JPH09162543A - プリント基板及びこれを用いたクリーム半田膜厚測定方法 - Google Patents
プリント基板及びこれを用いたクリーム半田膜厚測定方法Info
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- JPH09162543A JPH09162543A JP32176195A JP32176195A JPH09162543A JP H09162543 A JPH09162543 A JP H09162543A JP 32176195 A JP32176195 A JP 32176195A JP 32176195 A JP32176195 A JP 32176195A JP H09162543 A JPH09162543 A JP H09162543A
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- H05K1/02—Details
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅パッドがほぼ同大の塗布されたクリーム半
田４によりほとんど覆われており、樹脂などのようにレ
ーザ光が透過または内部散乱して反射しない基材を用い
たプリント基板でも、同レーザを使用した膜厚測定器に
てクリーム半田膜厚を測定可能にする。 【解決手段】 １個または多数の連続する電気接合部を
有する電気部品をリフロー半田付けするためのこれらに
対応する１個または多数の連続する銅パッド３、この銅
パッド３近傍または延長線上にリフロー半田付けに使用
しないダミー銅パッド２４Ａ〜２４Ｄをプリント基板１
上に設ける。
田４によりほとんど覆われており、樹脂などのようにレ
ーザ光が透過または内部散乱して反射しない基材を用い
たプリント基板でも、同レーザを使用した膜厚測定器に
てクリーム半田膜厚を測定可能にする。 【解決手段】 １個または多数の連続する電気接合部を
有する電気部品をリフロー半田付けするためのこれらに
対応する１個または多数の連続する銅パッド３、この銅
パッド３近傍または延長線上にリフロー半田付けに使用
しないダミー銅パッド２４Ａ〜２４Ｄをプリント基板１
上に設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、リフローによる
電気部品の基板実装における、プリント基板及びこれを
用いたクリーム半田膜厚測定方法に関するものである。
電気部品の基板実装における、プリント基板及びこれを
用いたクリーム半田膜厚測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のプリント基板を示す正面図
である。図において、１はプリント基板、２はガラスエ
ポキシ材やコンポジット材などの樹脂材料からなる樹脂
基材、３は樹脂基材２上に等ピッチにそれぞれ４方向に
形成された銅パッド、４は印刷により各銅パッド３上に
ほぼ同大に形成されたクリーム半田である。図５は従来
のプリント基板にＩＣを実装した状態を示す正面図であ
り、図において、４’はクリーム半田４がリフローによ
って溶融後結晶固化した半田、５はクリーム半田４上に
搭載されたＩＣ、６はＩＣ５より延設された連続する複
数のリードフレームでその先端は銅パッド３またはクリ
ーム半田４と対応しており、７はリードフレーム間に発
生した半田ブリッジである。図６は図４に示すプリント
基板１のI−I断面図またはII−II断面図であり、いわ
ば、クリーム半田の膜厚の測定状態を示している。図に
おいて、８は膜厚測定箇所であるクリーム半田上面、９
は膜厚測定器（図示せず）の一般的な波長７８０ｎｍ程
度の半導体レーザ光を照射する投光部で、１０はレーザ
投射光である。まず、I−I断面箇所において、１１は投
光部より照射されクリーム半田上面８にて反射したレー
ザ反射光、１２はレーザ反射光１１を受ける半導体位置
検出素子からなる受光部、１３はレーザ反射光１１に対
する受光部１２へのレーザ受光位置、１４は銅パッド上
面、ＴＸは銅パッド上面１４からクリーム半田上面８迄
の距離で、測定対象となるクリーム半田膜厚である。ま
た、１５は銅パッド上面１４にて反射したレーザ反射
光、１６はレーザ反射光１５に対する受光部１２へのレ
ーザ受光位置である。なお、レーザ投射光１０とレーザ
反射光１１及び１５とを一定角度になるよう投光部９及
び受光部を設定してあるので、レーザ受光位置１３と１
６の距離はクリーム半田膜厚ＴＸに比例する。例えば、
同図のように上記角度９０゜の場合、レーザ受光位置と
