
害，他ファン交換の多大な工作が必要，等の問題が多々
あった。
【０００３】また、ピンフィン付きのＬＳＩ用ヒートシ
ンクとして、空冷構造のものがあり、該当のＣＰＵ，Ｍ
ＰＵ等のＬＳＩ箇所を個別的に放熱でき、さらに、液体
による冷却構造とは異なり、液漏れ等もなく故障もな
く、簡易な構造で、安全性、信頼性の著しく高いもので
ある。このようなピンフィン付きのＬＳＩ用ヒートシン
クでは、放熱性能において低いという問題がある。これ
を解決して放熱性能を高めるには、具体的には、多数設
けたピンフィンの直径を小さくすればする程良いと研究
されており、これは実験的にも認められている事実であ
る。
ンクとして、空冷構造のものがあり、該当のＣＰＵ，Ｍ
ＰＵ等のＬＳＩ箇所を個別的に放熱でき、さらに、液体
による冷却構造とは異なり、液漏れ等もなく故障もな
く、簡易な構造で、安全性、信頼性の著しく高いもので
ある。このようなピンフィン付きのＬＳＩ用ヒートシン
クでは、放熱性能において低いという問題がある。これ
を解決して放熱性能を高めるには、具体的には、多数設
けたピンフィンの直径を小さくすればする程良いと研究
されており、これは実験的にも認められている事実であ
る。
【０００４】ところで、近時の新聞，雑誌等の刊行物で
は、ピンフィンの直径約１mmのものが開発された旨が開
示されている。樹脂型を利用した特殊技術のガイカスト
鋳造法によるピンフィン付きのＬＳＩ用ヒートシンクで
ある。
は、ピンフィンの直径約１mmのものが開発された旨が開
示されている。樹脂型を利用した特殊技術のガイカスト
鋳造法によるピンフィン付きのＬＳＩ用ヒートシンクで
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、現在の
技術では、ピンフィンの直径約１mmが最小径とされ、こ
れ以下の直径のピンフィンを整然と製造することは困難
とされている。即ち、ピンフィンの直径が小さくなる
と、型に設けた小径の穴内に、圧力を上げて充填して
も、アルミニウム等の溶湯が十分に回らず、整然とした
ピンフィンの形成はできない欠点があった。
技術では、ピンフィンの直径約１mmが最小径とされ、こ
れ以下の直径のピンフィンを整然と製造することは困難
とされている。即ち、ピンフィンの直径が小さくなる
と、型に設けた小径の穴内に、圧力を上げて充填して
も、アルミニウム等の溶湯が十分に回らず、整然とした
ピンフィンの形成はできない欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで発明者は、前記課
題を解決すべく、鋭意，研究を重ねた結果、その発明
を、非鉄金属の取付モジュールに、該取付モジュールと
同材質の細小径のピンフィンを均一の直径で、均一の高
さで、且つ所定間隔をおいて多数設けてなるＬＳＩ用ヒ
ートシンクとしたことにより、極めて放熱性能の優れた
ＬＳＩ用ヒートシンクにすることができ、前記の課題を
解決したものである。
題を解決すべく、鋭意，研究を重ねた結果、その発明
を、非鉄金属の取付モジュールに、該取付モジュールと
同材質の細小径のピンフィンを均一の直径で、均一の高
さで、且つ所定間隔をおいて多数設けてなるＬＳＩ用ヒ
ートシンクとしたことにより、極めて放熱性能の優れた
ＬＳＩ用ヒートシンクにすることができ、前記の課題を
解決したものである。
【０００７】
【実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図１
乃至図１６に基づいて説明する。まず、その構成につい
て説明する。図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、本件発
明のＬＳＩ用ヒートシンクＡは、取付モジュール１と、
この上面に多数植設したピンフィン２，２，…とから構
成されている。そのピンフィン２，２，…の構成例とし
ては、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、比較的小径の
ピンフィン２，２，…が均一の直径で、均一の高さで、
且つ所定間隔をおいて多数設けられて構成されている。
乃至図１６に基づいて説明する。まず、その構成につい
て説明する。図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、本件発
明のＬＳＩ用ヒートシンクＡは、取付モジュール１と、
この上面に多数植設したピンフィン２，２，…とから構
成されている。そのピンフィン２，２，…の構成例とし
ては、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、比較的小径の
ピンフィン２，２，…が均一の直径で、均一の高さで、
