JPH08124826A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パターンの配置状態によらず形成面内で均一
な寸法精度のパターンで構成されるパターン列を形成す
る。 【構成】 第１の工程で、ウエハ１０上にパターン形成
材料で構成される所定幅ＷのラインパターンＬを所定間
隔Ｄで配置してなる基本パターン列１１を形成する。第
２の工程で、基本パターン列１１を構成するラインパタ
ーンＬのうちの必要な部分を残してその外の部分を除去
し、ウエハ１０上に上記ラインパターンＬを所定状態で
配列してなる目的パターン列１１ａを形成する。これに
よって、露光，現像及び加工の際の処理効果が均一なラ
インパターンで目的パターン列を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
で、ウエハ上に配線のような微細なラインパターンを設
計に合わせて配列形成する際のパターンの形成方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程でウエハ上に配線
や電極等を形成する際には、以下のようにしてパターン
形成を行っている。まず、例えば配線の設計に合わせて
露光パターンが形成された露光マスクを用意する。次い
で、ウエハ上に成膜されたレジスト膜に、上記露光マス
クを用いて所定条件で露光を行う。その後、上記レジス
ト膜を所定条件で現像処理し、ウエハ上にレジストパタ
ーンを形成する。

【０００３】そして、上記のようにして形成したレジス
トパターンをマスクにして、例えばウエハの表面層に成
膜されている金属膜を所定条件でエッチングする。これ
によって、ウエハ上に金属膜を加工してなる配線をパタ
ーン形成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のパター
ン形成方法には、以下のような課題があった。すなわ
ち、上記ウエハ上の各半導体装置形成領域には、半導体
装置の設計に合わせて配線が配置される。このため、上
記各領域内には、半導体装置の設計によって配線が疎な
部分や密な部分ができる。また、例えば上記配線が下層
配線である場合には、配線の一部分に上層配線との接続
を図るためのパッド部を設ける必要がある。このパッド
部は、通常の配線部分と比較して線幅が広く形成され
る。

【０００５】そして、上記配線のようなパターンを、上
記のように所定の処理条件でウエハ上に形成した場合に
は、パターンの疎な部分と密な部分及びパターンの線幅
が細い部分と太い部分とで各処理工程における処理効果
に差が生じる。例えば、露光工程では、パターンの疎な
部分と密な部分またはパターンの線幅の狭い部分と広い
部分とで近接効果に差が生じる。また、現像工程では、
上記の各部分間で現像液の供給状態に差が生じる。さら
に、エッチング工程では、上記の各部分間でエッチング
種の供給状態に差が生じる。

【０００６】以上のように、パターンの配置状態によっ
て各処理工程での処理効果が半導体形成領域内でばらつ
いた場合には、上記領域内でのパターンの寸法精度を均
一に保つことができない。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するための本発明のパターン形成方法では、以下のよう
にしてウエハ上に目的パターン列を形成する。先ず第１
の工程で、ウエハ上にパターン形成材料で構成される所
定幅のラインパターンを所定間隔で配置してなる基本パ
ターン列を形成する。そして、次の第２の工程で、上記
基本パターン列を構成するラインパターンのうちの必要
な部分を残してその外の部分を除去する。これによっ
て、ウエハ上に所定幅のラインパターンを所定状態で配
列してなる目的パターン列を形成する。

【０００８】さらに、上記目的パターン列と異なる形状
の補足パターンを当該目的パターン列に合成させて上記
ウエハ上に形成する場合には、上記第１工程の前，第１
工程と第２工程との間または第２工程の後に上記補足パ
ターンを形成する。

【０００９】また、上記パターン形成材料は、レジスト
でもよい。

【００１０】

【作用】上記パターン形成方法では、先ず第１工程で所
定幅のラインパターンを所定間隔で配置した基本パター
ン列を形成する。このことから、上記基本パターン列内
ではラインパターンの疎密状態が均一になる。このた
め、当該基本パターン列を構成する各ラインパターン
は、当該各ラインパターンを形成する際の各処理効果、
すなわち露光，現像及び，エッチングまたは成膜の処理
効果を形成面内で均一に保って形成される。そして、次
の第２工程では、上記ラインパターンのうちで必要な部
分を残してその外の部分を除去して目的パターン列を形
成する。このことから、上記目的パターン列は、上記処
理効果が均一なラインパターンで構成される。