１６の距離はクリーム半田膜厚ＴＸの√２倍となる。次
に、II−II断面箇所において、１７は銅パッド３及びク
リーム半田４の無い樹脂基材２における樹脂基材内部の
反射位置、１８はレーザ透過光、１９は反射位置１７に
て反射したレーザ反射光、２０はレーザ反射光１９に対
する受光部１２へのレーザ受光位置である。また、一般
的に、半導体による７８０ｎｍ程度の波長のレーザ投射
光１０をプリント基板１上のクリーム半田４及び銅パッ
ド３のない樹脂基材２の箇所に照射したとき、レーザ投
射光１０が樹脂基材内部に入射し、レーザ光の一部が反
射し、残りのレーザ光が透過するが、反射位置１７は樹
脂基材の組成バラツキにより変化する。
である。図において、１はプリント基板、２はガラスエ
ポキシ材やコンポジット材などの樹脂材料からなる樹脂
基材、３は樹脂基材２上に等ピッチにそれぞれ４方向に
形成された銅パッド、４は印刷により各銅パッド３上に
ほぼ同大に形成されたクリーム半田である。図５は従来
のプリント基板にＩＣを実装した状態を示す正面図であ
り、図において、４’はクリーム半田４がリフローによ
って溶融後結晶固化した半田、５はクリーム半田４上に
搭載されたＩＣ、６はＩＣ５より延設された連続する複
数のリードフレームでその先端は銅パッド３またはクリ
ーム半田４と対応しており、７はリードフレーム間に発
生した半田ブリッジである。図６は図４に示すプリント
基板１のI−I断面図またはII−II断面図であり、いわ
ば、クリーム半田の膜厚の測定状態を示している。図に
おいて、８は膜厚測定箇所であるクリーム半田上面、９
は膜厚測定器（図示せず）の一般的な波長７８０ｎｍ程
度の半導体レーザ光を照射する投光部で、１０はレーザ
投射光である。まず、I−I断面箇所において、１１は投
光部より照射されクリーム半田上面８にて反射したレー
ザ反射光、１２はレーザ反射光１１を受ける半導体位置
検出素子からなる受光部、１３はレーザ反射光１１に対
する受光部１２へのレーザ受光位置、１４は銅パッド上
面、ＴＸは銅パッド上面１４からクリーム半田上面８迄
の距離で、測定対象となるクリーム半田膜厚である。ま
た、１５は銅パッド上面１４にて反射したレーザ反射
光、１６はレーザ反射光１５に対する受光部１２へのレ
ーザ受光位置である。なお、レーザ投射光１０とレーザ
反射光１１及び１５とを一定角度になるよう投光部９及
び受光部を設定してあるので、レーザ受光位置１３と１
６の距離はクリーム半田膜厚ＴＸに比例する。例えば、
同図のように上記角度９０゜の場合、レーザ受光位置と
１６の距離はクリーム半田膜厚ＴＸの√２倍となる。次
に、II−II断面箇所において、１７は銅パッド３及びク
リーム半田４の無い樹脂基材２における樹脂基材内部の
反射位置、１８はレーザ透過光、１９は反射位置１７に
て反射したレーザ反射光、２０はレーザ反射光１９に対
する受光部１２へのレーザ受光位置である。また、一般
的に、半導体による７８０ｎｍ程度の波長のレーザ投射
光１０をプリント基板１上のクリーム半田４及び銅パッ
ド３のない樹脂基材２の箇所に照射したとき、レーザ投
射光１０が樹脂基材内部に入射し、レーザ光の一部が反
射し、残りのレーザ光が透過するが、反射位置１７は樹
脂基材の組成バラツキにより変化する。
【０００３】このような従来のプリント基板１を用いた
クリーム半田膜厚測定方法では、図４の矢印Ｙ１、Ｘ
１、Ｙ２、Ｘ２の各方向にプリント基板１または膜厚測
定器を相対的に走査し、銅パッド上面１４にレーザ投射
光１０を照射して半導体位置検出素子の検出出力をグラ
フ表示することなどにより銅パッド上面位置を知り、次
いで同様にクリーム半田上面位置を知ることにより、ク
リーム半田膜厚を測定表示することができる。すなわ
ち、図４の矢印Ｙ１方向に膜厚測定器を走査することに
よって得られたグラフが図７で、横軸はＹ１方向の走査
時間、縦軸は半導体検出素子のレーザ受光位置に相応す
る検出出力を示し、２１は図６のレーザ受光位置１３に
対応する検出出力、２２は図６のレーザ受光位置１６に
対応する検出出力、２３は図６のレーザ受光位置２０に
対応する検出出力である。これら検出出力２１と２２の
差を半導体位置検出素子に基づく定数で除算し、さらに
上記のようにレーザ投射光１０とレーザ反射光１１及び
１５との角度９０゜に基づく定数クリームの√２で除算
することにより半田膜厚ＴＸを求めることができる。
クリーム半田膜厚測定方法では、図４の矢印Ｙ１、Ｘ
１、Ｙ２、Ｘ２の各方向にプリント基板１または膜厚測
定器を相対的に走査し、銅パッド上面１４にレーザ投射
光１０を照射して半導体位置検出素子の検出出力をグラ
フ表示することなどにより銅パッド上面位置を知り、次