且つ所定間隔をおいて多数設けられて構成されている。
【０００８】そのＬＳＩ用ヒートシンクＡは、アルミニ
ウム等の非鉄金属Ｃの方形状の板片としての取付モジュ
ール１が構成され、該取付モジュール１に対して、Ｘ方
向又はＹ方向に所定間隔をおいてピンフィン２，２，…
が多数植設されている。具体的には、該ピンフィン２，
２，…と取付モジュール１とが同材質にて一体形成され
ている〔図１（Ａ），（Ｂ）参照〕。また、ピンフィン
２，２，…と取付モジュール１とが異材質にて一体形成
されている〔図２（Ａ），（Ｂ）参照〕。
ウム等の非鉄金属Ｃの方形状の板片としての取付モジュ
ール１が構成され、該取付モジュール１に対して、Ｘ方
向又はＹ方向に所定間隔をおいてピンフィン２，２，…
が多数植設されている。具体的には、該ピンフィン２，
２，…と取付モジュール１とが同材質にて一体形成され
ている〔図１（Ａ），（Ｂ）参照〕。また、ピンフィン
２，２，…と取付モジュール１とが異材質にて一体形成
されている〔図２（Ａ），（Ｂ）参照〕。
【０００９】また、図３に示すように、ピンフィン２の
高さ方向の途中には、適宜な形状〔図３（Ａ）及び
（Ｂ）参照〕の突起部４が突設されている。該突起部４
はピンフィン２に一体成形されている。特に、このと
き、突起部４を、放熱性の高い粒状物５に替えて製造す
ることもある〔図３（Ｃ）参照〕。前記突起部４又は粒
状物５が、露出表面積を最大にして放熱性能を増加させ
るためである。
高さ方向の途中には、適宜な形状〔図３（Ａ）及び
（Ｂ）参照〕の突起部４が突設されている。該突起部４
はピンフィン２に一体成形されている。特に、このと
き、突起部４を、放熱性の高い粒状物５に替えて製造す
ることもある〔図３（Ｃ）参照〕。前記突起部４又は粒
状物５が、露出表面積を最大にして放熱性能を増加させ
るためである。
【００１０】また、図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、前記ピンフィン２，２，…全体において、その一部
又は全部の隣接するピンフィン２，２間を連結材６にて
結合して形成されている。また、図示しないが、その連
結材６は、適宜の位置の相対するピンフィン２，２であ
って、隣接しないピンフィン２，２間にも連結されるこ
ともある。
に、前記ピンフィン２，２，…全体において、その一部
又は全部の隣接するピンフィン２，２間を連結材６にて
結合して形成されている。また、図示しないが、その連
結材６は、適宜の位置の相対するピンフィン２，２であ
って、隣接しないピンフィン２，２間にも連結されるこ
ともある。
【００１１】次に、代表的な基本の製造法について説明
する。まず、減圧鋳造による場合では、固体状の厚さ数
cmの石膏体７〔図５（Ａ）参照〕に対して小径のドリル
９にて所定深さ穿設して、多数の小径の穴部８，８，…
を形成する。隣接する間隔を数mmとして、Ｘ方向，Ｙ方
向に対して多数の穴部８，８，…を形成する〔図５
（Ｂ）参照〕。この場合には、一般に穴開けロボット等
に設けたドリル９によって、所定の間隔に一定の深さで
多数の穴部８，８，…を穿設する〔図５（Ｃ）参照〕。
する。まず、減圧鋳造による場合では、固体状の厚さ数
cmの石膏体７〔図５（Ａ）参照〕に対して小径のドリル
９にて所定深さ穿設して、多数の小径の穴部８，８，…
を形成する。隣接する間隔を数mmとして、Ｘ方向，Ｙ方
向に対して多数の穴部８，８，…を形成する〔図５
（Ｂ）参照〕。この場合には、一般に穴開けロボット等
に設けたドリル９によって、所定の間隔に一定の深さで
多数の穴部８，８，…を穿設する〔図５（Ｃ）参照〕。
【００１２】このようにして多数の穴部８，８，…を石
膏体７に成形した後、その穴部８，８，…付きの石膏体
７を、減圧式鋳型装置Ｂの鋳枠１０内で減圧台１１上
に、前記穴部８，８，…を上向きにして挿入する。
膏体７に成形した後、その穴部８，８，…付きの石膏体
７を、減圧式鋳型装置Ｂの鋳枠１０内で減圧台１１上
に、前記穴部８，８，…を上向きにして挿入する。
【００１３】そして、図６に示すように、前記石膏体７
の上側に、硬化後に取付モジュール１の所定の板厚とな
るように、前記減圧式鋳型装置Ｂの鋳枠１０内に非鉄金
属Ｃの溶湯Ｃ0 を充填する。そして、充填された溶湯Ｃ
0 が前記石膏体７の穴部８，８，…箇所にも充填且つ挿
入される〔図６（Ａ）参照〕。溶湯Ｃ0 が充填されてい
る途中及び充填された直後に、その石膏体７の下面の減
圧台１１を介して、前記減圧式鋳型装置Ｂの減圧筺体１
２に設けた真空ポンプ１３により減圧する。即ち、その
穴部８，８，…箇所に空気等が混入している場合のその
空気を抜く。このときに、その石膏体７全体が減圧する
構成となっている。
の上側に、硬化後に取付モジュール１の所定の板厚とな