【００１１】そして、上記第１工程の前，第１工程と第
２工程との間または第２工程の後に、目的パターン列に
合成させて補足パターンを形成する。このことから、上
記補足パターンは、ラインパターンの形成とは別の工程
で形成される。したがって、ラインパターンと形状の異
なる補足パターンが、当該補足パターンの線幅及び配置
状態に合わせた所定の処理条件で形成される。

【００１２】また、上記目的パターン列をレジストで構
成する場合には、当該目的パターン列は、露光及び現
像，または露光の際の処理効果がウエハ面内で均一に形
成されたラインパターンで構成される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明のパターン形成方法の第１実施
例を図１に基づいて説明する。ここでは、配線を設計に
合わせて配列してなる目的パターン列をウエハ１０上に
形成する場合を説明する。上記配線は、所定の線幅を有
するものである。先ず、図１（１）に示す第１工程で
は、ウエハ１０上に基本パターン列１１を形成する。こ
の基本パターン列１１は、パターン形成材料からなるラ
インパターンＬを所定間隔Ｄで配置したものである。こ
のラインパターンＬは、配線の線幅に合わせた所定幅Ｗ
で形成されている。また、上記所定間隔Ｄは、ウエハ１
０上における配線間の最小配置間隔に設定する。さら
に、上記パターン形成材料は、配線を構成する導電性材
料の中から適切な材料を用いる。

【００１４】上記基本パターン列１１は、例えば以下の
ようにして形成する。先ず、パターン形成材料からなる
表面層が形成されたウエハ１０を用意する。次に、上記
ウエハ１０上にここでは図示しないレジストパターンを
形成する。このレジストパターンは、上記ラインパター
ンＬの配置間隔に一致させて形成する。その後、上記レ
ジストパターンをマスクにして、ウエハ１０表面のパタ
ーン形成材料をエッチングする。次いで、上記レジスト
パターンを除去し、これによって、ウエハ１０上に上記
基本パターン列１１を形成する。

【００１５】次に、図１（２）に示す第２工程では、基
本パターン列１１を構成するラインパターンのうちで上
記目的パターン列を形成するために必要な部分を残しそ
の外の部分を除去する。これによって、ウエハ１０上に
目的パターン列１１ａを形成する。

【００１６】この第２工程では、例えば以下のようにし
て一部のラインパターンＬまたはラインパターンＬの一
部分を除去する。先ず、上記ウエハ１０上にここでは図
示しないレジストマスクを形成する。このレジストマス
クは、目的パターン列１１ａの構成に必要な部分のライ
ンパターンＬを覆いかつ不必要な部分を露出させる状態
で形成する。次に、上記レジストマスクから露出するラ
インパターンＬをエッチング除去する。その後、上記レ
ジストマスクを除去する。

【００１７】上記第１実施例のパターン形成方法では、
先ず第１の工程で所定幅ＷのラインパターンＬを所定間
隔Ｄで配置してなる基本パターン列１１を形成する。こ
のことから、上記基本パターン列１１内ではラインパタ
ーンＬの疎密状態が均一になる。このため、ここで形成
されるラインパターンＬは、形成面内で均一な処理効果
で形成される。上記処理効果とは、上記エッチング工程
でマスクとなるレジストパターンを形成する際の露光及
び現像工程の処理効果と、このレジストパターンをマス
クにしたエッチング工程の処理効果である。したがっ
て、上記基本パターン列１１を構成するラインパターン
Ｌは、形成面内での寸法精度が均一に保たれている。そ
して、次の第２工程では、上記ラインパターンＬのうち
で必要な部分を残してその外の部分を除去する。このこ
とから、上記目的パターン列は、寸法精度が均一なライ
ンパターンＬで構成される。