いで同様にクリーム半田上面位置を知ることにより、ク
リーム半田膜厚を測定表示することができる。すなわ
ち、図４の矢印Ｙ１方向に膜厚測定器を走査することに
よって得られたグラフが図７で、横軸はＹ１方向の走査
時間、縦軸は半導体検出素子のレーザ受光位置に相応す
る検出出力を示し、２１は図６のレーザ受光位置１３に
対応する検出出力、２２は図６のレーザ受光位置１６に
対応する検出出力、２３は図６のレーザ受光位置２０に
対応する検出出力である。これら検出出力２１と２２の
差を半導体位置検出素子に基づく定数で除算し、さらに
上記のようにレーザ投射光１０とレーザ反射光１１及び
１５との角度９０゜に基づく定数クリームの√２で除算
することにより半田膜厚ＴＸを求めることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のプリント基板１を用いたクリーム半田膜厚測定方
法では、銅パッド上面１４がほぼ同大のクリーム半田４
にほとんど覆われているのが通例であり、レーザ投射光
１０がクリーム半田４下部の銅パッド上面１４に到達し
ない。従って、図４の矢印Ｙ１方向に膜厚測定器を走査
することによって得られるグラフは、図６のようにレー
ザ受光位置１６、すなわち銅パッド上面１４に対応する
検出出力２２が明確にグラフ表示されず、実際には図７
のようなグラフ波形となりクリーム半田膜厚ＴＸを測定
できない。しかし、クリーム半田膜厚ＴＸはリフローに
おける実装品質を決める重要なポイントで、クリーム半
田膜厚ＴＸが所定値より大きいと図４のように隣接する
パッド間にて半田ブリッジ１５が発生し、クリーム半田
膜厚ＴＸが所定値より小さいと半田量不足のために未半
田となり、クリーム半田膜厚を測定管理できないと深刻
な問題を来すことになる。
従来のプリント基板１を用いたクリーム半田膜厚測定方
法では、銅パッド上面１４がほぼ同大のクリーム半田４
にほとんど覆われているのが通例であり、レーザ投射光
１０がクリーム半田４下部の銅パッド上面１４に到達し
ない。従って、図４の矢印Ｙ１方向に膜厚測定器を走査
することによって得られるグラフは、図６のようにレー
ザ受光位置１６、すなわち銅パッド上面１４に対応する
検出出力２２が明確にグラフ表示されず、実際には図７
のようなグラフ波形となりクリーム半田膜厚ＴＸを測定
できない。しかし、クリーム半田膜厚ＴＸはリフローに
おける実装品質を決める重要なポイントで、クリーム半
田膜厚ＴＸが所定値より大きいと図４のように隣接する
パッド間にて半田ブリッジ１５が発生し、クリーム半田
膜厚ＴＸが所定値より小さいと半田量不足のために未半
田となり、クリーム半田膜厚を測定管理できないと深刻
な問題を来すことになる。
【０００５】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、その目的は、樹脂などのように
レーザ光が透過または内部散乱する基材を用いたプリン
ト基板でも、クリーム半田膜厚測定可能なプリント基板
及びクリーム半田膜厚測定方法を得るものである。
ためになされたもので、その目的は、樹脂などのように
レーザ光が透過または内部散乱する基材を用いたプリン
ト基板でも、クリーム半田膜厚測定可能なプリント基板
及びクリーム半田膜厚測定方法を得るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るプリント
基板においては、１個または多数の連続する電気接合部
を有する電気部品をリフロー半田付けするためのこれら
に対応する１個または多数の連続する銅パッド、該銅パ
ッド近傍または延長線上にリフロー半田付けに使用しな
いダミー銅パッドをプリント基板に備えたものである。
基板においては、１個または多数の連続する電気接合部
を有する電気部品をリフロー半田付けするためのこれら
に対応する１個または多数の連続する銅パッド、該銅パ
ッド近傍または延長線上にリフロー半田付けに使用しな
いダミー銅パッドをプリント基板に備えたものである。
【０００７】また、上記ダミー銅パッド上面に膜厚測定
器のレーザ光を照射して銅パッド上面位置を知り、次い
でクリーム半田塗布面の上面位置を知ることによりクリ
ーム半田膜厚を測定表示するものである。
器のレーザ光を照射して銅パッド上面位置を知り、次い
でクリーム半田塗布面の上面位置を知ることによりクリ
ーム半田膜厚を測定表示するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態であるプリ
ント基板においては、リフロー半田付けに使用しないダ