るように、前記減圧式鋳型装置Ｂの鋳枠１０内に非鉄金
属Ｃの溶湯Ｃ0 を充填する。そして、充填された溶湯Ｃ
0 が前記石膏体７の穴部８，８，…箇所にも充填且つ挿
入される〔図６（Ａ）参照〕。溶湯Ｃ0 が充填されてい
る途中及び充填された直後に、その石膏体７の下面の減
圧台１１を介して、前記減圧式鋳型装置Ｂの減圧筺体１
２に設けた真空ポンプ１３により減圧する。即ち、その
穴部８，８，…箇所に空気等が混入している場合のその
空気を抜く。このときに、その石膏体７全体が減圧する
構成となっている。
【００１４】すると、その穴部８，８，…箇所に充填さ
れた溶湯Ｃ0 が穴部８，８，…の奥まで入っていない場
合には、石膏体７に対して減圧作用を施したことで、穴
部８，８，…箇所周縁の石膏体７に多数形成された毛細
管に食い込むようになり、穴部８，８，…箇所の奥の方
でも全体に溶湯Ｃ0 が充填される。
れた溶湯Ｃ0 が穴部８，８，…の奥まで入っていない場
合には、石膏体７に対して減圧作用を施したことで、穴
部８，８，…箇所周縁の石膏体７に多数形成された毛細
管に食い込むようになり、穴部８，８，…箇所の奥の方
でも全体に溶湯Ｃ0 が充填される。
【００１５】このような状態を所定時間保持し、溶湯Ｃ
0 を冷却させる〔図６（Ｂ）参照〕そして石膏体７付き
非鉄金属Ｃを取り出し（図７参照）、その後、冷却して
硬化した穴部８，８，…箇所の棒片なるピンフィン２，
２，…を破損しない程度の圧力による水圧ノズル１４に
て前記石膏体７を破壊する（図８参照）。ピンフィン
２，２，…のみが表れるようにし、且つ前記所定厚さで
冷却したものを取付モジュール１として成形し、該取付
モジュール１上に多数のピンフィン２，２，…を設けた
ＬＳＩ用ヒートシンクＡを製造する（図９参照）。
0 を冷却させる〔図６（Ｂ）参照〕そして石膏体７付き
非鉄金属Ｃを取り出し（図７参照）、その後、冷却して
硬化した穴部８，８，…箇所の棒片なるピンフィン２，
２，…を破損しない程度の圧力による水圧ノズル１４に
て前記石膏体７を破壊する（図８参照）。ピンフィン
２，２，…のみが表れるようにし、且つ前記所定厚さで
冷却したものを取付モジュール１として成形し、該取付
モジュール１上に多数のピンフィン２，２，…を設けた
ＬＳＩ用ヒートシンクＡを製造する（図９参照）。
【００１６】このような減圧鋳造による製造法では、ド
リル９にて穿設するために、その穴径を任意にでき、こ
れによって、多数の穴部８，８，…の直径を適宜異なる
ようにできる大きな利点がある。
リル９にて穿設するために、その穴径を任意にでき、こ
れによって、多数の穴部８，８，…の直径を適宜異なる
ようにできる大きな利点がある。
【００１７】次に、減圧鋳造による別の製造法について
図１０にて説明すると、予め多数の小径の棒状物１５
ａ，１５ａ，…が、隣接する間隔を数mmとして、Ｘ方
向，Ｙ方向に設けられた穴成形マスター１５を用意し
〔図１０（Ａ）参照〕、該穴成形マスター１５の多数の
棒状物１５ａ，１５ａ，…を、常温にて、固体状の厚さ
数cmの石膏体７に対して上から押圧穿設する〔図１０
（Ｂ）参照〕。その直後に棒状物１５ａ，１５ａ，…を
引抜き、多数の穴部８，８，…を一度に形成する〔図１
０（Ｃ）参照〕。この後の成形は、基本の減圧鋳造によ
る製造方法と同一であるため省略する。図１０の製造方
法では、石膏体７という比較的柔らかい材質であるため
に可能であり、極めて迅速にできる利点がある。
図１０にて説明すると、予め多数の小径の棒状物１５
ａ，１５ａ，…が、隣接する間隔を数mmとして、Ｘ方
向，Ｙ方向に設けられた穴成形マスター１５を用意し
〔図１０（Ａ）参照〕、該穴成形マスター１５の多数の
棒状物１５ａ，１５ａ，…を、常温にて、固体状の厚さ
数cmの石膏体７に対して上から押圧穿設する〔図１０
（Ｂ）参照〕。その直後に棒状物１５ａ，１５ａ，…を
引抜き、多数の穴部８，８，…を一度に形成する〔図１
０（Ｃ）参照〕。この後の成形は、基本の減圧鋳造によ
る製造方法と同一であるため省略する。図１０の製造方
法では、石膏体７という比較的柔らかい材質であるため
に可能であり、極めて迅速にできる利点がある。
【００１８】次に、減圧鋳造によるさらに別の製造法に
ついて図１１にて説明すると、前記第２実施例の穴成形
マスター１５を用意し〔図１１（Ａ）参照〕、該穴成形
マスター１５の多数の棒状物１５ａ，１５ａ，…を、ケ
ース１６内に充填された，液状化した石膏体７に対して
上から、所定深さとなるように挿入する〔図１１（Ｂ）
参照〕。このような状態で所定時間経過させて液状化し
た石膏体７を硬化させた後に棒状物１５ａ，１５ａ，…
を引抜き〔図１１（Ｃ）参照〕、これによって、硬化さ
せた石膏体７に多数の穴部８，８，…を形成する〔図１