【００１８】上記のパターン形成方法では、ウエハ１０
の表面層のパターン形成材料をレジストパターンをマス
クにしてエッチングすることによって基本パターン列１
１を形成した。しかし、基本パターン列１１は、レジス
トパターンをマスクにしてスパッタ法によってウエハ上
にパターン形成材料を堆積させて形成しても良い。

【００１９】次に、第２実施例のパターン形成方法を上
記図１及び図２に基づいて説明する。ここでは、ウエハ
１０上に下層配線となるパターンを形成する場合を説明
する。上記下層配線には、所定線幅の配線部の他に上層
配線との接続を図るために配線の一部分を広くしたパッ
ド部が形成される。このため、ウエハ１０上には、上記
第１実施例で形成した配線部となる目的パターン列と、
上記パッド部となる補足パターンとを形成する。上記各
パターンを形成する場合には、先ず、上記第１実施例と
同様の第１及び第２工程によって、ウエハ１０上に目的
パターン列１１ａを形成する。

【００２０】次に、図２に示すように、ウエハ１０上に
上記パッド部となる補足パターン２１を形成する。この
補足パターン２１は、目的パターン列１１ａを構成する
所定ラインパターンＬのうちの一つと接続する状態で形
成される。

【００２１】上記補足パターン２１は、例えば以下のよ
うにして形成する。先ず、目的パターン列１１ａのみが
形成されたウエハ１０上にここでは図示しないレジスト
パターンを形成する。このレジストパターンは、上記補
足パターン２１の形成部分を開口する孔状のパターンで
ある。次に、このレジストパターンをマスクにして、例
えば上記と同様のパターン形成材料をスパッタ法によっ
てウエハ１０上に堆積させる。その後、上記レジストパ
ターンを除去し、これによって、ウエハ１０上に上記補
足パターン２１を形成する。

【００２２】上記第２実施例のパターン形成方法では、
ラインパターンＬと線幅の異なる補足パターン２１が、
ラインパターンＬを形成する工程と別の工程で形成され
る。このことから、ラインパターンＬの線幅に合わせる
ことなく、補足パターン２１の形状に合わせた所定の処
理条件で当該補足パターン２１を形成することができ
る。

【００２３】上記第２実施例では、補足パターン２１の
形成を上記第１実施例の第２工程の後に行う場合を説明
した。しかし、補足パターン２１の形成は、上記第１実
施例の第１工程の前または第１工程と第２工程との間に
行っても良く、いづれの場合にも上記第２実施例と同様
の効果が得られる。

【００２４】尚、上記第１及び第２実施例では、ウエハ
上に配線となるパターンを形成する場合を例に取って目
的パターンの形成方法を説明した。このため、ウエハ１
０上には、島状のラインパターンと補足パターンとを形
成した。しかし、上記ラインパターンと上記補足パター
ンとを孔状に形成した場合でも、上記第１及び第２実施
例と同様の効果が得られる。

【００２５】以下に示す第３〜第６の実施例では、レジ
ストからなる目的パターン列を形成する場合を説明す
る。この目的パターン列は、例えば、配線を形成するた
めのマスクになるものである。

【００２６】先ず、第３実施例のパターン形成方法を図
３に基づいて説明する。図３（１）に示す第１工程で
は、ウエハ３０上に基本パターン列３１ａを形成する。
この基本パターン列３１ａは、レジストからなる所定幅
ＷのラインパターンＬを所定間隔Ｄで配置したものであ
る。上記所定幅Ｗ及び所定間隔Ｄとは、例えば上記第１
実施例の基本パターン列（１１）と同様に設定する。

【００２７】この基本パターン列３１ａは、例えば以下
のようにして形成する。先ず、上記ウエハ３０上に、こ
こでは図示しない第１のレジストからなるレジスト膜３
１を成膜する。ここで、上記第１のレジスト３１には、
例えばポジ型レジストを用いる。次に、上記ラインパタ
ーンＬの上記所定幅Ｗと所定間隔Ｄとに合わせて露光パ
ターンが形成された露光マスクを用いて、上記レジスト
膜３１の露光を行う。その後、当該レジスト膜３１の現
像処理を行い、ウエハ３０上に上記基本パターン列３１
ａを形成する。