ミー銅パッド上面に膜厚測定器のレーザ光を投光反射す
ることにより銅パッド上面位置を知ることにより、クリ
ーム半田膜厚を測定できる。従って、所定の適正な値に
なるようクリーム半田を印刷することにより、半田ブリ
ッジ及び未半田のない良好な品質のリフロー実装基板を
得ることができる。
ント基板においては、リフロー半田付けに使用しないダ
ミー銅パッド上面に膜厚測定器のレーザ光を投光反射す
ることにより銅パッド上面位置を知ることにより、クリ
ーム半田膜厚を測定できる。従って、所定の適正な値に
なるようクリーム半田を印刷することにより、半田ブリ
ッジ及び未半田のない良好な品質のリフロー実装基板を
得ることができる。
【０００９】また、上記クリーム半田膜厚を正確に測定
表示することができる。
表示することができる。
【００１０】以下、この発明をその実施の形態を示す図
面に基づいて具体的に説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１であるプ
リント基板の正面図である。図において、１はプリント
基板、２４Ａ〜２４Ｄは複数の連続する銅パッド３の延
長線上にプリント基板１上に設けられた、この発明の特
徴であるリフロー半田付けに使用しないダミー銅パッド
である。また、図２は図１に示すプリント基板１のIII
−III断面図またはIV−IV断面図であり、図において、
２５Ａはダミー銅パッド２４Ａのダミー銅パッド上面、
２６Ａは投光部９より照射されダミー銅パッド上面２５
Ａにて反射したレーザ反射光、２７Ａはレーザ反射光２
６Ａに対する受光部１２へのレーザ受光位置である。同
様に、２５Ｂはダミー銅パッド２４Ｂのダミー銅パッド
上面、２６Ｂは投光部９より照射されダミー銅パッド上
面２５Ｂにて反射したレーザ反射光、２７Ｂはレーザ反
射光２６Ｂに対する受光部１２へのレーザ受光位置であ
る。なお、図２におけるI−I断面図は図４におけるI−I
断面図と相応している。
面に基づいて具体的に説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１であるプ
リント基板の正面図である。図において、１はプリント
基板、２４Ａ〜２４Ｄは複数の連続する銅パッド３の延
長線上にプリント基板１上に設けられた、この発明の特
徴であるリフロー半田付けに使用しないダミー銅パッド
である。また、図２は図１に示すプリント基板１のIII
−III断面図またはIV−IV断面図であり、図において、
２５Ａはダミー銅パッド２４Ａのダミー銅パッド上面、
２６Ａは投光部９より照射されダミー銅パッド上面２５
Ａにて反射したレーザ反射光、２７Ａはレーザ反射光２
６Ａに対する受光部１２へのレーザ受光位置である。同
様に、２５Ｂはダミー銅パッド２４Ｂのダミー銅パッド
上面、２６Ｂは投光部９より照射されダミー銅パッド上
面２５Ｂにて反射したレーザ反射光、２７Ｂはレーザ反
射光２６Ｂに対する受光部１２へのレーザ受光位置であ
る。なお、図２におけるI−I断面図は図４におけるI−I
断面図と相応している。
【００１１】このように構成されたプリント基板を、図
１の矢印Ｙ１方向にダミー銅パッド２４Ａから２４Ｂま
で膜厚測定器のレーザ光を相対的に走査測定することに
より、従来例の図７または図８と同様、図３のような測
定個所に対応する半導体位置検出素子による検出出力を
示すグラフが得られる。図３において、２８Ａはレーザ
受光位置２７Ａに対応する検出出力で、同様に２８Ｂは
レーザ受光位置２７Ｂに対応する検出出力である。ここ
で、銅パッド３及びダミー銅パッド２４Ａ〜２４Ｄは一
般的に基板製造工程の中でサブトラクティブ法またはア
ディティブ法によって形成されるため、これら銅膜厚の
仕上がり誤差は測定対象であるクリーム半田４の膜厚値
が５０μｍ〜３００μｍに比べ、±３μｍ〜５μｍ以下
と十分小さい。さらに、銅パッド３とダミー銅パッド２
４Ａ〜２４Ｄの位置関係はプリント基板１’に実装する
ＩＣの大きさによって決まるが、ＩＣはプリント基板外
形よりも小さいため、クリーム半田４の膜厚測定にあた
っては銅パッド３とダミー銅パッド２４Ａ〜２４Ｄの銅
膜厚が殆ど同じであると見なすことができる。従って、
ダミー銅パッド上面２５Ａ及び２５Ｂは図６における銅
パッド上面１４と同一位置とみなすことができる。同様
にして受光部１２に対するレーザ受光位置２７Ａ及び２
７Ｂは図６におけるレーザ受光位置１６と同一位置とみ
なすことができるので、図３の検出出力２８Ａ及び２８
Ｂは図７の検出出力２２と同じと見なすことができる。
言いかえれば、図３の検出出力２８Ａ及び２８Ｂは銅パ
ッド３または図６の銅パッド上面１４に対応する検出出