１（Ｄ）参照〕。
ついて図１１にて説明すると、前記第２実施例の穴成形
マスター１５を用意し〔図１１（Ａ）参照〕、該穴成形
マスター１５の多数の棒状物１５ａ，１５ａ，…を、ケ
ース１６内に充填された，液状化した石膏体７に対して
上から、所定深さとなるように挿入する〔図１１（Ｂ）
参照〕。このような状態で所定時間経過させて液状化し
た石膏体７を硬化させた後に棒状物１５ａ，１５ａ，…
を引抜き〔図１１（Ｃ）参照〕、これによって、硬化さ
せた石膏体７に多数の穴部８，８，…を形成する〔図１
１（Ｄ）参照〕。
【００１９】この後の成形は、基本の製造方法と同一で
あるため省略する。この製造方法では、前記図１０の製
造方法に比し迅速ではないが、石膏体７に対して穴部
８，８，…の成形時に穴損傷等を防止して整然と成形で
きる効果があり、基本の製造方法に比し量産が可能であ
る。
あるため省略する。この製造方法では、前記図１０の製
造方法に比し迅速ではないが、石膏体７に対して穴部
８，８，…の成形時に穴損傷等を防止して整然と成形で
きる効果があり、基本の製造方法に比し量産が可能であ
る。
【００２０】次に、鋳ぐるみによる製造法では、図１２
乃至図１４に示すように、厚さ数cmの合成樹脂等の低融
点の保持材２０に対して細小径の金属製のピンフィン２
を、所定深さとして約１cm乃至２cmで、隣接する間隔を
数mmとして、Ｘ方向，Ｙ方向に対して多数植設する〔図
１２（Ａ）及び（Ｂ）参照〕。これには、そのピンフィ
ン２の直径を主に約１mm以内とする。このようにして、
ピンフィン２，２，…付きの保持材２０を成形する。
乃至図１４に示すように、厚さ数cmの合成樹脂等の低融
点の保持材２０に対して細小径の金属製のピンフィン２
を、所定深さとして約１cm乃至２cmで、隣接する間隔を
数mmとして、Ｘ方向，Ｙ方向に対して多数植設する〔図
１２（Ａ）及び（Ｂ）参照〕。これには、そのピンフィ
ン２の直径を主に約１mm以内とする。このようにして、
ピンフィン２，２，…付きの保持材２０を成形する。
【００２１】次いで、アルミニウム等の非鉄金属Ｃの溶
湯Ｃ0 を、前記ピンフィン２，２，…部分が空隙部２１
を有する鋳枠筺体Ｄの空隙部２１内で、前記保持材２０
上に一杯になるように充填する〔図１３（Ａ），（Ｂ）
参照〕。そして、溶湯Ｃ0 を養生する。
湯Ｃ0 を、前記ピンフィン２，２，…部分が空隙部２１
を有する鋳枠筺体Ｄの空隙部２１内で、前記保持材２０
上に一杯になるように充填する〔図１３（Ａ），（Ｂ）
参照〕。そして、溶湯Ｃ0 を養生する。
【００２２】このとき、その溶湯Ｃ0 の熱にて、前記合
成樹脂等の低融点の保持材２０が焼失する。即ち、保持
材２０は炭状となって、前記ピンフィン２，２，…のみ
が露出するようになる〔図１４（Ａ）参照〕。そして、
この溶湯Ｃ0 が冷却した後に、冷却して硬化した非鉄金
属Ｃとピンフィン２，２，…を前記鋳枠筺体Ｄから取り
出すことで、空隙部２１内に充填された非鉄金属Ｃは取
付モジュール１として成形でき、該取付モジュール１に
は前記ピンフィン２，２，…を多数植設することがで
き、これによって、ピンフィン２と取付モジュール１と
がそれぞれ金属材の異なるＬＳＩ用ヒートシンクＡを製
造できる〔図１４（Ｂ）参照〕。
成樹脂等の低融点の保持材２０が焼失する。即ち、保持
材２０は炭状となって、前記ピンフィン２，２，…のみ
が露出するようになる〔図１４（Ａ）参照〕。そして、
この溶湯Ｃ0 が冷却した後に、冷却して硬化した非鉄金
属Ｃとピンフィン２，２，…を前記鋳枠筺体Ｄから取り
出すことで、空隙部２１内に充填された非鉄金属Ｃは取
付モジュール１として成形でき、該取付モジュール１に
は前記ピンフィン２，２，…を多数植設することがで
き、これによって、ピンフィン２と取付モジュール１と
がそれぞれ金属材の異なるＬＳＩ用ヒートシンクＡを製
造できる〔図１４（Ｂ）参照〕。
【００２３】このような鋳ぐるみによる製造法では、鋳
枠筺体Ｄ内の空隙部２１内で、前記保持材２０の上側
に、溶湯Ｃ0 を充填するため、構成及び作業が簡易にで
きる。また、合成樹脂等の低融点の保持材２０に対し
て、極小径の金属製のピンフィン２を所定深さに植設す
るため、常温での作業であって簡単にできる。
枠筺体Ｄ内の空隙部２１内で、前記保持材２０の上側
に、溶湯Ｃ0 を充填するため、構成及び作業が簡易にで
きる。また、合成樹脂等の低融点の保持材２０に対し
て、極小径の金属製のピンフィン２を所定深さに植設す
るため、常温での作業であって簡単にできる。
【００２４】次に、別の鋳ぐるみによる製造方法につい
て図１５にて説明すると、前記ピンフィン２，２，…付
きの保持材２０を成形するまでは、基本の鋳ぐるみによ
る製造方法と同一である。その後の鋳枠筺体Ｄの空隙部