【００２８】次に、第２の工程では、図３（２）−ａに
示すようにウエハ３０上に第２のレジスト３２からなる
マスク３２ａを形成する。上記マスク３２ａは、基本パ
ターン列３１ａを構成するラインパターンＬのうちで目
的パターン列を形成するために必要な部分を覆いその他
の部分を露出させる状態で、ウエハ３０上に形成する。
ここでは、例えば第２のレジスト３２としてネガ型レジ
ストを用いる。

【００２９】その後、図３（２）−ｂに示すように、第
１のレジスト３１を溶かしかつ第２のレジスト３２を溶
かさない薬液によって、ウエハ３０上に露出するライン
パターンＬをエッチング除去する。

【００３０】次いで、図３（２）−ｃに示すように、第
２のレジスト３２を溶かしかつ第１のレジスト３１を溶
かさない薬液によって、マスク３２ａをエッチング除去
する。これによって、ウエハ３０上に目的パターン列３
１ｂを形成する。

【００３１】上記第３実施例のパターン形成方法では、
先ずレジストからなる所定幅ＷのラインパターンＬを所
定間隔Ｄで配置してなる基本パターン列３１ａを形成す
る。このため、第１の工程で形成されるラインパターン
Ｌは、形成面内で露光及び現像の処理効果を均一に保っ
て形成される。したがって、上記基本パターン列３１ａ
に形成されるラインパターンＬは、形成面内での寸法精
度が均一に保たれている。そして、次の第２工程では、
上記ラインパターンＬのうちで必要な部分を残してその
外の部分を除去する。このことから、上記目的パターン
列３１ｂは、寸法精度が均一なラインパターンＬで構成
される。

【００３２】尚、上記目的パターン列３１ｂをマスクに
してウエハ３０上に配線を形成する場合には、予めウエ
ハ３０表面に導電層を形成しておく。そして、目的パタ
ーン列３１ｂをマスクにして上記導電層をエッチング
し、これによって配線を形成する。

【００３３】また、上記第３実施例では、レジストから
なる島状のラインパターンＬを形成する場合を説明し
た。しかし、上記ラインパターンＬは、孔状でも良い。
この場合、基本パターン列を構成するラインパターンＬ
の不必要な部分をレジストで埋め込むことによって目的
パターン列を形成する。そして、上記の目的パターン列
をマスクにして、ウエハ３０上に配線を形成する場合に
は、先ず、上記目的パターン列をマスクにして、スパッ
タ法によってウエハ上に導電性材料を堆積させる。その
後、上記目的パターン列を除去し、これによってウエハ
３０上に配線を形成する。

【００３４】さらに、上記第１工程で基本パターン列３
１ａを形成するために用いる露光マスクは、密着型のマ
スクまたは縮小投影露光用の露光マスクとする。そし
て、目的パターン列３１ｂは、上記露光マスクの欠陥の
ない部分に対応して形成されたラインパターンＬで構成
する。

【００３５】上記のようにして目的パターン列３１ｂを
構成する場合、露光マスクの欠陥によるパターン欠陥を
排除した精度の良いラインパターンでのみ目的パターン
列３１ｂを構成することができる。

【００３６】また、上記の露光マスクに縮小投影露光用
の露光マスクを用いた場合には、基本パターン列３１ａ
を形成する際の露光に、当該露光マスクの欠陥のない部
分のみを用いて露光を行う。

【００３７】上記のようにして露光を行った場合には、
ウエハ３０上には露光マスクのパターン欠陥が転写され
ず、欠陥のないラインパターンＬが形成される。このた
め、パターン欠陥の発生が抑えられ、しかも目的パター
ン列の設計の自由度が確保される。

【００３８】次に、第４実施例のパターン形成方法を図
４に基づいて説明する。第４実施例では、上記第３実施
例で説明した目的パターン列と、レジストからなりかつ
上記目的パターン列に合成する補足パターンとをウエハ
上に形成する場合を説明する。