力２２と同じと見なすことができる。従って、これら検
出出力２８Ａと２８Ｂを結ぶことによって銅パッド上面
１４に対応する検出出力が明確になるので、検出出力２
１との縦軸方向の距離を知ることによってクリーム半田
膜厚ＴＸを測定できる。
１の矢印Ｙ１方向にダミー銅パッド２４Ａから２４Ｂま
で膜厚測定器のレーザ光を相対的に走査測定することに
より、従来例の図７または図８と同様、図３のような測
定個所に対応する半導体位置検出素子による検出出力を
示すグラフが得られる。図３において、２８Ａはレーザ
受光位置２７Ａに対応する検出出力で、同様に２８Ｂは
レーザ受光位置２７Ｂに対応する検出出力である。ここ
で、銅パッド３及びダミー銅パッド２４Ａ〜２４Ｄは一
般的に基板製造工程の中でサブトラクティブ法またはア
ディティブ法によって形成されるため、これら銅膜厚の
仕上がり誤差は測定対象であるクリーム半田４の膜厚値
が５０μｍ〜３００μｍに比べ、±３μｍ〜５μｍ以下
と十分小さい。さらに、銅パッド３とダミー銅パッド２
４Ａ〜２４Ｄの位置関係はプリント基板１’に実装する
ＩＣの大きさによって決まるが、ＩＣはプリント基板外
形よりも小さいため、クリーム半田４の膜厚測定にあた
っては銅パッド３とダミー銅パッド２４Ａ〜２４Ｄの銅
膜厚が殆ど同じであると見なすことができる。従って、
ダミー銅パッド上面２５Ａ及び２５Ｂは図６における銅
パッド上面１４と同一位置とみなすことができる。同様
にして受光部１２に対するレーザ受光位置２７Ａ及び２
７Ｂは図６におけるレーザ受光位置１６と同一位置とみ
なすことができるので、図３の検出出力２８Ａ及び２８
Ｂは図７の検出出力２２と同じと見なすことができる。
言いかえれば、図３の検出出力２８Ａ及び２８Ｂは銅パ
ッド３または図６の銅パッド上面１４に対応する検出出
力２２と同じと見なすことができる。従って、これら検
出出力２８Ａと２８Ｂを結ぶことによって銅パッド上面
１４に対応する検出出力が明確になるので、検出出力２
１との縦軸方向の距離を知ることによってクリーム半田
膜厚ＴＸを測定できる。
【００１２】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【００１３】リフロー半田付けに使用しないダミー銅パ
ッド上面に膜厚測定器のレーザ光を投光反射することに
より銅パッド上面位置を知ることができ、クリーム半田
膜厚を測定できる。従って、所定の適正な値になるよう
クリーム半田を印刷管理することにより、半田ブリッジ
及び未半田のない良好な品質のリフロー実装基板を得る
ことができる。
ッド上面に膜厚測定器のレーザ光を投光反射することに
より銅パッド上面位置を知ることができ、クリーム半田
膜厚を測定できる。従って、所定の適正な値になるよう
クリーム半田を印刷管理することにより、半田ブリッジ
及び未半田のない良好な品質のリフロー実装基板を得る
ことができる。
【００１４】また、上記ダミー銅パッド上面に膜厚測定
器のレーザ光を照射して銅パッド上面位置を知り、次い
でクリーム半田塗布面の上面位置を知ることにより、ク
リーム半田膜厚を正確に測定表示できる。
器のレーザ光を照射して銅パッド上面位置を知り、次い
でクリーム半田塗布面の上面位置を知ることにより、ク
リーム半田膜厚を正確に測定表示できる。
【図１】 この発明の実施の形態１であるプリント基板
の正面図である。
の正面図である。
【図２】 図１に示すプリント基板のIII−III断面図ま
たはIV−IV断面図である。
たはIV−IV断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態を示す測定個所に対応
する半導体位置検出素子の検出出力を示すグラフであ
る。
する半導体位置検出素子の検出出力を示すグラフであ
る。
【図４】 従来のプリント基板を示す正面図である。
【図５】 従来のプリント基板にＩＣを実装した状態を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図６】 図４に示すプリント基板のI−I断面図または
II−II断面図である。
II−II断面図である。
【図７】 従来のプリント基板の測定個所に対応する半
導体位置検出素子の検出出力を示すグラフである
導体位置検出素子の検出出力を示すグラフである
【図８】 従来のプリント基板の測定個所に対応する実
際の半導体位置検出素子の検出出力を示すグラフであ
る。
際の半導体位置検出素子の検出出力を示すグラフであ
る。
１ プリント基板、３ 銅パッド、４ クリーム半田、
８ クリーム半田上面、９ 投光部、１０ レーザ投射