２１が下側に位置する構成のものである。この場合の鋳
枠筺体Ｄは、上型２２と下型２３とで割型となってお
り、前記上型２２内に、保持材２０を装填して、前記下
型２３内に多数のピンフィン２，２，…が入り、且つこ
の箇所が空隙部２１として構成される。
て図１５にて説明すると、前記ピンフィン２，２，…付
きの保持材２０を成形するまでは、基本の鋳ぐるみによ
る製造方法と同一である。その後の鋳枠筺体Ｄの空隙部
２１が下側に位置する構成のものである。この場合の鋳
枠筺体Ｄは、上型２２と下型２３とで割型となってお
り、前記上型２２内に、保持材２０を装填して、前記下
型２３内に多数のピンフィン２，２，…が入り、且つこ
の箇所が空隙部２１として構成される。
【００２５】そして、アルミニウム等の非鉄金属Ｃの溶
湯Ｃ0 を、下側より、鋳枠筺体Ｂの空隙部２１内で、前
記保持材２０の下に入れ〔図１５（Ａ）参照〕、前記下
枠１２が一杯になるように充填して溶湯Ｃ0 を養生する
〔図１５（Ｂ）参照〕。
湯Ｃ0 を、下側より、鋳枠筺体Ｂの空隙部２１内で、前
記保持材２０の下に入れ〔図１５（Ａ）参照〕、前記下
枠１２が一杯になるように充填して溶湯Ｃ0 を養生する
〔図１５（Ｂ）参照〕。
【００２６】このときにも、溶湯Ｃ0 の熱にて、前記合
成樹脂等の低融点の保持材２０が焼失する。この点は、
基本の鋳ぐるみによる製造方法と同一である。即ち、保
持材２０は炭状となって、前記ピンフィン２，２，…の
みが露出するようになり、これが溶湯Ｃ0 が冷却した後
に、冷却して硬化した非鉄金属Ｃとピンフィン２，２，
…を前記鋳枠筺体Ｄなる割型から取り出すことで、空隙
部２１内に充填された溶湯は取付モジュール１として成
形でき、該取付モジュール１には前記ピンフィン２，
２，…を多数植設できる〔図１５（Ｃ）参照〕。
成樹脂等の低融点の保持材２０が焼失する。この点は、
基本の鋳ぐるみによる製造方法と同一である。即ち、保
持材２０は炭状となって、前記ピンフィン２，２，…の
みが露出するようになり、これが溶湯Ｃ0 が冷却した後
に、冷却して硬化した非鉄金属Ｃとピンフィン２，２，
…を前記鋳枠筺体Ｄなる割型から取り出すことで、空隙
部２１内に充填された溶湯は取付モジュール１として成
形でき、該取付モジュール１には前記ピンフィン２，
２，…を多数植設できる〔図１５（Ｃ）参照〕。
【００２７】このような製造方法では、非鉄金属Ｃの溶
湯Ｃ0 は下側に存在するために、溶湯Ｃ0 の充填時にお
いて、保持材２０の表面側に不規則に凹凸状になること
がなく、極めて整然とした取付モジュール１を製造でき
る。
湯Ｃ0 は下側に存在するために、溶湯Ｃ0 の充填時にお
いて、保持材２０の表面側に不規則に凹凸状になること
がなく、極めて整然とした取付モジュール１を製造でき
る。
【００２８】次に、さらに別の鋳ぐるみによる製造方法
について図１６にて説明すると、前記ピンフィン２，
２，…付きの保持材２０を成形するまでは、基本の鋳ぐ
るみによる製造方法と異なる。即ち、図１６（Ａ）に示
すように、多数のピンフィン２，２，…の下端又は上端
の全体のそれぞれ相互又は一部相互を連結材６にて連結
して成形する。そして、該連結材６箇所側が、合成樹脂
等のモールド成形するときに、内部に入るようにして、
合成樹脂等の低融点の保持材２０を成形する〔図１６
（Ｄ）参照〕。この後の製造法は、基本の鋳ぐるみによ
る製造方法と同一であり、説明は省略する。
について図１６にて説明すると、前記ピンフィン２，
２，…付きの保持材２０を成形するまでは、基本の鋳ぐ
るみによる製造方法と異なる。即ち、図１６（Ａ）に示
すように、多数のピンフィン２，２，…の下端又は上端
の全体のそれぞれ相互又は一部相互を連結材６にて連結
して成形する。そして、該連結材６箇所側が、合成樹脂
等のモールド成形するときに、内部に入るようにして、
合成樹脂等の低融点の保持材２０を成形する〔図１６
（Ｄ）参照〕。この後の製造法は、基本の鋳ぐるみによ
る製造方法と同一であり、説明は省略する。
【００２９】この鋳ぐるみによる製造法とは別の製造方
法では、ピンフィン２，２，…の適宜の箇所が連結材６
にて連結されていることで、ピンフィン２の直径が僅か
でも強度的に優れたものにできる。
法では、ピンフィン２，２，…の適宜の箇所が連結材６
にて連結されていることで、ピンフィン２の直径が僅か
でも強度的に優れたものにできる。
【００３０】
【発明の効果】請求項１の発明においては、金属製の取
付モジュール１に、該取付モジュール１と同材質の細小
径のピンフィン２を均一の直径で、均一の高さで、且つ
所定間隔をおいて多数設けてなるＬＳＩ用ヒートシンク
としたことにより、空冷式のＬＳＩ用ヒートシンクとし
て極めて放熱性能を高めることができる最大の効果があ