【００３９】先ず、上記第３実施例のようにしてウエハ
３０上に目的パターン列３１ｂを形成する。次に、図４
（１）に示すように、目的パターン列３１ｂの露出面を
含むウエハ３０上にレジスト膜４１を形成する。そし
て、補足パターンの形成部分にレジストからなる島状パ
ターンを残すように露光パターンが形成された露光マス
ク４２を用いて、レジスト膜４１を露光する。図では、
ネガ型レジストを用いた場合を示した。。

【００４０】その後、図４（２）に示すように、レジス
ト膜４１の現像処理を行う。これによって、ウエハ３０
上に目的パターン列３１ｂに合成させて補足パターン４
１ａを形成する。

【００４１】上記第４実施例のパターン形成方法では、
ラインパターンＬと線幅の異なる補足パターン４１ａ
が、ラインパターンＬを形成する露光及び現像工程と別
の工程で形成される。このことから、ラインパターンＬ
の線幅に合わせることなく、補足パターン４１ａの形状
に合わせた所定の露光及び現像条件で当該補足パターン
４１ａを形成することができる。尚、ここでは、上記第
３実施例の第２工程の後に補足パターン４１ａを形成し
た。しかし、補足パターン４１ａの形成を上記第３実施
例の第１工程の前または第１工程と第２工程との間に行
っても良く、いづれの場合にも上記第４実施例と同様の
効果が得られる。また、上記目的パターン列３１ｂ及び
補足パターンをマスクにして、ウエハ３０上に配線及び
パッド部を形成する場合には、上記第３実施例と同様に
する。

【００４２】次に、第５実施例のパターン形成方法を図
５に基づいて説明する。ここでは、上記第３実施例と同
様にレジストで構成される目的パターン列をウエハ上に
形成する場合のその他の方法を説明する。先ず、図５
（１）に示す第１の工程では、ウエハ５０上にポジ型ま
たはネガ型レジストからなるレジスト膜５１を成膜す
る。ここでは、ポジ型レジストを用ることとする。次い
で、第１の露光マスク５２を用いてレジスト膜５１を露
光する。上記第１の露光マスク５２は、所定幅Ｗのライ
ンパターンを所定間隔Ｄで配列してなる基本パターンの
パターン像を露光するためのものである。また第１の露
光マスク５２は、所定幅Ｗのパターン像の転写部分に、
露光光５が照射されないように形成されている。

【００４３】その後、図５（２）に示す第２の工程で
は、第２の露光マスク５３を用いてレジスト膜５１を露
光する。この第２の露光マスク５３は、上記第１の露光
マスク５２で露光されたパターン像のうちで、目的パタ
ーン列の構成に必要な部分を残しその外の部分に露光光
５が照射されるように形成されている。

【００４４】さらに、図５（３）に示す第３の工程で
は、レジスト膜５１を現像処理し、これによって、レジ
ストからなる島状のラインパターンＬで構成される目的
パターン列５１ａをウエハ５０上に形成する。尚、レジ
スト膜５１をネガ型レジストで形成した場合には、目的
パターン列５１を構成するラインパターンＬは孔状にな
る。

【００４５】上記第５実施例のパターン形成方法では、
第１工程で所定幅のラインパターンが所定間隔で配置さ
れる基本パターンのパターン像を露光する。このことか
ら、上記パターン像の露光範囲内では、露光光５の照射
密度が均一になる。このため、このパターン像は、露光
面内で均一な露光効果で露光される。そして、次の第２
工程で上記パターン像のうちで必要な部分を残してその
外の部分に露光光５を照射し、続く第３工程で上記レジ
スト膜５１を現像処理して目的パターン列５１ａを形成
する。このことから、上記目的パターン列５１ａは、パ
ターン形成面内で均一な露光効果で形成されたラインパ
ターンＬで構成される。尚、上記目的パターン列５１ａ
をマスクにした配線の形成方法は、上記第３実施例で説
明したように行う。