光、１１，１５ レーザ反射光、１２ 受光部、１３，
１６ レーザ受光位置、１４ 銅パッド上面、２１ 検
出出力、２４Ａ〜２４Ｄ ダミー銅パッド、２５Ａ，２
５Ｂ ダミー銅パッド上面、２６Ａ，２６Ｂ レーザ反
射光、２７Ａ，２７Ｂ レーザ受光位置、２８Ａ，２８
Ｂ 検出出力。
８ クリーム半田上面、９ 投光部、１０ レーザ投射
光、１１，１５ レーザ反射光、１２ 受光部、１３，
１６ レーザ受光位置、１４ 銅パッド上面、２１ 検
出出力、２４Ａ〜２４Ｄ ダミー銅パッド、２５Ａ，２
５Ｂ ダミー銅パッド上面、２６Ａ，２６Ｂ レーザ反
射光、２７Ａ，２７Ｂ レーザ受光位置、２８Ａ，２８
Ｂ 検出出力。
Claims (2)
- 【請求項１】 １個または多数の連続する電気接合部を
有する電気部品をリフロー半田付けするためのこれらに
対応する１個または多数の連続する銅パッド、該銅パッ
ド近傍または延長線上にリフロー半田付けに使用しない
ダミー銅パッドを備えたことを特徴とするプリント基
板。 - 【請求項２】 上記ダミー銅パッド上面に膜厚測定器の
レーザ光を照射して銅パッド上面位置を知り、次いでク
リーム半田塗布面の上面位置を知ることによりクリーム
半田膜厚を測定表示することを特徴とする請求項１記載
のプリント基板を使用したクリーム半田膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32176195A JPH09162543A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | プリント基板及びこれを用いたクリーム半田膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32176195A JPH09162543A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | プリント基板及びこれを用いたクリーム半田膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162543A true JPH09162543A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18136156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32176195A Pending JPH09162543A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | プリント基板及びこれを用いたクリーム半田膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007026700A1 (de) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Solarwatt Ag | Schichtdickenmessgerät und Verfahren zur Schichtdickenmessung für verzinnte Metallbänder als elektrische Verbinder |
| CN110530271A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-03 | 广东兴发精密制造有限公司 | 一种型材自动测宽测厚装置 |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP32176195A patent/JPH09162543A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007026700A1 (de) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Solarwatt Ag | Schichtdickenmessgerät und Verfahren zur Schichtdickenmessung für verzinnte Metallbänder als elektrische Verbinder |
| CN110530271A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-03 | 广东兴发精密制造有限公司 | 一种型材自动测宽测厚装置 |
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