る。即ち、効率よく熱を放熱させ、省スペースでメイン
テナンスが簡単なＬＳＩ用ヒートシンクが供給できる。
付モジュール１に、該取付モジュール１と同材質の細小
径のピンフィン２を均一の直径で、均一の高さで、且つ
所定間隔をおいて多数設けてなるＬＳＩ用ヒートシンク
としたことにより、空冷式のＬＳＩ用ヒートシンクとし
て極めて放熱性能を高めることができる最大の効果があ
る。即ち、効率よく熱を放熱させ、省スペースでメイン
テナンスが簡単なＬＳＩ用ヒートシンクが供給できる。
【００３１】また、請求項２の発明では、請求項１にお
いて、そのピンフィン２の途中に突起部４を形成してな
るＬＳＩ用ヒートシンクとしたことにより、該突起部４
の形成にて、より放熱面積を増大させ、放熱性能を一層
高めることができる利点がある。
いて、そのピンフィン２の途中に突起部４を形成してな
るＬＳＩ用ヒートシンクとしたことにより、該突起部４
の形成にて、より放熱面積を増大させ、放熱性能を一層
高めることができる利点がある。
【００３２】請求項３の発明では、請求項１において、
そのピンフィン２の途中に、放熱性能が高い材質の粒状
物５を固定してなるＬＳＩ用ヒートシンクとしたことに
より、該粒状物５の放熱性能が優れることで、より効果
的なる放熱性能が得られるＬＳＩ用ヒートシンクＡを提
供できる。
そのピンフィン２の途中に、放熱性能が高い材質の粒状
物５を固定してなるＬＳＩ用ヒートシンクとしたことに
より、該粒状物５の放熱性能が優れることで、より効果
的なる放熱性能が得られるＬＳＩ用ヒートシンクＡを提
供できる。
【００３３】請求項４の発明では、金属製の取付モジュ
ール１に、該取付モジュール１と異材質の細小径のピン
フィン２を所定間隔をおいて多数設けてなるＬＳＩ用ヒ
ートシンクとしたことにより、ピンフィン２のみでも高
い放熱性能を有する材質にでき、全体としては安価に提
供できる。具体的には、銅にて全体を加工すると割高と
なるが、その銅をピンフィン２のみに加工し、他の取付
モジュール１は安価なるアルミニウム等で製造すること
で、放熱効果を得つつ、単価的に安価にできる利点があ
る。
ール１に、該取付モジュール１と異材質の細小径のピン
フィン２を所定間隔をおいて多数設けてなるＬＳＩ用ヒ
ートシンクとしたことにより、ピンフィン２のみでも高
い放熱性能を有する材質にでき、全体としては安価に提
供できる。具体的には、銅にて全体を加工すると割高と
なるが、その銅をピンフィン２のみに加工し、他の取付
モジュール１は安価なるアルミニウム等で製造すること
で、放熱効果を得つつ、単価的に安価にできる利点があ
る。
【００３４】また、請求項５の発明では、金属製の取付
モジュール１に、該取付モジュール１と同材質又は異材
質の細小径のピンフィン２を所定間隔をおいて多数設
け、その一部又は全部が隣接したり、所定間相互のピン
フィン２，２間を連結材６にて結合してなるＬＳＩ用ヒ
ートシンクとしたことにより、ピンフィン２の直径が僅
かでも強度的に優れたものにでき、該僅かな直径のピン
フィン２にて極めて優れた放熱性能を得ることができ
る。
モジュール１に、該取付モジュール１と同材質又は異材
質の細小径のピンフィン２を所定間隔をおいて多数設
け、その一部又は全部が隣接したり、所定間相互のピン
フィン２，２間を連結材６にて結合してなるＬＳＩ用ヒ
ートシンクとしたことにより、ピンフィン２の直径が僅
かでも強度的に優れたものにでき、該僅かな直径のピン
フィン２にて極めて優れた放熱性能を得ることができ
る。
【図１】（Ａ）は本発明の斜視図 （Ｂ）は（Ａ）の要部拡大断面図
【図２】（Ａ）は本発明の別の実施の形態の一部切除し
た斜視図 （Ｂ）は（Ａ）の要部拡大断面図
た斜視図 （Ｂ）は（Ａ）の要部拡大断面図
【図３】（Ａ）は本発明のさらに別の実施の形態の断面
図 （Ｂ）は（Ａ）の要部拡大断面図 （Ｃ）は別の実施の形態の要部拡大断面図
図 （Ｂ）は（Ａ）の要部拡大断面図 （Ｃ）は別の実施の形態の要部拡大断面図
【図４】（Ａ）は本発明の別の実施の形態の要部拡大斜
視図 （Ｂ）は（Ａ）の全体斜視図
視図 （Ｂ）は（Ａ）の全体斜視図
【図５】（Ａ）は石膏体の斜視図 （Ｂ）は石膏体に穴部加工している状態図 （Ｃ）は石膏体に多数の穴部加工を完了した断面図
【図６】（Ａ）は減圧式鋳型装置に石膏体を挿入し、上
からアルミニウム等の非鉄金属の溶湯を充填している状
態の断面図 （Ｂ）は減圧式鋳型装置にアルミニウム等の非鉄金属の
溶湯を充填して硬化しつつある状態の断面図
からアルミニウム等の非鉄金属の溶湯を充填している状
態の断面図 （Ｂ）は減圧式鋳型装置にアルミニウム等の非鉄金属の
溶湯を充填して硬化しつつある状態の断面図
【図７】減圧式鋳型装置から取り出した固体状となる金