【００４６】次に、第６実施例のパターン形成方法を図
６に基づいて説明する。ここでは、レジストで構成され
る孔状のラインパターンＬを所定状態で配列してなる目
的パターン列と、この目的パターン列と合成する孔状の
補足パターンとをウエハ上に形成する場合を説明する。
先ず、第１の工程では、図６（１）−ａに示すように、
ウエハ６０上にポジ型レジストからなるレジスト膜６１
を成膜する。次いで、レジスト膜６１に、第１の露光マ
スク６２を用いて露光を行う。この第１の露光マスク６
２は、所定幅のラインパターンＬを所定間隔で配置して
なる基本パターン列を形成するためのものであり、当該
基本パターン列を構成するラインパターンの形成部分に
露光光が照射されるように形成されている。

【００４７】次に、図６（２）−ｂに示すよに、レジス
ト膜６１に、第２の露光マスク６３を用いて露光を行
う。この第２の露光マスクは、補足パターンを形成する
ためのものであり、補足パターンの形成部分に露光光が
照射されるように形成されている。尚、上記図６（１）
−ａで示した第１の露光マスク６２を用いた露光と、図
６（１）−ｂで示した第２の露光マスク６３を用いた露
光とは、逆の手順で行っても良い。

【００４８】その後、図６（２）に示す第２の工程で
は、レジスト膜６１の現像処理を行う。これによって、
ウエハ６０上のレジスト膜６１に、所定幅Ｗのラインパ
ターンパターンＬが所定間隔Ｄで配置された基本パター
ン列６１ａと補足パターン６１ｂとが形成される。

【００４９】さらに、図６（３）に示す第３の工程で
は、上記目的パターン列を構成するために必要なライン
パターンＬを残し、その他のラインパターンＬをレジス
ト６４で埋め込む。これによって、所定幅Ｗのラインパ
ターンＬを所定状態で配列してなる目的パターン列６１
ｃと補足パターン６１ｂとがウエハ６０上に形成され
る。

【００５０】上記第６実施例のパターン形成方法では、
上記第５実施例と同様に露光面内で均一な露光効果で形
成されたラインパターンＬで目的パターン列６１ｃが構
成される。また、これとともに、形状に合わせた適切な
露光条件でラインパターンＬと補足パターン６１ｂとが
形成される。尚、上記の各パターンをマスクにした配線
の形成方法は、上記第３実施例と同様に行う。

【００５１】また、上記第１から第６実施例で形成され
る各目的パターン列は、上記第３実施例で示したよう
に、ラインパターンを形成するための露光マスクの欠陥
のない部分に形成されたラインパターンＬで構成するよ
うにする。

【００５２】さらに、上記の露光マスクに縮小投影露光
用の露光マスクを用いた場合には、上記第３実施例で示
したように、基本パターン列を形成する際の露光では、
当該露光マスクの欠陥のない部分のみを用いて露光を行
う。

【００５３】

【発明の効果】以上、説明したように本発明のパターン
形成方法よれば、所定幅のラインパターンを所定間隔で
配置してなる基本パターン列を形成し、次いで当該基本
パターン列のうちの不必要な部分のラインパターンを除
去して目的パターン列を形成することで、露光，現像，
エッチング，成膜等の処理効果を形成面内で均一に保っ
て形成されたラインパターンで上記目的パターン列を構
成することが可能になる。このため、ラインパターンの
配置状態によらず寸法精度が均一なラインパターンをウ
エハ上に所定状態で配列することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例を示す図である。

【図２】第２実施例を示す図である。

【図３】第３実施例を示す図である。

【図４】第４実施例を示す図である。

【図５】第５実施例を示す図である。

【図６】第６実施例を示す図である。

【符号の説明】

１０，３０，５０，６０ ウエハ １１，３１ａ，６１ａ 基本パターン列 １１ａ，３１ｂ，５１ａ，６１ｃ 目的パターン列 １２，４１ａ，６１ｂ 補足パターン ３１ 第１のレジスト ３２，６４ 第２のレジスト ５１，６１ レジスト膜 ５２，６２ 第１の露光マスク ５３，６３第２の露光マスク Ｄ 所定間隔 Ｌ ラインパターン Ｗ 所定幅