属付き石膏体の断面図
属付き石膏体の断面図
【図８】石膏体を水圧ポンプにて圧力破壊している状態
図
図
【図９】石膏体の中のピンフィンが露出し、本発明を製
造完了した断面図
造完了した断面図
【図１０】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は減圧式鋳造の別の
製造法による穴成形マスターにて固形状の石膏体に穴部
加工している工程図
製造法による穴成形マスターにて固形状の石膏体に穴部
加工している工程図
【図１１】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）は減圧式鋳
造のさらに別の製造法による穴成形マスターにて液状の
石膏体に穴部を成形している工程図
造のさらに別の製造法による穴成形マスターにて液状の
石膏体に穴部を成形している工程図
【図１２】（Ａ）は保持材にピンフィンを植設完了した
断面図 （Ｂ）は一部切除した保持材にピンフィンを植設完了し
た要部拡大斜視図
断面図 （Ｂ）は一部切除した保持材にピンフィンを植設完了し
た要部拡大斜視図
【図１３】（Ａ）は鋳枠筺体内にピンフィン付き保持材
を挿入し、上からアルミニウム等の非鉄金属の溶湯を充
填している状態の断面図 （Ｂ）は鋳枠筺体内にピンフィン付き保持材を挿入し、
上からアルミニウム等の非鉄金属の溶湯を充填して硬化
しつつある状態の断面図
を挿入し、上からアルミニウム等の非鉄金属の溶湯を充
填している状態の断面図 （Ｂ）は鋳枠筺体内にピンフィン付き保持材を挿入し、
上からアルミニウム等の非鉄金属の溶湯を充填して硬化
しつつある状態の断面図
【図１４】（Ａ）は溶湯にて保持材が焼失た状態の断面
図 （Ｂ）は本発明が製造完了した断面図
図 （Ｂ）は本発明が製造完了した断面図
【図１５】（Ａ）は別の実施の形態の鋳枠筺体に、下か
らアルミニウム等の非鉄金属の溶湯を充填している状態
図 （Ｂ）は別の実施の形態の鋳枠筺体に、下からアルミニ
ウム等の非鉄金属の溶湯を充填して硬化している状態の
断面図 （Ｃ）は本発明を製造完了した断面図
らアルミニウム等の非鉄金属の溶湯を充填している状態
図 （Ｂ）は別の実施の形態の鋳枠筺体に、下からアルミニ
ウム等の非鉄金属の溶湯を充填して硬化している状態の
断面図 （Ｃ）は本発明を製造完了した断面図
【図１６】（Ａ）は連結材付きピンフィンの別の実施の
形態の斜視図 （Ｂ）は（Ａ）の要部拡大斜視図 （Ｃ）は（Ａ）とは別の実施の形態の要部拡大斜視図 （Ｄ）は連結材付きピンフィンを合成樹脂等の低融点の
保持材でモールド成形した断面図
形態の斜視図 （Ｂ）は（Ａ）の要部拡大斜視図 （Ｃ）は（Ａ）とは別の実施の形態の要部拡大斜視図 （Ｄ）は連結材付きピンフィンを合成樹脂等の低融点の
保持材でモールド成形した断面図
１…取付モジュール ２…ピンフィン ４…突起部 ５…粒状物 ６…連結材
Claims (5)
- 【請求項１】 非鉄金属の取付モジュールに、該取付モ
ジュールと同材質の細小径のピンフィンを均一の直径
で、均一の高さで、且つ所定間隔をおいて多数設けてな
ることを特徴とするＬＳＩ用ヒートシンク。 - 【請求項２】 請求項１において、そのピンフィンの途
中に突起部を形成してなることを特徴とするＬＳＩ用ヒ
ートシンク。 - 【請求項３】 請求項１において、そのピンフィンの途
中に、放熱性能が高い材質の粒状物を固定してなること
を特徴とするＬＳＩ用ヒートシンク。 - 【請求項４】 非鉄金属の取付モジュールに、該取付モ
ジュールと異材質の細小径のピンフィンを所定間隔をお
いて多数設けてなることを特徴とするＬＳＩ用ヒートシ
ンク。 - 【請求項５】 非鉄金属の取付モジュールに、該取付モ
ジュールと同材質又は異材質の細小径のピンフィンを所
定間隔をおいて多数設け、前記ピンフィン全体におい
て、その一部又は全部が隣接したり、所定間相互のピン
フィン間を連結杆にて結合してなることを特徴とするＬ
ＳＩ用ヒートシンク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31937395A JPH09162333A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | Ｌｓｉ用ヒートシンク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31937395A JPH09162333A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | Ｌｓｉ用ヒートシンク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162333A true JPH09162333A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18109434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31937395A Pending JPH09162333A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | Ｌｓｉ用ヒートシンク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162333A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016201391A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
| JPWO2017195270A1 (ja) * | 2016-05-10 | 2018-08-02 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
-
1995
- 1995-12-07 JP JP31937395A patent/JPH09162333A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016201391A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
| JPWO2017195270A1 (ja) * | 2016-05-10 | 2018-08-02 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930009039A (ko) | 방열구조를 갖는 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
| AU2002340453A1 (en) | Device and method for package warp compensation in an integrated heat spreader | |
| EP1463112A3 (en) | Heat sink with visible logo | |
| EP2463902A1 (en) | Heat sink and method for manufracturing the heat sink | |
| US5215140A (en) | Method of making a heat sink | |
| US20030051867A1 (en) | High heat flux heat sink and method of creating same | |
| JPH09162335A (ja) | Ｌｓｉ用ヒートシンク | |
| JP3668304B2 (ja) | ヒートシンクの製造法 | |
| JPH09162338A (ja) | Ｌｓｉ用ヒートシンク及びその製造法 | |
| JPH11290968A (ja) | 放熱器の形成方法 | |
| US6597574B2 (en) | Radiator plate and process for manufacturing the same | |
| JPH09162339A (ja) | Ｌｓｉ用ヒートシンク及びその製造法 | |
| JP2519505B2 (ja) | 放熱用等の金属部材の製造方法 | |
| JP3019251B2 (ja) | 放熱器及びその製造方法 | |
| JP2005522036A (ja) | ヒートシンク及び電力電子コンポーネントから熱を除去する方法 | |
| JP3893494B2 (ja) | 半導体モジュール用ケース | |
| JPH09138091A (ja) | 放熱板 | |
| KR20240024636A (ko) | 방열핀 일체형 방열판 및 그 제조용 하이브리드 금형 | |
| JP3882432B2 (ja) | ヒートシンク及びその製造方法 | |
| JPH06244312A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3502520B2 (ja) | 電子部品用放熱器の製造方法および電子部品用放熱器製造用の型 | |
| JP3040776B1 (ja) | 鋳ぐるみ材料の支持方法 | |
| JP2799688B2 (ja) | ヒートシンク | |
| JP6064191B2 (ja) | ヒートシンク及びヒートシンクの製造方法 | |
| JP2573813B2 (ja) | 放熱盤およびその加圧鋳造装置 |