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ上に形成したレジストパターンを
   マスクにして当該ウエハ表面層のパターン形成材料をエ
   ッチングするかまたは当該ウエハ上面にパターン形成材
   料を堆積させることによって、 前記ウエハ上に前記パターン形成材料で構成される所定
   幅のラインパターンを配列してなる目的パターン列を形
   成する方法であって、 前記ウエハ上に、前記ラインパターンを所定間隔で配列
   してなる基本パターン列を形成する第１工程と、 前記基本パターン列を構成するラインパターンのうちで
   前記目的パターン列の構成に必要な部分を残してその外
   の部分を除去し、前記ウエハ上に前記目的パターン列を
   形成する第２工程とからなることを特徴とするパターン
   形成方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のパターン形成方法におい
   て、 前記第１工程の前，当該第１工程と前記第２工程との間
   または当該第２の工程の後に、前記ウエハ上に前記目的
   パターン列に合成する補足パターンを形成することを特
   徴とするパターン形成方法。
3. 【請求項３】 ウエハ上にレジストで構成される所定幅
   のラインパターンを配列してなる目的パターン列を形成
   する方法であって、 前記ウエハ上に、前記ラインパターンを所定間隔で配置
   してなる基本パターン列を形成する第１工程と、 前記基本パターン列を構成するラインパターンのうちで
   前記目的パターン列の構成に必要な部分を残してその外
   の部分を除去し、前記ウエハ上に前記目的パターン列を
   形成する第２工程とからなることを特徴とするパターン
   形成方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載のパターン形成方法におい
   て、 前記第１工程の前，当該第１工程と前記第２工程との間
   または当該第２の工程の後に、前記ウエハ上に前記目的
   パターン列に合成する補足パターンを形成することを特
   徴とするパターン形成方法。
5. 【請求項５】 ウエハ上にレジストで構成される所定幅
   のラインパターンを配列してなる目的パターン列を形成
   する方法であって、 前記ウエハ上にレジスト膜を成膜し、前記ラインパター
   ンを所定間隔で配列してなる基本パターン列のパターン
   像を露光するための第１の露光マスクを用いて当該レジ
   スト膜を露光する第１工程と、 前記パターン像のうちで前記目的パターン列の構成に必
   要な部分を残しその外の部分に露光光が照射される第２
   の露光マスクを用いて、前記レジスト膜を露光する第２
   工程と、 前記レジスト膜を現像処理し、前記ウエハ上に前記目的
   パターン列を形成する第３工程とからなることを特徴と
   するパターン形成方法。
6. 【請求項６】 ウエハ上に、レジストで構成される所定
   幅のラインパターンを配列してなる目的パターン列とレ
   ジストで構成されかつ前記目的パターン列に合成して形
   成される補足パターンとを形成する方法であって、 前記ウエハ上にレジスト膜を成膜し、次いで前記ライン
   パターンを所定間隔で配列してなる基本パターン列を形
   成するための第１の露光マスクを用いて当該レジスト膜
   を露光し、前記補足パターンを形成するための第２の露
   光マスクを用いて前記レジスト膜を露光する第１工程
   と、 前記レジスト膜を現像処理して、前記ウエハ上に前記基
   本パターン列と前記補足パターンとを形成する第２工程
   と、 前記補足パターンと前記基本パターン列を構成するライ
   ンパターンのうちで前記目的パターン列の構成に必要な
   部分を残しその外の部分のパターンを除去し、前記ウエ
   ハ上に前記目的パターン列と前記補足パターンとを形成
   する第３工程とからなることを特徴とするパターン形成
   方法。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のうちの１項に記載のパタ
   ーン形成方法において、 前記目的パターン列は、前記基本パターン列を形成する
   ためまたは前記基本パターン列のパターン像を露光する
   ために用いられる露光マスクの欠陥のない部分に対応し
   て形成されたラインパターンで構成されるものであるこ
   とを特徴とするパターン形成方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜６のうちの１項に記載のレジ
   ストパターン形成方法において、 前記基本パターン列を形成するためまたは前記基本パタ
   ーン列のパターン像を露光するために用いられる露光マ
   スクは、縮小投影用の露光マスクであり、 前記露光マスクを用いた露光は、当該露光マスクの欠陥
   のない部分のみを用いることを特徴とするパターン形成
   方法。